DMOS工艺培训
dmos说明
DOMS的全称是Double-diffused Metal Oxide Semiconductor.DMOS工艺：DMOS(双扩散MOS)晶体管是针对大电流、高电压而优化设计的。
为了提高击穿电压而将这类元件设计成长沟道结构。
将几个单元并联来实现大电流(低的导通电阻)和高能量密度。
DMOS工艺比逻辑工艺具有更厚的栅极氧化层，这样可以制造出更坚固的器件。
如果这些基本的工艺以逻辑方式组合起来，可以得到下列不同的组合工艺，根据它们的专有特性可以适用于特定的应用领域。
1 引言汽车电子技术发展迅猛，多种新型电子控制装置几乎全面进入整车各系统，极大地提高了汽车性能，有专家预测：今后十年内，汽车电子及其相关产品在整车的成本比例将从目前的平均20％上升到32％，其发展速度从10％提高到20％，耗电量不断增加，导致车内电力负载年增加100W以上，具有电能使用效率高、传输快捷、转换容易、控制灵活等一系列特性的车内电器日趋增多，采用电磁或电动执行器替代液压和气压传动执行器已成为一种趋势，一些带电的机械装置正加速转变为带机械的电子装置，各种线控系统的研发目标是取代液压与机械控制系统，极大地增添了汽车电气系统的负荷。
为解决这一发展瓶颈，唯一可行的办法是车内供电直流电压由14V转向42V电气系统，或14/42V双电压电气系统（按电器设备和电子装置消耗功率的大小分为两组，耗电功率较大的一组使用42V供电系统，而耗电较小的一组采用14V供电系统）提高交流发电机电压以增大其输出功率，供电容量将从目前的1.5kW左右提高到今后的5kW以上，电气化控制以及新的供电系统中，需要大量采用功率MOSFET（金属－氧化物－半导体场效应晶体管），进行功率变换、控制与驱动各种大功率的负载，同时，先进的功率MOS技术也促进新型汽车电控系统的发展与提高，据报道，一辆轿车中所使用的功率MOS器件至少有数十只，甚至上百只，在汽车电气系统的功率流向和分配管理诸方面发挥重要作用，使电能的应用处于最佳状态。
BCD工艺技术ppt课件
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(Lateral)
横 向
LDNMOS
高压横向功率
LDPMOS
单端耐压
双端耐压 单端耐压 双端耐压
图1 高压LDMOS管示意图
图1为横向DMOS管示意图，通常，漏极 被栅极所包围，漏区的形状为圆形或圆 柱形或条形。
DMOS管沟道的形成是利用多晶硅栅做 自对准，先扩P-well作为衬底，再扩N+ 作为源极，利用两次横向扩散的杂质浓 度差，形成沟道。可以严格控制沟道长 度低于1um（可得到很高的增益）。
这种高压工艺是 在P-SUB上外延P层，外延层较薄。 器件的隔离是用P阱， 实质上还是PN结隔 离，无需专门的隔 离工艺。
图4 有埋层的高压NMOS管的结构图
对于高压PMOS管,Nwell作为PMOS的沟道 区,P-welll(HVPMOS)作 为PMOS漏的漂移区， 承受耐压。
图5 高压PMOS管的结构图
图2 有外延层的LDMOS器件结构示意图
BCD工艺流程
对于高压NMOS管，Pwell作为NMOS的沟道 区，N-well（HVNMOS） 作为NMOS漏的漂移区， 承受耐压场极板都是用 多晶硅栅，使其延伸到 漂移区。图3 所示的高 压NMOS管双阱底下没 有N型埋层。
图3 高压NMOS管的结构图
LDMOS的主要参数： 1）高反压——取决于漂移区的掺杂浓度和厚度、PN 节的几何形状和其终端结的技术。 2）电流容量——选择沟道长度、氧化层厚度、沟道 宽度和元胞输。 3）导通电阻——取决于元胞数、外延层浓度和厚度 及元胞的结构。
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工艺工程师培训流程及内容
工艺工程师培训流程及内容英文文档内容：The training process and content for Process Engineers aim to equip professionals with the necessary skills and knowledge to manage and optimize manufacturing processes effectively.The training typically includes the following steps and topics:1.Orientation: Provide an overview of the training program, including goals, expectations, and the schedule.2.Basic Principles: Introduce fundamental concepts of process engineering, such as process flow, reaction kinetics, and mass transfer.3.Process Design: Teach how to design