化学气相沉积概要
化学气相沉积原理
化学气相沉积原理化学气相沉积原理（ChemicalVaporDeposition，CVD）技术是一种利用特定温度和压力等环境下，以原料气体为主要反应物，在晶体表面生成一层膜的一种技术。
它是制备复杂晶体和半导体材料、功能膜绝缘膜以及薄膜传感器等的重要手段。
本文将对化学气相沉积原理进行简要介绍并探讨其原理、发展状况和应用前景。
化学气相沉积原理是20世纪60年代美国Stony Brook大学的研究人员发明的。
原理是利用特定温度和压力，将源气体反应后形成膜，在许多材料上都可以进行。
它不仅具有半导体薄膜和金属膜的有机结合性，而且在低温、低压条件下，晶体表面受到源气体的温度和压力的影响极小，可以在各种晶体表面上形成膜，用以获得有效的原位制备有序膜。
一般来说，CVD技术具有以下特点：1、反应产物留在晶体表面，操作步骤简单，可以形成深厚的均匀合晶膜；2、晶体表面和晶体体系都不受到CVD过程的影响；3、均匀膜可用于形成精密器件或小型器件；4、CVD过程中不会产生有害物质，环境污染小；5、CVD过程中可以形成合晶膜，无须热处理保持晶体结构；6、可用于大规模生产。
CVD技术最早被用于半导体制备，因其具有良好的结构控制和可大规模生产的特点，近年来，CVD技术被广泛用于金属膜、纳米晶体、纳米化合物等的制备，成为特种器件、传感器、节能技术和生物医学技术的重要基础。
CVD技术的发展以来，已经取得了较大的进展。
现在，CVD技术已被用于多种半导体芯片、显示器和太阳能电池的制备，有效地为现代信息、电子、能源和医疗等领域提供了支撑。
随着更先进的技术的出现，CVD技术的研究和应用也在不断发展，被广泛应用于传感器，电子信号处理，新材料研究，太阳能电池，太空技术等领域，发挥着重要作用。
总之，化学气相沉积技术发展快速，应用广泛，已经取得了许多重要的研究成果，可以有效地支撑信息、电子、能源和医疗等领域的发展。
新一代CVD技术可以为未来许多领域提供更多的可能性，它将成为节能技术，精密器件，薄膜传感器，生物医学技术的重要基础。
第五章 气相沉积法
Ni(CO)4 Ni + 4CO
140-240℃
36
3.2 MOCVD的优点： ① 沉积温度低：
减少了自污染，提高了薄膜纯度；对衬底取向要求低；
② 沉积速率易于控制：
沉积过程不存在刻蚀反应；
③ 制备广； ④ 反应装置容易设计：
生长温度范围较宽，易于控制，可大批量生产；
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3.3 MOCVD的主要缺点：
输运反应通式：源物质为A，输运剂为B
源区 T2
沉积区 T1
A(s) xB( g )
ABx (g )
将待沉积物作为源物质（无挥发性物质），借助
适当的气体介质（输运剂），在高温区反应形成 气态化合物；
气态化合物经化学迁移或物理输运到低温沉积区，
在基片上通过逆反应使源物质重新分解出来。
19
温度梯度 2.5℃/cm
7
一、化学气相沉积发展
古人类在取暖或烧 烤时在岩洞壁或岩 石上的黑色碳层 20世纪50年 代主要用于 道具涂层 20世纪6070年代用于 集成电路
近年来PECVD、 LCVD等高速发展
80年代低压CVD 成膜技术成为研 究热潮
二、CVD基本原理 1. 化学气相沉积的定义
利用气态物质通过化学反应在基材表面形成固态沉
低温区 T1=T2-13.5℃
高温区 T2=850~860℃
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三、化学气相沉积的特点
优点
可制作金属、非金属薄膜； 生长温度可低于材料的熔点； 纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好； 易实现掺杂； 结构控制
21
缺点
参与沉积的反应源和反应后的气体易燃、易
爆或有毒；
反应温度太高（尽管低于物质的熔点）；
化学气相沉积法
时间与速率
要点一
总结词
时间和沉积速率在化学气相沉积过程中具有重要影响，它 们决定了薄膜的厚度和均匀性。
要点二
详细描述
