AVR使用范例--EEPROM使用详解
AVR使用范例--EEPROM使用详解
本页关键词：什么是eeprom spi eeprom eeprom程序eeprom资料eeprom结构eeprom 读写eeprom的读写
本页详细介绍ICC自带EEPROM操作函数的操作方法，包括单字符读写，数组读写，结构体读写。
程序代码：下载相关文件
∙void main(void)
∙{
∙ unsigned char temp1,temp2;
/*定义变量*/
∙ unsigned char buffer[10];
/*定义数组*/
∙ unsigned char buf[]="AVR与虚拟仪器";
/*定义字符串*/
∙
∙ EEPROMwrite(0x10,'a');
/*单字符写入到0x10，注意是单引号*/
∙ temp1 = EEPROMread(0x10);
/*读一个字符到temp1*/
∙
∙
∙ EEPROM_WRITE(0x20,"abcdefg");
/*写字符串到0x20*/
∙ EEPROM_READ(0x20,temp2);
/*读字符到temp2，temp2＝a*/
∙ EEPROM_READ(0x20,buffer);
/*读字符串到数组中 buffer[10]=abcdefg */
∙
∙ EEPROM_WRITE(0x30,buf);
/*数组中的值写到EEPROM中：0X30开始为"AVR与虚拟仪器"*/∙
∙ while(1)
∙ ;
∙}
∙
调试后的效果：
调试eeprom的时候，记住设置Avr studio保护eeprom数据，否则每次都会将eeprom中的数据改为0xFF。
如下图：
打开调试选项：
钩选保护eeprom数据选项：
打开相关观测窗口：
按F10逐条语句运行，查看运行结果。
1. 地址10上的值被改写为“a”
2. temp1的值变为a，及读取了地址0x10的值a：
3. abcdefg写入20开始的地址：
4. temp2的变为地址20的值a：
5. 以0x20开始的值都读入buffer数组中：
6. 预定义的数组中的值写到EEPROM中：
7. 设置不保护EEPROM的值之后，停止调试再开始调试，EEPROM中的值改为0XFF：
通过以上的观察，我想你已经对EEPROM的操作有了一定的认识，同时，你可以打开eeprom.h查看内部内容，是如何定义函数的。
结构体的操作方法与数组类似：（一般简单应用中，你用不到下面的知识，看不懂没有关系，不要被吓倒了）
∙EEPROMWriteBytes(0x10,&red_flag,sizeof(red_flag)); //将结构写入EEPROM
∙EEPROMReadBytes(0x10,&red_flag,sizeof(red_flag)); //从EEPROM中将结构全部读出来
∙旗帜的结构为
∙/*
∙typedef struct
∙{
∙uint8 position; //0 底 1~180：中间 180：顶
∙uint8 fangxiang; //0 静止中 'u' : 向上 'd'：向下
∙uint8 T; //0 总时间
∙uint8 t; //0 已经耗去的时间
∙uint8 S; //0 目标路程
∙uint8 s; //0 已经走过的路程
∙uint8 move_flag; //0 是否运动中
∙uint8 half_mode; //0 非半旗 1：半旗
∙uint8 purse; //0 没有暂停 1：暂停状态
∙uint8 half_short_or_long;//0 1：半旗长路程中 2：半旗短路程中
∙uint16 maichong; //0 脉冲数目
∙}QIZHI;
∙QIZHI red_flag; //旗帜结构
*/。
AVR单片机内部EEPROM方法
uchar
DispTab[17]={0xC0,0xF9,0xA4,0xB0,0x99,0x92,0x82,0xF8,0x80,0x90,0x88,0x83,0
xC6,0xA1,0x86,0x8E,0xFF};uchar
BitTab[6]={0x7F,0xBF,0xDF,0xEF,0xF7,0xFB};uchar DispBuf[6];//显示缓冲区
tips:感谢大家的阅读，本文由我司收集整编。仅供参阅！
temp=eeprom_read_byte(Addr);DispBuf[5]=temp;if(++Count==1000){Count=0;
Counter++;eeprom_write_bytgt;=10)Counter=0;//计数
值在0~9之间循环disp(); //调用显示程序}}
intmain(void){unsignedintCount=0;unsignedcharAddr=1;//向地址1里面写数
字uint8_ttemp=0;io_init();DispBuf[0]=Hidden;DispBuf[1]=Hidden;DispBuf[2]
