光刻的基本原理
x射线光刻原理
x射线光刻原理引言：x射线光刻是一种重要的微电子制造技术，它在芯片制造中起着至关重要的作用。
本文将详细介绍x射线光刻的原理及其在芯片制造中的应用。
一、x射线光刻的原理x射线光刻是一种利用x射线进行微细图案制造的技术。
其基本原理是通过光刻机将x射线通过掩模图案投射到光敏材料上，然后通过化学刻蚀等工艺步骤来形成所需的微细图案。
1. x射线的特性x射线具有波长较短、能量较高的特点，因此可以实现更高的分辨率和更小的特征尺寸。
x射线的波长通常在1到10纳米之间，远小于可见光的波长，使得x射线可以实现更高的分辨率。
2. 掩模制作在x射线光刻中，首先需要制作掩模。
掩模是一种透明或半透明的玻璃或石英片，上面覆盖着所需的微细图案。
掩模的制作可以通过电子束曝光或光刻等技术来实现。
3. 光敏材料选择光敏材料是一种能够对x射线进行敏感响应的材料。
常用的光敏材料包括光致聚合物和光致裂解聚合物等。
这些材料在接收到x射线后会发生化学反应，从而形成所需的微细图案。
4. 曝光和刻蚀经过掩模的光学系统，将x射线投射到光敏材料上，光敏材料会在x射线的作用下发生化学反应。
然后，利用化学刻蚀等工艺步骤，将未曝光的部分去除，从而形成所需的微细图案。
5. 多重曝光和对准在芯片制造中，通常需要进行多次曝光，以形成多层次的微细图案。
因此，在每次曝光前，需要对准前一层的图案和掩模，确保图案的精确位置。
二、x射线光刻在芯片制造中的应用x射线光刻作为一种高精度的微细图案制造技术，在芯片制造中具有广泛的应用。
1. 高密度集成电路制造在高密度集成电路制造中，x射线光刻可以实现更小的特征尺寸和更高的分辨率，从而实现更高的集成度。
通过x射线光刻，可以将更多的晶体管和电路元件集成到芯片上，提高芯片性能。
2. 光通信器件制造光通信器件需要具有微细的波导和光栅结构，以实现光信号的传输和调制。
x射线光刻可以实现这些微细结构的制造，从而提高光通信器件的性能和传输速率。
光刻原理
光 刻 工 艺一、目的：按照平面晶体管和集成电路的设计要求，在SiO 2或金属蒸发层上面刻蚀出与掩模板完全相对应的几何图形，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。
二、原理：光刻是一种复印图象与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照像复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的SiO 2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗证剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中，未受光照射的部分光致抗蚀剂不发生变化，很容易被某些有机溶剂溶解。
然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对SiO 2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，从而在SiO 2层或金属层上得到与光刻掩模板相对应的图形。
（一）光刻原理图（一）光刻胶的特性：1．性能，光致抗蚀剂是一种对光敏感的高分子化合物。
当它受适当波长的光照射后就能吸收一定波长的光能量，使其发生交联、聚合或分解等光化学反应。
由原来的线状结构变成三维的网状结构，从而提高了抗蚀能力，不再溶于有机溶剂，也不再受一般腐蚀剂的腐蚀．2．组成：以KPR 光刻胶为例：感光剂－－聚乙烯醇肉桂酸酯。
溶 剂－－环己酮。
增感剂－－5·硝基苊，3．配制过程：将一定重量的感光剂溶解于环己酮里搅拌均匀，然后加入一定量的硝基苊,再继续揖拌均匀，静置于暗室中待用。
感光剂聚乙烯醇肉桂酸酯的感光波长为3800Å以内，加入5·硝基苊后感光波长范围发生了变化从2600—4700 Å。