and optimize processes, including the selection of equipment, material handling, and control systems.4.Process Control: Discuss the principles of process control, control loops, and the use of control instruments and sensors.5.Quality Control: Explore methods for ensuring product quality, including quality planning, statistical process control, and quality improvement techniques.6.Safety and Environmental Compliance: Educate on safety regulations, environmental protection, and sustainable manufacturing practices.7.Plant Operations: Provide insights into plant operations, including startup, shutdown, and maintenance procedures.8.Project Management: Offer training on project management skills, including planning, scheduling, and resource allocation.9.Simulation and Modeling: Introduce simulation tools and software for process modeling and optimization.10.Case Studies and Exercises: Conduct practical case studies and exercises to apply the learned concepts in real-world scenarios.11.Certification and Examination: Administer a certification exam to assess the trainee"s understanding and proficiency in the subject matter.The training process may vary depending on the organization"s specific requirements and the trainee"s prior experience.It is important to provide ongoing support and opportunities for continuous learning to ensure the Process Engineer"s professional development.中文文档内容：工艺工程师培训流程及内容旨在帮助专业人士有效管理和优化制造流程。
bcd的工艺流程
bcd的工艺流程BCD 工艺流程BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）是一种特殊的集成电路工艺，在电子行业中被广泛应用，可以实现各种先进功能。
下面将介绍BCD工艺的主要流程。
1. Substrate 准备：首先，需要准备一块适合使用的硅衬底（substrate），其表面应具备一定的纯度和平整度。
这一步也包括对衬底进行清洗和去除表面杂质的处理。
2. 厚用氧化物（BOX）层制备：在衬底上生长一层厚用氧化物（BOX）层，通过低压化学气相沉积（LPCVD）或者热氧化的方法实现，旨在隔离衬底与器件之间的电场，以提高器件的性能。
3. N型及P型低掺杂区制备：使用掺杂技术，在衬底上形成N型及P型低掺杂区。
常用的掺杂方法包括离子注入（Ion Implantation）和扩散（Diffusion）。
4. N型及P型高浓度区制备：通过再次掺杂技术，在低掺杂区上形成N型及P型高浓度区，以形成PN结。
这一步是制造晶体管的基础，也能够改变材料的电导率，以适应电路需求。
5. 沉积氧化物层：在衬底上，沉积一层氧化物层，主要用于隔离晶体管之间的电场，并提供良好的绝缘性能。
常用的制备方法包括热氧化、LPCVD 和高温氧化。
6. 图案化处理：使用光刻技术，在氧化物层上涂敷光刻胶，并使用光罩转移所需图案模型。
通过曝光和显影，可形成氧化物层的光刻窗口区域。
7. 示踪剂溅射：通过高温蒸发或溅射沉积技术，将示踪剂材料沉积在光刻窗口区域。
示踪剂材料的选择和沉积方法一般是根据电路设计需求来决定的。
8. 金属化处理：在示踪剂层上通过金属蒸发或者溅射沉积技术，沉积金属层，形成导线结构。
