电容屏制作工艺

电容屏制作工艺
电容屏制作工艺

电容屏制作工艺比较:

DITO 与SITO对比

DITO 制造工艺复杂,但透光度、稳定性好,适用于高端

应用,据了解,iPhone 采用的是DITO 工艺;SITO 工艺较DITO 简单,但稳定性稍差,目前尚在持续改进中;FILM 透光性较差,而且一般边框较厚,美观度不理想,但成本优势

明显。

DITO 工艺的难度主要在于:第一、工序繁琐而复杂;第二、上下两层ITO 光刻对位精度极高;第三、生产过程中,玻璃的两面都要保证高度清洁。DITO 对检测IC 也有很高的要求,由于两层ITO 间距较大(相隔一层玻璃,而

不是如同SITO 仅相隔绝缘层),层间电容较小,检测灵敏度高,但对IC 的精度要求也高。SITO 工序的复杂度和精密度,都较DITO 为低,因此成本较低,但有两个弱点:第一、两层ITO 先后光刻在玻璃的同一面,附着强度比DITO 低,性能的稳定性也比DITO 低;第二、如上段分析,SITO 层间电容大,检测精度不如DITO

【生产管理】铝电解电容器生产工艺流程(DOC 6页)

铝电解电容器生产工艺流程(DOC 6 页) 部门: xxx 时间: xxx 制作人:xxx 整理范文,仅供参考,勿作商业用途

铝电解电容器生产工艺流程(附图片) (2009/12/18 15:19) 铝电解电容器主要原材料: 阳极箔、阴极箔、电解纸、电解液、导箔、胶带、盖板、铝壳、华司、套管、垫片等 生产工序 切割、卷绕、含浸、装配、老化、封口、印刷、套管、测量、包装、检验等 电解电容原材料分切 小型电解电容器自动卷绕机

大型电解电容器自动卷绕机 电解电容芯子含浸 电解电容高温老化 电解电容性能测试

铝电解电容制造进程: 第一步:铝箔的腐化。 倘若拆开一个铝电解液电容的外壳,你会看到内里是几多层铝箔和几多层电解纸,铝箔和电解纸贴附在一起,卷绕成筒状的机关,这样每两层铝箔中间便是一层吸附了电解液的电解纸了。 铝箔的制造要领。为了增大铝箔和电解质的战争面积,电容中的铝箔的外观并不是平滑的,而是通过电化腐化法,使其外观形成崎岖不屈的形状,这样不妨增大7~8倍的外观积。电化腐化的工艺是较量庞杂的,此中涉及到腐化液的种类、浓度、铝箔的外观状态、腐化的速率、电压的动态均衡等等。 第二步:氧化膜形成工艺。 铝箔通过电化腐化后,就要运用化学方法,将其外观氧化成三氧化二铝——也便是铝电解电容的介质。在氧化之后,要仔细检讨三氧化二铝的外观,看是否有雀斑也许龟裂,将不足格的清除在外。 第三步:铝箔的切割。 这个措施很简单明白。便是把一整块铝箔,切割成几多小块,使其适当电容制造的必要。 第四步:引线的铆接。 电容外部的引脚并不是直连接到电容内部,而是经过内引线与电容内部连结的。因此,在这一步当中我们就必要将阳极和阴极的内引线,与电容的外引线经过超声波键正当连结在一起。外引线通常采纳镀铜的铁线也许氧化铜线以削减电阻,而内引线则直接采纳铝线

铝电解电容器生产工艺流程(DOC 6页)

铝电解电容器生产工艺流程(DOC 6页)

铝电解电容器生产工艺流程(附图片) (2009/12/18 15:19) 铝电解电容器主要原材料: 阳极箔、阴极箔、电解纸、电解液、导箔、胶带、盖板、铝壳、华司、套管、垫片等 生产工序 切割、卷绕、含浸、装配、老化、封口、印刷、套管、测量、包装、检验等 电解电容原材料分切 小型电解电容器自动卷绕机

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接相连。大众注意这些小小的措施无一过错细密加工要求很高。 第五步:电解纸的卷绕。 电容中的电解液并非直接灌进电容,呈液态浸泡住铝箔,而是经过吸附了电解液的电解纸与铝箔层层贴合。这当中,选用的电解纸与平凡纸张的配方有些分歧,是呈微孔状的,纸的外观不及有杂质,不然将影响电解液的身分与性能。而这一步,便是将没有吸附电解液的电解纸,和铝箔贴在一块,然后卷进电容外壳,使铝箔和电解纸形成近似“101010”的隔断状态。 第六步:电解液的浸渍。 当电解纸卷绕完毕之后,就将电解液灌进去,使电解液浸渍到电解纸上。随着电解液配方的革新以及电解纸制造技能的提拔,目前铝电解液电容的ESR值也逐渐得以提拔,酿成往日的几多分之一。 第七步:装配。 这一步便是将电容表面的铝壳装配上,同时连结外引线,电容到这时已经根本成型了。 第八步:卷边。 若是是那种“包皮”电容,就必要通过这一步,将电容表面包覆的PVC膜套在电容铝壳表面。不外目前运用PVC膜的电容已经越来越少,主要因为在于这种原料并分歧适环保的趋向,而和性能展现没有太大相干。 第九步:组合装配。 第十步:充电、老化测试。

