PECVD工艺操作规程
48所PECVD操作规程
PECVD（48所）操作规程1.打开各路气体阀门。
包括氮气，CDA以及反应特气。
注意：打开反应特气（硅烷、氨气）时候须小心。
2.打开冷却水管的开关。
先打开出水管，后打开进水管。
即先打开上面4条水管，后打开下面4条水管。
切记顺序不能反，并且注意真空泵组以及设备有无水报警，检查水压。
3.打开电源总开关（在扩散车间），PECVD三相电源指示灯亮。
4.按下控制柜电源“上电”按纽，开启电脑。
5.手动设置工艺温度，然后按下加热“上电”开关，开始加热。
6.戴上工艺要求的手套开始将准备好的硅片放在石墨舟上，然后调整，使片子紧贴石墨舟。
7.待温度升至工艺要求的温度后，把石墨舟放在悬臂杆上.8.进入“PECVD设备计算机工艺自动控制系统V3.0”程序，在“手动”模式下，将悬臂杆降至“下位”归零，然后上升至“上位”单击“工艺编辑”，然后在“工艺编辑”窗口中选择工艺程序文件，将工艺程序各步参数下载到工艺运行缓冲区中。
9.在主窗口中单击“系统图”图标，进入“系统图”窗口。
单击“系统图”窗口工具栏中的“启动”图标，计算机会给出一些提示，逐条检查每一条提示，然后“确定”，即开始工艺运行。
10. 单击“系统图”窗口工具栏中的“自循环”图标。
保证工艺运行到最后一步时间耗尽时，会自动跳转到第1步继续执行，而不会中止工艺运行。
11. 在悬臂杆将石墨舟推入石英管的过程中，密切注意悬臂杆与石墨舟是否会撞到石英管。
并从炉尾处的小窗口观察，高频电源电极和石墨舟电极是否接触良好；悬臂杆后退时候，从炉口观察，是否会把石墨舟带出。
12. 工艺运行中…….，操作员工可准备其它石墨舟的上片工作。
13. 工艺运行至“取片”步，悬臂杆将石墨舟退出来以后，整个工艺运行完毕，计算机会给出一个提示。
将其它上好片子的石墨舟放在悬臂杆上后，单击“确定”即进入下一个工艺循环。
14. 生产结束后，在“手动”模式下关掉炉门，关闭罗茨泵。
按下加热“关”，退出PECVD设备计算机工艺自动控制系统V3.0，关闭电脑，但是不要断掉控制柜的电源。
PECVD工艺原理及操作
烘烤基片
将清洗后的基片进行烘烤 ，去除表面的水分和溶剂 ，使基片表面更加干燥和 清洁。
放置电极
在基片上放置电极，以便 在PECVD工艺中进行电场 驱动和监控。
薄膜制备工艺参数设置
真空度
温度
在一定范围内，提高真空度可以改善薄膜 质量，因为高真空度可以减少气体分子对 薄膜形成过程的干扰。
射频功率
温度对薄膜形成速度和质量有很大影响， 温度过低会导致薄膜不均匀，温度过高则 可能导致薄膜性能下降。
不稳定，影响薄膜质量；微波功率过低则会导致反应速度慢，影响生产
效率。因此，需要选择合适的微波功率。
设备改进方案及实施计划
升级反应室材料
目前使用的反应室材料存在一些问题，如耐高温性能不足、抗腐蚀性能差等。因此，建议 升级反应室材料，以提高其性能和稳定性。具体实施计划包括选择合适的材料、进行材料 加工和装配等。
增加冷却系统
为了降低设备运行温度和减少故障率，建议增加冷却系统。具体实施计划包括设计冷却系 统、选择合适的冷却液等。
改进进样系统
目前使用的进样系统存在一些问题，如进样速度慢、进样精度低等。因此，建议改进进样 系统，以提高其性能和稳定性。具体实施计划包括设计新的进样系统、进行设备调试等。
工艺材料改进方案及实施计划
控。
基片材质
基片材质对PECVD工艺中的化学 反应和薄膜附着力有重要影响。选 择合适的基片材质可以提高薄膜质 量和附着力。
工艺参数稳定性
工艺参数稳定性对薄膜质量有很大 影响。保持工艺参数稳定可以减少 薄膜缺陷和提高薄膜质量。
04
PECVD工艺优化及改进
工艺参数优化建议
01
优化反应温度
降低反应温度可以减少薄膜中的缺陷和杂质，提高薄膜质量。同时，适
PECVD操作规程
PECVD操作规程
1 目的：为规范PECVD操作流程，正确的操作设备、高效的进行
生产，特制定本规程。
2 适用范围：PECVD淀积车间。
3 职责：