先进行预浸泡处理，然后使用光刻技术进行图案化处理。
9. 电性测试：对制造的器件进行电性测试，以确保器件工作性能符合要求。
10. 封装和封装测试：将制造完成的芯片进行封装，然后进行封装测试，以确保芯片在封装之后的性能稳定。
BCD工艺流程可以根据具体的设计需求进行调整和优化，以上仅为一般工艺流程的基本步骤。
05μm+18V高压CDMOS工艺开发与优化
BCD(Bioolar-CMOS-DMOS)工艺技术能在同一块芯片上制作多种类型器件,使电路设计变得非常灵活,因此有着广阔的应用前景,并很快成为VLSI(Very Large Scale Integration)设计的主流技术。集成的BCD工艺中所包含的器件应具有各自分立时的良好性能,各种器件的工艺和隔离技术应相互兼容,同时使用少的光刻版,可见如何获得工艺上的最优与结构上的最佳设计是BCD工艺的关键技术所在。国外半导体厂商已经有很多成熟的BCD产品面世,但国内这类产品还比较少。因此设计出功能满足要求、兼容性好、光刻版次少的BCD工艺具有重要意义。
文章使用二维器件模拟软件ISE,模拟并研究了RF-LDMOS栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs与栅源电压Vgs及漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道区浓度等参数对Cgd的影响。
本文研究了60 V-LDMOS器件在ESD(electrostatic discharge)应力下的击穿机理,并分析比较了目前流行的LDMOS器件的静电保护结构:深漏极的双RESURF结构、SCR-LDMOS结构、HST-LDMOS结构,提出了适合我们自己开发的LDMOS的静电保护方案。
设计的整个BCD流程到Al1工艺步骤时只有13块掩膜版,工艺兼容性好。基于该BCD工艺条件流水的器件性能测试结果为:低压CMOS击穿电压为10V,阈值电压是0.8V;NLDMOS关态耐压达到25V,阈值电压1.5V,特征导通电阻为20(mΩ*mm2).双极晶体管的BVCEO达到30V,共发射极直流电流放大倍数β为120以上,实现了设计的目标要求,同时混合隔离技术成本低性能好。这些结果表明本BCD工艺方案切实可行,且在市场上颇具竞争力。
本文完成了能广泛应用于电源管理、显示驱动、汽车电子等领域的18V BCD工艺设计。论文首先简单介绍了BCD工艺的关键技术和BCD产品国内外发展趋势;接着利用理论和专业软件ISE实现器件工艺的最优和结构的最佳设计,具体为:从普通双阱CMOS工艺出发,在保证CMOS器件性能和与低压工艺兼容的前提下引入功率器件NLDMOS(Lateral Double-diffusion NMOS,横向双扩散NMOS),分析其中漂移区、沟道区等对器件特性的影响,深入优化工艺参数和器件结构,得出了满足要求的工艺条件:然后在高低压兼容工艺和已具有良好MOS性能基础上,增加一块基区掩膜版引入纵向双极晶体管VNPN(Vertical NPN),着重优化基区浓度、结深工艺以获得高电流放大倍数和高耐压特性;最后在这些优良的器件性能基础上讨论了BCD工艺中采用的混合隔离技术和出现的可靠性问题。
工艺培训方案
工艺培训方案第1篇工艺培训方案一、背景随着我国经济的持续发展，企业对高素质技术人才的需求日益增长。
加强工艺培训，提高员工的专业技能和综合素质，成为企业发展的关键环节。
本方案旨在结合企业实际需求，制定一套合法合规的工艺培训计划，提升员工的专业技能和业务水平。
二、目标1. 提高员工对生产工艺的理解和掌握程度。
2. 增强员工的实际操作能力，提高生产效率。
3. 培养员工的创新意识和团队协作精神。
4. 使员工熟悉并遵守相关法律法规，确保生产安全。
三、培训对象1. 企业新入职员工。
2. 在职员工，需提升工艺技能的人员。
3. 企业管理人员，需了解生产工艺的人员。
四、培训内容1. 基本工艺知识：包括生产工艺流程、设备操作与维护、工艺参数控制等。
2. 操作技能培训：针对具体岗位，进行实际操作演练。
3. 安全生产教育：学习国家相关法律法规，提高员工安全意识。
4. 创新能力培养：开展技术研讨、案例分享等活动，激发员工创新思维。
5. 团队协作训练：组织团队建设活动，提高团队凝聚力和协作能力。
五、培训方式1. 理论培训：采用讲授、讨论、案例分析等教学方法。
2. 实践操作：安排学员到生产现场进行实际操作，由经验丰富的师傅指导。
3. 在线学习：利用企业内部网络平台，提供丰富的学习资源，方便员工自主学习。
4. 现场观摩：组织学员参观优秀生产线，学习借鉴先进经验。
六、培训安排1. 培训时间：根据企业生产安排，分阶段进行，共计XX天。
2. 培训地点：企业内部培训室、生产现场等。
3. 培训师资：邀请具有丰富经验和专业知识的内部或外部专家进行授课。
4. 培训评估：采用问卷调查、现场考核、学员反馈等方式，对培训效果进行评估。
七、培训效果评价1. 学员出勤率：考察学员的参与程度。
2. 知识掌握程度：通过考试、问答等方式，评估学员对工艺知识的掌握。
