干法刻蚀工艺总结
4、干法蚀刻（dryetch）原理介绍
4、⼲法蚀刻（dryetch）原理介绍前⾯已经简单介绍⼲法蚀刻的基本过程，这⼀节深⼊介绍⼲法蚀刻的基本原理，包括物理蚀刻，化学蚀刻，和反应离⼦蚀刻。
物理蚀刻主要是⽤plasma轰击wafer表⾯，粒⼦与粒⼦之间发⽣碰撞，达到蚀刻的⽬的，整个过程全部是物理变化，没有新的物质⽣成。
物理蚀刻是各向异性的，蚀刻⽅向沿着plasma速度⽅向，其他⽅向基本没有蚀刻，物理蚀刻没有选择性，⾼能离⼦可能会损伤器件。
化学蚀刻主要是⽤plasma与wafer表⾯材料发⽣化学反应，⽣成副产物，然后被抽⾛的过程，化学蚀刻有个要求就是副产物主要是⽓体，容易被抽⾛，化学蚀刻是各项同性的，但蚀刻过程中会产⽣聚合物polymer，会沉积在侧壁，实现各向异性的效果，通过调节化学蚀刻⽓体⽐例可以实现不同flim的选择⽐。
反应离⼦蚀刻的原理是综合物理和化学蚀刻的过程，⼀般的⼲法蚀刻都是反应性离⼦蚀刻，单纯的物理和化学蚀刻很少在⼯业上应⽤。
图1 physical etching ⽰意图图2 chemical etching⽰意图图3 reactive ion etching ⽰意图物理蚀刻主要是⽤氩⽓（Ar）轰击wafer表⾯材料，由于Ar是惰性⽓体，不会影响plasma的化学性质，物理蚀刻效果明显。
化学蚀刻主要⽤含碳氟⽓体（CXFY），基本原理是F⾃由基与Si结合⽣成⽓态的SiF4，副产物容易被抽⾛。
碳氟⽓体（CF4，CHF3，C3F8等）在化学蚀刻过程中⽣成的不饱和物质会发⽣链化反应⽣成聚合物（polymer），沉积在侧壁的polymer会阻⽌横向蚀刻的进⾏，这对吃出⾼的深宽⽐形貌有利，但沉积在电极和chamber⾥的polymer是defect source，掉下来就会形成surface particle 和pattern fail，这是dry etch 两种典型的defect。
氟碳⽐（F/C）决定polymer的⽣成，其中F/C越⼩，⽣成的polymer越多，反之F/C越⼤，⽣成的polymer越少，其中的原理是F主要与Si反应⽣成 SiF4， C是形成polymer的源头，C含量越⾼，polymer越多，⾄于为什么是碳⽣成polymer，这涉及到⾼分⼦材料的知识，这⾥不仔细介绍，感兴趣的朋友可以私底下找我交流。
干法刻蚀工艺介绍
关键词：干法刻蚀工艺介绍
今天老师给我们讲了一个特别的知识，叫“干法刻蚀工艺”。
我听得目瞪口呆，心里想，这是什么神奇的东西呢？
老师说，这种工艺就像在给小小的电路板做美容。
嘿嘿，想象一下，电路板就像我的玩具，它需要好好的修整才能发光发亮。
老师说，干法刻蚀用的不是水，而是一种气体，像在空气中飞舞的小精灵，轻轻地把不需要的部分去掉。
哇，听起来真酷！
我想象着那些气体在电路板上飞来飞去，嘻嘻，像小鸟在树枝上跳跃。
然后，电路板变得干干净净，变成一个个闪闪发光的小机器人，真是太神奇了！
老师还说，这种工艺特别重要，可以让我们的手机、电脑都运行得更好。
我的心里咕噜咕噜地想着，以后我也要学会这个本领，做一个会修理电子玩具的超级小能手！
放学回家的路上，我一直在想，干法刻蚀工艺真好玩！我希望有一天，能亲手做一次，感受那种飞舞的气体在我手中跳舞的感觉。
太期待了！
—— 1 —1 —。
刻蚀间工作总结
刻蚀间工作总结
在刻蚀间工作的这段时间里，我深刻体会到了工作的重要性和挑战。
刻蚀间是一个关键的制造环节，对产品的质量和性能有着直接的影响。
因此，我在这里学到了许多宝贵的经验和技能。
首先，刻蚀间的工作需要高度的专业知识和技术。
