arm外部存储器控制器

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arm中一些常见英文缩写解释

arm中一些常见英文缩写解释

arm中一些常见英文缩写解释1.arm中一些常见英文缩写解释msb:最高有效位;lsb:最低有效位;ahb:先进的高性能总线;vpb:连接片内外设功能的vlsi外设总线;emc:外部存储器控制器;mam:存储器加速模块;vic:向量中断控制器;spi:全双工串行接口;can:控制器局域网,一种串行通讯协议;pwm:脉宽调制器;etm:嵌入式跟踪宏;cpsr:当前程序状态寄存器;spsr:程序保护状态寄存器;2.mam使用注意事项:答:当改变mam定时值时,必须先通过向mamcr写入0来关闭mam,然后将新值写入mamtim。

最后,将需要的操作模式的对应值写入mamcr,再次打开mam。

对于低于20mhz的系统时钟,mamtim设定为001。

对于20mhz到40mhz之间的系统时钟,建议将flash访问时间设定为2cclk,而在高于40mhz的系统时钟下,建议使用3cclk。

3.vic使用注意事项答:如果在片内ram当中运行代码并且应用程序需要调用中断,那么必须将中断向量重新映射到flash地址0x0。

这样做是因为所有的异常向量都位于地址0x0及以上。

通过将寄存器memmap(位于系统控制模块当中)配置为用户ram模式来实现这一点。

用户代码被连接以便使中断向量表装载到0x4000 0000。

4.arm启动代码设计答:arm启动代码直接面对处理器内核和硬件控制器进行编程,一般使用汇编语言。

启动代码一般包括:中断向量表初始化存储器系统初始化堆栈初始化有特殊要求的端口、设备初始化用户程序执行环境改变处理器模式呼叫主应用程序5.irq和fiq之间的区别答:irq和fiq是arm处理器的两种编程模式。

irq是指中断模式,fir是指快速中断模式。

对于fiq你必须尽快处理你的事情并离开这个模式。

irq可以被fiq所中断,但irq不能中断fiq。

为了使fiq更快,所以这种模式有更多的影子寄存器。

fiq不能调用swi(软件中断)。

ARM技术中英文缩写解说

ARM技术中英文缩写解说

A R M技术中英文缩写解说-标准化文件发布号:(9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KIIARM技术中英文缩写解说1.ARM中一些常见英文缩写解释MSB:最高有效位;LSB:最低有效位;AHB:先进的高性能总线;VPB:连接片内外设功能的VLSI外设总线;EMC:外部存储器控制器;MAM:存储器加速模块;VIC:向量中断控制器;SPI:全双工串行接口;CAN:控制器局域网,一种串行通讯协议;PWM:脉宽调制器;ETM:嵌入式跟踪宏;CPSR:当前程序状态寄存器;SPSR:程序保护状态寄存器;2.MAM 使用注意事项:答:当改变 MAM 定时值时,必须先通过向 MAMCR 写入 0 来关闭 MAM,然后将新值写入 MAMTIM。

最后,将需要的操作模式的对应值写入MAMCR,再次打开MAM。

对于低于 20MHz 的系统时钟,MAMTIM 设定为 001。

对于 20MHz 到 40MHz 之间的系统时钟,建议将Flash访问时间设定为2cclk,而在高于40MHz的系统时钟下,建议使用3cclk。

3.VIC 使用注意事项答:如果在片内RAM当中运行代码并且应用程序需要调用中断,那么必须将中断向量重新映射到Flash地址0x0。

这样做是因为所有的异常向量都位于地址0x0及以上。

通过将寄存器MEMMAP(位于系统控制模块当中)配置为用户RAM模式来实现这一点。

用户代码被连接以便使中断向量表装载到0x4000 0000。

4. ARM启动代码设计答:ARM启动代码直接面对处理器内核和硬件控制器进行编程,一般使用汇编语言。

启动代码一般包括:中断向量表初始化存储器系统初始化堆栈初始化有特殊要求的端口、设备初始化用户程序执行环境改变处理器模式呼叫主应用程序5.IRQ 和 FIQ 之间的区别答:IRQ和FIQ是ARM处理器的两种编程模式。