3. 操作技能提升：观察学员在生产现场的实践操作，评估技能提升情况。
4. 安全意识：通过安全生产事故发生情况，评估员工安全意识。
DMOS器件及工艺的研究与分析
DMOS 器件及工艺的研究与分析作者：张相飞周芝梅王永刚万勇来源：《科技风》2019年第04期摘要：本文介紹了DMOS器件的基本知识，包括DMOS的基本工艺及类型，介绍了实际工艺中的DMOS结构及参数。
关键词：DMOS；LDMOS；VDMOSAbstract：This paper introduced the basic knowledge of DMOS device and include basic process and process type.This paper also introduced DMOS architecture and parameter in actual process.Key words：DMOS；LDMOS；VDMOS1 DMOS的分类及特性DMOS主要有两种类型，横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral doubledif fused MOSFET）和垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（vertical doublediffused MOSFET）。
1971年Y.Tarui等人提出了横向双扩散MOS的结构。
1976年M.J.Declerq和J.D.Plummer 采用这种方案，做出了第一个DMOS。
图1是DMOS的电流电压特性，假设源电位为零，不同VGS下典型DMOSFET的电流电压特性（VDS代表漏源电压，IDS代表漏源电流），共分为六个区域：1）截止区，在这个区VGS≤Vth，VDS从零开始变大，电流IDS始终接近于零，直到达到击穿电压BVdss为止；2）线性区，又称非饱和区或欧姆区，VGS≥Vth且 Vxs3）饱和区，VGS>Vth且Vxs > VGSVth，沟道已夹断或沟道中电子已完全达到速度饱和，VDS增大，IDS变化很小，漏电流饱和；4）击穿区，VDS≥BVdss，外延层与漂移区形成的PN结发生雪崩击穿，电流急剧增大；5）源漏正向偏置区，这时源电位高于漏电位，与源相通P阱和漏区形成PN结正偏，电流随电压增加按指数规律急剧增加，表现为正偏二极管的IV特性；6）准饱和区，VGS很大时，IDS本身很大，但随VGS的增大没有很明显的增加，即跨导很小。
关于HV CMOS
关于HV CMOS和DMOS的困惑alchemist 发表于: 2009-5-19 23:03 来源: 半导体技术天地一直很困惑：一般foundry对于高压器件有两条路线，1）HV CMOS工艺，一般用Double Diffusion，一般能到30V，再高就不行了；2）BCD工艺，高压一般用DMOS，一般20V、40V，更高电压也有。
所谓存在的就是合理的，这两种技术能同时并存并且齐头并进的发展，肯定有它们各自的优势和适合的应用，有没有高手能解释比较一下！我的理解（猜的）：1）HVCMOS采用的是对称的结构（当然也可以有非对称管），Vgs和Vds基本相当，电路设计不受限制，应用上灵活，管子特性比较好，IV curve的形状和低压的MOS管没太大的差别；但需要额外增加较多的mask和工艺环节，同时最高电压有上限，32V顶天了。
2）DMOS采用非对称结构，Vgs远小于Vds，电路设计受限制，管子特性应该没有HVMOS 的好；电压可以很高，Vds 60V、100V都不成问题，增加的mask应该比HVCMOS工艺的少。
不知道猜得对不对，请明白人澄清一下，谢谢！最新回复求HVCMOS和DMOS区别？提问者:周镇义2013-12-06满意回答DMOS的特性在於low Rdson，用於power managerment ICHV CMOS 主用於 driver IC高压mos有两种常用的实现方式1、是用井来做轻参杂，提供高耐压的漂移区。
工艺可以完全做到和cmos 一样8 ^" [; T' X3 }- {* e比如HVNOMS，用N井在Drain端，作为漂移区，就好了。
耐压也可以做到很高40V没有问题96 d; [: r*上面有场氧和多晶2、就是DMOS，有LDMOS，VDMOS还有DD结构做的。
DD结构最简单，又分单边和双边DD。
LDMOS和VDmos没有什么好说的。
但是要做到扩散长度的差异，必然退火要讲究了。
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DMOS结构：PRT DMOS实际的管芯图和封装
划槽
有源区
栅PAD
耐压区
Gate bus
PRT DMOS：主要参数BVDSS
• BV（除材料） – CELL区控制 • PWELL Xj • JFET Rs • Pbody Xj • Poly CD
Ring区上方的电荷：包括初氧、介质、Al腐蚀后表面等都对BV有影响， 合金后烘焙就是改善表面电荷的工艺步骤；
PRT-DMOS流程
磷 Imp.
