一：三极管基本性能
晶体三极管的主要参数
晶体三极管的主要参数晶体三极管是一种重要的电子器件，被广泛应用于电子电路中。
它具有许多主要参数，这些参数对于了解晶体三极管的性能和应用非常重要。
本文将介绍晶体三极管的几个主要参数，并详细解释它们的含义和作用。
1. 最大集电极电流（ICmax）最大集电极电流是指晶体三极管能够承受的最大电流。
超过这个电流值，晶体三极管可能会损坏。
因此，在使用晶体三极管时，需要确保集电极电流不超过ICmax。
2. 最大集电极功耗（PCmax）最大集电极功耗表示晶体三极管能够承受的最大功耗。
当晶体三极管的功耗超过这个值时，会导致晶体三极管过热，甚至损坏。
因此，在设计电路时，需要确保集电极功耗不超过PCmax。
3. 最大集电极-基极电压（VCEmax）最大集电极-基极电压是指晶体三极管能够承受的最大电压差。
当集电极-基极电压超过这个值时，晶体三极管可能会击穿，造成损坏。
因此，在使用晶体三极管时，需要确保集电极-基极电压不超过VCEmax。
4. 最大基极-发射极电压（VBEmax）最大基极-发射极电压是指晶体三极管能够承受的最大电压差。
当基极-发射极电压超过这个值时，晶体三极管可能会击穿，造成损坏。
因此，在使用晶体三极管时，需要确保基极-发射极电压不超过VBEmax。
5. 最大集电极-发射极电流放大倍数（hFEmax）最大集电极-发射极电流放大倍数表示晶体三极管的放大能力。
它是指在特定工作条件下，晶体三极管输入电流与输出电流之间的比值。
hFEmax越大，表示晶体三极管具有更好的放大能力。
6. 截止频率（fT）截止频率是指晶体三极管在放大作用下，输出信号的频率达到-3dB 的点。
截止频率越高，表示晶体三极管具有更好的高频特性。
7. 饱和电流（ICsat）饱和电流是指晶体三极管在饱和工作区时的集电极电流。
当晶体三极管处于饱和状态时，集电极电流不再随输入信号的变化而变化，保持在一个稳定的值。
总结：晶体三极管的主要参数包括最大集电极电流、最大集电极功耗、最大集电极-基极电压、最大基极-发射极电压、最大集电极-发射极电流放大倍数、截止频率和饱和电流。
常用三极管数据
常用三极管数据三极管是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
三极管的性能参数对电路的工作性能起着至关重要的作用。
本文将介绍常用的三极管数据，匡助读者更好地了解和应用三极管。
一、三极管的基本参数1.1 饱和电流（Icmax）：三极管在饱和状态下的最大电流。
通常情况下，饱和电流越大，三极管的工作性能越好。
1.2 最大功耗（Pmax）：三极管能够承受的最大功率。
超过最大功耗可能导致三极管损坏。
1.3 最大耗散功率（Pdmax）：三极管在正常工作状态下能够承受的最大耗散功率。
二、三极管的频率参数2.1 最大工作频率（fT）：三极管能够正常工作的最高频率。
频率越高，三极管的响应速度越快。
2.2 输入电容（Cib）：三极管输入端的电容。
输入电容越小，三极管对输入信号的响应越灵敏。
2.3 输出电容（Cob）：三极管输出端的电容。
输出电容越小，三极管对输出信号的响应越灵敏。
三、三极管的放大特性参数3.1 峰值电流增益（hFE）：三极管的放大倍数。
峰值电流增益越大，三极管的放大效果越好。
3.2 输入电阻（Rin）：三极管输入端的电阻。
输入电阻越大，三极管对输入信号的影响越小。
3.3 输出电阻（Rout）：三极管输出端的电阻。
输出电阻越小，三极管对输出信号的影响越小。
四、三极管的温度特性参数4.1 温度系数（α）：三极管的基极电流随温度变化的系数。
温度系数越小，三极管的温度稳定性越好。
4.2 温度上升系数（β）：三极管的饱和电流随温度升高的系数。
温度上升系数越小，三极管的工作稳定性越好。
4.3 温度范围（Tj）：三极管能够正常工作的温度范围。
超出温度范围可能导致三极管性能下降。
五、三极管的封装参数5.1 封装类型：三极管的封装形式，如TO-92、SOT-23等。
不同封装类型适合于不同的应用场景。
5.2 封装材料：三极管封装的材料，如塑料、金属等。
封装材料的选择影响三极管的散热性能。
5.3 封装尺寸：三极管封装的尺寸，包括封装的长、宽、高等参数。
三极管的相关参数
