低频电子电路习题答案及指导
低频电子电路习题答案及指导 何丰
1-8 在题图1-4所示的硅二极管电路中，输入交流信号V im 为5mV ，问输出交流电压V om 为多少？设电容C 对交流信号的容抗可忽略不计。
【分析思路】 （1）从电路结构出发，在两个电源作用下，电路中每个元器件的电压和电流原则上均包含两部分响应，即不变的直流和变化的交流；（2）具体说来，电容所在支路因电容的存在不可能含直流电流的流动，即Ω25电阻上无直流电压降；（3）考虑到交流电压的变化范围较小，由此在各元件上引起的变化电压和电流也不会大，即相对于直流属于小信号。
综合起来，该题可以采用在直流工作点下的小信号分析方法。
【解答】（1）在令交流电压源为零条件下，画出原电路的直流通路如图1-8-1（a ）所示。
（a ）题图1-4在V im =0时的电路图 （b ）直路分析图 （c ）二极管分析模型图1-8-1 题图1-4的直流通路获取在只提供二极管为“硅管”信息条件下，我们能采用的最精确二极管模型也只有图1-8-1（c ）的模型了。
据此，得V 3.57.06直o =-=V ，mA 04.11.5/3.5直D ==I ；管子处于导通状态。
（2）在令原图中直流电压源为零条件下，画出原电路的交流通路如图1-8-2（a ）所示，在二极管用小信号电阻替代，容抗为零的电容用短路线替代后得小信号等效图（c ）。
（a ）令原图直流源为零时的电路 （b ）整理后的交流通路 （c ）小信号等效图题图1-4图1-8-2 题图1-4的交流分析图获取Ω≈=≈25mA 04.1mV26DQ T d 常温I V r ()()[]mV 5.225//105.125//105.12533imom ≈⨯⨯⨯+=V V 【结论】 在二极管直流压降V 3.5直D =V ，交流压降mV 5.2m d =交V 条件下，可知满足计算前的“小信号分析”假设条件，因此分析合理，即mV 5.2om ≈V 。
1-9 请思考下列说法是否正确：（1）二极管的结电容越大二极管允许的最高工作频率越高；（2）二极管的结电容与外加电压的关系是线性的；（3）二极管的结电容由势垒电容和扩散电容组成；（4）在反偏时主要由扩散电容起作用。
第五章 低频功率放大电路习题及答案
第五章低频功率放大电路一、填空题1、以功率三极管为核心构成的放大器称放大器。
它不但输出一定的还能输出一定的，也就是向负载提供一定的功率。
2、功率放大器简称。
对它的要求与低频放大电路不同，主要是：尽可能大、 _____尽可能高、尽可能小，还要考虑管的散热问题。
3、功放管可能工作的状态有三种：类放大状态，它的失真、效率；它的失真、效率。
4、功率放大电路功率放大管的动态范围大,电流、电压变化幅度大，工作状态有可能超越输出特性曲线的放大区，进入或，产生失真。
5、所谓“互补”放大器，就是利用型管和型管交替工作来实现放大。
6、OTL电路和OCL电路属于工作状态的功率放大电路。
7、为了能使功率放大电路输出足够大的功率，一般晶体三极管应工作在。
8、当推挽功率放大电路两只晶体管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性，故在两管交替工作时产生。
9、对于乙类互补称功放，当输入信号为正半周时，型管导通，型管截止；当输入信号为负半周时，型管导通，型管截止；输入信号为零（Ui=0）时，两管，输出为。
10、乙类互补对称功放的两功率管处于偏置工作状态，由于电压的在存在,当输入信号在正负半周交替过程中造成两功率管同时 ,引起的失真，称为失真。
11、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：类功放、类功放和类功放电路。
12、甲乙类推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路图向功放管提代少量，以减少失真。
13、乙类互补对称功放允许输出的最大功率Pom= 。
总的管耗Pc= 。
14、为了避免输出变压器给功放电路带来的不便和失真，出现了功放电路；为了避免输出电容引出的失真，又出现了功放电路。
15、所谓复合功率管就是由一个功率三极管和一个功率三极管组成的大功率效三极管。
它分型管组合和型管组合两种。
复合管的等效电流放大系数β= 。
二、选择题1、交越失真是一种（）失真。