Boron Imp. 磷 Imp. 磷 Imp. Boron Imp. Boron Imp. Boron Imp.
衬底片
磷Imp.
PRT-DMOS流程
• DMOS工艺（PRT） – 终端形成 • Ring注入/初氧/Ring推结 – 栅氧段 • Act光刻/JFET注入/栅氧/多晶 淀积 – PWELL段 • 多晶刻蚀/Pwell注入推
DMOS工艺培训
Summary
• DMOS应用
• DMOS结构 • PRT工来自流程• PRT主要参数
• PRT主要问题 • DMOS发展方向 • 问题交流
DMOS应用
DMOS应用
应用广泛： • 20V：手机、数码相机 • 30V：计算机主板、显卡 • 40V：机顶盒和电动自行车
• 60V： UPS、雨刷、汽车音响、马达控制 • 80V 以上：LCD TV、LCD 显示器等 • 150-400V：照明、CRT 电视、CRT 显示器、 背投电视、电热水器和洗衣机等 • 400-800V： 发动机启动器、车灯控制、电 • 机控制，嵌入式电源和电源适配器等 • 800-1000V：风力发电、电焊机和中低压变 频器等 • 1000V以上：高压变频器、发电和变电设备 等
– 终端控制 • Ring Rs – Ring注入 – 初始氧化
PRT DMOS：主要参数ISGS
• GS漏电 – POLY 缺陷 • 多晶质量 • 多晶刻蚀 – ILD缺陷 – 栅氧质量 理论GS耐压 – Tox(nm)*0.8 GS测量注意 – GS电压超过30V时，如果时 间过长会导致WELL区永久反 型
PRT DMOS：主要参数RDSON
• 不同产品Rdson的核心影响因素（DMOS）
VDMOS的发展
1. 硅基（结构发展）
2. 智能型
3. 新材料 3.1 GaN 3.2 SiC
问题交流
DMOS结构：VDMOS和VUMOS
VDMOS
VUMOS
DMOS结构：Cell图形，结的形状影响BV
Poly
DMOS结构：几种典型终端图形，影响BV
多个场限环结构
多个场限环结构+场板
结终端扩展：PRT就是这种结构
磨角
DMOS结构：ESD防护
• ESD的重要性——围绕“栅氧化层的保护”，栅氧厚度：980A厚度， 击穿电压80V左右
PRT-DMOS光刻
PRT-DMOS工艺控制难点
终端或者Cell区的空间电荷区产生IDSS漏电；任何晶体缺陷：包括 EPI材料或者工艺过程导致的缺陷，都将导致IDSS漏电增大
PRT-DMOS工艺控制难点
为保证合理的BV窗口，必须精确控制Ring的结深、浓度，以及Ring 区上方的电荷
Ring的结深、浓度与Ring注入条件、初氧和Ring扩散有关：PRT的注入 剂量与BV呈现抛物线关系：过低，击穿出现在A点，过高，出现B点；
• •
PRT DMOS：主要参数VTH
• Vth – 反型基础 • 栅氧厚度 • Pwell浓度 – 注入 – 推结 • 栅氧电荷 – 沟道长度 • Source Xj – 实际案例 • Poly形貌 – 光刻 – 刻蚀
PRT DMOS：主要参数RDSON
• Rdson – JFET 电阻 • JFET注入 • WELL推结 – WELL电阻 • Well注入 • Well推结 – 材料 – 正面金属 • 清洗 • 溅射 – 背面金属 • 清洗 • 蒸发