三极管的相关参数三极管是一种重要的电子器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关、斩波等功能。
它具有许多关键参数，下面将详细介绍三极管的相关参数。
1. 最大集电极电流（ICmax）：三极管可以承受的最大集电极电流。
超过这个电流极限，三极管可能会损坏。
2. 最大集电极-基极电压（VCEOmax）：三极管可以承受的最大集电极到基极的电压。
超过这个电压极限，三极管可能发生击穿。
3. 最大功耗（PDmax）：三极管可以承受的最大功耗。
超过这个功耗极限，三极管可能会过热，导致故障。
4. 最大集电极-发射极电压（VCESmax）：三极管可以承受的最大集电极到发射极的电压。
超过这个电压极限，三极管可能发生击穿。
5.最大集电极电流放大倍数（hFE）：三极管的集电极电流与基极电流之间的比例关系。
它表示三极管的放大能力，通常在工作区域内具有较高的值。
6. 饱和区（Saturation Region）：当三极管的基极电流足够大时，集电极-发射极间的电压达到最低值，此时三极管工作在饱和区。
7. 切断区（Cut-off Region）：当三极管的基极电压较低时，集电极-发射极间的电压达到最高值，此时三极管工作在切断区。
8. 属性（Transconductance）：三极管的输入特性之一，它是指集电极电流变化与基极-发射极电压变化之比，常用单位是毫安每伏特（mA/V）。
9. 剪切频率（Cut-off Frequency）：三极管的输出特性之一，它是指在特定放大倍数下，三极管的功耗输出能力降低到原来的一半所对应的频率。
10. 输入电阻（Input Resistance）：三极管的输入电阻，也称为基极电阻，是指输入端电压与输入端电流之比。
11. 输出电阻（Output Resistance）：三极管的输出电阻，是指输出端电压与输出端电流之比。
12. 射极电阻（Emitter Resistance）：三极管的发射极电阻，是指发射极电压与发射极电流之比。
三极管的特征
三极管的特征三极管，也被称为双极型晶体管（bipolar junction transistor，简称BJT），是一种常见的半导体器件。
它具有三个区域：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
三极管具有许多特征，下面将逐一介绍。
1. 放大作用三极管的主要功能是放大电流和电压信号。
当在基极-发射极电流（IB）的作用下，由发射极-集电极电流（IC）的增大，即电流放大效应。
这使得三极管可以用作放大器，将弱信号放大为强信号，从而实现信号处理和传输。
2. 开关作用三极管还可以用作开关。
当输入信号的电压或电流超过一定的阈值时，三极管可以处于饱和状态，导通集电极和发射极之间的电流。
反之，当输入信号的电压或电流低于阈值时，三极管处于截止状态，不导通。
这种开关特性使得三极管广泛应用于数字电路和开关电源等领域。
3. 电流放大倍数三极管的电流放大倍数（或称为电流放大系数）是指集电极-发射极电流（IC）与基极-发射极电流（IB）之间的比值，用β表示。
β的数值通常在几十到几百之间。
电流放大倍数决定了三极管的放大能力，也是设计电路时需要考虑的重要参数之一。
4. 输入/输出阻抗三极管具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。
输入阻抗决定了信号源与三极管之间的匹配程度，输出阻抗决定了三极管与负载电路之间的匹配程度。
较高的输入阻抗可以减少信号源的负载效应，较低的输出阻抗可以提供更好的信号传输能力。
5. 频率响应三极管的频率响应是指其对不同频率信号的放大能力。
一般来说，三极管在低频时具有较好的放大能力，但在高频时可能会出现衰减。
这是由于三极管内部结构和材料特性所致。
为了实现更高的频率响应，可以采用特殊工艺和结构设计。
6. 温度特性三极管的工作性能会受到温度的影响。
一般情况下，三极管的电流放大倍数会随着温度的升高而下降，而饱和电压会随温度的升高而增加。
这需要在设计电路时考虑温度补偿和稳定性。
7. 噪声三极管的工作过程中会产生一定的噪声。
三极管描述
三极管描述
三极管，全称应为半导体三极管，也有双极型晶体营、晶体三极管，是种拉制电流的半导体器件。