在这里，我学会了如何操作各种刻蚀设备，掌握了刻蚀工艺的要领。
我也深入了解了刻蚀工艺的原理和特点，这些知识为我在工作中提供了重要的指导。
其次，刻蚀间的工作需要高度的责任心和细致的态度。
在刻蚀过程中，任何一点疏忽都可能导致产品质量的下降，甚至造成不可挽回的损失。
因此，我在工作中始终保持着高度的警惕和细心，确保每一个细节都得到了妥善的处理。
此外，刻蚀间的工作也需要团队合作精神和沟通能力。
在这里，我和同事们密切合作，相互协助，共同克服了许多困难和挑战。
我们相互之间的沟通和配合，使得工作效率得到了极大的提高，也为产品质量的保障提供了坚实的基础。
总的来说，刻蚀间的工作是一项具有挑战性和意义的工作。
在这里，我不仅学到了专业知识和技能，也锻炼了自己的责任心和团队合作精神。
我相信，这段宝贵的工作经历将会对我的职业发展产生深远的影响。
我会继续努力学习，不断提升自己，为公司的发展贡献自己的力量。
干法刻蚀工艺总结
干法刻蚀工艺总结离子束刻蚀机（IBE-150A）背景:利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用。
把Ar、Kr或Xe之类惰性气体充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面撞击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。
技术指标：装片：一片六英寸衬底、或1片四英寸，向下兼容。
抽气速度：30min由ATM到1.0×10-3Pa极限真空度：2×10-4Pa离子能量：300eV-400eVICP刻蚀机（OXFORD ICP 180）背景:通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解，产生的具有强化学活性的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面既进行化学反应生成挥发性气体，又有一定的物理刻蚀作用。
因为等离子体源与射频加速源分离，所以等离子体密度可以更高，加速能力也可以加强，以获得更高的刻蚀速率，以及更好的各向异性刻蚀。
另外，由于该系统使用了Cl基和Br基的刻蚀气体，因此该ICP系统适合于对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料进行刻蚀。
技术指标：ICP离子源：0~3000WRF射频源：0~600W装片：1片四英寸，向下兼容基底刻蚀温度：0℃-200℃可调。
刻蚀气体：BCl3、Cl2、HBr、Ar、O2可刻蚀材料包括：GaN、GaAs、InP等Ⅲ-Ⅴ族化合物材料ICP刻蚀机（STS HRM）背景：通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解，产生的具有强化学活性的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面既进行化学反应生成挥发性气体，又有一定的物理刻蚀作用。
因为等离子体源与射频加速源分离，所以等离子体密度可以更高，加速能力也可以加强，以获得更高的刻蚀速率，以及更好的各向异性刻蚀。
该系统使用了F基的刻蚀气体，具有Bosch工艺，适合于对硅材料进行大深宽比刻蚀。
干法刻蚀技术
干法刻蚀技术干法刻蚀技术是一种常用于微纳加工领域的表面加工技术。
它通过利用化学反应或物理作用，将材料表面的一部分物质去除，从而实现对材料的精确加工和微纳结构的制备。
干法刻蚀技术具有高精度、高效率和可重复性等优点，因此在微电子、光学器件、生物医学和纳米材料等领域得到广泛应用。