时间和沉积速率决定了化学气相沉积过程中气体分子在反 应器中的停留时间和沉积时间。较长的停留时间和较慢的 沉积速率有利于气体分子充分反应和形成高质量的薄膜。 然而，过长的停留时间和过慢的沉积速率可能导致副反应 或降低沉积速率。因此，选择合适的时间和沉积速率是实 现均匀、高质量薄膜的关键。
05
化学气相沉积法优 缺点
优点
适用性广
涂层性能优良
化学气相沉积法适用于各种材料表面改性 和涂层制备，如金属、陶瓷、玻璃等。
通过控制化学气相沉积的条件，可以制备 出具有高硬度、高耐磨性、高抗氧化性的 涂层。
环保
高效
化学气相沉积法使用的原料在高温下分解 ，不会对环境造成污染。
化学气相沉积法具有较高的沉积速率，可 实现快速涂层制备。
应用领域
半导体产业
用于制造集成电路、微 电子器件和光电子器件
等。
陶瓷工业
制备高性能陶瓷材料， 如氧化铝、氮化硅等。
金属表面处理
在金属表面形成耐磨、 防腐、装饰等功能的涂
层。
其他领域
在航空航天、能源、环 保等领域也有广泛应用
。
02
化学气相沉积法分 类
热化学气相沉积法
原理
在较高的温度下，使气态的化 学反应剂与固态表面接触，通 过气相反应生成固态沉积物。
缺点
高温要求
化学气相沉积法需要在高温下进行，这可能会对 基材产生热损伤或变形。
操作难度大
化学气相沉积法需要精确控制反应条件，操作难 度较大。
ABCD
设备成本高
集成电路制造工艺——化学气相沉积
辉光放电：溅射过程都是建立在辉光放电的基础上，即射向固体表面的
离子都是来源于气体放电，不同的溅射技术采用的辉光放电方式不同。
上节课内容小结
溅射方法
①直流溅射： Ar为工作气体， 工作气压：影响溅射率和薄膜质量， 随着气压的变化，溅射淀积的速率
G (CT hgY ) / N1 (hg ks ) 薄膜沉积速率由质量输运速率控制
上节课内容小结
质量输运控制过程
hg
F1 (Cg Cs )
Dg δ
3Dg 2L
Re
Re UL
➢由质量输运速率控制的薄膜淀积速率与主气流速度Um的平方根成正比。 ➢增加气流速率可以提高淀积速率。
➢气流速率持续上升，薄膜淀积速率最终会达到一个极大值，之后与气流速 率无关，淀积速率转受表面化学反应速率控制。
当温度继续升高，淀积速率趋向于稳定， 这是因为反应加快，淀积速率转由输运控 制，而hg值对温度不太敏感。
统一的淀积速率需要有一个恒定的反应速率，在受表面化 学反应速度控制的CVD工艺中，温度是一个重要的参数，温 度控制就成为一个重要指标。
例如在LPCVD反应系统中，硅片可以紧密地排列，因为 此系统淀积速率是由表面化学反应速度控制。
G kshg CT Y ks hg N1
沉积速率与反应剂浓度Cg或反应剂的摩尔百分比Y成正比
在反应剂浓度Cg或者摩尔百分比Y为常数时，根据 G kshg CT Y ks hg N1
薄膜淀积速率G可表示为： G (CT ksY ) / N1 (ks hg ) 薄膜沉积速率由表面反应速率控制
假定流密度F1正比于反应剂在主气流中的浓度Cg 与在硅表面处的浓度Cs之差，则流密度F1可表示为
第五章化学气相沉积
（4）膜层对基体的附着力大于普通CVD。 （表5-2） 4、光CVD(LECVD-Laser-enhanced CVD)
利用光能使气体分解，增加反应气体的化学活性，促进 气体之间化学反应的化学气相沉积技术。
例：
Ge(s) I2(g)
T1 T2
GeI2
Zr(s) I2(g)
T1 T2
ZrI2
ZnS(s) I2(g)
T1 T2
1 ZnI2 2 S2
如果传输剂XB是气体化合物，而所要沉积的是 固态物质A，则传输反应通式为
AXB AB T1
反应平衡常数为
T2
Kp
PA B x ( PB ) x
x
式中，PABx和PB分别为ABx和XB的气体分压强。
沉积各种金属和半导体薄膜，以及选用合适的氢
化物、卤化物或金属有机化合物来沉积绝缘膜。
例：
S iC l4 2 H 2 1 1 5 0 ~ 1 2 0 0 C S i 4 H C l
（3）化学输运反应
把需要沉积的物质当作源物质（不挥发性物质）， 借助于适当的气体介质与之反应而形成一种气态化 合物，这种气态化合物经化学迁移或物理载带（利 用载气）输运到与源区温度不同的沉积区，并在基 板上再发生逆向的反应，使源物质重新在基板上沉 积出来，这样的反应过程称为化学输运反应。