电解电容器测试方法详解

电解电容器测试方法详解 1目的 为了规范电解电容器来料检验及抽样计划,并促进来料质量的提高,特制定该检验规范。 2适用范围 适用于本公司IQC对电解电容器来料的检验。 3准备设备、工具: 所需工具及其规格型号如表一所示: 表一(工具规格型号) 品名规格/型号数量品名规格/型号数量 调压器0V~450V/三相1台电流表UNI-T 1台 万用表FLUKE-117C 1台游标卡尺mm/inch 1把电桥测试仪Zen tech 1台双综示波器LM620C型1台高低温交变湿 1台温度计1支热试验箱 4外观物理检测 4.1首先需检查待测电容是否有正规的《产品规格说明书》,其中需包括产品名称、规格型号、安装尺寸、工艺要求、技术参数以及供应商名称、地址及其联系方式,以确保此批次产品是由正规厂商提供。电容器上的标识应包括:商标、工作电压、标准静电容量、极性、工作温度范围。4.2参考《产品规格说明书》的工艺参数,观察电容的外观、颜色、及其材质等参数是否与其所标注的工艺指标一致。 4.3用游标卡尺对电容的安装尺寸进行确认,确保电容的直径、高度以及引出端的直径与间距等参数在产品工艺的误差范围之内,且外观尺寸要符合本公司选用要求。 4.4 检查电容的外观,确保其外观整洁、无明显的变形、破损、裂纹、花斑、污浊、锈蚀等不良状况;且其标识清晰牢固、正确完整。 4.5检查其引出端子,保证其端子端正、无氧化、无锈蚀、无影响其导电性能等状况,且引出端子无扭曲、变形和影响插拔的机械损伤。 4.6 检查电解电容标注的生产日期不应超过半年,并作好记录。 5容量与损耗测试 5.1用电桥测试其实际容量与标称容量是否一致(电解电容一般会有±20%的误差范围),其损耗角正切值tanθ(即D值)大小是否符合国家标准(电解电容器tanθ≤0.25)。 5.2对Zen tech电桥测试仪的使用方法:正确连接电源以后,按“POWER”键开启测试仪的工作电压;按“LCR”键选择测试类型(L:电感,C:电容,R:电阻)。

电解电容制造过程

铝电解液电容的制造过程 发布:2011-08-31 | 作者: | 来源: wanghuixiang| 查看:393次 | 用户关注: 贴片铝电解液电容的制造过程包括九个步骤,我们就按顺序逐一为大家讲解:第一步:铝箔的腐蚀。假如拆开一个铝电解液电容的外壳,你会看到里面是若干层铝箔和若干层电解纸,铝箔和电解纸贴附在一起,卷绕成筒状的结构,这样每两层铝箔中间就是一层吸附了电解液的电解纸了。因此首先我们谈谈铝箔的制造方法。为了增大铝箔和电解质的接触面积,电容中的铝箔的表面并不是光滑的,而是经过电化腐蚀法,使其表面形成凹凸不平的形状,这样 贴片铝电解液电容的制造过程包括九个步骤,我们就按顺序逐一为大家讲解:第一步:铝箔的腐蚀。 假如拆开一个铝电解液电容的外壳,你会看到里面是若干层铝箔和若干层电解纸,铝箔和电解纸贴附在一起,卷绕成筒状的结构,这样每两层铝箔中间就是一层吸附了电解液的电解纸了。 因此首先我们谈谈铝箔的制造方法。为了增大铝箔和电解质的接触面积,电容中的铝箔的表面并不是光滑的,而是经过电化腐蚀法,使其表面形成凹凸不平的形状,这样能够增大7~8倍的表面积。普通铝箔一平方米的价格在10元人民币左右,而经过这道工艺之后,它的价格将升到40~50元/平米。电化腐蚀的工艺是比较复杂的,其中涉及到腐蚀液的种类、浓度、铝箔的表面状态、腐蚀的速度、电压的动态平衡等等。我们国家目前在这方面的制造工艺还不够成熟,因此用于制造电容的经过电化腐蚀的铝箔目前还主要依赖进口。 第二步:氧化膜形成工艺。 铝箔经过电化腐蚀后,就要使用化学办法,将其表面氧化成三氧化二铝——也就是铝电解电容的介质。在氧化之后,要仔细检查三氧化二铝的表面,看是否有斑点或者龟裂,将不合格的排除在外。 第三步:铝箔的切割。 这个步骤很容易理解。就是把一整块铝箔,切割成若干小块,使其适合电容制造的需要。 第四步:引线的铆接。 电容外部的引脚并不是直接连到电容内部,而是通过内引线与电容内部连接的。因此,在这一步当中我们就需要将阳极和阴极的内引线,与电容的外引线通过超声波键合法连接在一起。外引线通常采用镀铜的铁线或者氧化铜线以减少电阻,而内引线则直接采用铝线与铝箔直接相连。大家注意这些小小的步骤无一不对精密加工要求很高。

铝电解电容生产步骤(附图)

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铝电解电容制造进程: 第一步:铝箔的腐化。 倘若拆开一个铝电解液电容的外壳,你会看到内里是几多层铝箔和几多层电解纸,铝箔和电解纸贴附在一起,卷绕成筒状的机关,这样每两层铝箔中间便是一层吸附了电解液的电解纸了。 铝箔的制造要领。为了增大铝箔和电解质的战争面积,电容中的铝箔的外观并不是平滑的,而是通过电化腐化法,使其外观形成崎岖不屈的形状,这样不妨增大7~8倍的外观积。电化腐化的工艺是较量庞杂的,此中涉及到腐化液的种类、浓度、铝箔的外观状态、腐化的速率、电压的动态均衡等等。 第二步:氧化膜形成工艺。 铝箔通过电化腐化后,就要运用化学方法,将其外观氧化成三氧化二铝——也便是铝电解电容的介质。在氧化之后,要仔细检讨三氧化二铝的外观,看是否有雀斑也许龟裂,将不足格的清除在外。 第三步:铝箔的切割。 这个措施很简单明白。便是把一整块铝箔,切割成几多小块,使其适当电容制造的必要。 第四步:引线的铆接。 电容外部的引脚并不是直连接到电容内部,而是经过内引线与电容内部连结的。因此,在这一步当中我们就必要将阳极和阴极的内引线,与电容的外引线经过超声波键正当连结在一起。外引线通常采纳镀铜的铁线也许氧化铜线以削减电阻,而内引线则直接采纳铝线与铝箔直