干法刻蚀技术主要包括物理干法刻蚀和化学干法刻蚀两种方式。
物理干法刻蚀是利用物理能量对材料进行刻蚀，常见的方法有离子束刻蚀和反应离子刻蚀。
离子束刻蚀是利用高能离子束对材料表面进行轰击，使表面原子或分子脱离并被抛射出去，从而实现刻蚀效果。
反应离子刻蚀则是在离子束刻蚀的基础上引入反应气体，使离子与气体发生化学反应，增加刻蚀速率和选择性。
化学干法刻蚀是利用化学反应将材料表面的物质转化为气体或溶液，从而实现刻蚀效果。
常见的化学干法刻蚀方法有湿法刻蚀和等离子体刻蚀。
湿法刻蚀是将材料浸泡在特定的腐蚀液中，通过化学反应溶解材料表面的物质。
等离子体刻蚀则是利用等离子体中的高能粒子对材料表面进行刻蚀，其刻蚀速率和选择性可以通过调节等离子体参数进行控制。
干法刻蚀技术在微纳加工中具有广泛的应用。
在微电子领域，干法刻蚀技术被用于制备集成电路中的细微结构，如晶体管和电容器等。
在光学器件制造中，干法刻蚀技术可以用于制备光纤、光栅和微透镜等微结构。
在生物医学领域，干法刻蚀技术被应用于制备微流控芯片和生物传感器等微器件。
此外，干法刻蚀技术还可以用于制备纳米材料，如纳米线、纳米颗粒和纳米孔等。
干法刻蚀技术的发展离不开对材料表面和刻蚀过程的深入研究。
科学家们通过对材料表面的分析和刻蚀机理的探索，不断改进和优化干法刻蚀技术，提高其加工精度和效率。
同时，随着纳米科技的快速发展，对于更小尺寸和更高精度的微纳结构的需求也在不断增加，这对干法刻蚀技术提出了更高的要求。
干法刻蚀技术作为一种重要的微纳加工技术，在各个领域都发挥着重要作用。
通过不同的刻蚀方式和参数的调节，可以实现对材料的精确加工和微纳结构的制备。
干法刻蚀需要掌握的基础知识
干法刻蚀需要掌握的基础知识
嘿，朋友们！今天咱来聊聊干法刻蚀那些得掌握的基础知识呀！这干法刻蚀啊，就像是一场精细的雕刻艺术。
你想啊，它就好比是一位超级厉害的雕刻大师，能在各种材料上施展魔法，刻出我们想要的形状和图案。
那它是怎么做到的呢？这可就有讲究啦！首先得有合适的刻蚀气体吧，这气体就像是大师手里的刻刀，得选对了才能雕出好作品呀！不同的气体有不同的脾气和本事，得根据咱要刻蚀的材料和要求来挑。
还有啊，刻蚀的条件也很关键呢！温度啦、压力啦，这些都得拿捏得恰到好处，就跟做饭似的，火候不对，那菜可就不香啦！温度高了低了，压力大了小了，都可能影响刻蚀的效果。
再说说刻蚀的速度吧，这可不能太快也不能太慢。
太快了，说不定就刻坏了；太慢了，那多耽误事儿啊！就好像跑步，得保持一个合适的节奏，才能顺利到达终点。
那怎么知道刻蚀得好不好呢？这就得靠各种检测手段啦！就像我们去体检一样，得看看各项指标是不是正常。
要是刻蚀得不理想，那可得赶紧调整策略，重新再来。
而且啊，这干法刻蚀可不是随随便便就能玩得转的，得有经验、有技术才行。
就像学骑自行车，一开始可能会摔倒，但多练习几次不就会了嘛！咱得不断尝试，不断积累经验，才能成为干法刻蚀的行家。
你说这干法刻蚀是不是很神奇？它能在小小的芯片上创造出那么多精细的结构，让那些电子设备变得越来越强大。
咱可不能小瞧了它呀！
总之呢，干法刻蚀这门学问大着呢！要想掌握好它，就得下功夫，多学习，多实践。
咱可不能怕困难，得迎难而上，相信自己一定能搞定它！大家一起加油吧！。
金属干法蚀刻工艺研究报告
金属干法蚀刻工艺研究报告金属干法蚀刻工艺研究报告摘要：金属干法蚀刻作为一种精密加工工艺，近年来在制造领域得到广泛应用。
本文通过实验研究，探究了金属干法蚀刻的工艺原理、工艺参数及其影响因素，并对金属干法蚀刻的优势和应用前景进行了讨论。