IRQ是指中断模式,FIR是指快速中断模式。

对于 FIQ 你必须尽快处理你的事情并离开这个模式。

ARM处理器系统初始化过程

ARM处理器系统初始化过程

ARM处理器系统初始化过程在嵌入式系统中,ARM处理器是最常用的处理器之一。

ARM处理器的系统初始化过程可以分为硬件初始化和软件初始化两个阶段。

本文将介绍ARM处理器系统初始化的具体流程。

硬件初始化在系统上电后,ARM处理器进入硬件初始化阶段。

主要任务是对处理器的外设进行初始化。

1.初始化时钟系统:ARM处理器的时钟系统是处理器运行的根底,因此在初始化过程中需要设置适当的时钟频率和时钟源。

这可以通过配置PLL〔Phase Locked Loop〕或者外部晶振来实现。

2.使能缓存:缓存是提高处理器性能的关键。

在初始化过程中,需要配置L1缓存和L2缓存的大小、映射方式等参数,并使能它们。

3.配置中断控制器:中断是处理器与外设交互的一种方式。

在初始化过程中,需要配置中断控制器,使其能够正确地响应外设发出的中断请求。

4.初始化外设:根据系统的需求,初始化各个外设,包括串口、SPI、I2C等外设。

这些外设的初始化过程涉及到设备的存放器配置、中断使能等操作。

5.设置存储器映射:ARM处理器通过存储器映射来访问外部存储器。

在初始化过程中,需要设置存储器映射表,使处理器能够正确地访问外部存储器。

软件初始化在硬件初始化完成后,ARM处理器进入软件初始化阶段。

主要任务是加载和运行操作系统及应用程序。

1.复位处理器:在软件初始化过程中,可以选择复位处理器,将处理器重新置于初始状态。

这通常通过将Reset引脚拉低来实现。

2.加载引导程序:引导程序是系统启动的第一段代码,其功能是加载操作系统的核心代码。

在软件初始化过程中,需要将引导程序加载到适当的内存位置,并设置处理器的执行起点。

3.初始化操作系统:一旦引导程序加载完成,操作系统开始初始化。

这包括初始化内核数据结构、初始化设备驱动程序、启动任务调度器等。

4.加载应用程序:在操作系统初始化完成后,可以选择加载应用程序。

应用程序的加载可以通过文件系统来实现,将应用程序从存储设备读取并加载到内存中。

周立功ARM嵌入式系统基础教程课后习题答案

周立功ARM嵌入式系统基础教程课后习题答案

第一章思考与练习1、举出3个书本中未提到的嵌入式系统的例子。

答:红绿灯控制,数字空调,机顶盒2、什么叫嵌入式系统嵌入式系统:以应用为中心、以计算机技术为基础、软件硬件可裁剪、适应应用系统对功能、可靠性、成本、体积、功耗严格要求的专用计算机系统。

3、什么叫嵌入式处理器嵌入式处理器分为哪几类嵌入式处理器是为完成特殊的应用而设计的特殊目的的处理器。

嵌入式微处理器(Embedded Microprocessor Unit, EMPU)嵌入式微控制器(Microcontroller Unit, MCU)嵌入式DSP 处理器(Embedded Digital Signal Processor, EDSP)嵌入式片上系统(System On Chip)4、什么是嵌入式操作系统为何要使用嵌入式操作系统是一段在嵌入式系统启动后首先执行的背景程序,首先,嵌入式实时操作系统提高了系统的可靠性。

其次,提高了开发效率,缩短了开发周期。

再次,嵌入式实时操作系统充分发挥了 32 位 CPU 的多任务潜力。

第二章1、嵌入式系统项目开发的生命周期分哪几个阶段各自的具体任务是什么项目的生命周期一般分为识别需求、提出解决方案、执行项目和结束项目4 个阶段。

识别需求阶段的主要任务是确认需求,分析投资收益比,研究项目的可行性,分析厂商所应具备的条件。

提出解决方案阶段由各厂商向客户提交标书、介绍解决方案。

执行项目阶段细化目标,制定工作计划,协调人力和其他资源;定期监控进展,分析项目偏差,采取必要措施以实现目标。

结束项目阶段主要包括移交工作成果,帮助客户实现商务目标;系统交接给维护人员;结清各种款项。

2、为何要进行风险分析嵌入式项目主要有哪些方面的风险在一个项目中,有许多的因素会影响到项目进行,因此在项目进行的初期,在客户和开发团队都还未投入大量资源之前,风险的评估可以用来预估项目进行可能会遭遇的难题。