电容屏ITO保护胶制程工艺

电容屏ITO保护胶制程工艺 流程 第一步:ITO FILM 参数规格: 宽:406,410 厚度:188,175,125 规格:单膜,双膜。 特性:单,双加硬防刮。雾面防刮,雾面防牛等。 电容膜:日东,帝人,铃寅,LG等。 第二步:ITO GLASS 参数规格: 长宽:14*16 厚度:0.55,0.7,1.1 规格:普通,钢化等, 特性:AR(抗反射),AG(防眩光),AS(防水防污),AF(防指纹)等 电容玻璃:安可,冠华,正达,正太等。 第三步:缩水 参数规格: 让ITO FILM 定型,非导电层面需丝印整版保护胶。 第四步:清洗 参数规格: 将GLASS 表面的脏污,油污,杂质等去除并干燥。 第五步:保护胶丝印 参数规格: 膜厚:15-30μM,300-420 目聚酯网或钢丝网 乳剂膜厚:20-30μM 保护胶:日本朝日,丰阳等,热固型。 第六步:过蚀刻线 参数规格: 酸度:3.5-6.5MOL,温度:45±5 度,压力:1-2KG,速度:0.8-1.5M/MIN。经纯水清洗,干燥。 第七步:整版保护胶丝印 参数规格: 膜厚:10-20μM,250-420 目聚酯网,国产保护胶就可以,热固完用手 撕。

第八步:保护胶丝印 参数规格: 膜厚:15-30μM,250-420 目聚酯网 乳剂膜厚:10-20μM 保护胶:日本朝日,丰阳等,热固型。 第九步:银浆线丝印 参数规格: 膜厚:5-15μM,400-500 目钢丝网,18-16 线径,乳剂膜厚:6-12μM,银浆:日本朝日,丰阳等,热固型。感光胶:田菱H-815,(具有高解 像性,高精密等特性。) 第十步:组合 参数规格: 上下线组合胶: 口字胶:透光率底 OCA 光学胶:汽包多,但透光率高。 液态光学胶:技术要求高。 第十一步:切割 参数规格: 大片半成品切割,激光处理成小片半成品。 第十二步:压合 参数规格: 小片半成品与FPC 及IC 绑定形成功能片 第十三步:测试 参数规格: 功能片的功能测试。如:线性测试,寿命测试,精度测试等。 第十四步:终检 参数规格: 最终的一个外观检查。 第十五步:包装 参数规格: 包装处理出货。

铝电解电容器生产工艺流程

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解液的电解纸了。 铝箔的制造要领。为了增大铝箔和电解质的战争面积,电容中的铝箔的外观并不是平滑的,而是通过电化腐化法,使其外观形成崎岖不屈的形状,这样不妨增大7~8倍的外观积。电化腐化的工艺是较量庞杂的,此中涉及到腐化液的种类、浓度、铝箔的外观状态、腐化的速率、电压的动态均衡等等。第二步:氧化膜形成工艺。 铝箔通过电化腐化后,就要运用化学方法,将其外观氧化成三氧化二铝——也便是铝电解电容的介质。在氧化之后,要仔细检讨三氧化二铝的外观,看是否有雀斑也许龟裂,将不足格的清除在外。 第三步:铝箔的切割。 这个措施很简单明白。便是把一整块铝箔,切割成几多小块,使其适当电容制造的必要。 第四步:引线的铆接。 电容外部的引脚并不是直连接到电容内部,而是经过内引线与电容内部连结的因此,在这一步当中我们就必要将阳极和阴极的内引线,与电容的外引线经过超声波键正当连结在一起。外引线通常采纳镀铜的铁线也许氧化铜线以削减电阻,而内引线则直接采纳铝线与铝箔直接相连。大众注意这些小小的措施无一过错细密加工要求很高。 第五步:电解纸的卷绕。 电容中的电解液并非直接灌进电容,呈液态浸泡住铝箔,而是经过吸附了电解 液的电解纸与铝箔层层贴合。这当中,选用的电解纸与平凡纸张的配方有些分 歧,是呈微孔状的,纸的外观不及有杂质,不然将影响电解液的身分与性能。 而这一步,便是将没有吸附电解液的电解纸,和铝箔贴在一块,然后卷进电容外壳,使铝箔和电解纸形成近似“ 101010”的隔断状态。 第六步:电解液的浸渍。当电解纸卷绕完毕之后,就将电解液灌进去,使电解液浸渍

铝电解电容器生产工艺流程

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铝电解电容器的生产流程

铝电解电容器的生产流程 a)刻蚀 阳极和阴极箔通常为高纯度的薄铝箔(0.02~0.1mm厚),为了增加容量,需要增大箔的有效表面积,利用腐蚀的办法对与电解质接触的铝箔表面进行刻蚀(成千上万微小条状)。对于低压电容,表面面积可以通过刻蚀增大100倍,对高压则一般为20~25倍,即高压电容比低压电容的腐蚀系数要小,这是由于高压的氧化膜较厚,部分掩盖了腐蚀后的微观起伏,降低了有效表面积的缘故。 b)形成 阳极箔表面附着电容的电介质,这个电介质是一层薄薄的铝氧化物(Al2O3),它是通过电化学方法在阳极箔表面通过“形成Forming”的工艺过程生成。氧化铝的厚度与形成电压有关(1.4~1.5nm/V),通常形成电压与工作电压有一个比例系数,铝电容的比例系数较小,为1.2~2(固体钽电容为3~5),因此,如果有一个450V额定电压的铝电容,若比例系数为1.4,则形成电压为450×1.4=600V,这样其氧化膜的厚度大概为1.5nm×600 = 900nm,这个厚度不到人头发直径的百分之一。形成工艺减小了箔的有效表面积。因为微带状沟道会被氧化物覆盖,沟道刻蚀类型可以通过选择箔和刻蚀过程来调整。这样,低压阳极有精细的沟道类型和薄的氧化物,而高压阳极有粗糙的沟道类型和厚的氧化膜,阴极箔不用进行形成,所以它还保持大的表面面积和深度刻蚀样貌。 c)切片 铝箔以一卷成40~50cm宽的条状,在经过刻蚀和形成工艺后,再根据最终电容高度规格要求切成所需的宽度。