A、截止失真B、饱和失真C、非线性失真2、OTL和OCL电路的主要区别是（）A、有无输出电容B、双电源或单电源供电3、OCL甲乙类功放电路的效率可达（）A、25%B、78.5%4、甲类单管变压器耦合功率放大器集电极静态工作电流为I CQ，电源电压E C，输出最大功率为（）。
低频典型例题部分参考答案
复习题一、填空：1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。
2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（磷（+5））元素物质后形成的杂质半导体。
3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。
4.在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。
5．集成运放主要包括输入级、( 中间级)、( 输出级)和 ( 偏置)电路。
其中输入级一般采用( 差分放大)电路。
6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。
7．甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（效率高，管耗小），其最高效率可达到（ 78.5% ），但容易产生（交越）失真。
8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（零漂、温漂）。
9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（ 10 ）。
10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（ RC ）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（ LC ）振荡器。
11．半导体二极管具有（单向导电）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。
12．晶体三极管是一种（电流控制电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（正偏）集电结（反偏），而场效应管是一种( 电压控制电流 ) 控制型器件。
13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。
14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。
15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。
16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共集电极组态、共基极组态）输入电阻最小的是（ 共基极 ）电路。
低频电子线路思考题答案
1、二极管电路如题图所示，判断图中二极管是导通还是截止状态，并确定输出电压V o。
设二极管的导通压降为0.7V。
解：判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法是：首先假设将要判断的二极管断开（图中A、B两点之间断开），然后求该二极管阳极与阴极之间承受的电压。
如果该电压大于导通电压，则说明该二极管处于正向偏置而导通，两端的实际电压为二极管的导通压降；如果该电压小于导通电压，则二极管处于反向偏置而截止。
在判断过程中，如果电路中出现两个以上二极管承受大小不相等的正向电压，则应判定承受正向电压较大者优先导通，其两端电压为导通电压降，然后再用上述方法判断其余二极管的状态，具体分析如下：①在图（a）中，首先将二极管D断开，求二极管两端将承受的电压V AB＝V A－V B＝－5V－（－10V）＝5V。
显然，二极管接入以后处于正向偏置，工作在导通状态。
如果设二极管是理想器件，正向导通压降V D＝0V，则输出电压V O＝V A－V D＝－5V。
若考虑二极管的正向压降V D(on)＝0.7V，则输出电压V O＝V A－V(on)D＝－5V－0.7V＝－5.7V。
②在图（b）中，断开二极管V D,有V AB＝V A－V B＝－10V－（－5V）＝－5V。
可见，二极管V D接入以后，将承受反向电压，D处于截止状态（相当于断开），电路中电流等于零（设反向饱和电流为零），R上的电压降等于零，故V O＝V B＝－5V。