1. 引言金属干法蚀刻是一种不使用溶液的蚀刻工艺，通过控制高能粒子束以及粒子束的扫描轨迹，实现对金属材料表面进行高精度的刻蚀。
与传统的湿法蚀刻相比，金属干法蚀刻具有无废水排放、环保节能、刻蚀速度快、加工精度高等优势。
然而，金属干法蚀刻的工艺参数及其对加工结果的影响尚需进一步研究。
2. 实验与结果本实验选择了不同金属材料进行金属干法蚀刻实验，分别对刻蚀速度、刻蚀深度和刻蚀质量进行了测试和分析。
实验结果表明，金属干法蚀刻的刻蚀速度与激光功率、扫描速度以及材料的热导率密切相关，其中激光功率对刻蚀速度影响最为显著。
刻蚀深度和刻蚀质量与激光功率和扫描速度呈正相关，但与热导率呈负相关。
此外，不同金属材料的刻蚀效果也有所差异，高热导率的金属材料刻蚀速度较快，但刻蚀质量相对较差。
3. 工艺参数与影响因素3.1 激光功率激光功率是金属干法蚀刻的重要工艺参数，它决定了刻蚀速度和刻蚀深度。
较高的激光功率可以获得较快的刻蚀速度，但过高的激光功率会导致材料表面产生氧化、溶蚀等问题。
3.2 扫描速度扫描速度对金属干法蚀刻的刻蚀深度和刻蚀质量具有一定影响。
较高的扫描速度可以增加刻蚀厚度，但过高的扫描速度会导致表面粗糙度增加。
3.3 材料热导率材料的热导率对金属干法蚀刻的刻蚀速度和刻蚀深度有显著影响。
热导率越高，刻蚀速度越快，但刻蚀质量相对较差。
4. 优势与应用前景金属干法蚀刻相比传统的湿法蚀刻具有一系列优势，如无废水排放、精度高等。
这使得金属干法蚀刻在微电子制造、微机械加工等领域具有广阔应用前景。
同时，随着激光技术和粒子束技术的不断发展，金属干法蚀刻的加工效率还将进一步提升，应用领域也将不断拓展。
第二章干法刻蚀的介绍
第二章干法刻蚀的介绍第一篇：第二章干法刻蚀的介绍第二章干法刻蚀的介绍2.1刻蚀、干法刻蚀和湿法腐蚀 2.1.1关于刻蚀刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。
刻蚀的基本目的，是在涂胶(或有掩膜)的硅片上正确的复制出掩膜图形[1]。
刻蚀，通常是在光刻工艺之后进行。
我们通常通过刻蚀，在光刻工艺之后，将想要的图形留在硅片上。
从这一角度而言，刻蚀可以被称之为最终的和最主要的图形转移工艺步骤。
在通常的刻蚀过程中，有图形的光刻胶层〔或掩膜层)将不受到腐蚀源显著的侵蚀或刻蚀，可作为掩蔽膜，保护硅片上的部分特殊区域，而未被光刻胶保护的区域，则被选择性的刻蚀掉。
2.1.2干法刻蚀与湿法刻蚀在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。
干法刻蚀，是利用气态中产生的等离子体，通过经光刻而开出的掩蔽层窗口，与暴露于等离子体中的硅片行物理和化学反应，刻蚀掉硅片上暴露的表面材料的一种工艺技术法[1]。
该工艺技术的突出优点在于，可以获得极其精确的特征图形。
超大规模集成电路的发展，要求微细化加工工艺能够严格的控制加工尺寸，要求在硅片上完成极其精确的图形转移。
任何偏离工艺要求的图形或尺寸，都可能直接影响产品性能或品质，给生产带来无法弥补的损害。
由于干法刻蚀技术在图形轶移上的突出表现，己成为亚微米尺寸下器件刻蚀的最主要工艺方法。
在特征图形的制作上，已基本取代了湿法腐蚀技术。
对于湿法腐蚀，就是用液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)以化学的方式去除硅片表面的材料。
当然，在通过湿法腐蚀获得特征图形时，也要通过经光刻开出的掩膜层窗口，腐蚀掉露出的表面材料。
但从控制图形形状和尺寸的准确性角度而言，在形成特征图形方面，湿法腐蚀一般只被用于尺寸较大的情况(大于3微米)。