其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之,具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一共半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三都分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
以上仅供参考，如需了解三极管的具体参数和型号.建议咨询专业人士或查阅电子类专业书籍。
常用中功率三极管参数
常用中功率三极管参数三极管是一种常用的电子器件，用于放大和开关电路中。
常用中功率三极管的参数非常重要，可以用来评估其性能和适用范围。
下面将介绍一些常用的中功率三极管参数。
1. 最大连续射极电流（ICmax）：这是中功率三极管能够连续承受的最大电流。
超过这个电流，三极管可能会损坏。
2. 最大射级功耗（Ptot）：这是中功率三极管能够连续承受的最大功耗。
超过这个功耗，三极管可能会损坏。
3. 射级饱和电压（VCEsat）：当直流射级电流达到最大值时，射级饱和电压是指射级-集电极之间的电压下降。
这个参数决定了三极管在饱和状态下的损耗和性能。
4.射级压降（VCE）：这是三极管的射级-集电极之间的电压。
5. 射级-基极饱和电压（VBEsat）：当射级电流达到最大值时，射级-基极饱和电压是指基极-射级之间的电压下降。
这个参数决定了三极管在饱和状态下的损耗和性能。
6. 最大集极耗散功率（Pdmax）：这是中功率三极管能够连续承受的最大集极耗散功率。
超过这个功耗，三极管可能会损坏。
7. 射级电阻（hfe）：这是指射级电流与基极电流之间的比值。
由于三极管主要用于放大作用，射级电流要远大于基极电流，因此这个比值通常较大。
8.数据特性（hFE）：这是指三极管的直流放大倍数。
也就是说，当基极电流变化时，射级电流的变化倍数。
这个参数决定了三极管在放大电路中的增益。
9. 最大集极-基极电压（VCEOmax）：这是中功率三极管能够承受的最大集极-基极电压。
超过这个电压，三极管可能会损坏。
10. 射极-基极电容（Cje）：这是指射极-基极之间的电容，它会影响三极管的开关速度和高频响应。
11. 射极-集电极电容（Cjc）：这是指射极-集电极之间的电容，它也会影响三极管的开关速度和高频响应。
这些是常见的中功率三极管参数，了解和掌握这些参数可以帮助工程师选择合适的三极管并设计出更具性能优势的电路。
同时，通过对这些参数的测量和分析，可以评估三极管的可靠性和稳定性，以及其在各种应用场景中的性能表现。
三极管特性
三极管特性三极管是一种常用的电子元件，它的结构由三个外接端保护的P 型的半导体材料组成，它的结构非常简单，但却有出色的电子特性。
简单来说，三极管就是一种可以改变电信号的特殊性能电子元件。
三极管有三个外接端，分别叫做收集极（C），基极（B）和发射极（E）。
收集极连接到电源，发射极连接到目标器件，基极连接在两者之间。
它可以将收集极接受的电信号调整成发射极发出的电信号，从而实现信号转换功能。
三极管的特性归结于它的半导体结构。
它的半导体结构主要由三层N型半导体，P型半导体和中间的发射层构成。
N型半导体和P型半导体特别容易电子和电离子流动，它们可以产生收集极、发射极和基极之间的电容、电阻和电导，这些电路特性决定了三极管的输出特性。
三极管具有可控的输出电流，简单的输出电压，电压重复率，功率，耐电压和静态电极性等特性。
这些特性可以根据不同的应用场景和要求调整，以满足各种电子应用的电参需求。
三极管的输出特性是滞后的，它受内部电容和外界电容的影响，由于这些影响，三极管的输出特性也会发生变化，从而影响到它的电参特性。
一般而言，三极管的输出特性会变得更加稳定，但如果外界电容变化，则会影响到它的输出。
三极管有众多应用，最常见的应用是放大电路，它是电子产品的核心部件，它能够用来放大电信号，从而实现了模拟信号的处理。
三极管也可以用在逻辑电路中，它可以将信号转换成逻辑1或逻辑0信号，从而实现数字信号的处理。
另外，三极管还可以用在电源电路，它可以将输入的电源电压调整成所需的电压，以满足某些特定应用的要求。
三极管属于单芯片结构，它具有低成本、高效率、稳定可靠等优点，因此它被广泛应用在电子行业，特别是在视频、游戏、音频等领域中。
三极管技术的发展使得电子产品更加小巧，数据处理更快，灵活性更强，从而实现了许多新功能。