③在图（c）中，首先将D1和D2断开，求两管将承受的电压为：V D1：V B1A=V B1－V A＝0V－（－9V）＝9VV D2：V B2A＝V B2－V A＝－12V－（－9V）＝－3V二极管接入以后，V D1因正偏处于导通，则V O＝V A＝V B1－V VD1＝0V－0.7V＝－0.7V而V B2A＝－12V－（－0.7V）＝－11.3V，所以，V D2因反偏处于截止状态。
④在图（d）中，首先将V D1和V D2断开，求得两管将承受的电压。
低频电子线路 练习题
（2）无负反馈放大器增益：
Av
v0 vi
4 40 0.1
由此可得: BvAA vvfA Avvf4 40 0 2 20 00.025
习题4.4
解：
负反馈所能抑制的干扰和噪声是 B 。 A、 输入信号所包含的干扰和噪声 B、 反馈环内的干扰和噪声 C、 反馈环外的干扰和噪声 D、 输出信号中的干扰和噪声
(g)电压串联负反馈
Ri ,R0, 可稳定 v0
(h)电压并联负反馈
Ri ,R0, 可稳定 v0
习题4.3 一个电压串联负反馈放大器，
当输入电压为0.1V时，输出电压为2V。 去掉负反馈后，对于0.1V的输入电压，输出 电压为4V ，计算它的电压反馈系数B v。
解：（1）负反馈放大器增益：
A vfv v0 i 1A A vvB v A vf0 2 .120
解：（1）电压并联负反馈
（2）由图可得：
if
v0 Rf
,
ii
vi Rs
在理想集成运放电路中：由“虚地”有：
ii if
v v0 i R R 1 f 3 vi1 V v03 V
习题4.13 判断图题4-13中各电路反馈的极性 及交流反馈的组态。
解：（a）电流串联负反馈
（b）电流并联负反馈 （c）电压并联负反馈
解法一：
（1）拆环等 效交流通路
信号源变换后等效交流通路
在深度负反馈条件下 并联负反馈的 R if 很 小，一般有 Rif Rs
（2）由图可得： if 1 , ii 1 v0 Rf vs Rs
在深度负反馈条件下： ii if
v0 v0 ii v0 ii vs ii vs if vs
Rf 3000 10 Rs 300
低频电子线路复习题一
低频电子线路复习题一1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是 [ ]A.NPN 型硅管 B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 图1.1 2V 6V D. PNP 型锗管 1.3V1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]A. 饱和B. 放大C. 截止 图1.2D. 已损坏1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]A.I CBOB.I CESC.I CERD.I CEO1.7二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时，三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
低频标准试题(A卷)
低频电子线路课程理论考试题（A 卷）参考教材： 《电子线路》 机械工业出版社 林理明【闭卷】班级： 学号： 姓名： 成绩：1、电子线路包含了3门主要课程，它们是 。
A 、 模拟电子线路、数字电子线路、电子线路B 、 低频电子线路、高频电子线路、数字电子线路C 、 电工、电子技术、数字电子线路D 、 移动通信、模拟通信、数字通信2、一个PN 结构成了一个二极管，二极管具有 。
A 、双向导电性 B 、单向导电性 C 、双向绝缘性 D 、放大作用3、三极管在放大状态下的电流分配关系是 。
A 、E I =B I +C I B 、E I ＜B I +C I C 、E I ＞B I +C I D 、E I ≠B I +C I4、外加电压使三极管的 ，三极管工作于放大状态。
A 、发射结零偏，集电结零偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结正偏，集电结反偏5、放大电路的静态是指输入交流信号 时的电路状态。
A 、幅值不变 B 、频率不变 C 、幅值为零 D 、相位不变6、某放大器的输入信号电压为10mV ，输出电压是1V ，则电压放大倍数 V A 倍A 、10B 、100C 、1D 、10007、放大电路引入反馈之后，如果反馈信号x f 与输入信号x i 反相，使净输入信号减少，这种反馈方式称为 。