3.1 操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，
务必仔细阅读本规程。
3.2 熟练掌握每道操作步骤。
4 定义：PECVD操作人员只负责按规程操作，更改数据需技术部授
权。
5 运行程序：
5.1 检查设备外围的水、电、气是否满足设备的运行条件。
5.1.1 水：压力、流入量（大于设定值5）、温度（20 20C）应
同时满足。
(6－8bar左右)、压缩空气（6bar左右）的压力同
5.1.2 气：N
2
时满足。
5.2 打开电源的主开关，开启机器。
5.3 抽真空：顺序为工艺腔→进料腔→出料腔。
5.4 真空小于设定压力2.0×10-2时，点击“加载工艺”→再点击“启
动”→再点“开启传输系统”，待满足设备运行条件时，即可
将装有电池片的载板送入腔体内，系统会自动运行。
5.5在运行过程中，要时刻观察操作界面系统运行是否正常，出腔
后，稍作冷却，然后将电池片在载板上取下。
6 附件：
6.1 插片及取片
6.1.1 用吸笔轻轻的将硅片小心的放入载板内，此时要注意硅
片的正反面，插片时要将硅片扩散面（即正面）冲下。
6.1.2 硅片出腔后，取片时应小心，防止氮化硅薄膜受损。
技术部第一版
2008.7.11。
pecvd的工艺流程
pecvd的工艺流程
《PECVD工艺流程》
PECVD即等离子化学气相沉积，是一种常用于制备薄膜的技术，主要应用于半导体制造和光电子器件制造等领域。
下面将介绍PECVD的工艺流程。
1. 基片清洗：首先，需要对基片进行清洗，以去除基片表面的杂质和污染物，保证薄膜的质量。
通常使用溶剂清洗、超声波清洗和化学清洗等方法。
2. 负极板安装：在PECVD系统中，基片被放置在一个负极板上。
这个负极板会通过射频电源产生高频辉光放电，使得气体分子等离子化。
3. 清洁气体引入：清洁的气体（通常是氢气或氮气）被引入到等离子体中，用于稀释和控制反应物质的浓度。
4. 反应气体引入：需要使用PECVD生长的薄膜材料的反应气
体也被引入到等离子体中，如硅源气体（硅醚、二甲基硅烷等）和氧源气体（二氧化硅源气体等）。
5. 沉积薄膜：当反应气体在等离子体中被激活后，会发生化学反应并沉积在基片表面，形成所需的薄膜。
6. 控制参数：在整个PECVD工艺过程中，需要对气体流量、
射频功率、温度和压力等参数进行严密控制，以确保薄膜的均
匀性和质量。
7. 化学后处理：在沉积完成后，通常需要对薄膜进行后续的化学处理，如退火、氧化和腐蚀等，以满足特定的应用需求。
通过以上工艺流程，PECVD能够制备出高质量、均匀性好的薄膜，广泛应用于电子器件、太阳能电池、光学涂层等领域。
^PECVD设备操作规程^
^PECVD设备操作规程^PECVD设备操作规程1(开机1.1 打开主氮气阀门(4-6bar)、主压缩空气阀门(5-7bar)、冷却水(2-4bar)、打开特气并确认。
1.2 确认六个红色急停按钮在正常位置状态。
1.3 打开主控制柜上的电源开关,打开电脑,此时电脑进入WINDOW操作界面。
1.4 自动进入软件程序。
1.5 作业员登录,输入名字和口令。
1.6 再次检查上式1.1项正常后,按F9。
1.7 在所有的门和盖子都关闭的情况下,在“system(系统)”状态下按“pu mps(真空泵)”按钮，先按中间的“evacuate(抽真空)”按钮，再按另外两个“evacuate”此时真空泵打开。
1.8 按“process chamber(工艺腔)”按钮，点“parameters(参数)”对加热“2”和加热“3”进行温度设定，设定“400”度，按“save”保存。
1.9 等待加热“2”和加热“3”达到设定的温度。
1.10 当加热“2”和加热“3”的温度达到设定的温度时进行工艺运行。
按“control(控制)”选择要加载的工艺名后(目前使用的预热工艺方案是“process prheating”),按“load(加载)”再按“start(开始)”，此时传输系统打开。