三极管作为电子行业的重要基础技术，对电子行业的发展有重要的意义，它的发展将促进电子行业的进一步发展，实现电子设备更加有效率、低耗能和更高性能。
三极管的主要参数
三极管的主要参数直流参数1、直流参数 （1）集电极⼀基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在⼀定温度下是个常数，所以称为集电极⼀基极的反向饱和电流。
良好的三极管，Icbo很⼩，⼩功率锗管的Icbo约为1～10微安，⼤功率锗管的Icbo可达数毫安，⽽硅管的Icbo则⾮常⼩，是毫微安级。
（2）集电极⼀发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。
Iceo⼤约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极⼤，它们是衡量管⼦热稳定性的重要参数，其值越⼩，性能越稳定，⼩功率锗管的Iceo⽐硅管⼤。
（3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
（4）直流电流放⼤系数β1（或hEF）这是指共发射接法，没有交流信号输⼊时，集电极输出的直流电流与基极输⼊的直流电流的⽐值，即：β1=Ic/Ib交流参数 2、交流参数 （1）交流电流放⼤系数β（或hfe）这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输⼊电流的变化量△Ib之⽐，即： β= △Ic/△Ib ⼀般晶体管的β⼤约在10-200之间，如果β太⼩，电流放⼤作⽤差，如果β太⼤，电流放⼤作⽤虽然⼤，但性能往往不稳定。
（2）共基极交流放⼤系数α（或hfb）这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie 之⽐，即： α=△Ic/△Ie 因为△Ic＜△Ie，故α＜1。
⾼频三极管的α＞0.90就可以使⽤ α与β之间的关系： α= β/（1+β） β= α/（1-α）≈1/（1-α） （3）截⽌频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截⽌频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截⽌频率fαo fβ、fα是表明管⼦频率特性的重要参数，它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα （4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全⾯地反映晶体管的⾼频放⼤性能的重要参数。
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第一节：三极管的结构与基本性能
一、二极管的正向导通特性
二极管正向导通后的局部精细参数曲线如图所示：
1、导通电压与到通电流之间的对应关系
二极管在正向电压0.5V 左右微弱导通，电压在0.7V 左右明显导通。
导通电压与导通电流之间的变化关系是：导通电压每变化9mV ；导通电流会变化根号二倍。
2、二极管正向导通电压与电流的变化关系表达式： 0()90n U U mV n I I -= 或者 0()1802n U U mV n I I -=
U o 为二极管的正向导通静态电压，U n 为二极管变化后的正向导通电压
I o 为二极管的正向导通静态电流，I n 为二极管与变化后的U n 相对应的正向导通电流。
也就是说：只要知道二极管的某个导通电压和相对应的导通电流，就可以计算出二极管正向导通曲线的任何一点的参数。
3、二极管的正向导通时的动态阻抗
①、动态阻抗的概念指的是电压的变化量与相应的电流变化量之比Z=ΔU/ΔI o 。
二极管正向导通之后，既有导通电压的参数；又有相应的导通电流的参数，但正向导通阻抗却不能简单地等于导通电压与导通电流之比。
例如：假设二极管的正向导通静态电压U o =0.7V 、静态电流I o =1mA ，如果认为二极管正向导通阻抗就等于导通电压与导通电流之比的话，此时的阻抗应当为0.7V/1mA=700Ω。
照此推论，当导通电压U n =1.4V 时，相应的导通电流因当是I n =2mA 。