细孔都能得到均匀镀膜，具有台阶覆盖性能， 适宜于复杂形状的基板。 （4）能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结
晶良好的薄膜镀层。 （5）薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，可
以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些 半导体膜层所必须的。 （6）CVD法可获得平滑的沉积表面。 （7）辐射损伤低。 主要缺点： 反应温度太高，一般要求在1000°C左右，使基 体材料都耐受不住高温，因此限制了它的使用。
化学气相沉积简介
• CVD Process Overview • PECVD Process Overview • PECVD Process Recipe And Clean Recipe Overview • PECVD Equipment Overview
CVD Process Overview
CVD Process Overview
PECVD中plasma的特点：
➢ Plasma组分：包括电子、离子、未电离的中性粒子，电离度小于0.01；属 于低温plasma（非平衡态的等离子体），电子温度(104K)>>粒子体温度 (300~500K)；
➢ Plasma中的碰撞（collision）过程： 1）弹性碰撞（elastic collision）：没有能量交换的碰撞，它是plasma 中最频繁发生的，但也是没有重要意义的碰撞； 2）非弹性碰撞（inelastic collision）：发生能量交换的，有新的成分 产生的碰撞，其中三个比较重要： ➢ 离子化（Ionization） e-+A(atom\molecule)->A++2e➢ 激发与跃迁（excitation-relaxation） e-+A(atom\molecule)->A*+eA*->A+hv(photons) ➢ 离解（dissociation） e-+AB->A+B+e-
稳定性； 缺点：设备比较复杂，需要TEOS传输系统；厚膜下容易发生discolor；
wafer整体range较大；
P1E）CVDOxPirdoec（essPOEvesrivlieawne oxide and PE TEOS oxide
气相沉积简介
气相沉积简介CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积），指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。
在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。
经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。
特点沉积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。
制备的必要条件1）在沉积温度下，反应物具有足够的蒸气压，并能以适当的速度被引入反应室；2）反应产物除了形成固态薄膜物质外，都必须是挥发性的；3）沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压。
PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理气相沉积）的缩写，是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。
涂层技术增强型磁控阴极弧：阴极弧技术是在真空条件下，通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态，从而完成薄膜材料的沉积。
增强型磁控阴极弧利用电磁场的共同作用，将靶材表面的电弧加以有效地控制，使材料的离化率更高，薄膜性能更加优异。
过滤阴极弧：过滤阴极电弧(FCA )配有高效的电磁过滤系统，可将离子源产生的等离子体中的宏观粒子、离子团过滤干净，经过磁过滤后沉积粒子的离化率为100%，并且可以过滤掉大颗粒，因此制备的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蚀性能好，与机体的结合力很强。