生产前，每次载板预热2次，载板预热结束后，点击停止，停止预热方案。
Test 01-25-07 low gas flow), 按“load1.11 选择生产工艺方案:点击工艺腔，选择工艺方案 ((加载)”再按“start(开始)”，待显示，工艺正在运行时，在传输台上放上预热过的载板。
(备注:开始工艺时，Test 01-25-07 low gas flow 下显示为:“等待温度达到设定值”------ “打开特气”------“打开微波源”------“工艺正在运行” )1.12 当硅片全部放入石墨框里的时候，同时按下传送台上的黑色按钮，石墨筐进入腔里进行镀膜。
PECVD操作流程
1.打开水箱和氩气：开水箱时，依次打开open，开关1，开关2。
开氩气（起保护作用）时，先旋转逆时针打开主阀，观察压力表检查瓶中是否有气。
注意顺时针打开打开减压阀，气流指示针为0.5.2.开PECVD和磁控电源开关。
3.清洗腔体并装入样本若有真空保护，需要打开空气进气阀使腔体的压强恢复到正常大气压105Pa。
若没有，则打开腔体，然后用纱布擦拭，并用吸尘器吸净。
样本需要先清洗、压平，然后才能放入腔体中。
若样本太轻，需要黏住。
如铜，要粗糙面向上，容易附着，便于薄膜生长。
然后封闭腔体。
4.打开机械泵：先打开机械泵开关和蝶阀开关。
然后先缓慢打开角阀V5，待压强显示数不变时，继续拧角阀V5..直到示数为200Pa 左右。
打开罗茨泵，调节角阀，是腔体内压强为10Pa左右，对腔体起清洗保护作用。
5.打开流量计和射频源开关：射频源提前打开是为了进行预热。
开流量计和气路模拟开关。
6.打开气路阀：抽净管道和流量计。
逐步对各个部分抽气。
7.打开硅烷SiH4，操作和开氩气流程一样，但硅烷主阀开5～20S即够我们实验用的量，随后关闭主阀，并使气流指示针显示到0.2.8.调节流量计，使硅烷和氩气的比例为1:10左右。
实验过程中要使这个比例数尽量保持不变。
调节射频匹配器，起辉。
使板压粗调和微调为 5.记录初始反应压强和时间。
时间约为10分钟。
9.先关硅烷和射频源电源，再通氩气3min，然后打开角阀，抽气5min。
关角阀，蝶阀，罗茨泵，机械泵。
10.缓慢放入空气，使得腔体达到大气压强，拿出实验样本。
打开机械泵，调节角阀，使腔体的压强为200Pa左右，为真空保护。
11.关闭角阀，蝶阀，机械泵。
先关PECVD电源开关，然后关磁控溅射开关。
关闭水箱和氩气。
PECVD SOP
PECVD SOP1．目 的为规范PECVD 操作流程，正确的操作设备、高效的进行生产，特制定本规程。
2．适用范围上海超日太阳能科技发展有限公司辖区内的PECVD 淀积车间。
3. 职 责3.1操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，务必仔细阅读本规程。
3.2熟练掌握每道操作步骤。
4．定 义4.1PECVD 间只负责按规程操作，更改数据需技术部授权。
5. 程 序5.1 开启设备抽风系统电源。
5.2 向设备部确认SiH 4 和NH 3的供气系统及SiH 4燃烧塔已开启。
5.3 打开分气箱中的SiH 4气体的阀门（图1-1）和NH 3气体的阀门，开始向设备供气，调节压力控制阀来控制所需压力（图1-2）。
（图15.3 开启电控柜中PECVD 总电源，开始向设备供电。
5.4打开冰水机电源（图2-1），检查温度控制器的显示温度是否正常（图2-2），打开制冷开关（图2-3），打开冷液泵（图2-4），开始向系统提供冷却水。
（图2）5.5 打开真空泵电源开关（图3）。
（图3）5.6 在各项检查确认无误后整机开始通电，按下“上电开”按钮（图4-1），按下“加热开”按钮（图4-3），炉体开始加热，通过温度控制器的设定温度控制所需要的温度（图4-2），。
在运行过程中报警器鸣叫（图4-4），可能是停水、超温或断偶其中之一，故障解除后即停止鸣叫。