=Hidden;DispBuf[3]=Hidden;DispBuf[4]=0;//次低位显示0while(1){
voidmDelay(uintDelayTim){uinti;for(;DelayTim>0;DelayTim--){for(i=0;ivoid
disp(){uchari;uchartmp;if(++i>=6)i=0;PORTC=0xff;//关闭显示tmp=DispBuf[i];
PORTA=DispTab[tmp];tmp=BitTab[i];PORTC=tmp;mDelay(1); //延时1ms}
AVR内部EEPROM读写实验
A VR内部EEPROM读写实验片内EEPROM读写实险。
1、用内部EEPROM记录CPU启动次数，并在PB 口上显示出来。
2、内部1 M晶振，程序采用单任务方式，软件延时。
3、进行此实验请插上JP1的所有8个短路块，JP7(LED_EN)短路块。
4、通过此实验，可以对对内部EEPROM 有个初步认识，了解EEPROM函数的操作。
5、可过复位键让系统重启，这样就可以更新显示了。
*/#include iom16v.h/*延时函数*/void delay_ms(unsigned char i) {unsigned char a, b;for (a = 1; a i; a++) { for (b = 1; b; b++) { ; } }}/*EEPROM读取函数*//*addr：地址；number：长度；p_buff：读出数据存放指针*/void eprom_read(unsigned int addr, unsigned char number, unsigned char *p_buff) {while(EECR (1 EEWE));EEARH = 0x00;while(number --) { EEARL = addr ++; EECR |= (1 EERE); *p_buff++ = EEDR; }}/*EEPROM写入函数*//*addr：地址；number：长度；p_buff：写入数据存放指针*/void eprom_write(unsigned int addr, unsigned char number, unsigned char *p_buff) {EEARH = 0x00;while(number --) { while(EECR (1 EEWE)); EEARL = addr ++; EEDR = *p_buff ++; EECR |= (1 EEMWE); EECR |= (1 EEWE); }}/*主函数*/void main(void) {unsigned char temp;DDRA = 0x00; /*方向输入*/PORTA = 0xFF; /*打开上拉*/DDRB = 0xFF; /*方向输出*/PORTB = 0xFF; /*电平设置*/DDRC = 0x00;PORTC = 0xFF;DDRD = 0x00;PORTD = 0xFF;delay_ms(250); /*启动延时*/eprom_read(0x10, 0x01, temp); /*读出记录*/PORTB = ~temp; /*显示记录*/temp ++; /*刷新记录*/eprom_write(0x10, 0x01, temp); /*写入记录*/while (1) { ; }}。
AVR常用操作
IAR编译器配置(AVR )一、EEPROM 区域数据存储：__eeprom unsigned char a;//定义一个变量存放在EEPROM空间__eeprom unsigned char a @ 0x8;//定义一个变量存放在EEPROM空间0X08单元__eeprom unsigned char p[] @ 0x22//定义一个数组存放在EEPROM空间，开始地址为0X22单元__eeprom unsigned char a @ 0x08=9;//定义一个常数存放在EEPROM空间0X08单元__eeprom unsigned char p[] @0x22={1，2，3，4，5，6，7，8};EEPROM操作宏取函数：在comp_a90.h intrinsics.h头文件里有详细说明。
自动生成.eep文件置：在Project->Options->linker->config>的linker command line中观察该Project使用了哪个XCL文件。