d)芯包卷绕 铝箔切片后,在卷绕机上按一层隔离纸、阳极箔、另一层隔离纸、阴极箔合成并卷绕成柱状芯子结构,并在外面在卷上一个带状的压敏条来防止芯子散开。分隔纸作为阳极箔和阴极箔之间的衬垫层,既可以用以防止两电极箔接触而短路,同时作为吸附和蓄存液态工作电解质的载体。在芯包卷绕前或卷绕过程中,铝垫引出片铆接到两个电极箔上,以方便后面引出到电容的端极。最好的铆接方法是采用微处理器控制定位的冷压焊接,以保证这过程中芯子的寄生电感小于2nH,较古老的铆接方法是通过穿透铝箔,折叠起来的方式,冷压焊接降低了短路失效的可能性,而且在高纹波电流应用下有较好的特性,而旧的铆接方式在充放电应用场合下常会使个别连接点断裂失效。 e)连接引出端 铝垫引出片的扩展就是电容的引出端极。对于轴向引线结构的电容,阴极垫在密封前与金属外壳焊接在一起。 f)注入液态电解质 在芯子里注满了工作电解液让分隔纸充分吸收并渗透至毛细的刻蚀管道中。注入过程是将芯子浸渍在电解液中并进行加热(或不加热)的真空-强压循环处理,对于小容量电容,仅仅只是浸渍吸收就可以。电解液由不同化学成分混合而成,根据不同的电压和应用环境温度范围,其组成成分也不同。水在电解液成分中占据一个主要角色,它增加了电解液可导性从而减小了电容的ESR,但同时降低了沸点影响了在高温下的性能,降低了贮藏时间。当漏电流流过,水分子分解成氢气和氧气,氧气在漏电流处与阳极箔金属生成新的氧化膜(自愈),氢气则通过电容的橡胶塞逸出。因此为了维持氧化膜的自愈特性,是需要有一定比例成分的水。 g)密封

铝电解电容器工程技术

一、 电容器的定义 1、电容器——由两个导电极板,中间放置着具有介电特征的物质所组成的分立元件。 2、电解电容器——两个极板有阳(正)极和阴(负)极之分,其中作为阳极的是采用特定的阀金属,并在该金属表面上籍助于电化学方法生成一极薄且具有单向导电性的氧化膜作为介质,而阴极通常是采用能生成和修复介质氧化膜的液状或固状的电解质,这样一种特殊结构和特殊工艺制造的电容器。 二、 电气参数 铝电解电容器常用标称:电容量(C R )、损耗角正切(tg δ)、漏电流(I LC )、额定工作电压(U R )、阻抗(Z ) 1、电容量:是指在电容器上标明的电容量值,是设计容量的名义值。 2、损耗角正切:用于脉动电路中的铝电解电容器,实际上要消耗一小部分有功的电功率,这可用损耗角正切来表征,它是电容器电能量损耗的有功功率与无功功率之比。对于电解电容较常采用串联等效电路,如图1-1所示,则其损耗角正切tg δ为: tg δ= = =ωC r r I 图1-1 等效串联电路和电流电压矢量图 3、漏电流 漏电流:当对电容器施加直流电压时,将观察到充电电流的变化:开始很大,然后逐渐随时间而下降,但并不等于零,而是达到某一终值后,趋于稳定状态,这一终值称为漏电流。 漏电流I LC 是电解电容器五大电参数之一,用来表征电解电容器的绝缘质 1 ωC r U C U R Ir C r r U C U C I

量。与施加电压的大小、环境温度的高低和测试时间的长短都有密切关系,故在规定漏电流值时必须标明其测试时间“t”、施加电压“U”和环境温度“T”的大小。I LC 与测试时间(即施加电压时间)、施加电压大小和环境温度之间的关系如图1-2所示。 t t 图1-2 电解电容器的漏电流与测试时间、施加电压和环境温度的关系 对于铝电解电容器,漏电流通常用下式表示: I LC=KCU+M μA 式中:C——电容器的标称电容量(μF); U——额定工作电压(V); K,M——常数。 其中K值,称之为漏电流常数。对于不同类型的电解电容器具有不同值,如CD11型产品,K=0.03;CD110型产品,K=0.01;低漏电流产品,K=0.001~0.002。 对于M值,除了主要考虑氧化膜本身漏电流外,还应考虑到电容器表面漏导电流的影响。M值主要取决于产品结构和CU值的大小。CU值较小者,其表面漏导电流影响较大,M值也相应附加较大值;CU值较大者,表面漏导电流影响就较小,M值可以忽略不计。所以M值可以在0~20范围内取值。4、额定工作电压(U R) 指在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下,可以连续施加在电容器的

电解电容生产过程

电解电容器生产工艺流程 铝电解电容器主要原材料: 阳极箔、阴极箔、电解纸、电解液、导箔、胶带、盖板、铝壳、华司、套管、垫片等 生产工序 切割、卷绕、含浸、装配、老化、封口、印刷、套管、测量、包装、检验等 电解电容原材料分切 小型电解电容器自动卷绕机

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铝电解电容制造进程: 第一步:铝箔的腐化。 倘若拆开一个铝电解液电容的外壳,你会看到内里是几多层铝箔和几多层电解纸,铝箔和电解纸贴附在一起,卷绕成筒状的机关,这样每两层铝箔中间便是一层吸附了电解液的电解纸了。 铝箔的制造要领。为了增大铝箔和电解质的战争面积,电容中的铝箔的外观并不是平滑的,而是通过电化腐化法,使其外观形成崎岖不屈的形状,这样不妨增大7~8倍的外观积。电化腐化的工艺是较量庞杂的,此中涉及到腐化液的种类、浓度、铝箔的外观状态、腐化的速率、电压的动态均衡等等。 第二步:氧化膜形成工艺。 铝箔通过电化腐化后,就要运用化学方法,将其外观氧化成三氧化二铝——也便是铝电解电容的介质。在氧化之后,要仔细检讨三氧化二铝的外观,看是否有雀斑也许龟裂,将不足格的清除在外。 第三步:铝箔的切割。 这个措施很简单明白。便是把一整块铝箔,切割成几多小块,使其适当电容制造的必要。 第四步:引线的铆接。 电容外部的引脚并不是直连接到电容内部,而是经过内引线与电容内部连结的。因此,在这一步当中我们就必要将阳极和阴极的内引线,与电容的外引线经过超声波键正当连结在一起。外引线通常采纳镀铜的铁线也许氧化铜线以削减电阻,而内引线则直接采纳铝线与铝箔直