由于这一特点，湿法腐蚀远远没有干法刻蚀的应用广泛。
但由于它的高选择比和批量制作模式，湿法腐蚀仍被广泛应用在腐蚀层间膜、去除干法刻蚀残留物和颗粒等工艺步骤中。
第10章干法刻蚀
第10章干法刻蚀
26
反应离子束刻蚀
• 大束径离子束刻蚀：束径10~20 cm，效率高，质量均匀。 常用大束径离子束设备有两种：
Kaufman型：热阴极、
ECR型：冷阴极
磁控管阳极组合放电
放电ECR离子源
第10章干法刻蚀
27
气体离化团束加工技术
• 材料表面改性技术的发展要求轰击离子注入到靶材表面的深度在 数纳米范围内，而低能离子束很难实现这一要求。
• 气体离化团束 (GCIB) 中束团的动能由组成原子共享，平均每个 原子的入射能量约在10 eV以下。因而，在碰撞过程中，团束原 子的整体运动使得团束仅对靶材表面的前几个原子层产生轰击效 应。
30 kV的气体离化团束设备图
第10章干法刻蚀
28
气体离化团束加工技术
• GCIB的优点：
➢ 浅层注入，损伤小； ➢ 高产额溅射（比单原子离子高出100倍以上）； ➢ 侧向溅射，利于表面平坦化； ➢ 表面清洁效率高。
第10章干法刻蚀
15
干法刻蚀的机制
等离子体干法刻蚀机理及刻蚀参数对比
刻蚀参数 刻蚀机理 侧壁剖面
物理刻蚀 RF场垂直片面 物理离子溅射
各向异性
化学刻蚀 物理和化学刻蚀 RF场平行片面 RF场垂直片面
活性元素 化学反应
离子溅射和活性 元素化学反应
各向同性
各向异性
选择比 刻蚀速率
低/难提高 （1：1）
高
很高 （500：1）
慢
高（5：1 ～100：1）
适中
线宽控制
好
非常差
很好
第10章干法刻蚀
16
干法刻蚀的过程
硅片的等离子体刻蚀过程图
第10章干法刻蚀
干法刻蚀的优点和过程
干法刻蚀的优点和过程硅湿法刻蚀典型的硅刻蚀是用含氮的物质与氢氟酸的混合水溶液。
这一配比规则在控制刻蚀中成为一个重要的因素。
在一些比率上，刻蚀硅会有放热反应。
加热反应所产生的热可加速刻蚀反应，接下来又产生更多的热，这样进行下去会导致工艺无法控制。
有时醋酸和其他成分被混合进来控制加热反应。
三国迷的福音！《三国志》再出新作，实...广告一些器件要求在晶圆上刻蚀出槽或沟。
刻蚀配方要进行调整以使刻蚀速率依靠晶圆的取向。
<1,1,1>取向的晶圆以45°角刻蚀，<1,0,0>取向的晶圆以“平”底刻蚀。
其他取向的晶圆可以得到不同形状的沟槽。
多晶硅刻蚀也可用基本相同的规则。
二氧化硅湿法刻蚀最普通的刻蚀层是热氧化形成的二氧化硅。
基本的刻蚀剂是氢氟酸，它有刻蚀二氧化硅而不伤及硅的优点。
然而，饱和浓度的氢氟酸在室温下的刻蚀速率约为300A/s。
这个速率对于一个要求控制的工艺来说太快了。
展开剩余79%在实际中，氢氟酸与水或氟化铵及水混合。
以氟化铵来缓冲加速刻蚀速率的氢离子的产生。
这种刻蚀溶液称为缓冲氧化物刻蚀或BOE。
针对特定的氧化层厚度，他们以不同的浓度混合来达到合理的刻蚀时间。
一些BOE公式包括一个湿化剂用以减小刻蚀表面的张力，以使其均匀地进入更小的开孔区。
暴露硅晶圆表面的过刻蚀可以引起表面的粗糙。
在氢氟酸工艺期间，当暴露于OH-离子时，在刻蚀中硅表面会变粗糙。
铝膜湿法刻蚀对于铝和铝合金层有选择性的刻蚀溶液是居于磷酸的。
遗憾的是，铝和磷酸反应的副产物是微小的氢气泡。
这些气泡附着在晶圆表面，并阻碍刻蚀反应。
结果既可能产生导致相邻引线短路的铝桥连，又可能在表面形成不希望出现的雪球的铝点。
特殊配方铝刻蚀溶液的使用缓解了这个问题。
典型的活性溶液成分配比是：16：1：1：2。