（二）光刻设备及工具： 在SiO 2层上涂复光刻胶膜 将掩模板覆盖 在光刻胶膜上 在紫外灯下曝光显影后经过腐蚀得到光刻窗口1．曝光机－－光刻专用设备。
2．操作箱甩胶盘－－涂复光刻胶。
3．烘箱――烤硅片。
4．超级恒温水浴锅－－腐蚀SiO2片恒温用。
5．检查显为镜――检查SiO2片质量。
6．镊子――夹持SiO2片。
7．定时钟――定时。
8．培养皿及铝盒――装Si片用。
9．温度计――测量温度。
光刻的工作原理
光刻的工作原理光刻技术是一种用于制造集成电路的重要工艺，其工作原理是利用光的作用将图案投射到硅片上，形成微小的电路结构。
本文将从光刻的原理、设备和应用等方面进行详细介绍。
一、光刻的原理光刻技术是利用光的干涉、衍射和透射等特性实现的。
首先，需要将待制作的电路图案转化为光学遮罩，通常使用光刻胶涂覆在硅片上，然后通过光刻机将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上。
光刻胶在光的照射下会发生化学反应，形成光刻胶图案。
接下来，通过将光刻胶暴露在特定的化学溶液中，去除未曝光的光刻胶，得到所需的光刻胶图案。
最后，通过将硅片进行化学腐蚀或沉积等工艺步骤，形成微小的电路结构。
二、光刻的设备光刻机是光刻技术中最关键的设备之一。
光刻机主要由光源、光学系统、对准系统和运动控制系统等部分组成。
光源是产生紫外光的装置，通常使用汞灯或氙灯等。
光学系统由透镜、反射镜和光刻胶图案的投射系统等组成，用于将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上。
对准系统是用于确保光刻胶图案和硅片之间的对准精度，通常采用显微镜和自动对准算法等。
运动控制系统是用于控制硅片在光刻机中的移动和旋转等。
三、光刻的应用光刻技术在集成电路制造中有着广泛的应用。
首先，光刻技术是制造集成电路中最关键的工艺之一，可以实现微米甚至纳米级别的电路结构。
其次，光刻技术还可以制作光学元件，如光纤、激光器等。
此外，光刻技术还被应用于平面显示器、传感器、光学存储器等领域。
四、光刻技术的发展趋势随着集成电路制造工艺的不断发展，光刻技术也在不断进步和改进。
首先，光刻机的分辨率越来越高，可以实现更小尺寸的电路结构。
其次，光刻胶的性能也在不断提高，可以实现更高的对比度和较低的残留污染。
此外，光刻技术还在朝着多层光刻、次波长光刻和非接触式光刻等方向发展。
光刻技术是一种利用光的特性制造微小电路结构的重要工艺。
光刻技术的原理是利用光的干涉、衍射和透射等特性实现的，通过光刻机将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上，最终形成所需的电路结构。
光刻机技术的突破与应用前景
光刻机技术的突破与应用前景随着科技的迅猛发展，光刻机技术作为现代集成电路制造中不可或缺的核心工艺之一，扮演着重要的角色。
它的突破和应用前景备受关注。
本文将从光刻机技术的基本原理、近年来的突破及其应用前景等方面展开论述。
一、光刻机技术的基本原理光刻机技术是一种使用光源投射特定图案到光敏材料上的技术。
它的基本原理包括图案设计、掩膜制备、曝光和后期处理等环节。
图案设计是光刻机技术的首要步骤。
在电子设计自动化（EDA）软件的辅助下，工程师可以根据产品要求设计出高精度的芯片图案。
掩膜制备是光刻机技术的关键步骤之一。
通过使用电子束曝光或激光直写技术，将设计好的图案转移到掩膜上，形成光刻版。
这一步骤要求高精度、高分辨率，决定了后续曝光的质量。
曝光是光刻机技术的核心环节。
通过将掩膜上的图案通过光刻机投射到光敏材料上，在光敏材料中形成所需的图案结构。
曝光过程中，光源的选择、掩膜与光敏材料的距离、曝光时间等参数都会影响图案的质量。
后期处理是光刻机技术的最后一步。
它包括清洗、去胶、涂覆等过程，用于去除未曝光的光敏材料和光刻胶，以及保护和修复曝光后的结构。