钽电容工艺流程

钽电容 固体钽电容器是1956年由美国贝乐试验室首先研制成功的,它的性能优异,是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品。钽电容器外形多种多样,并制成适于表面贴装的小型和片型元件。适应了目前电子技术自动化和小型化发展的。虽然钽原料稀缺,钽电容器价格较昂贵,但大量采用高比容钽粉(30KuF.g-100KuF.V/g),加上对电容器制造工艺的改进和完善,钽电容器还是得到了迅速的发展,钽电容的应用范围日益。钽电容器不仅在军事通讯,航天等领域应用,而且钽电容的应用范围还在向工业控制,影视设备、通讯仪表等产品中大量使用。 钽电容的优点和缺点 钽电容全称是钽电解电容,也属于电解电容的一种,使用金属钽做介质,不像普通电解电容那样使用电解液,,钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸烧制,本身几乎没有电感,但也限制了它的容量。此外,钽电容内部没有电解液,很适合在高温下工作。钽电容的特点是寿命长、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好,不过容量较小、价格也比铝电容贵,而且耐电压及电流能力较弱。它被应用于大容量滤波的地方,像CPU插槽附近就看到钽电容的身影,多同陶瓷电容,电解电容配合使用或是应用于电压、电流不大的地方。 在钽电解电容器工作过程中,具有自动修补或隔绝氧化膜中的疵点所在的性能,使氧化膜介质随时得到加固和恢复其应有的绝缘能力,而不致遭到连续的累积性破坏。这种独特自愈性能,保证了其长寿命和可靠性的优势。钽电解电容器具有非常高的工作电场强度,并较类型电容器都大,以此保证它的小型化。 钽电容滤波好的原因: 1、钽电容的性能优异,是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品,钽电容器非常方便地较大的电容量,在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。 2、钽电解电容器具有储藏电量、进行充放电等性能,主要应用于滤波、能量贮存与转换,记号旁路,耦合与退耦以及作时间常数元件等。在应用中要注意其性能特点,正确使用会有助于充分发挥其功能,其中诸如考虑产品工作环境及其发热温度,以及采取降额使用等措施,如果使用不当会影响产品的工作寿命。 3、固体钽电容器电性能优良,工作温度范围宽,而且形式多样,体积效率优异,具有其独特的特征:钽电容器的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。此层氧化膜介质与组成电容器的一端极结合成一个整体,不能单独存在。因此单位体积内所具有的电容量特别大。即比容量非常高,因此特别适宜于小型化。在钽电容器工作过程中,具有自动修补或隔绝氧化膜中的疵点所在的性能,使氧化膜介质随时得到加固和恢复其应有的绝缘能力,而不致遭到连续的累积性破坏。这种独特自愈性能,保证了其长寿命和可靠性的优势。 钽电容生产工艺及控制 钽电容加工工艺 一、工艺制造流程

钽电解电容工艺简介00

钽电解电容生产工艺简介 按照电解液的形态,钽电解电容有液体和固体钽电解电容之分,液体钽电解用量已经很少,本文仅介绍固体钽电解的生产工艺。 固体钽电解电容其介质材料是五氧化二钽;阳极是烧结形成的金属钽块,由钽丝引出,传统的负 极是固态MnO 2,目前最新的是采用聚合物作为负极材料,性能优于MnO 2 。 钽电解电容有引线式和贴片两种安装方式,其制造工艺大致相同,现在以片钽生产工艺为例介绍如下。 一、生产工艺流程图 成型烧结试容检验组架赋能涂四氟被膜石墨银浆 上片点胶固化点焊模压固化切筋喷砂电镀打标志切边漏电预测老化测试检验编带入库 二、主要生产工序说明 (一)成型工序: 该工序目的是将钽粉与钽丝模压在一起并具有一定的形状,在成型过程中要给钽粉中加入一定比例的粘接剂。 1、什么要加粘接剂? 为了改善钽粉的流动性和成型性,避免粉重误差太大,另外避免钽粉堵塞模腔。低比容粉流动性好可适当多加点粘接剂,高比容粉流动性差可适当少加点粘接剂。 2、加了太多或太少有什么影响? 如果太多:脱樟时,樟脑大量挥发,易导致钽坯开裂、断裂,瘦小的钽坯易导致弯曲。如果太少:起不到改善钽粉流动性的作用。拌好后的钽粉如果使用时间较长,因为樟脑是易挥发物品,可适量再加入一点粘和剂。樟脑的加入会导致钽粉中杂质含量增加,影响漏电。每天使用完毕,需将钽粉装入聚四氟乙烯瓶或真空袋内密封保存,以防樟脑挥发、钽粉中混入杂质、钽粉中吸附空气中的气体。 3、成型后不进行脱樟,可否直接放入烧结炉内进行烧结? 不行,因为樟脑是低温挥发物,如果直接放入烧结炉内进行烧结,挥发物会冷凝在炉膛、机械泵、扩散泵等排出管道内。 4、丝埋入深度太浅会有什么影响? 钽丝易拔出,或者钽丝易松动,后道工序在钽丝受到引力后,易导致钽丝跟部漏电流大。所以强调钽丝起码要埋入三分之二的钽坯高度以上,在成型时经常要检查。 5、粉重误差太大分有什么影响? 粉重误码差太大,导致容量严重分散,K(±10%)档的命中率会很低。成型时经常要称取粉重,误差要合格范围内(±3%)。如果有轻有重都是偏重或都是偏轻,可调整赋能电压或烧结温度。如果有轻有重,超过误差范围,要调整成型机,并将已压钽坯隔离,作好标识,单独放一个坩埚烧结。 6、密要均匀 不能有上松下紧,或下紧上松的现象。否则会导致松的地方耐压降低。钽坯高度要在允许差范围内,详细见工艺文件。