除了特殊配方外，典型的铝刻蚀工艺还会包含以搅拌或上下移动晶圆舟的搅动。
有时超声波或兆频超声波也用来去除气泡。
淀积氧化物湿法刻蚀晶圆上的最终膜层之一是一层在铝膜上的二氧化硅钝化膜。
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干法刻蚀工艺总结离子束刻蚀机（IBE-150A）背景:利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用。
把Ar、Kr或Xe之类惰性气体充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面撞击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。
技术指标：装片：一片六英寸衬底、或1片四英寸，向下兼容。
抽气速度：30min由ATM到1.0×10-3Pa极限真空度：2×10-4Pa离子能量：300eV-400eVICP刻蚀机（OXFORD ICP 180）背景:通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解，产生的具有强化学活性的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面既进行化学反应生成挥发性气体，又有一定的物理刻蚀作用。
因为等离子体源与射频加速源分离，所以等离子体密度可以更高，加速能力也可以加强，以获得更高的刻蚀速率，以及更好的各向异性刻蚀。
另外，由于该系统使用了Cl基和Br基的刻蚀气体，因此该ICP系统适合于对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料进行刻蚀。
技术指标：ICP离子源：0~3000WRF射频源：0~600W装片：1片四英寸，向下兼容基底刻蚀温度：0℃-200℃可调。
刻蚀气体：BCl3、Cl2、HBr、Ar、O2可刻蚀材料包括：GaN、GaAs、InP等Ⅲ-Ⅴ族化合物材料ICP刻蚀机（STS HRM）背景：通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解，产生的具有强化学活性的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面既进行化学反应生成挥发性气体，又有一定的物理刻蚀作用。
因为等离子体源与射频加速源分离，所以等离子体密度可以更高，加速能力也可以加强，以获得更高的刻蚀速率，以及更好的各向异性刻蚀。
该系统使用了F基的刻蚀气体，具有Bosch工艺，适合于对硅材料进行大深宽比刻蚀。
技术指标：ICP离子源：0-3000WRF射频源：0-600W装片系统：六英寸，向下兼容基底刻蚀温度：0℃-200℃可调。
刻蚀气体：SF6、C4F8、O2、Ar可刻蚀材料包括：硅材料反应离子刻蚀机（Tegal 903e）背景:该设备为tegal 903e RIE（Reactive Ion Eatching）设备,其原理是利用含有F基的等离子体与SIO2及SINx进行反应，达到刻蚀的目的，本设备所提供的气体有SF6、CHF3、O2、He，适用于6英寸单片及不规则小片（需要用6寸硅片作为托盘）的SiO2和Si3N4的刻蚀。
技术指标：装片系统：一片六英寸衬底，或1片四英寸，小片兼容。
可刻蚀材料：SiO2，SiN x刻蚀均匀性：±5%以内，刻蚀速率：≤500nm/min。