二、光刻机技术的突破近年来，光刻机技术在分辨率、精度和速度等方面取得了突破性进展。
首先是分辨率的提升。
传统的紫外光刻技术已经接近其分辨极限，导致制程难度增加。
为此，研究人员引入了极紫外光刻（EUV）技术。
EUV技术以13.5纳米波长的极紫外光进行曝光，相比传统紫外光，其分辨率得到了显著提高。
其次是精度的提高。
新一代的光刻机设备采用了更为精密的光学系统和高稳定性的机械结构，可以实现亚纳米级别的平面度和形状精度，大大提升了芯片制造的精度要求。
最后是速度的提升。
光刻机设备的生产效率也得到了显著提高。
光源功率的提升和曝光光斑的尺寸控制等技术改进，使得曝光速度大幅增加。
这不仅提升了生产效率，也降低了芯片制造成本。
三、光刻机技术的应用前景光刻机技术在集成电路制造、平板显示、光学器件等领域具有广泛的应用前景。
光刻加工的原理
光刻加工的原理光刻加工是一种常见的半导体制造工艺，用于制作微电子器件的图案。
它的原理是利用光敏材料对光的敏感性，通过光照、显影等步骤将期望的图案转移到硅片表面，进而形成电路结构。
光刻加工的步骤分为曝光、显影和清洗三个阶段。
首先，光刻胶涂覆在硅片表面，形成一层均匀的薄膜。
然后，将硅片放在光刻机中，使用曝光光源照射光刻胶。
光源经过掩膜上的图案透过透镜聚焦到光刻胶表面，使得胶层在曝光区域发生化学反应。
曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，使得曝光区域的光刻胶能被显影液溶解，而未经曝光区域的光刻胶保持不变。
接下来是显影步骤。
将硅片浸入显影液中，显影液溶解未曝光区域的光刻胶，使得未曝光区域的光刻胶被去除，而曝光区域的光刻胶保留下来。
通过显影，光刻胶上的图案被转移到硅片表面。
最后是清洗步骤。
在显影后，需要对硅片进行清洗，去除残留的光刻胶和显影液。
清洗的目的是确保在后续工艺步骤中，硅片表面的图案能够得到保护和保持。
光刻加工的原理与光敏材料的特性密切相关。
光刻胶是光刻加工中重要的材料，它具有光敏性，即在光照下会发生化学或物理变化。
常用的光刻胶有正胶和负胶两种。
正胶在曝光后，被光照的区域会发生化学反应，变得更容易溶解。
而负胶则是在曝光后，被光照的区域发生化学反应，变得更难溶解。
通过选择合适的光刻胶，可以实现不同的图案转移效果。
光刻加工的原理还涉及到光源的选择和曝光机的控制。
光源的选择要考虑光的波长、功率等参数，以及光刻胶的特性，以获得理想的曝光效果。
曝光机的控制也十分重要，它需要精确控制曝光的时间和强度，以确保图案的精细度和一致性。
总结一下，光刻加工是一种利用光敏材料对光的敏感性，通过光照、显影等步骤将期望的图案转移到硅片表面的制造工艺。
它的原理涉及到光刻胶的光敏性质，光源的选择和曝光机的控制。
光刻加工在微电子器件制造中起到重要的作用，为我们日常使用的各种电子产品提供了可靠的基础。
光刻机的原理与操作流程详解
光刻机的原理与操作流程详解光刻技术在半导体制造、微电子工程以及其他先进制造领域中扮演着不可或缺的角色。
光刻机是光刻技术的基础设备之一，它利用光的干涉和衍射原理将光源中的图案投影到光刻胶层上，从而实现微细图案的制作。
本文将深入探讨光刻机的原理与操作流程，帮助读者更好地理解和使用这个重要的工艺设备。
一、光刻机的原理光刻机主要由光源系统、投影系统、掩膜系统和底片台构成。
其中，光源系统产生短波长的光，并在光刻胶层上形成显影图案；投影系统通过透镜和镜片将显影图案投射到光刻胶层上；掩膜系统则起到选择性透光的作用，控制光的照射位置和图案形状；底片台用来支撑光刻胶层和掩膜。
具体的操作流程如下：1. 准备工作首先，需要准备好光刻胶、掩膜、底片和其他辅助材料。
光刻胶是一种可溶于化学溶剂的光敏聚合物材料，掩膜是一种透镜或镜片，底片则是光刻胶层的承载基底。
2. 涂覆光刻胶将光刻胶涂覆在底片上，以形成光刻胶层。