电解电容与普通电容的区别

电解电容与普通电容的区别 1、原理上相同。(1)都是存储电荷和释放电荷;(2)极板上的电压(这里把电荷积累的电动势叫电压)不能突变。(3)区别在于介质的不同、性能不同、容量不同、结构不同致使用环境和用途也不同。反过来讲,人们根据生产实践需要,实验制造了各种功能的电容器来满足各种电器的正常运行和新设备的运转。随着科学技术的发展和新材料的发掘,更优质、多样化的电容器会不断涌现。 2、介质不同。介质是什么东西?说穿了就是电容器两极板之间的物质。有极性电容大多采用电解质做介质材料,通常同体积的电容有极性电容容量大。另外,不同的电解质材料和工艺制造出的有极性电容同体积的容量也会不同。再有就是耐压和使用介质材料也有密切关系。无极性电容介质材料也很多,大多采用金属氧化膜、涤纶等。由于介质的可逆或不可逆性能决定了有极、无极性电容的使用环境。 3、性能不同。性能就是使用的要求,需求最大化就是使用的要求。如果在电视机里电源部分用金属氧化膜电容器做滤波的话,而且要达到滤波要求的电容器容量和耐压。机壳内恐怕也就只能装个电源了。所以作为滤波只能使用有极性电容,有极性电容是不可逆的。就是说正极必须接高电位端,负极必须接低电位端。一般电解电容在1微法拉以上,做偶合、退偶合、电源滤波

等。无极性电容大多在1微法拉以下,参与谐振、偶合、选频、限流、等。当然也有大容量高耐压的,多用在电力的无功补偿、电机的移相、变频电源移相等用途上。无极性电容种类很多,不一一赘述。 4、容量不同。前面已经讲过同体积的电容器介质不同容量不等,不一一赘述。 5、结构不同。原则上讲不考虑尖端放电的情况下,使用环境需要什么形状的电容都可以。通常用的电解电容(有极性电容)是圆形,方型用的很少。无极性电容形状千奇百变。像管型、变形长方形、片型、方型、圆型、组合方型及圆型等等,看在什么地方用了。当然还有无形的,这里无形指的就是分布电容。对于分布电容在高频和中频器件中决不可忽视。 6、使用环境和用途。在家电维修中,以上说的都可能遇到。要想深入浅出的认识还要靠自己摸索揣摩。这里只是抛砖引玉,还请指正补充。 1、有极性的不一定都是电解电容,比如:三洋的OS-CON固体电容,也是有极性的,另外钽电容也都是有极性的。 2、电解电容最大区别就是内部使用了电解液,所以为了防止过压/过热造成的爆浆,电解电容的顶部一般都开有防爆槽(比如nichicon的字形),这也可以做为区分固态电容和电解电容的简单的方法。

电容生产工艺

抑制电磁干扰用聚丙烯薄膜 电容器(Y2类)的研制 上海飞乐股份有限公司王桂英 摘要:抑制电磁干扰电容器用于降低电子、电子设备或其他其他干扰源所产生的电磁干扰。本文主要分析了Y2类薄膜电容器的技术关键问题,简述了解决问题的思路及途径,并指出该类电容器的制造工艺要点。 关键词:聚丙烯薄膜电容器;抑制电磁干扰;脉冲电压试验;损耗 一.概述 随着电子科学技术的发展,家用电器和电子产品的技术含量及复杂程度不断增加,产生了大量的电磁辐射,使得电磁环境日益复杂起来。电气电子产品的电磁兼容性问题已受到各国政府和生产企业的日益重视。有关部门作出规定:所有电子产品只有达到电磁兼容的标准才能进入市场,尤其是国际市场。这就较大地促进了抗电磁干扰对策电子元件与电路保护电子元件的发展。抑制电磁干扰电容器用于电气和电子设备中,可以降低电气电子设备或其他干扰源所产生的电磁干扰,把电源中不需要的瞬态脉冲电压降低到可接收的水平,其在电路中应用参见图1。 图1. 抑制电磁干扰电容器在电路中的应用 抑制电磁干扰电容器执行IEC384-14国际标准,可分为X类电容器或RC组件与Y 类电容器或RC组件。X类电容器适用在电容器失效时不会导致电击危险的场合,跨接在导线之间以短路平衡干扰电流。Y类电容适用在电容器失效时会导致电击危险的场合,跨接在导线和机箱外壳或接地之间以短路不平衡的干扰电流,我公司为了适应市场对各类电子电气产品电磁兼容性的要求,并在国际市场占有一席之地,于03年下半年开始研制抑制电磁干扰用聚丙烯薄膜电容器(Y2类)(以下简称Y2类薄膜电容器)工作。根据国际国内法律规定,抑制电磁干扰电容器因为与市电相连而涉及人身财产安全,必须经过强制安全认证后才允许进入市场。我们在研制开发Y2类薄膜电容器过程中,同时积极开展了产品的安全检测和认证工作。 二.产品特点及技术指标、主要性能: 1.产品的技术指标 .额定电压: 250VAC .标称电容量: 1nF—47nF .使用环境温度:—40℃~+105℃ .电容器类别: Y2 .损耗角正切: tgδ≤0.0012 (10KHz).绝缘电阻:两引出端间 R>15000MΩ 引出端与外壳间 R>30000MΩ 2.产品的主要性能 .脉冲电压试验. Y2电容器应能承受5000V上升时间1.2~1.5μS的三次以上脉冲。如果波形出现阻尼振荡,震荡的峰-峰值U PP应不大于峰值脉冲电压(U P)的10%,如图2所示。 图2 .耐久性试验. 在+105℃温度和1.7U R的电压下承受1000h试验,每隔1小时将电压升高到1000V (有效值),持续时间0.1S。 . 阻燃性. 针焰燃烧试验,达到 IEC384