刻蚀种类干法：气态等离子体中，发生物理或化学反应亚微米尺寸湿法：液态化学试剂中，发生化学反应尺寸大于3微米按材料分：金属刻蚀、介质刻蚀、硅（多晶硅）刻蚀原理上类似于化学气相沉积过程，除了材料是去除而不是沉积由三步组成：(1) 等离子体产物到达被刻蚀表面；(2) 与表面膜发生反应；(3)反应物从表面移走刻蚀参数刻蚀速率 2.刻蚀剖面 3.刻蚀偏差 4.选择比 5.均匀性 6.残留物7.聚合物8.等离子体诱导损伤9.颗粒、沾污和缺陷刻蚀速率R=ΔT/t（nm/min）R正比于刻蚀剂的浓度负载效应：要刻蚀大面积区域，会耗尽刻蚀剂浓度，而使R下降；若面积小，则刻蚀会快一些。
刻蚀剖面两种基本剖面：各项同性：各项异性：小线宽图形亚微米器件，现今集成电路要求88°-89°高深宽比图形窗口：化学刻蚀剂难以进入，反应生成物难以出来解决办法：将等离子体定向推进到高深宽比窗口，离子方向性垂直于表面；高密度等离子体刻蚀偏差刻蚀后线宽或关键尺寸间距发生变化，通常由横向刻蚀引起，但也能由刻蚀剖面引起。
刻蚀偏差=Wb-Wa选择比被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率之比关键尺寸越小，选择比高求越高。
选择比差：1:1选择比好：100-1000 刻蚀均匀性因为刻蚀速率和刻蚀剖面与图形尺寸和密度有关而产生，深宽比相关的刻蚀或微负载效应残留物产生原因：r f R E E =S1.被刻蚀膜层中的污染物2.选择比不合适的化学刻蚀3.胶体中的污染物4.膜层中不均匀的杂质分布方法：刻蚀完成后进行过刻蚀；有时采用湿法化学腐蚀去掉聚合物时有意形成，目的是在侧壁上形成抗腐蚀膜，从而防治横向刻蚀，形成高的各项异性刻蚀。
光刻胶中的C转化而来，并与刻蚀气体和刻蚀产物结合在一起。
在硅刻蚀中，通过控制F/C的比例，形成聚合物，低F/C比易于形成侧壁聚合物（侧壁钝化）等离子体诱导损伤等离子体包含大量的离子，电子和激发原子/分子主要损伤：非均匀等离子体在晶体管栅电极产生陷阱电荷，引起薄栅氧化硅的击穿；能量离子对暴露的栅氧化层的轰击（典型离子流1015/cm2，能量300-700eV）干法刻蚀获得高精度图形转移的常用方法是采用干法刻蚀。
主要目的是完成地把掩模图形复制到硅片表面上。
干法刻蚀刻一般可分为高压等离子刻蚀、反应离子刻蚀和离子铣三种类型，对应于从高到低的气体气压下的刻蚀工艺。
Kaufman离子源介绍1960年Kaufman教授开始设计一种用于空间飞行计划的宽束低密度电子推进器，后来Bell实验室的专家们把它应用在地面，开拓了离子束微细加工新局面，后来，人们把这种电子推进器命名为kaufman离子源。
kaufman离子源是栅格式离子源，它主要由真空放电室、离子光学系统和中和器组成。
放电室又由阴极、阳极、屏栅极筒组成。
从热阴极发射出来的电子经过阴极鞘层被加速而获得相应于等离子与阴极电位差的能量，它与进入电离室的气体原子相碰撞，气体原子被电离，形成离子及二次电子，电子与离子形成放电室等离子体。
该放电等离子体在发散磁场作用下引向栅网离子光学区。
由于离子光学的作用，离子被加速引出，并形成离子束。
每个小孔引出的离子束经中和形成带能量的中性离子束。
由离子所获得的能量是阳极电压与屏栅电压之和（一般而言，由于阳极电压远小于屏栅电压，故近似考虑屏栅电压为离子加速能量）。
该离子束经聚焦后可形成聚焦离子束斑，能量将更加集中。
另外离子束也可发散，形成发散离子束，可对大面积工件进行宽束加工。
Kaufman离子源可用于离子束纳米薄膜制备、干法离子刻蚀、精密离子铣、材料改性、原子级基板表面清洁等诸多方面。