A 、正反馈B 、交流反馈C 、直流反馈D 、负反馈8、在负反馈放大电路中，反馈元件通常接在 之间。
A、电源与地B、输入与地C、输出与地D、输入与输出9、要提高放大电路的输入电阻，降低放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈10、直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是。
A、放大倍数太小B、放大倍数太大C、外界存在干扰太大D、环境温度的变化引起器件参数变化11、抑制零点漂移最有效的措施是放大电路采用。
A、直接耦合放大电路B、差分放大电路C、负反馈放大电路D、正反馈放大电路12、在下图所示的复合管中，组合方式是合理的。
低频标准试题(D卷)
低频电子线路课程理论考试题（D卷）参考教材：《电子线路》机械工业出版社林理明一、单项选择：（从下列四个答案中，选出一个正确的答案填入空格）40分1、电子技术中所说的“信号”是指：A、变化的电压B、变化的电流C、变化的电压或电流D、变化的功率2、关于对扩音机的描述，下列哪个正确：A、扩音机是一种常见的小信号放大电路B、扩音机只能对微弱的电信号进行电压放大，不能进行功率放大C、扩音机是把微弱的电信号经过电压放大和功率放大后，输出较强的电信号驱动扬声器D、扩音机的输出功率比输入功率小3、如果一个二极管的正、反向电阻值都很小，则该二极管：A、正常B、已被击穿C、内部断路D、无法判断4、三极管是一种的半导体器件。
A、电压控制B、电流控制C、既是电压控制又是电流控制D、既不是电压控制也不是电流控制5、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是：A、基极B、集电极C、发射极D、无法判断6、有四只晶体三极管，除β和I CBO不同外，其他参数一样，用作放大器件时，应选用管为好。
A、β=50，I CBO=0.5μAB、β=100，I CBO= 2.5μAC、β=10，I CBO=3μAD、β=40，I CBO=0.5μA7、三级管内部有二个PN结，三极管具有。
A、电流放大作用B、电压放大作用C、双向导电性D、既有电流放大作用，也有电压放大作用8、放大电路的交流通路是指。
A、电压回路B、电流流过的路径C、交流信号流过的路径D、直流信号流过的路径9、共射极放大电路的输入信号加在三极管的之间。
A、基极和发射极B、基极和集电极C、发射极和集电极D、基极和电源10、小信号放大电路采用分压式偏置电路，主要目的是。
A、降低输出阻抗B、稳定静态工作点C、提高输入阻抗D、提高放大能力11、某工艺要求选用一个输入电阻大，输出电阻小的单管放大电路作为阻抗变换电路，应选用。
A、基本放大电路B、分压式偏置电路C、射极输出器D、任意一个单管放大电路12、要使放大电路的输出电阻提高，应选用负反馈。
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1-8 在题图1-4所示的硅二极管电路中，输入交流信号V im 为5mV ，问输出交流电压V om 为多少？设电容C 对交流信号的容抗可忽略不计。
【分析思路】 （1）从电路结构出发，在两个电源作用下，电路中每个元器件的电压和电流原则上均包含两部分响应，即不变的直流和变化的交流；（2）具体说来，电容所在支路因电容的存在不可能含直流电流的流动，即Ω25电阻上无直流电压降；（3）考虑到交流电压的变化范围较小，由此在各元件上引起的变化电压和电流也不会大，即相对于直流属于小信号。
综合起来，该题可以采用在直流工作点下的小信号分析方法。
【解答】（1）在令交流电压源为零条件下，画出原电路的直流通路如图1-8-1（a ）所示。
（a ）题图1-4在V im =0时的电路图 （b ）直路分析图 （c ）二极管分析模型图1-8-1 题图1-4的直流通路获取在只提供二极管为“硅管”信息条件下，我们能采用的最精确二极管模型也只有图1-8-1（c ）的模型了。
据此，得V 3.57.06直o =-=V ，mA 04.11.5/3.5直D ==I ；管子处于导通状态。
（2）在令原图中直流电压源为零条件下，画出原电路的交流通路如图1-8-2（a ）所示，在二极管用小信号电阻替代，容抗为零的电容用短路线替代后得小信号等效图（c ）。