（图4）5.7 待显示温度达到设定温度时即可进行生产，将插满硅片的石墨舟放置在悬臂桨上，双击桌面上的“PECVD 计算机工艺自动控制系统”快捷键，在登陆界面密码框中输入“SA”，即进入控制系统（图5）。
（图5）5.8点击屏幕左上角的“编辑”按钮（图6）来选取工艺执行文件。
（图6）5.9点击“启动”（图7-1）→点击“确定”→点击“自循环”（图7-2）→点击“加锁”（图7-3），系统按程序自动运行。
（图7）5.10 在运行过程中，要时刻观察操作界面各运行参数是否正常，出舟后，稍作冷却，然后将石墨舟取下，放上第二只石墨舟点击“确定”，即可进行第二次循环操作。
PECVED基本操作
进入CMI 画面，检查设备状态：
SLS=UP ，DOOR=CLOSED ，PLC=OK ，LIFT=READY ， TUBE=READY ，TGA FREE=YES SET/ACT POSITION=0 ，PROCFLAG=OK
选择工艺程序，生产。
PECVD关机
检查确认生产已完毕。机器中舟已卸出。 PECVD每个真空管压力设定为10000mToor,等每管实 际压力达到10000mToor。 关闭CMI程序。再关计算机。 关主电源。用手扳住电柜外部的红色按钮，逆时针方向 转90度。 关闭气源。注意：除N2外关闭所有气体。 关闭冷却水。等待二十分钟后关闭冷却水。先关进水， 再关出水。 关闭真空泵。按压真空泵面板“OFF”按钮停泵。等待 20分钟后关闭冷却水和N2阀
设备维护
运行Pump .PRZ工艺文件。 在System中输入工序长的权限后，将温度降到 25度。 在降温的同时，准备：高温手套、吸尘器、石英 钩、石英管、防护眼镜、酒精、抹布等。 待温度降至25度后，把桨的位置设定到10的位置， 管门自动打开。 戴上高温手套、防护眼镜、用石英钩将管内的碎 片钩到管口。
工艺结束（镀 膜结束）
开门退舟（设 备自动运行）
待报警后，按 退车按钮退车
把装有石墨舟的小车推 到冷却房内进行冷却
把放满的承载盒拿到丝 网上料，准备进行印刷
卸片结束后，放入 指定的承载盒内
开始卸片。注意 工艺点的一致性
冷却结束后，把小 车推到插片房内
石英吸笔的做法
取一石英吸笔用锉刀从笔颈的中间的位置锉几下。 手指握住被锉部位的两端，微用力便可以将吸盘和笔 尾分开。 取出6毫米的软管，长约6—8厘米即可 。 以笔尾及吸盘上的孔为参照对象，将笔尾上的孔向上， 吸盘上的孔向下，用软管充分连接。 取出海绵做好的吸笔头粘在吸盘上，完成吸笔的制作。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
PECVD 工艺操作规程(暂行)车间:电池车间编制:审核:审定:批准:时间:2010年7月5日为更好地保证PECVD镀膜的生产正常进行,稳定生产工艺,提高PECVD工序产品质量,进一步保证电池产品性能,特制定本作业指导书,以使操作人员的工艺操作有章可循,规范统一,同时,为新员工的上岗培训提供教材参考。
一、工艺目的二、使用范围三、责任四、设备及工具五、材料与工艺气体六、工艺描述1、工艺原理2、工艺条件3、工艺方案七、工艺准备1、工艺洁净准备2、设备准备3、原材料准备4、工装工具准备八、工艺操作1、工艺循环2、装载3、卸载九、测试膜厚及折射率十、安全、规范操作十一、记录及转交附1 椭偏仪操作规程PECVD工艺操作规程一、工艺目的：在硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜二、适用范围电池车间PECVD工序OTB设备三、责任本工艺操作规程由工艺工程师负责四、设备及工具OTB设备、石墨舟、高温隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、不锈钢桌架、椭偏仪、机械手五、材料与工艺气体湿法刻蚀后合格的多晶硅片、硅烷、氨气\氩气、氮气、压缩空气。