Kaufman离子源产品优点：1、低能量的离子束最大化的避免了高能量离子源在表面和界面上的接触，使得局部温度升高（低温制程）；2、离子束能量和束流密度可以单独调整与控制，大大提高了工艺的灵活性与稳定性；3、更宽的离子束使用范围，适用于大型镀膜机；4、可以在导体、半导体和绝缘体上镀制任何固体物质；5、可以实现原子级薄膜沉积，薄膜均匀、致密、附着力强；6、高真空环境下镀膜，远离等离子体，薄膜污染物小；7、模块化设计，随插即用；8、无高频辐射污染，对操作者无伤害。
Kaufman离子源镀膜适用领域：1、微纳传感器2、纳米科技和MEMS器件3、数据存储4、半导体器件5、医疗科技6、精密光学/光电子学7、平版显示8、太阳能科技9、高频和微波10、材料分析Kaufman离子源的供电系统Kaufman离子源分别由阴极电源、阳极电源、屏栅电源、加速栅电源、中和电源供电，供电原理图如下图所示。
阴极电源阴极电流表示的是阴极加热电流，在一定范围内，阴极加热电流越大，放电电流越大，放电电流增加引起放电等离子体中离子密度及电子温度增加，使离子束流增加。
但阴极电流增加到一定程度时，放电电流不会再增加，这是因为堆积在阴极附近的电子会阻止阴极上的电子离开阴极到达等离子体中。
由于空间电荷对阴极发射的限制会大大提高灯丝的加热温度，减少阴极灯丝的寿命，这是不利的。
为此，可以适当加大放电电压和/或增加气体流量来避免阴极发射的空间电荷限制。
阳极电源调整阳极电压需要十分注意，在使用时往往把阳极电压调高，如60～70V，这样容易起弧且能获得较大的放电电流。
在离子源起弧后约35～40V的放电弧压所产生的离子基本上是单荷离子Ar+，理论上出现双荷离子Ar++的电压约48V左右。
因此60～70V的放电电压会使双荷离子数量增加到占总离子数的10～20%，双荷离子具有单荷离子两倍的能量，在60～70V时为120～140 eV。
离子源中所有材料的溅射阈值一般为20～35eV，35～40eV的Ar+在离子源内部不会产生明显的轰击阴极灯丝的溅射。
在40～140eV能量范围溅射额随离子能量迅速增加。
10～20% Ar++的以120～140eV能量轰击灯丝表面，溅射量可增加10～100倍，其结果是阴极灯丝被大量溅射逸出而侵蚀，使用寿命大大缩短，同时单荷Ar+离子很少从栅孔抽出形成有效离子流，并且灯丝材料W+离子一同抽出在真空室内污染薄膜材料。
因此，启动离子源时可以调高阳极电压帮助起弧，在其它参数包括送气量确定后，尽量调低放电电压，可调到息弧的临界值稍大一点即可。
屏栅电源屏栅电流反应的是离子束的大小，但真正从离子源引出去的离子束的大小应是屏栅电流与加速电流之差。
屏栅电压反应的是离子束中离子的能量。
离子所得到的净加速能量是阳极电压与屏栅电压之和（因等离子体电位与阳极电压相近），由于阳极电压远小于屏栅电压，所以通常认为屏栅电压就是离子束的能量，如屏栅电压是1000V，那么离子束的能量就是1000eV。
加速栅电源加速极上加的是负偏压，一方面是为了引出更大的束流，另一方面是为了抑制二次电子和中和电子返流进入放电室。
电子返流是不参与工作的，是假的离子束流。
如果加速极电压过低，则因电子返流而使离子束流急剧上升。
但是如果采用加速极电压太高，则会使离子束发散电场加强，使离子束过于发散，不便于离子束聚焦。
加速电流是离子打到加速栅网上的电流，该电流不应大于20mA，否则，会对栅网造成严重的损害。
如果电流大于20mA，可适当提高屏栅电压或者减小阴极电流。
中和电源中和电流是中和灯丝的加热电流。
注意事项启动离子源前，应先确定离子源各极是否接好以及绝缘情况。
屏栅对地绝缘、屏栅对加速极绝缘、中和极对地绝缘、加速极对地绝缘、阴极对阳极绝缘、阴极对屏栅绝缘。