（a ）令原图直流源为零时的电路 （b ）整理后的交流通路 （c ）小信号等效图图1-8-2 题图1-4的交流分析图获取题图1-4Ω≈=≈25mA 04.1mV26DQ T d 常温I V r ()()[]mV 5.225//105.125//105.12533imom ≈⨯⨯⨯+=V V 【结论】 在二极管直流压降V 3.5直D =V ，交流压降mV 5.2m d =交V 条件下，可知满足计算前的“小信号分析”假设条件，因此分析合理，即mV 5.2om ≈V 。
1-9 请思考下列说法是否正确：（1）二极管的结电容越大二极管允许的最高工作频率越高；（2）二极管的结电容与外加电压的关系是线性的；（3）二极管的结电容由势垒电容和扩散电容组成；（4）在反偏时主要由扩散电容起作用。
1-10 在某电路保持不变的条件下，温度为20℃时测得二极管的电压V D =0.7V 。
当温度上升到40℃时，则V D 的大小将增加还是减小。
1-11 如何用万用表来判断二极管好坏、极性。
1-12 电路如题图1-5所示，请在选用图1-3-7（b ）的二极管模型，以及on 0.6V V =时，画出电路输入输出电压关系曲线。
题图1-51-13 电路如题图1-6所示，已知稳压管VD Z 的稳压值V Z ＝10V ，稳定电流的最大值I Zmax = 20mA ，稳定电流的最小值I Zmin = 5mA ，负载电阻R L ＝2k Ω。
要求当输入电压V I 由正常值发生±20%波动时，输出电压基本不变。
试求：电阻R 和输入电压V I 的正常值。
解：【分析思路】：根据精度选择的不同得到两种结果：题图1-61-14 请从工程实现角度出发，思考代表数字信息1和0的电位要设定为有一定误差的电位范围，而非固定的电位值。
1-15 电路如题图1-7所示，请在输入只能取+5V 和0V 条件下，给出输入A v 、B v 和输出Y v 的关系。
题图1-7【提示】：（1）在信息处理电路范畴内，该题的二极管模型选取原因与对应《低频电子电路》教材21页对应，即采用直折线电阻近似模型2；（2）做题时采用列表方式给出不同输入与输出的对应结果。
思考与练习2-1 晶体管的基区为什么必须很薄？发射区和集电区有哪些异同点？ 2-2 有一锗晶体管的I CBO =5μA ，0.98α=。
试求它的I CEO 与β值。
【解答】491=-=ααβ， ()μA 2501CBO CEO =+=I I β 2-3 请在晶体管输入特性曲线图2-1-6（a ）中，标注出截止区、放大区和饱和区的位置。
2-4 锗PNP 型晶体管作为放大应用时，其极间电压如何设置？2-5 当温度升高时，晶体管参数I CBO 、β、I C 将如何变化？（提示：根据导电原理和二极管导电特性定性分析）2-6 问：（1）已知某电路中未损坏晶体管的各端电位如题图2-1（a ）（b ）所示，请判断该晶体管所处的工作状态；（2）处于放大状态的晶体管各端电位如题图2-1（c ）（d ）所示，请标明该晶体管各电极名称、晶体管类型和制造晶体管的材料类型。
题图2-1【解答】（a ）根据图可知，晶体管的发射结正偏，集电结反偏，即处于放大状态；（b ） （c ）2-7 问：（1）测得一个硅PNP 型晶体管的b 、c 、e 三个电极对地电压分别为：B 3.2V V =-，E C 2.5V 7V V V =-=-，，判断该管工作于什么状态；（2）测得NPN 型晶体管的e 、b 、c 三个电极对地电压分别为：E 3.2V V =，B 2.5V V =，C 7V V =，判断该管工作于什么状态。
2-8 问：与PNP 晶体管发射极电流最大相对应的直流BE V 是：0.02V 、−0.05V 、0.10V 、−0.10V ？ 2-9 请思考基区调宽效应对晶体管特性有何影响。
2-10 电路如题图2-2所示，在每个输入信号均可以选择5V 或0V 的情况下，用列表方式给出3个输入端不同选择组合得到的输入输出信号对应关系。
【讨论】二极管和晶体管的输入特性的导通电压不能近似等于零。
2-11 场效应管的输出特性曲线如题图2-3所示，请画出相应的转移特性曲线，指出管子类型，写出饱和区转移特性表达式和相应的条件。
题图2-3题图2-2题图2-3（续）2-12 测得在放大状态下，MOS场效应管各管脚的电位如题图2-4所示，试判断这是一种什么类型的场效应管？并将相应的电路符号绘在图中，并标出各管脚的符号及衬底箭头。
2-13 请问你能从题图2-5（a）（b）两图分别读出管子什么信息？请画出对应的管子电路符号，并思考管子安全区由什么参数确定。