磁控溅射：在真空环境下，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜。
根据使用的电离电源的不同，导体和非导体材料均可作为靶材被溅射。
离子束DLC：碳氢气体在离子源中被离化成等离子体，在电磁场的共同作用下，离子源释放出碳离子。
化学气相沉积的研究综述
化学气相沉积的研究综述齐鲁工业大学机械与汽车工程学院机械11-1济南,250300摘要：论述了化学气相沉积的由来、发展历程和最近国内外研究的现状，主要举例说明金刚石膜的研究进程和现状。
讲了几种主要的化学气相沉积的关键技术应用，包括金属有机化合物化学气相沉积技术、等离子化学气相沉积、激光化学气相沉积、超声波化学气相沉积。
还介绍了化学气相沉积的研究应用方向，主要包括保护涂层、微电子技术、超导技术、太阳能利用等方面。
关键字：化学气相沉积金刚石膜等离子超导技术1 概述化学气相沉积（简称CVD）是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面反应生成固态沉积物的技术。
这一名称是在20 世纪60 年代初期由美国John M Blucher Jr 等人[1]首先提出来的，后来又有人称它为蒸气镀Vapor Plating,而Vapor Deposition 一词后来被广泛的接受。
人们又利用引导气体深入到多孔材料内部沉积以达到使材料致密化的目的。
法国最先利用制备致密化材料的CVI 技术，即化学气相渗透CVI[2]。
化学气相沉积是一种材料表面改性技术。
它可以利用气相间的反应, 在不改变基体材料的成分和不削弱基体材料的强度条件下, 赋予材料表面一些特殊的性能。
目前, 由化学气相沉积技术制备的材料,不仅应用于刀具材料、耐磨耐热耐腐蚀材料、宇航工业上的特殊复合材料、原子反应堆材料及生物医用材料等领域, 而且被广泛应用于制备与合成各种粉体材料、块体材料、新晶体材料、陶瓷纤维及金刚石薄膜等。
在作为大规模集成电路技术的铁电材料、绝缘材料、磁性材料、光电子材料的薄膜制备技术方面, 更是不可或缺。
[3]CVD 沉积物的形成涉及到各种化学平衡及化学动力学过程，这些化学过程又受反应器设计、工艺参数、气体性能和基体性能等诸多因素的影响[4]，要考虑所有的因素来描述完整的CVD 工艺模型几乎是不可能的，因此必须做出某些简化和假设。
而其中最为典型的是浓度边界层理论模型[5]。
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325~ 475o C
3SiCl4 4 NH 3 Si3 N 4 12HCl
（3）化学传输反应：主要用于稀有金属的提 纯和单晶生长 Zr 的提纯
Zr( s ) 2 I 2 ( g ) ZrI 4 ( g ) Zr( s ) 2 I 2 ( g )
1300 ~1400 o C 250 ~ 550 o C
ZnSe单晶生长
ZnSe( s ) I 2( g ) ZnI2( g ) 1 Se2( g ) 2
1.1.3 2.化学气相沉积的基本条件 （1）在沉积温度下，反应物必须有足够高的 蒸汽压。 （2）除了需要得到的固体沉积物外，化学反 应的其他生成物都必须是气态。 （3）沉积物本身的饱和蒸汽压应足够低，以 保证它在整个反应和沉积过程中都一直保 持在加热的衬底上。
1.2.2 分类 反应器是CVD装置最基本的部件。根据反应 器结构的不同,可将CVD技术分为开管气流法和封 管气流法两种基本类型。
封管法 （1）这种反应系统是把一定量的反应物和适当的 基体分别放在反应器的两端,管内抽真空后充入一 定量的输运气体,然后密封,再将反应器置于双温区 内,使反应管内形成一温度梯度。
三、化学气相沉积的几种新技术
目前,CVD技术正朝着中、低温和高真空两个方向 发展,并与等离子体、激光、超声波等技术相结合,形 成了许多新型的CVD技术： 1.金属有机化学气相沉积技术
(Metalorganic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD)