这个过程需要将光刻胶放置在旋转的底片台上，并通过旋转和均匀压力的方式将光刻胶均匀涂布在底片表面。
3. 预热和贴附掩膜将掩膜放置在光刻机的掩膜系统内，并预热以提高粘附性。
然后，将底片放在掩膜下方，用真空吸附在底片台上，并贴附掩膜。
4. 照射曝光调整光刻机的照射参数，例如曝光时间和光强度等，并将底片台移至曝光位置。
通过控制光的照射位置和图案形状，可以在光刻胶层上形成所需的显影图案。
5. 显影将底片台移至显影室内，将底片浸入显影液中。
显影液会溶解光刻胶层中未曝光部分的光刻胶，从而使已曝光的部分保留下来。
6. 清洗和干燥将底片转移到清洗室内，用化学溶剂对显影后的底片进行清洗，去除残留的光刻胶和显影液。
然后，将底片放置在干燥器内，进行干燥处理。
二、光刻机的操作流程和注意事项1. 操作流程（1）打开光刻机电源并启动系统。
此过程需要按照设备说明书中的步骤进行，确保所有系统均正常工作。
（2）将待加工的底片放置在底片台上，并调整底片台的位置，使其对准光刻机的光路。
光刻原理详细步骤
光刻原理详细步骤
光刻是一种用于制造半导体器件的技术，其基本原理是将图案转移到光敏材料上，然后通过曝光和显影过程将图案转移到硅片上。
以下是光刻的一般步骤：
1. 准备硅片：将硅片切割成适当大小，并进行清洗和处理，以保证表面平整和无杂质。
2. 涂覆光敏材料：将光敏材料涂覆在硅片表面，并使其均匀分布。
3. 曝光：将光敏材料置于光刻机中，通过掩膜板将图案转移到光敏材料上。
掩膜板上的图案会通过光刻机的透镜系统投影到硅片表面。
4. 显影：将经过曝光的硅片置于显影液中，显影液会选择性地溶解未被曝光的光敏材料，从而将图案转移到硅片上。
5. 蚀刻：用蚀刻剂将硅片表面未被转移的部分溶解掉，从而形成所需的图案。
6. 清洗：将硅片进行清洗，以去除残留的光敏材料和蚀刻剂。
7. 重复：重复上述步骤，直到所有所需的图案都被转移到硅片上。
需要注意的是，不同类型的光刻技术（如干法、湿法、光刻胶干法等）具有不同的操作步骤和设备要求，因此在实
际应用中应根据具体情况进行选择和优化。
同时，在操作过程中应严格遵守安全规范，避免产生有害物质和危险情况。
光刻技术的原理和应用
光刻技术的原理和应用1. 光刻技术简介光刻技术是一种半导体制造工艺中的核心技术，它通过使用光刻胶和强光源对半导体材料进行曝光和显影，从而形成精细的图案。
光刻技术广泛应用于集成电路、光学器件、光纤通信等领域，并在现代科技的高速发展中扮演着重要的角色。
2. 光刻技术的原理光刻技术的基本原理是利用紫外线或电子束照射光刻胶，通过光学或电子学的方式将图形投射到硅片表面上。
具体原理如下： - 掩膜制备：首先，根据设计要求，通过计算机辅助设计软件制作掩膜。
掩膜上的图形和模式将决定最终形成的芯片或器件的结构和功能。
掩膜制备完成后，可以进行下一步的光刻工艺。
- 光刻胶涂布：将光刻胶均匀涂布在硅片表面，待其干燥后，形成一层均匀的薄膜。
- 曝光：将掩膜放置在光刻机上，并通过强光源（紫外线或电子束）照射胶层，使胶层中被照射到的部分发生化学反应。
- 显影：将曝光后的光刻胶进行显影处理。
显影液会溶解胶层中未曝光或曝光光强较弱的部分，从而形成所需的图案结构。
- 刻蚀：使用化学腐蚀剂将显影后的光刻胶图案转移到硅片表面。
硅片经过刻蚀后，就可以进行后续的工艺步骤，如沉积材料、蚀刻、退火等。
3. 光刻技术的应用光刻技术作为半导体制造工艺的重要步骤，广泛应用于以下领域：3.1 集成电路制造•制造微电子芯片：光刻技术在集成电路制造中扮演着重要的角色。
它可以将复杂的电路图案转移到硅片上，制造出微米级别的微电子芯片。
光刻技术的精细度和稳定性对于芯片的性能和可靠性有着重要影响。
•多层薄膜的制备：光刻技术还可以用于制备多层薄膜。
通过在每一层上使用不同的掩膜和曝光显影工艺，可以制备出具有特定功能的多层薄膜结构。
这种技术在微电子器件和光学器件制造中得到广泛应用。