本文使用M8编译，使用文件是”TOOLKIT_DIR$\src\template\cfgm8.xcl”-Ointel-extended,(CODE)=.hex-Ointel-extended,(XDATA)=.eep二、FLASH 区域数据存储：用关键字__flash 控制来存放，__ flash 关键字写在数据类型前后效果一样__flash unsigned char a @ 0x8;//定义变量存放在flash 空间0X08单元__flashunsigned char p[] @ 0x22//定义数组存放在flash 空间，开始地址为0X22单元__flash unsigned char a @ 0x08=9;//定义常数存放在flash 空间0X08单元__flash unsigned char p[] @ 0x22={1，2，3，4，5，6，7，8};unsigned int __flash * p;//定义个指向flash 空间地址的指针，16位。
AVR片内EEPROM模拟FLASH的优化方法
AVR片内EEPROM模拟FLASH的优化方法概述在AVR片内(内置)的EEPROM模拟FLASH存储的过程中，我们需要考虑如何优化代码以提高性能和效率。
本文档将介绍一些简单的优化方法，以确保良好的性能和稳定的EEPROM模拟FLASH储存过程。
优化方法1. 合理使用EEPROM和FLASH存储根据实际需求，合理使用EEPROM和FLASH存储。
EEPROM 存储器可以用于存储需要频繁修改的数据，而FLASH存储器则适合存储不频繁修改的数据。
2. 使用EEPROM指针使用EEPROM指针来快速访问EEPROM存储器中的数据。
通过使用指针来读取和写入EEPROM存储器中的数据，可以提高读写速度和效率。
3. 批量读写操作在进行EEPROM模拟FLASH储存时，尽可能使用批量读写操作，而不是逐个读写。
这样可以减少读写次数，提高存储过程的效率。
4. 数据压缩对需要存储的数据进行压缩可以减少存储空间，提高存储效率。
使用有效的压缩算法可以将数据压缩到最小的空间，同时保证数据的完整性。
5. 数据校验在进行数据读取和写入时，使用合适的校验算法来保证数据的完整性和准确性。
可以使用CRC或校验和等算法对数据进行校验，以确保存储过程的可靠性。
结论通过合理使用EEPROM和FLASH存储、使用EEPROM指针、批量读写操作、数据压缩和数据校验等优化方法，我们可以提高AVR片内EEPROM模拟FLASH存储的性能和效率。
在实际应用中，根据具体需求和场景选择合适的优化方法，将有助于提升系统的稳定性和性能。
(Word count: 201)。
AVR单片机内部EEPROM应用方法
AVR 单片机内部EEPROM 应用方法
AVR 单片机内部集成了EEPROM，但是在GCC 写编写EEPROM 应用
程序的时候，经常会出现读写EEPROM 时程序出错，或重启等不正常现象。
在软件仿真时也许结果是正确的，但是在片上运行的时候就不正常。
困扰很
久，终于发现原因在于编译器，已经我们对EEPROM 操作说明的理解不正确
或不仔细。
操作EEPROM 对时序的要求较高。
更加Datasheet 里的写操作范例程序：while(EECR & (1EEAR = address; //设置地址和数据寄存器
EEDR = data;
EECR |= (1
EECR |= (1 以上代码在GCC 中的编译结果，发现EECR |= (1while(EECR & (1EEAR = address; //设置地址和数据寄存器
EEDR = data;
asm volatile(SBI 0x1C,2 \n\t);
asm volatile(SBI 0x1C,1 \n\t);。
AVR单片机内部EEPROM方法
AVR单片机内部EEPROM方法/**************************************************************;eeprom.c 在AVR单片机中可以用在ATMEGA16和ATMEGA8中都可以用，在GCC下;编译通过。
09年11月1号! 陈永飞已测试过!;读/写atmega8515内部EEPROM的例子;将数据0....9写入eeprom中，再读出用数码管显示出来***************************************************************/#include ;#include ;#define uchar unsigned char#define uint unsigned int#define Hidden 16ucharDispTab[17]={0xC0,0xF9,0xA4,0xB0,0x99,0x92,0x82,0xF8,0x80,0x90,0x88,0x83,0xC6,0xA1,0x86,0x8E,0xFF}; uchar BitTab[6]={0x7F,0xBF,0xDF,0xEF,0xF7,0xFB};uchar DispBuf[6]; //显示缓冲区 unsigned char Counter=0; void io_init(void){// PortAPORTA = 