2.等离子增强化学气相沉积
Pt(CO) 2 Cl Pt 2CO Cl2 Ni (CO) 4 Ni 4CO
140 ~ 240 o C
2600 o C
（2）化学合成反应：主要用于绝缘膜的沉积 沉积二氧化硅
SiH4 2O2 SiO2 2H2O
沉积 Si3 N 4
（1）热分解反应 氢化物分解，沉积硅：
SiH 4 ( g ) Si( s ) 2 H 2
800 ~1000 o C
金属有机化合物分解，沉积 Al2O3 420 oC 2 Al(OC3 H 7 )3 Al2O3 6C3 H 6 3H 2O 羰基氯化物分解，沉积贵金属及其他过渡 族金属
CVD常见沉积反应
流程图 特点
1.3 CVD生长方式 汽-液-固（VLS）生长方式 汽-固（VS）生长方式
1.1 CVD原理 1.1.1 什么是CVD CVD是利用气态物质在固体表面进行 化学反应，生成固态沉积物的工艺过程。
1.1.2 三个步骤：
（1）产生挥发性物质 （2）将挥发性物质运送到沉积区 （3）于基体上发生化学反应而生成固态产物 1.1.3 1、常见化学气相沉积反应：热分解反应、化学合 成反应、化学传输反应等。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
2.2薄膜性能分析
(1) 形貌分析 分析材料的几何形貌、材料的颗粒度、颗粒的 分布以及形貌微区的成分和物相结构等方面。 主要方法：SEM（扫描电子显微镜） TEM（透射电子显微镜） STM（扫描隧道显微镜） AFM（原子力显微镜）
(2) 成分分析
分析目的：体相元素成分分析 表面成分分析 微区成分分析等
（Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition，简称PECVD）
3.激光化学气相沉积
(Laser Chemical Vapor Deposition，简称 LCVD)
4.高真空化学气相沉积
(Ultra High Vacuum/Chemical Vapor Deposition，简称 UHV/ CVD)
3.4 低压化学气相沉积（LPCVD） LPCVD的压力范围一般在 1104 4 104 Pa之间。 LPCVD的特点： 能生长出厚度均匀的薄膜。 形成沉积薄膜材料的反应速度加快。
现利用这种方法可以沉积多晶硅、氮化硅、二 氧化硅等
3.5 超高真空化学气相沉积( UHV/CVD)
在CVD的另一个发展方向-----高真空方面，现已出现 了超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）法。其生长温度 低（425～600℃）但要求真空度小于 1.33108 Pa。 其优点是能够实现多片 生长,反应系统的设计制造 也不困难。与传统的外延完 全不同,这种技术采用低压 和低 温生长,特别适合于沉 积Sn:Si、Sn:Ge、Si:C等半 导体材料。
3.3激光化学气相沉积（LCVD）
LCVD是一种在化学气相沉积过程中利用激光束的 光子能量激发和促进化学反应的薄膜沉积方法。
激光作为一种强度高、单色性好和方向性好的光 源,在 CVD 中发挥着热作用和光作用。 可实现选择性沉积，获得非平衡的薄快速膜，膜 层成分灵活，并能降低衬底温度。
激光光刻 防伪标识
（2） VLS生长机制流程图
共溶阶段 Si
金属催化剂
气相(Vapor)
高温下 SiCl4 2H2 Si( g ) 4HCl
液相(Liquid) （Ni、Cu、Fe· · · · · · ）
结晶阶段 Si过饱和析出并结晶
轴向生长
生长阶段
纳米线
SiCl4 H 2 固相 (Solid)
5.低压化学气相沉积
(Low Press Chemical Vapor Deposition简称 LPCVD)
6.射频加热化学气相沉积
(Radio Frequency /Chemical Vapor Deposition ,简称 RF/ CVD)
3.1金属有机化学气相沉积技术（MOCVD） MOCVD是一种利用低温下易分解和挥发的金属有 机化合物作为物质源进行化学气相沉积的方法,主要 用于化合物半导体气相生长方面。 与传统的CVD相比,MOCVD的沉积温度相对较低 能沉积超薄层甚至原子层的特殊结构表面,可在 不同的基底表面沉积不同的薄膜。 MOCVD技术最有吸引力的新应用是制备新型高温 超导氧化物陶瓷薄膜。