需求风险;时间风险;资金风险;项目管理风险3、何谓系统规范制定系统规范的目的是什么规格制定阶段的目的在于将客户的需求,由模糊的描述,转换成有意义的量化数据。

arm嵌入式微控制器原理

arm嵌入式微控制器原理

arm嵌入式微控制器原理ARM嵌入式微控制器原理一、引言ARM嵌入式微控制器是一种常用于嵌入式系统中的微控制器,它采用ARM架构,具有较高的性能和低功耗的特点。

本文将介绍ARM 嵌入式微控制器的原理及其在嵌入式系统中的应用。

二、ARM嵌入式微控制器的基本原理1. ARM架构ARM(Advanced RISC Machine)架构是一种精简指令集计算机(RISC)架构,其设计目标是提供高性能和低功耗的处理器。

ARM 架构的特点包括指令集精简、流水线技术、深度睡眠模式等,使得ARM处理器在嵌入式系统中具有广泛的应用。

2. 微控制器微控制器是一种集成了处理器核、存储器、输入输出接口和外设控制等功能的芯片。

ARM嵌入式微控制器是基于ARM架构的微控制器,除了具备微控制器的基本功能外,还采用了ARM架构的处理器核,因此具有更高的性能和更丰富的功能。

三、ARM嵌入式微控制器的组成1. 处理器核ARM嵌入式微控制器的核心是ARM处理器核,它负责执行指令和控制外设。

ARM处理器核采用了RISC架构,具有高性能、低功耗和指令执行效率高等特点。

2. 存储器ARM嵌入式微控制器内部包含多种类型的存储器,包括程序存储器、数据存储器和片上存储器。

这些存储器用于存储程序代码、数据和临时变量等。

3. 输入输出接口ARM嵌入式微控制器具有多种输入输出接口,用于与外部设备进行数据交换。

常见的输入输出接口包括通用输入输出口(GPIO)、串行通信接口(UART)、SPI接口、I2C接口等。

4. 外设控制ARM嵌入式微控制器还包含各种外设控制器,用于控制外部设备的工作。

常见的外设控制器包括定时器、PWM控制器、模数转换器(ADC/DAC)、中断控制器等。

四、ARM嵌入式微控制器的应用ARM嵌入式微控制器广泛应用于各种嵌入式系统中,包括智能家居、工业自动化、医疗设备、消费电子等领域。

1. 智能家居在智能家居系统中,ARM嵌入式微控制器可以用于控制家电设备、安防系统、照明系统等。

ARM片外Flash存储器IAP解决办法

ARM片外Flash存储器IAP解决办法

ARM片外Flash存储器IAP解决办法0 引言以ARM芯片为处理器核的嵌入式应用系统,以其小体积、低功耗、低成本、高性能、丰富的片内资源以及对操作系统的广泛支持,得到了人们越来越多的青睐。

在应用编程IAP (InApplicatAiONProgram)就是这样的自修改程序。

它先在RAM存储器中写人数据值,然后使PC指向该存储段,把该段作为程序段来执行。

很多ARM7芯片自带IAP处理器,应用其自带的IAP处理器可以方便地对其片内集成的Flash存储器进行在应用编程,但几乎所有的ARM 核芯片均不支持片外IAP处理,因为片外Flash存储器是用户选型的,芯片生产厂家无法先知先觉,而不同Flash存储器其编程时序也不尽相同,导致芯片生产厂家无法提供通用的IAP 代码。

那么,如何对嵌入式系统的片外Flash存储器进行在应用编程呢?这里分两种情况:一是普通代码存放在片外单独1片Flash中,IAP代码在另一片Flash中完成,此时只要依据Flash的操作时序执行IAP代码,完成擦除或写入操作即可。

这种情况虽然简单,但应用了2片Flash;而IAP代码很小,一般完全可以集成到1片中,所以这里对这种情况不予考虑。

另一种情况是1片Flash中既要存储普通代码,又要实现IAP。

针对嵌入式应用系统片外Flash存储器IAP无现成方案的问题,介绍一种基于代码重入思想的片外存储器IAP解决方案。

结合LPC2210及SST39VFl60芯片,简介两款芯片特点,给出应用连接框图;分析IAP实现要点,并给出IAP的实现代码。

下面以Phnips公司的LPC2210 和 Silicon storageTechnology 公司的SST39VFl60为例,详细讨论这种情况IAP的解决方案。