电容触摸屏工艺流程

?电容触摸屏工作原理 ?1.黄光SITO结构触摸屏制程 ?2.黄光DITO结构触摸屏制程 ?3.FILM自容结构触摸屏制程 ?4.FILM-FILM互容结构触摸屏制程 ?5.GLASS-DITO印刷工艺互容结构触摸屏制程 ?6.名词解释

电容触摸屏工作原理 普通电容式触摸屏的感应屏是一块四层复合玻璃屏,玻璃屏的内表面和夹层各涂有一层导电层,最外层是一薄层矽土玻璃保护层。当我们用手指触摸在感应屏上的时候,人体的电场让手指和和触摸屏表面形成一个耦合电容,对于高频电流来说,电容是直接导体,于是手指从接触点吸走一个很小的电流。这个电流分从触摸屏的四角上的电极中流出,并且流经这四个电极的电流与手指到四角的距离成正比,控制器通过对这四个电流比例的精确计算,得出 触摸点的位置。

1.黄光SITO 结构触摸屏制程ITO 绝缘材料金属或ITO 介绍:SITO 是Single ITO 的简称。即菱型 线路做法。XY 轴(发射极和感应极)都在玻璃的 同一面。 X PATTERN 和Y PATTERN 通过搭桥的方 式,实现触摸屏发射极和感应极的作用。 架桥的选择: 金属架桥:导电性好(0.4Ω/■左右),但 是金属点会可见,影响外观。(推荐) ITO 架桥:导电性差(40Ω/■左右),解决 了金属点可见的问题,同时增加一道光照,成本增加。

2.黄光DITO结构触摸屏制程 介绍:DITO是Double ITO的简称。即两面 线路做法。XY轴分别布于玻璃上下两层 X PATTERN和Y PATTERN分别在玻璃的两 面,实现触摸屏发射极和感应极的作用。

4.FILM-FILM互容结构触摸屏制 程 PATTERN和Y PATTERN分别在两个 FILM上,实现触摸屏发射极和感应极 的作用。

电容屏Sesor制造流程工艺说明书

工程顺序:?BM→?SPT ITO→?Etch ITO→…X轴架桥(EOC光阻)→…SPT Mo-Al-Mo→?Etch Mo-Al-Mo→?保护层(EOC光阻) 以下是各工程制程细部解说: 第一道工程是BM (Black Matrix),制造触控屏的遮光框及后续工程的对位记号。此工程需在黄光微影制程下生产。 设备名称制程名称功能说明 Loader投片机玻璃入料投入SiO2玻璃基板。 UV Cleaner紫外线洗净利用紫外线生成臭氧分解基板上的有机物。 药洗机药液清洁利用碱性药液KOH或清洁剂分解基板上的无机物,也可清洗有机物残骸。 水洗机高压清洁高压水柱大量冲洗基板药液清洁后的残留物。超音波清洁超音波震荡出微细缝中的残留物。 纯水清洁大量超纯水冲洗基板。 液切风刀吹干基板上的水。 IR/UV IR干燥以IR加热板高温蒸发水气,达基板表面完全干燥。Buffer缓冲区进入Coater前的缓冲。 Spin Coater光阻涂布利用离心力旋转涂布黑色光阻剂(负型光刻胶)。 软烤炉Pre-bake光阻以IR加热板烤干基板上的黑色光阻薄膜。 曝光机曝光前恒温 板 基板经由软烤炉后需降温至与BM光罩同温,才可进 行曝光。 光阻曝光将光罩设计图面1:1曝光转印在光阻薄膜上。 端面洗净机基板端面洗 净 将基板四个边先做显影。 显像(现象)机光阻显影 利用碱性显影药液分解基板上未曝光的黑色光阻薄 膜。 显影后洗净大量超纯水冲洗显影药液。 Un-loader收片收片基板收入卡匣。使用HAPE台车搬运卡匣到硬烤炉 硬烤炉Post-bake

第二道工程是SPT ITO (溅镀ITO导电膜),制造电容式触控屏的X轴Y轴电场。此工程需经过ITO洗净机后,再进入高真空溅镀机中生产。 设备名称制程名称功能说明 Loader投片机基板入料投入硬烤完成的BM基板(或是SiO2玻璃基板)。 水洗机磨刷水洗毛刷刷洗基板上的异物。 中压水洗中高压水柱大量超纯水冲洗基板。风刀风刀吹干基板上的水。 IR段IR干燥以IR加热板高温蒸发水气,达基板表面完全干燥。UV段UV改质利用紫外线改质BM基板表面,有利溅镀成膜。Loader投片机基板收料基板收片入卡匣。 使用HAPE台车搬运卡匣到ITO溅镀机 ITO溅镀机ITO镀膜 在高温高真空炉中,利用高磁场磁控ITO靶材溅镀ITO 膜。 第三道工程是Etch ITO,制造电容式触控屏的X轴Y轴设计图案。 此工程再回到黄光微影制程生产,及ITO蚀刻室。 设备名称制程名称功能说明 Loader投片机玻璃入料投入ITO成膜后的ITO玻璃基板。 UV Cleaner紫外线洗净利用紫外线生成臭氧分解基板上的有机物。 药洗机药液清洁利用碱性药液KOH或清洁剂分解基板上的无机物,也可清洗有机物残骸。 水洗机高压清洁高压水柱大量冲洗基板药液清洁后的残留物。超音波OFF有ITO膜不可开超音波。 纯水清洁大量超纯水冲洗基板。 液切风刀吹干基板上的水。 IR/UV IR干燥以IR加热板高温蒸发水气,达基板表面完全干燥。Buffer缓冲区进入Coater前的缓冲。

各家厂商触摸屏ITO-SONSER工艺及设备介绍

各家厂商触摸屏ITO SONSER工艺及设备介绍 一、友晟光电(usents) 1.工艺流程: 1.1镀膜工艺: 1.2单面黄光制程: 1.3双面黄光制程:

2.生产设备: 镀膜生产黄光生产线背涂线 蚀刻生产线蚀刻生产线切割3.检测:

4.产品参数要求: 4.1 ITO sonser产品尺寸适用范围:3.5″4.2MoAlMo膜层参数: MoAlMo膜层可靠性实验

二、新济达光电科技 2.1 电容式触摸屏工艺流程: 电容式触摸屏生产原理:互电容屏是在玻璃表面用ITO制作横向电极与纵向电极,两组电极交叉的地方将会形成电容即是在这两组电极分别构成了电容的两极。当手指触摸到电容屏时,影响了触摸点附近两个电极之间的耦合,从而改变了这两个电极之间的电容量。检测互电容大小时,横向的电极依次发出激励信号,纵向的所有电极同时接收信号,这样可以得到所有横向和纵向电极交汇点的电容值大小,即整个触摸屏的二维平面的电容大小。根据触摸屏二维电容变化量数

据,可以计算每一个触摸点的坐标。因此,屏上即使有多个触摸点,也能计算出每个触摸点的真实坐标。 2.Sensor工艺流程: Sensor生产原理:Sensor是在玻璃表面用ITO(一种透明的导电材料)制作成横向与纵向电极阵列,起感应作用,是电容式触摸屏最重要的部件之一。 3.高透ITO导电玻璃工艺流程程:

高透ITO导电玻璃是在AR减反射膜的基础上增镀ITO导电膜,有效降低光的反射率及提高TFT 图像的对比度和清晰度。 4.金属钼铝钼工艺流程: 钼铝钼金属膜目前广泛应用于电容式触摸屏模组材料主要作为ITO线路导线用途,具有阻值低、膨胀系数低、抗氧化强,能有效提高电容屏的稳定性、反应速度及耐候性。 5.蚀刻工艺流程: 将涂有光刻胶的镀膜玻璃进行曝光、显影处理,然后通过溶液实现腐蚀处理掉所需除去的部分(ITO 或金属)、用离子反应或其它机械方式来剥离、去除光刻胶材料的一种过程。

触摸屏贴合工艺流程资料

贴合工艺流程一.工艺流程: (一).OCA贴合流程

(二)OCR贴合流程

二.主要设备及作业方式:(一).切割、裂片:

主要工艺过程: 1. 将大块sensor 玻璃切割成小 panel 的制程 ,有镭射切割和刀轮切割两种方式,目前一般采用刀轮切割即可。 2. 有厂家研制出在大片上贴小保护膜的设备,可防止切割过程中产生的碎屑污染sensor 表面。有厂家直接切割,然后将小片sensor 进行清洗。 3. 裂片有设备裂片和人工裂片两种方式,一般7inch 以下大部分厂家采用人工裂片方式,切割时在大片玻璃下垫一张纸,切割完成后,将纸抽出,到旁边的作业台上进行人工裂片。裂片时先横向裂成条,在逐条裂成片。 (二).研磨清洗: 1. 将裂成的小片周边进行研磨,现小尺寸一般厂家都不做研磨。 2. 清洗:采用纯水超声波清洗后烘干。 3.外观检查、贴保护膜 清洗后的小片,进行全数外观检查,有无擦划伤、裂痕、污染等,良品贴保护膜。 3. ACF 贴附: 大板 小片

5.FPC 压合(bonding ) 目的:让 touch sensor 与 IC 驱动功能连接。 註注: FPCa : 加上一个 “a ” 代表已焊上 IC , R & C 等component , “a ”为 為assembly 的意思. 为加强FPC 强度及防止水汽渗入,有工艺在FPC bonding 后在FPC 周围涂布少量的UV 胶,经紫外灯照射后固化。现在一般厂家已不再采用此工艺。 连接系统板 端的金手指 FPCa bonding pad I 电容 FPCa UV FPC seal 将UV Resin 涂布于FPC 周围及Glass edge UV cure 固化涂布于FPC 及Glass edge 处的胶處

触摸屏贴合工艺流程

贴合工艺流程一.工艺流程:

(二)OCR贴合流程

二.主要设备及作业方式:(一).切割、裂片: 主要工艺过程: 1.将大块sensor 玻璃切割成小 panel 的制程 , 有镭射切割和刀轮切割两种方式,目前一般采用刀轮切割即可。 2.有厂家研制出在大片上贴小保护膜的设备,可防止切割过程中 产生的碎屑污染sensor表面。有厂家直接切割,然后将小片sensor进行清洗。 3.裂片有设备裂片和人工裂片两种方式,一般7inch以下大部分 厂家采用人工裂片方式,切割时在大片玻璃下垫一张纸,切割完成后,将纸抽出,到旁边的作业台上进行人工裂片。裂片时先横向裂成条,在逐条裂成片。 (二).研磨清洗: 1.将裂成的小片周边进行研磨,现小尺寸一般厂家都不做研磨。 2.清洗:采用纯水超声波清洗后烘干。 3.外观检查、贴保护膜 清洗后的小片,进行全数外观检查,有无擦划伤、裂痕、污染等,良品贴保护膜。 3.ACF贴附: 小片 FPC bonding pad Panel 拉线出 pin

压合(bonding) 目的:让 touch sensor 与 IC驱动功能连接。 注注: FPCa : 加上一个“a”代表已焊上 IC , R & C 等component , “a”为为assembly 的意思. 为加强FPC强度及防止水汽渗入,有工艺在FPC bonding后在FPC周围涂布少量的UV胶,经紫外灯照射后固化。现在一般厂家已不再采用此工艺。 6.贴合:将FPC bonding后的Sensor与cover glass 贴合在一起,依据所用胶材的不同,目前有两种贴合方式,一种是OCA贴合,一种是OCR贴合。 OCA贴合分两步,第一步将OCA膜贴在sensor上,俗称软贴硬,第二部将贴过OCA膜的sensor与盖板玻璃贴合在一起,俗称硬贴硬。 第一步:软贴硬 连接系统板 端的金手指 FPCa bonding pad I 电容 FPCa UV 带状输送机 FPC seal 将UV Resin涂布于FPC周围及Glass edge 处,加强FPC强度及防止水汽渗入 UV cure 固化涂布于FPC及Glass edge处的胶处

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