而实际的结果是，当正向导通电压只达到0.718V 时(增加18mV)，电流就已经增加到2mA 。
由此可见，二极管正向导通后的阻抗，是一种动态阻抗。
所谓动态阻抗，指的是电压的微变量与相应的电流微变量之比。
也就是等于二极管正向导通曲线某一点的斜率；（如上图Q 1点和Q 2点所示）。
②、二极管正向导通后的动态阻抗的粗略计算：
Q 1点的阻抗：Ω≈--≈∆∆=
K uA uA V V I U Z Q Q Q 6.207.714.14691.0709.0111 Q 2点的阻抗：Ω≈--≈∆∆=K uA
uA V V I U Z Q Q Q 3.114.1428.28711.0727.022
2
③、由于二极管导通电压与电流变化是非线性关系，所以上述计算不精确。
由于非线性条件下不同工作点的动态阻抗不一样，所以，必须求出某一点的动态阻抗，那就是这一点的电压的微变量与相应的电流微变量之比。
根据二极管的导通特性，可得其动态阻抗的微变简化公式： )
(26)(mA I Z =Ω ④、二极管的正向导通后的动态阻抗随导通电流的不同而不同。
导通电流越大，阻抗越低。
也就是说: 二极管正向导通后的动态阻抗与导通电流成反比。
二、三极管的基本特性
1、如果用万用表的电阻档测量，NPN 型三极管的图标与各极之间的导通关系如图A 所示，PNP 型三极管的图标与各极之间的导通关系如图B 所示，但三极管的内部结构与普通二极管连接的相应结构却有着本质的不同。
2、在给NPN 型三极管加上一个基极电流I b 的情况下，若在集电极和发射极之间加上大于零的正向电压U ce ，就会产生一个集电极电流I c 。
集电极电流I c 是基极电流I b 的β倍（β值是三极管的电流放大倍数。
每个三极管的β值都不一样，不同三极管的β值大约在50～400之间）。
I c 的大小电流与U ce 大小无关。
也就是说：只要U ce >0，U ce 的大小发生变化不会引起I c 变化, 体现出集电极电流I c 受基极电流I b 的β倍所控制的恒流源的性质。
发射极电流I e 等于基极电流I b 与集电极电流I c 之和（I e =I b +I c ）。
由于基极电流I b 只有集电极电流I c 的1/β，所以发射极电流I e 与集电极电流I c 很接近，所以通常情况下，我们视集电极电流I c 等于发射极电流I e (I c =I e )。
3、PNP 型三极管的基本特性与NPN 型三极管的性质相同，只是在运用时，电压的极性和电流的方向与NPN 型三极管相反。
4、特别提示：
因为三极管的内部结构与普通二极管连接的相应结构却有着本质的不同，所以如果用普通二极管组成同样的电路，就不会产生类似的集电极电流。
这是因为三极管的外部特性与二极管连接的相应结构虽然有些相似之处，但三极管的内部结构与普通二极管连接的相应结构却有着本质的不同。
三、总结：
1、二极管在正向电压0.5V 左右微弱导通； 0.7V 左右明显导通。
2、二极管导通后的电压每变化大约9mV ；电流会变化根号二倍。
3、三极管的基极与发射极之间是一个二极管。
4、三极管集电极电压大于零后，集电极电流I c 的大小就会受基极电流I b 的控制而等于基极电流的β倍，与集电极电压U ce 无关，体现出受基极电流控制的恒流源的性质。
5、三极管的发射极电流Ie=Ic+I b =βI b +I b =(β+1)I b ，与集电极电流I c =βI b 相比只相差1/(β+1)倍，近视相等。
6、三极管的β值大约在50～400之间。
课堂作业
一、作业模式：
静态工作点Q o 为U=0.7V 、I=1mA 。
计算出5个点，画出二极管的正向导通曲线，用两种方法计算出Q o 的动态阻抗。
方法一：Ω≈--≈∆∆=K uA
uA V V I U Z Q Q QO 6.207.714.14691.0709.011
方法二：Ω==ΩK uA
Z QO 6.21026）（
二、作业内容：
1、静态工作点Q o 为U=0.71V 、I=15mA 。
计算出5个点，画出二极管的正向导通曲线，用两种方法计算Q o 点的动态阻抗。
2、静态工作点Q o 为U=0.64V 、I=200uA 。
计算出5个点，画出二极管的正向导通曲线，用两种方法计算Q o 点的动态阻抗。
3、静态工作点Q o 为U=0.88V 、I=0.5A 。
计算出5个点，画出二极管的正向导通曲线，用两种方法计算Q o 点的动态阻抗。