1 硬件结构1.1 LPC2210介绍Philips公司的LPC22lO是一款基于支持实时仿真和嵌入式跟踪的16/32位ARM7TDMI-SCPU的微控制器。

ARM外围接口电路工作原理

ARM外围接口电路工作原理

ARM外围接口电路工作原理ARM11是一种基于ARM架构设计的32位处理器。

它具有较高的计算能力和低功耗特性,被广泛应用于嵌入式系统和移动设备中。

ARM11外围接口电路是ARM11芯片上的硬件模块,用于扩展处理器的功能和连接外部设备。

1.串行接口ARM11芯片上的串行接口可以实现与外部设备的通信。

它一般包括UART(通用异步接收器/发送器)和SPI(串行外设接口)等模块。

UART模块实现了与外部设备的异步串口通信,而SPI模块则是一种同步串行接口,用于高速数据传输。

2.并行接口ARM11芯片上的并行接口通常用于与外部存储器、显示器、键盘等设备的连接。

ARM11芯片一般配备了SRAM接口、SDRAM接口和LCD接口等模块。

SRAM接口和SDRAM接口用于连接外部存储器,实现数据的读写操作。

LCD接口用于连接液晶显示器,实现图像和文字的显示。

3.时钟时钟模块是ARM11芯片中非常重要的一个模块,它用于提供系统的时钟信号。

ARM11芯片一般具有内部和外部时钟源,通过时钟分频器将外部时钟源分频后,提供给不同的模块使用。

时钟模块还负责产生处理器的时钟信号,控制处理器的工作频率。

4.中断控制中断控制模块用于处理外部的中断请求信号,并向处理器发送中断请求。

当外部设备需要与ARM11芯片通信或请求处理器的服务时,会产生中断请求信号。

中断控制模块会接收到这个信号,然后通过处理器的中断控制单元将中断请求传递给处理器,使得处理器能够及时响应和处理。

当需要与外部设备通信时,首先需要配置相关的接口模块。

比如,在使用串行接口进行通信时,需要设置相关的波特率和数据格式;在使用并行接口连接显示器时,需要配置显示器的分辨率和显示模式。

然后,通过编程方式向相应的接口模块写入数据或读取数据,实现与外部设备的数据交互。

在整个工作过程中,时钟模块起着关键的作用。

时钟模块提供稳定的时钟信号,保证各个接口模块按照预定的时序要求工作,从而实现数据的准确传输。

第4章__LPC2000系列ARM硬件结构

第4章__LPC2000系列ARM硬件结构
UnRBR
• 中断源说明
CTI中断:当接收FIFO中的有效数据少于预定的触发点数量(至少有一个字
节)时,如果在一定时间内仍然没有接收到新的数据,那将触发该中断。这个
时间为:3.5~4.5个字节所需要的时间。注:对接收FIFO的任何操作都会清零
该中断标志。
UnRSR
• UART0、UART1各含有1个 16字节的发送FIFO缓冲区。
• UnTHR是UARTn发送FIFO 的最高字节。
• UART的发送FIFO是一直使 能的。
UnTHR
发送FIFO
UnTSR
TXD
• UART接收模块
RXD UnRSR UnRBR
CPU
AHB-VPB桥
A
H
ARM7
B