3.2 光学器件制造•制造光学透镜：光刻技术可以制造各种光学透镜和光学器件。
通过光刻胶的曝光显影工艺，可以在光学玻璃上形成精细的结构，从而调控光的传播和聚焦性能。
•制备光接头和光波导器件：光刻技术还可以用于制备光接头和光波导器件。
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曝光后烘(PEB)
PEB的作用 提高黏附性并减少驻波 PEB与软烘的关系
显影 目的：显现图形
方法：浸没式、喷淋式、PUDDLE 浸没－正胶显影台 喷淋－ETN6000、SSI超声波、AIO PUDDLE－SVG series、AIO
显影参数 温度：23±0.1℃ 时间 液量 浓度：正胶2.38% 清洗 排风
2.1 CD变化差
负胶光刻图形变化差 0.8～1.0um 正胶光刻图形变化差 0um
2.1区别
作业流程－前处理1
氧化膜的三种类型
作业流程－前处理2
前处理：片架式坚膜烘箱 OAP（HMDS）
两类：高温 低温 作用：增加黏附力 原理: 有机氯硅烷 六甲苯二硅氧烷
作业流程－匀胶1
涂布原理：离心力作用 涂布结构：
涂胶
目的：在硅片表面获得一定厚度且均匀的光刻 胶。 方法：旋转涂胶
涂胶参数 滴胶量：与光刻胶的黏度有关 厚度：与转速及胶粘度有关 均匀性：高的旋转加速度变化斜率及滴胶 位置
前烘（软烘）
目的：通过加热去处光刻胶中的溶剂，改进其于 硅片表面的粘附性及缓和光刻胶内部应力。 方法
曝光
目的：对光刻胶进行选择性光化学反应，将掩膜 版图形转移到光刻胶。 方法： 1。接触式(PLA501)
作业流程－曝光3
1:1投影式曝光：MPA500/600 负胶留膜受氧的影响降低 缺点：负胶光刻胶厚 分辨率低 优点：正胶分辨率高 节省光刻版 均匀性 圆片表面 最佳套刻精度
作业流程－曝光4
5:1步进式曝光：ASML STEPPER 最佳套刻精度
作业流程－显影1
显影原理： 4－甲基氢氧化铵 2.38％ 显影结构：
光刻胶的类型与光刻工艺
光刻胶的类型—两种光刻工艺
又名（光致）抗蚀剂，光阻、photoresist
曝光后溶解性的变化 正 胶 不溶——可溶 显影后光刻胶上的图形 与掩膜版上图形一致 可溶——不溶 …..相反
优缺点 分辨率高，对比度高，线条边缘清 晰，在深亚微米（1um）工艺中占 主导地位 和硅片有良好的粘附性和抗蚀性， 针孔少，感光度高但显影时会变形 和膨胀，分辨率2um左右。
设备简单 70年代中前期 掩膜版和硅片直接接触， 掩膜版寿命短 图形缺陷多，颗粒沾污大 分辨率：〉5um 应用：分立器件，SSI
2。接近式曝光
距硅片表面2~10um 无直接接触，无损伤， 沾污少，更长的掩膜寿 命 分辨率>3um 应用：分立器件， SSI,MSI
3。（扫描）投影式 (MPA500/600)
显影检查
检查的内容：对准精度、关键尺寸 （CD）、图形缺陷等 不合格的硅片将去胶重新返工：
光刻胶上的图形式临时的；
方法：聚光灯检查、显微镜检查 五点检查
光刻的关键问题
1。衍射 光的波粒二象性 Lmin>λ/2,波长越短，分辨 率越高 2。数值孔径（NA） 反应透镜收聚衍射光的能力 3。焦深（DOF） 成像时得到最好分辨率的焦 距 4。硅片表面起伏对分辨率的 限制
上 料 架 P E B D E V E L O P Hard Bake
23±0.1℃
下 料 架
作业流程－显影2
显影方式： 浸没－正胶显影台 喷淋－ETN6000、SSI超声波 PUDDLE－SVG series
作业流程－显影3
PUDDLE显影方式的注意点： 液温 浸润 背面吹氮 背清 冲水甩干 PEB的作用 消除驻波效应 Soft Bake 与PEB的关系 Hard Bake
PUDDLE显影 PUDDLE显影方式的注意点： 液温 浸润 背面吹氮 背清 冲水甩干
坚膜（后烘、 Hard Bake ） 目的： 1）蒸发光刻胶中的溶液，固化和稳定光 刻胶性质； 2）提高光刻胶的抗蚀能力和抗注入能 力； 3）提高光刻胶与硅片表面的粘附性； 方法：同前烘，通常热板烘烤，温度略高 于前烘。(正胶：120℃；负胶：160℃）