0xff;DDRA = 0xff;// PortBPORTB = 0x0;DDRB = 0x0;// PortCPORTC = 0xfc;DDRC = 0xfc;// PortDPORTD = 0x0;DDRD = 0x0;}void mDelay(uint DelayTim) {uint i;for(;DelayTim>;0;DelayTim--) {for(i=0;i;=6)i=0;PORTC=0xff; //关闭显示tmp=DispBuf[i];PORTA=DispTab[tmp];tmp=BitTab[i];PORTC=tmp;mDelay(1); //延时1ms}int main(void){unsigned int Count=0;unsigned char Addr=1; //向地址1里面写数字uint8_t temp=0;io_init();DispBuf[0]=Hidden;DispBuf[1]=Hidden;DispBuf[2]=Hidden;DispBuf[3]=Hidden;DispBuf[4]=0; //次低位显示0while(1){temp=eeprom_read_byte (Addr);DispBuf[5]=temp;if(++Count==1000){Count=0;Counter++;eeprom_write_byte(Addr,Counter); }if(Counter>;=10)Counter=0; //计数值在0~9之间循环disp(); //调用显示程序}}。
eeprom使用的流程
EEPROM使用的流程1. 简介EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种特殊的非易失性存储器，可以通过电子擦除的方式对其中的数据进行修改。
EEPROM 的使用可以在许多应用中存储重要的配置信息或用户数据，并在需要时进行读取、修改和擦除。
2. EEPROM流程概述使用EEPROM时，通常需要遵循以下基本流程：1.初始化EEPROM2.写入数据到EEPROM3.从EEPROM中读取数据4.擦除EEPROM中的数据下面将详细介绍每个流程的步骤和注意事项。
3. 初始化EEPROM在使用EEPROM之前，需要对其进行初始化。
初始化的过程可以包括确定EEPROM的地址、设置相关的控制寄存器等操作。
以下是初始化EEPROM的一般步骤：•确定EEPROM的地址：根据硬件设计和连线的方式，确定EEPROM 的地址。
通常情况下，EEPROM都会有一个唯一的I2C地址，可以通过连接敏感引脚或编程进行设置。
•设置控制寄存器：根据EEPROM的型号和规格，设置相关的控制寄存器。
这些寄存器可以包括写使能、擦除使能、写保护等设置。
根据具体的硬件平台和开发工具，设置方法可能会有所不同。
•验证初始化：在进行后续的写入和读取操作之前，需要验证EEPROM的初始化是否成功。
这可以通过读取控制寄存器的值或执行简单的读取操作来实现。
4. 写入数据到EEPROM一旦EEPROM初始化完成，可以开始向其中写入数据了。
写入数据到EEPROM通常需要注意以下几个步骤：•选择写入的地址：根据EEPROM的规格和需求，选择要写入数据的地址。
EEPROM通常被分为多个字节或页面，每个页面都有其唯一的地址。
•编写写入算法：根据需要，编写适合特定EEPROM型号的写入算法。
这些算法可能包括将数据按字节或页面写入EEPROM、校验写入的数据等操作。
根据具体的硬件平台和开发工具，写入算法可能会有所不同。
AVR104 缓存和中断方式EEPROM写入
AVR104: 缓存和中断方式EEPROM写入翻译：邵子扬 2006年8月18日shaoziyang@1特点●多字节 EEPROM 缓存●高效 EEPROM 访问●缓存访问控制●EEPROM 缓存重写2介绍许多应用中使用了 AVR 单片机内置的 EEPROM 来保存和恢复参数。
存放单个字节到 EEPROM 的编程时间在 3 到 8.5 ms 左右，在这个写入时间里写入访问被禁止。
传统上是使用查询法来判断 EEPROM 写入是否完成的，这篇应用笔记介绍一种使用缓存和中断方法，明显的提高了程序的性能，和查询法相比还减少了电源的功耗（在等待期间可以进入休眠模式）。
提高性能和降低功耗直接关系到系统。
当执行 EEPROM 写访问查询时，所有资源（除了中断）都被查询所占用，而中断法在“等待” EEPROM 写入完成中断时，可以将单片机释放出来去执行其它代码。
与查询法相比，中断驱动写每字节的 EEPROM 最多可以释放 8.5 ms 时间–依赖于芯片编程时间和系统时钟频率。
3理论AVR 单片机既可以通过中断方式也可以通过查询方式写内部的 EEPROM，两种方法有各自的优点，但是从执行性能看要选择中断方式。
3.1 轮询法轮询就是在读写时，查询 EEWE 状态标志位来保证写周期已经完成。