题图2-4题图2-52-14 请仿照图2-1-10对晶体管的大信号模型的构造，分析题图2-6所示场效应管的大信号模型，同时指出题图2-6（a）（b）两图各为什么管子的模型。
（提示：图中电容为大信号变化引起的电容效应）题图2-6思考与练习2-1 晶体管的基区为什么必须很薄？发射区和集电区有哪些异同点？【解答】为了保证发射区来的绝大部分载流子能扩散到集电结边界，减少基区的复合机会，因而基区必须很薄。
发射区和集电区掺入相同的杂质元素，发射区的掺杂的杂质浓度比集电区的高。
2-2 有一锗晶体管的I CBO =5μA ，0.98α=。
试求它的I CEO 与β值。
【解答】491=-=ααβ， ()μA 2501CBO CEO =+=I I β 2-3 请在晶体管输入特性曲线图2-1-6（a ）中，标注出截止区、放大区和饱和区的位置。
【解答】标注如图：题图2-32-4 锗PNP型晶体管作为放大应用时，其极间电压如何设置？【分析思路】无论NPN管还是PNP管，若要放大应用，必须工作于放大状态，即必须满足发射结正偏，集电结反偏。
对NPN管：V C>V B>V E对PNP管：V C<V B<V E【解答】对PNP管极间电压设置应有：V EB> V EB(on)，V EC> V ECS2-5 当温度升高时，晶体管参数I CBO、β、I C将如何变化？（提示：根据导电原理和二极管导电特性定性分析）【分析思路】温度升高时反向饱和电流I CBO增大（由少数载流子漂移运动形成的，少数载流子由本征激发产生，本征激发跟温度有关），温度每升高10 ︒C ，I CBO增大一倍；温度每升高1︒C，∆β/β增大（0.5 ~ 1）%，【解答】温度升高时，I CBO增大，∆β/β增大，又因为I C =βI B+（1+β）I CBO，I C增大。
2-6 问：（1）已知某电路中未损坏晶体管的各端电位如题图2-1（a）（b）所示，请判断该晶体管所处的工作状态；（2）处于放大状态的晶体管各端电位如题图2-1（c）（d）所示，请标明该晶体管各电极名称、晶体管类型和制造晶体管的材料类型。
题图2-1（1）【分析思路】发射结正偏，集电结反偏，工作于放大状态；发射结和集电结都正偏工作于饱和状态；发射结和集电结都反偏工作于截止状态；【解答】对于（a）满足发射结正偏，集电结反偏，所以工作于放大状态；对于（b）满足发射结正偏，集电结反偏，所以工作于放大状态。
（2）【分析思路】无论NPN管还是PNP管，工作于放大状态，必须满足发射结正偏，集电结反偏。
对NPN管：V C>V B>V E ；对PNP管：V C<V B<V E无论NPN还是PNP，放大时基极电位处于中间电位，因而判断时先找出基极，又因发射结正偏，正偏压降小，工程上近似等于导通电压V BE(on)，从而找出发射极，剩下的即为集电极。
【解答】对于（c）因9>4.7>4，所以4.7V对应的电极为基极，4V对应的电极是发射极，9V对应的电极是集电极。
因V BE =0.7V ，所以是硅管；又因为V C >V B >V E ，所以是NPN 管。
对于（d ）因-5>-5.7>-10，所以-5.7V 对应的电极为基极，-5V 对应的电极是发射极，-10V 对应的电极是集电极。
因V BE =-0.7V ，所以是硅管；又因为V C <V B <V E ，所以是PNP 管。
2-7 问：（1）测得一个硅PNP 型晶体管的b 、c 、e 三个电极对地电压分别为：B 3.2V V =-，E C 2.5V 7V V V =-=-，，判断该管工作于什么状态；（2）测得NPN 型晶体管的e 、b 、c 三个电极对地电压分别为：E 3.2V V =，B 2.5V V =，C 7V V =，判断该管工作于什么状态。
【分析思路】同2-6（1）【解答】对于（1）满足发射结正偏，集电结反偏，所以工作于放大状态；对于（2）满足发射结反偏，集电结反偏，所以工作于截止状态。
2-8 问：与PNP 晶体管发射极电流最大相对应的直流BE V 是：0.02V 、−0.05V 、0.10V 、−0.10V ？【分析思路】因为三极管发射极电流与的关系曲线为：【解答】反偏、正偏电压都很小，所以发射极电流都很小。
相比之下0.10V 时发射极电流最大。
2-9 请思考基区调宽效应对晶体管特性有何影响。
【解答】由于基区调宽效应的影响，进入放大区之后，随V CE 的增加集电极电流i C 略有增加，而基极电流i B 略有下降，β略增大。
2-10 电路如题图2-2所示，在每个输入信号均可以选择5V 或0V 的情况下，用列表方式给出3个输入端不同选择组合得到的输入输出信号对应关系。