C O A T E R
上 料 架
Soft bake
下 料 架
作业流程－匀胶2
45/60 ETN6000 SVG88series结构区 别及影响 涂布因素 转速 加速度 滴胶状态 回吸 排风 EBR（T&B) CUPRINSE 因素的影响
作业流程－匀胶3
曝光前烘 作用：溶剂挥发、胶膜干燥 温度与时间的选择
作业流程－聚酰亚胺
作用：电介质隔离 平坦化 材料：光敏性－HTR100、HTR50 非光敏性－PI （K60）
显影检查
5点检查规则 表面状态 图形情况 曝光图形线宽控制 检查的作用
下一代光刻技术 极紫外光（EUV ）λ=10~14nm 电子束光刻 λ=0.04nm 离子束光刻 λ=0.0001nm X-射线 λ=4nm
谢 谢 ！
结 束
光刻工艺培训
设备 原理 工艺
1、生产线的分布及组成部分
4 寸 线 5 寸 线
前 处 理
匀 胶
曝 光
显 影
检 查
2、工艺分类
负胶光刻工艺 正胶光刻工艺 正胶、负胶工艺的选择
芯片图形的转移和实现
刻蚀/注入
光刻
电路图形——掩膜版——光刻胶——芯片
EDA设计 投影和离子束曝光
光刻的基本原理
光刻是通过光化 合反应，将掩膜版上 的电路图图形暂时转 移到覆盖在半导体晶 片上的光刻胶，然后 利用光刻胶为掩膜， 对下方材料选择性加 工（刻蚀或注入）， 从而在半导体晶片上 获得相应电路图形
作业流程－曝光1
光学曝光方法分类
光 学 曝 光 方 式 接 触 式 硬接触 软接触 1:1DSW 1:1投影曝光 缩小投影曝光 透镜光学系统 反射镜光学系统 1/2 1/5 1/10 真空压紧 喷气压紧
投 影 式
作业流程－曝光2
接触式曝光：PLA501 曝光的氮气氛围，保持较高的留膜率 优点： 缺点：均匀性 光刻版 作业圆片图形 不适合正胶作业 分辨率
负 胶
CD变化
负胶光刻图形变化差 0.8～1.0um 正胶光刻图形变化差 0um
光刻胶的组分和感光原理
1。光刻胶的物理特性 分辨率、对比度、敏感度、粘滞性、粘附性、抗蚀 性等 a.分辨率：形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率 越高 b.对比度：光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度 c.敏感度：在硅片表面光刻胶中形成一个良好图形所 需要的 一定波长光的最小能量值 d.粘滞性：光刻胶的流动特性 e.粘附性：光刻胶粘附于衬底的强度。
负性光刻 正性光刻
光刻术语 1.分辨率：将硅片上两个相邻特征图形区别 开来的能力 2.套准精度：光刻要求硅片表面存在的图案 与掩膜版上的图形对准，此特性指标就是 套准精度 3.关键尺寸：硅片上形成图形的实际尺寸即 特征尺寸，最小的特征尺寸即关键尺寸
4.工艺宽容度：光刻始终如一的处理符合特 定要求产品的的能力。追求最大的工艺宽 容度 5.光谱：能量要满足激活光刻胶并将图形从 掩膜版中转移到硅片上的要求。 紫外光源（uv） 汞灯
利用透镜把掩膜版上的 图形1：1的投影到硅片 上 减少了对操作者依赖, 沾污少，无边缘衍射 分辨率：>1um
4。步进重复式(STEPPER)
将掩膜版上的图形缩小4X,5X,10X倍后投 影到硅片表面的光刻胶上。 掩膜图形更精确和易制作，实现更小图形 采用投影式掩膜版（1或几个芯片图形）以 步进方式多次重复曝光 分辨率：大约0.35um
2。基本组分： 感光剂、增感剂和溶剂 3。感光原理 1）负胶： 典型：KPR(聚乙烯醇肉桂酸脂) 聚合硬化：线性——网状 2）正胶： 典型：DNQ(重氮萘醌.脱水：片架式坚膜烘箱 200℃ 2.OAP（HMDS）
两类：高温 低温 作用：增加黏附力 正胶与负胶的区别 原理: 有机氯硅烷 六甲基二硅胺烷（HMDS)