分析方法： X射线能量色散谱（EDX） X射线衍射分析法 原子吸收、原子发射、ICP质谱
(3) 结构分析 目的：测定纳米材料的结构特性 为解释材料结构与性能关系提供实验依据 常用方法：X射线衍射分析 激光拉曼分析 微区电子衍射分析
(4) 表面界面分析 分析对象：纳米薄膜材料 （元素化学态分析、元素三维分布分析、微 区分析） 分析方法： X射线光电子能谱（XPS） 俄歇电子能谱（AES） 二次离子质谱（SIMS） 离子散射普（ISS）
冷壁式反应器 只有基体本身被加热,故只有热的基体才发生沉 积。 实现冷壁式加热的常用方法有感应加热，通电 加热和红外加热等。 按照反应器结构划分：
CVD设备
1.2.3CVD流程图
扩 散 传 递
排气 副 产 物 解吸附 成膜
吸附
反应
1.2.4 CVD技术的特点
（1）沉积物众多 （2）可在常压或低压下进行沉积
（3）能均匀涂覆几何形状复杂的零件
（4）涂层和基体结合牢固 （5）可以控制镀层的密度和纯度 （6）设备简单，操作方便
1.3 CVD制备材料的生长机制
合成材料主要是通过气-液-固(VLS)机制和气-固 (VS)机制引导的。
1.3.1 VLS生长机制 （1）概念 在所有的气相法中，应用VLS机制制备大量单晶纳米材 料和纳米结构应该说是最成功的。VLS 生长机制一般要求 必须有催化剂(也称为触媒)的存在。
HCl
（3） VLS生长机制的特点： ①具有很强的可控性与通用性 . ②纳米线不含有螺旋位错 ③杂质对于纳米线生长至关重要，起到了生长促进剂的 作用. ④在生长的纳米线顶端附着有一个催化剂颗粒，并且， 催化剂的尺寸很大程度上决定了所生长纳米线的最终 直径，而反应时间则是影响纳米线长径比的重要因素 之一. ⑤纳米线生长过程中，端部合金液滴的稳定性是很重要 的.
四、CVD技术的应用
4.1保护涂层 在许多特殊环境中使用的材料往往需要有涂层保护, 以使其具有耐磨、 耐腐蚀、耐高温氧化和耐射线辐射等 功能。 耐磨性:TiN、TiC、Ti(C,N)等薄膜 一些金属氧化物、碳化物、氮化 物、硅化物、磷 化物、立方氮化硼 和类金刚石等膜，及各种复合膜。 耐腐蚀性 ： Al2O3、TiN 等薄膜耐蚀性很好 含有铬的非晶态的耐蚀性则更高。 高温耐氧化涂层：硅系化合物是很重要的高温耐氧化涂层
1.3.2 VS(Vapor-Solid)生长机制 该生长机制一般用来解释无催化剂的晶须生 长过程。 生长中，反应物蒸气首先经热蒸发、化学 分解或气相反应而产生，然后被载气输运到衬底 上方，最终在衬底上沉积、生长成所需要的材料 。 主要有两种观点：顶部生长机制和底部挤出 机制。 认为金属是通过氧化物内部的线缺陷，包括 螺位错、内晶界或空洞扩散至顶部，然后与氧反 应而生长。
1.2 化学气相沉积技术
1.2.1 概念 （1）什么是化学气相沉积技术？ 化学气象沉积技术是一种材料表面改性技术 。它可以利用气相间的反应，在不改变基体材料 成分和不削弱基体材料强度的条件下，赋予材料 表面一些特殊的性能。 （2） CVD系统 任何CVD系统，均包含一个反应器（ Reactor）、一组气体传输系统、排气（Exhaust ）系统及制程控制系统（Process Control System）等。
化学气相沉积(CVD) (Chemical Vapor Deposition) 制样与分析
主讲人：杨彩凤 指导老师：秦丽溶
总览
CVD基础知识
化学气相沉积 （CVD）
CVD制样与分析 CVD的几种新技术 CVD的应用
一、CVD基础知识 1.1 CVD原理 定义 步骤 1.2 CVD技术 概念 分类
MOCVD设 备
3.2 等离子化学气相沉积(PECVD) 太阳能光伏发电系统 它是借助气体辉光放电产生的低温等离子体来 增强反应物质的化学活性，促进气体间的化学反应， 从而在较低温度下沉积出优质镀层的过程 PECVD 按等离子体能量源方式划分,有以下分类： 直流辉光放电( DC- PCVD) 射频放电( RF- PCVD) 微波等离子体放电( MW- PCVD)