如果写周期还在进行中，单片机将等待并不停检查标志位，直到标志位被清楚后才继续进行。
检查自编程是否被激活也是必要的，在需要时，要等待 SPM 操作完成。
如果不使用自编程，可以忽略这个步骤。
一旦标志位被清除，就可以启动下一个 EEPROM 操作了。
轮询法的优点是代码紧凑，主要缺点是单片机在等待 EEPROM 写入时浪费了很多时间。
一个典型的单字节写子程序如下：EEPROM_WR: ;EEPROM Write Sub-Routinesbic EECR, EEWE ;If EEWE Not Clearrjmp EEPROM_WR ;Wait LongerSPM_BUSY: ;(Omit if Self-Programming is Not Used) sbic SPMCR, SPMEN ;If SPMEN Not Clearrjmp SPM_BUSY ;Wait Longerout EEARH, r16 ;Output Address Byte (High)out EEARL, r17 ;Output Address Byte (Low)out EEDR, r18 ;Output Data Bytecli ;Disable Global Interruptssbi EECR, EEMWE ;Set Master Write Enablesbi EECR, EEWE ;Set EEPROM Write Strobe;This instruction takes four clock;cycles.sei ;Enable Global Interruptsret ;Return From Sub-Routine3.2 中断法在中断驱动法，不需要查询 EEWE 状态位确定 EEPROM 写入完成，EEPROM 就绪中断是 EEWE 状态位被清除时触发的。
最新AVR单片机EEPROM寄存器汇总
A V R单片机E E P R O M寄存器ATmega88包含512字节的EEPROM数据存储器。
它是作为一个独立的数据EEPROM 的寿命至少为 100,000 次擦除周期。
EEPROM 的访问由地址寄存器，数据寄存器和控制寄存器决定。
具体的 SPI 及并行下载 EEPROM 数据请参见P254“存储器编程”。
EEPROM 读/ 写访问EEPROM 读/ 写访问EEPROM 的访问寄存器位于I/O 空间。
EEPROM的写访问时间由Table 3给出。
自定时功能可以让用户软件监测何时可以开始写下一字节。
用户操作EEPROM 需要注意如下问题：在电源滤波时间常数比较大的电路中，上电/ 下电时VCC 上升/ 下降速度会比较慢。
此时CPU 可能工作于低于晶振所要求的电源电压。
请参见P20“ 防止EEPROM 数据丢失” 以避免出现EEPROM 数据丢失的问题。
为了防止无意识的EEPROM 写操作，需要执行一个特定的写时序。
具体参看EEPROM控制寄存器的内容。
执行EEPROM 读操作时， CPU 会停止工作4 个周期，然后再执行后续指令；执行EEPROM 写操作时， CPU 会停止工作2 个周期，然后再执行后续指令。
EEPROM 地址寄存器－ EEARH和EEARL· Bits 15..9 – Res: 保留保留位，读操作返回值为零。
· Bits 8..0 – EEAR8..0: EEPROM 地址EEPROM 地址寄存器– EEARH和EEARL指定了 512 字节的EEPROM。
EEPROM 地址是线性的，从 0 到 511 。
EEAR 的初始值没有定义。
在访问EEPROM 之前必须为其赋予正确的数据。
EEAR8 在 ATmega48 中为无效位，必须始终将其赋值为”0”。
EEPROM 数据寄存器－ EEDR· Bits 7..0 – EEDR7.0: EEPROM 数据对于EEPROM 写操作， EEDR 是需要写到EEAR 单元的数据；对于读操作，EEDR 是从地址EEAR 读取的数据。
AVR单片机EEPROM的读写
AVR单片机EEPROM的读写
一AVR 存储类型不要外挂方便使用
1.FLASH 存储程序代码
2.EEPROM 运行的数据掉电不丢失的数据存储分页的数据
3.SRAM 运行的临时数据
EEPROM:读写以字节为单位通过专用指令或SPI、JTAG 直接读写
使用RC 震荡作为时钟，典型值为8.5ms
有时数据丢失的原因：刚上电电压不稳就操作、读写时被中断打断、程序跑飞了
怎样预防：
熔丝位的电压检测设置：低于电压就停止
熔丝位系统时钟的设置：设置上电暂停时间长一点
双字节存储，或加校验位
操作时尽量关中断
二相关寄存器
存储器需要数据和地址来操作以及相应的控制寄存器
地址寄存器EEARH EEARL
数据寄存器EEDR
控制寄存器EECR
* ** * EERIE EEMWE EEWE EERE
以一个实例示范下即可。