六、工艺描述1、工艺原理6.1工艺原理本工艺过程是利用稳定持续的氩气氛围的直流电弧放电，氩轰击硅烷（SiH4)和氨气（NH3）将其激发为等离子体状态，Si原子与N原子以一定的比例沉积到硅片表面形成一层氮化硅（Si3N4）薄膜，起到减反射和钝化的作用。
反应如下：3SiH4+ 4NH3====Si3N4+12H2↑实际上生成物并不是完全的氮化硅（Si3N4），其中还有一定比例的氢原子（H），所以严格的分子式应为SixNyHz2、工艺条件冷却水压强为0.4-0.6MPa，氮气压强为5-7 bar,压缩空气压强4-6 bar，硅烷压强为40psi，氨气压强为40psi，温度400℃。
PSI表示磅每平方英寸。
七、工艺准备1、工艺洁净管理操作时戴洁净的手套、口罩，并且保证每班清理现场及设备卫生，以保证车间的洁净度。
2、设备准备确认设备正常运行：工艺温度、冷却水压力、特气压力及流量等。
3、原材料准备检查湿法刻蚀后的硅片，将合格硅片放入石墨舟准备生产。
不合格片不能投入，常见的不合格片包括崩边、缺角、裂纹、锯痕、斑点、尺寸不合格等。
4、工装工具准备备齐用于工艺生产的石墨舟、隔热手套、PVC手套、口罩、镊子等。
八、工艺操作1、工艺循环首先选择工艺方案，进行工艺循环，此过程为自动运行。
注意事项：工艺过程中应注意检查设备运行情况，气体流量、加热温度、微波泄漏等参数情况。
2、装卸载自动转载、卸载操作及注意事项详见“OTB机械手操作规程”3、将合格硅片与随工单一起转下工序。
常见不合格硅片有崩边、缺角、裂纹、碎片、变色、斑点、穿孔、颜色不均匀等。
九、测试膜厚及折射率PECVD工序每4小时测一次，每次取一排(两片)按照由内到外的方向每片测试三个点,绒面硅片经PECVD镀膜后减反射膜厚度目标平均值为92±2nm；表面折射率平均目标值为2.05±0.03，合格范围为2.0-2.15，超出目标范围应当立即通知当班技术员进行调整处理。
减反射膜厚度单点超出85-97nm或折射率单点超出1.95-2.16应当对PECVD进行调整或维护。
维护周期为90小时，不得超过120小时。
十、安全、规范操作1、员工须经相关专业培训后方能上岗，且严格按照本工序设备安全操作规程和工艺指导书作业。
2、硅片的装卸应该在标准为三十万级的洁净环境下进行，注意保持车间及操作台洁净度，进车间前要风淋，进出车间时随手关门，在工作岗位时要佩戴好PVC手套和口罩。
3、员工操作时不可触摸硅片表面，PECVD装载区操作人员向载片盒内取放SE后硅片时，必须使用镊子，镊子要保持洁净；4、SE后非镀膜面边缘有很明显的刻蚀痕迹，切勿将硅片放反，以免造成不合格电池，无法确认的作为表面挑出。
5、PECVD装载区操作人员应时刻注意PECVD设备的运行状况，经常观察设备电脑界面的工艺参数的变化情况，遇有异常情况尤其是工艺腔室漏气，立即通知卸载区操作人员停止下传硅片并通知印刷工序停止印刷本设备已下传硅片，同时通知班组长与技术人员处理。
6、PECVD卸载区操作人员注意将镀膜后表面不合格片及其他各种不合格挑出，当表面不合格比例较高时要及时通知班组长及当班技术人员进行处理。
表面不合格硅片分类放置包装，上交二级库。
十一、记录及转交将合格的硅片按批次摆放整齐，填写好随工单一起转入下道工序。
务必如实完整记录随工单并及时按照要求下传。
附1椭偏仪操作规程一.目的使用椭偏仪测量经PECVD镀膜后的SiN膜的厚度(d)和折射率(n)。
二.适用范围适用于CENTECH公司的SE 400advanced型号的椭偏仪。
三.设备主要性能及相关参数3.1 设备型号：SE 400advanced3.2 设备构成：A 光学系统部分：由支架、定位显微镜、线偏振光发射器（包括632.8nm激光源）、椭圆偏振光接受和分析器组成。
此部分完成整个光学部分的测试。
B PC机部分。
此部分完成数据的分析和输出。
四.运行前的检查主要检查设备光学仪器部分是否损坏和电脑是否可正常使用。
五. 设备操作1. 启动软件将椭偏仪控制器和PC的电源打开，为了仪器快速可用和延长激光器寿命，推荐将椭偏仪控制器连续运转。