线
V
P B
CTS
MODEM
DSR
Modem控制寄存器
RI
U1MCR
DCD DTR RTS
Modem状态寄存器 U1MSR
V
中断
只有UART1才有
Modem接中口断使能寄存器
UnIER
P
B 总
线
中断标志寄存器
UnIIR
UARTn高速缓存寄存器 UnSCR
UARTn发送单元
发送缓冲寄存器
移位寄存器
UnTHR
UnTSR
UARTn波特率发生器
除数锁存寄存器 UnDLL、UnDLM
UARTn接收单元
接收缓冲寄存器 UnRBR
移位寄存器 UnRSR
FIFO控制寄存器(UnFCR) UARTn控UnLSR)
TxDn RxDn
• UART发送单元
CPU UnTHR UnTSR
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外部存储器控制器
EMC:外部管理控制器.
在LPC2300系列ARM里,外部存储器控制器(EMC)为AHB总线和外部存储器件提供了接口,使得CPU得以扩展外部存储器.
LPC2300系列中的LPC2378和LPC2388具备EMC,支持2个可单独配置的存储器组.这两个存储器组都支持SRAM,ROM,Flash,Burst ROM或一些外部I/O器件.存储器组的片选地址范围大小为64KB.
下面是EMC的控制器:
对于AHB从机寄存器接口,CPU可以通过AHB从机寄存器接口对EMC寄存器进行编程.为了避免可能发生的字顺序问题,操作EMC寄存器的过程中,所有数据的床上必须是32位宽的字.
通过数据缓冲区进行读写操作,可提供存储器带宽并减少传输等待时间.EMC含有4个16字大小的数据缓冲区.数据宽城区可用作读缓冲区,写缓冲区或读写缓冲区.
存储器控制器状态机包括一个静态存储器控制器.
CPU通过AHB从机存储器接口访问外部存储器,在访问外部存储器时,需要注意以下几点:
1.数据传输的字节顺序
2.数据产生的宽度
3.对写保护的存储器区域进行写操作.
我们再来看一下EMC的结构图:
我们再看看EMC的基本操作过程:
1.首先是使能EMC:
在使用EMC前一定要先在功率控制寄存器中将其使能:
PCONP=PCONP|0x00000800; //第11位置1
接下来,设置EMC控制寄存器EMCControl的第0位置1,使能EMC:
EMCControl=0x00000001;
2.引脚连接:
将相关的引脚连接到EMC模块.
PINSEL6=0x0000 5555; //选择D0~D7脚
PINSEL8=0x5555 5555; //选择A0~A15脚
tmp=PINSEL9;
tmp&=&0x0FF0 FFFF;
PINSEL9=tmp|0x5009 0000; //选择-OE,-WE,-CS0,-CS1脚
3.时序设置:
通常情况下,我们再操作外部存储器时分为读,写两个操作.
在读操作的过程中,我们需要配置下面的寄存器
a.静态存储器输出使能延时寄存器(EMCStaticWaitOen0-1);
b.静态存储器读延时寄存器(EMCStaticWaitRd0-1);
c.静态存储器页模式读延时寄存器(EMCStaticWaitPage0-1);
通过设置静态存储器输出使能延时寄存器(EMCStaticWaitOen0-1)可改变片选信号优先到输出有效的延时t;
通过静态存储器读延时寄存器(EMCStaticWaitRd0-1)可改变从片选信号有效到器件输出允许失效之间的延时t.
页模式下,一次片选有效期内可联系读/写4个字节,在这过程中,-WE和-OE信号保持不变,只有地址信号发生变化,此时不能理解读取数据线上的数据,而不像等待一段时间t.
EMCStaticWaitPage的作用就是设置这段等待时间t的长短.
要注意的是,如果t值太大,读的速度会变慢,而t值太小,则读取可能会出错.
写操作的时序设置,我们需要配置的寄存器有:
静态存储器写使能延时寄存器(EMCStaticWaitWen0-1);
静态存储器写延时寄存器(EMCStaticWaitWr0-1);
通过设置静态存储器写使能延时寄存器(EMCStaticWaitWen0-1)改变从"片选有效到写使能信号有效"之间的延时时间t.
通过设置静态存储器写延时寄存器EMCStaticWaitWr0-1)改变片选有效到写使能信号失效之间的延时时间t
我们看一个EMC的时序设置的例子:
EMCStaticConfig0=0x0; //禁止页模式
EMCStaticWaitWen0=0x0; //写使能延时为1cclk
EMCStaticWaitWr0=0x1F; //延时33cclk写
EMCStaticWaitOen0=0x0; //输出使能延时为1cclk
EMCStaticWaitRd0=0x1F; //延时为33cclk读
EMCStaticWaitPage0=0x0; //页读模式延时为1cclk
EMCStaticWaitTurn0=0x0; //总线空闲为1cclk
我并没有去仔细的查手册来看每一个寄存器的更详细的使用方法,从文档中抄袭了一下,大家先对某些东西有些印象,在使用的时候再慢慢的消化,学习的过程也只能如此.
4.读写操作:
在设置完EMC之后,就可以像访问RAM一样以字节,半字以及字读写的方式来访问外部存储器了.例如:
#define CS1ADDR0BUF3 (*(volatile unsigned long *)(0x80004000))
int main(void)
{
volatile long x;
EMCInit(); //EMC初始化
while(1)
{
......
CS1ADDR0BUF3=0x55AA55AA; //以字的方式进行读写
x=CS1ADDR0BUF0;
}
return (0);
}。

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