SE 400advanced程序通常被安装在文件夹：C:\program files\SE 400Adv\ApplicationFrame\SiAFrame.exe.使用资源管理器或者直接双击桌面的SE 400advanced图标，启动软件。
Fig. 错误!文档中没有指定样式的文字。
-1: SE 400advanced图标软件打开时会自动进入上次退出时的登陆用户界面。
Fig. 错误!文档中没有指定样式的文字。
-2: SE 400advanced 用户认证通过菜单"Logon"，能够添加、更改或删除用户和用户权限。
2. 用户主窗口1342 Fig. 错误!文档中没有指定样式的文字。
-3: SE 400advanced主窗口最后一次使用的模式会被自动加载。
通过菜单，工具栏或模式列表，能够选择另外的模式。
在软件界面的右下角，一个图标（2）用来显示椭偏仪控制器的连接状态，它通常显示为绿色。
如果显示不为绿色，请检查椭偏仪和控制器之间的网络连接是否正常，并检查屏幕右下角的任务栏的网络状态。
3. 样品测试1）在recipe下拉菜单中选择08 Si3N4 on silicon 100 nm .2）将样品平放于测试台，并定位3）通过按来开始测量，测量完成后，结果被显示在主结果区（3）和protocol区（4）。
4. 测量选项在"Measurement options"页面中，能够按照测量的数值计算方法、数值极限和结果报告，对一些设定进行更改。
此外，设定入射角度和对多角度测量所使用角度的选择，也能够在这里进行。
Fig. 错误!文档中没有指定样式的文字。
-4: 模式选项(测量)测量任务Psi，Delta 椭偏角度的测量。
Substrate ns，ks 使用free surface.模型时，基底的复折射率。
Thickness使用单层透明膜模型，并指定膜层折射率和基底折射率时，膜层的厚度；开始膜厚由用户给出或由CER测量给出。
Thickness + n使用单层膜模型时，膜层的厚度和折射率(基底的复折射率作为固定值) 。
开始膜厚由用户给出或由CER测量给出。
Thickness + n + absorption多角度测量情况下，膜层的厚度、折射率和吸收系数，使用“Thickness + n”模型，椭偏仪需要用多角度测量。
Two layers 多角度测量情况下，双层膜的厚度。
5. 模型选项页面"Model"包含了所有对测量进行分析的参数。
软件所使用的默认模型为在吸收基底上的三层吸收膜。
模型的参数能够被直接输入在相应的区域，另一种方法是使用SENTECH材料库，可通过膜层名字右边的按钮使用材料库。
Fig. 错误!文档中没有指定样式的文字。
-5: 模式选项(模型)Fig. 错误!文档中没有指定样式的文字。
-6: SE 400advanced 材料库模型参数的描述在下表给出：Ns 基底折射率Ks 基底吸收系数Na 周围环境的折射率(空气: n=1)Ka 周围环境的吸收系数(空气: k=0)Tab. 错误!文档中没有指定样式的文字。
-1: 三层膜模型的参数总结6.退出软件点击右上角的按钮，关闭SENTECH软件界面，就可以退出SE 400advanced程序。
六. 注意事项1. 被测片放于测试台，测试时注意片子不要移动，以使测试准确。
2. 测试时若参数有较大偏差（n 约为2.05-2.11，d约为84-92nm），应先考虑PECVD 工艺问题，再考虑椭偏仪本身是否测试准确。
3. 测试时其Degree of polarization(偏振度)应大于0.996。
4. 定期检查光路准确情况：1）首先在70度位置测量SiO2标准片，看是否在误差范围内。
2）70度时在Service and configaration窗口内看其图形是否对准情况，黄、红两图形应重合，其Symmetry 应大于0.996。
5. 氦氖激光器电源不能频繁的关闭和打开。
开机时应先确认氦氖激光器电源关闭，再接通电源，然后才能打开激光器电源（断电时应注意关闭激光器电源）。
6. 平时应保持设备的整洁。