CrystalGrowth-界面微观结构

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CrystalGrowth-界面微观结构

CrystalGrowth-界面微观结构

A B U N n r r
硅表面7×7重构图
界面交接
接触角-界面张力Lv和 SL的夹角
浸润与否取决于相 交诸相的性质界 面能界面张力
sv Lv cos SL sv SL cos Lv
若 sv SL ,固汽间的界面张力 固液间的界面张力 接触角是锐角,液相浸 润固相 若 sv SL , 接触角是钝角,液相不 浸润固相
弯曲液面的力平衡条件
1. 水平液面:
dA 0 dV
g
l
p p 0


p p


此结果与不考虑表面相时的结果完全一致,说明 一般情况下,经典的力平衡条件是成立的
弯曲液面的力平衡条件
2. 凸液面(液滴):
R R dR A 4 R 2 dA 8 RdR
4 V R 3 dV l 4 R 2 dR 3
(dV 0)
弯曲液面的力平衡条件
考虑到等温、等容条件,则:
dT dT dT 0,

dV dV dV 0

dF p dV p dV dA 0
dA p p dV

此即考虑表面效应后两相力平衡条件
B B B B
表面自由能
由热力学基本关系式可知表面自由能的: 1. 狭义定义:保持体系温度、压力、组成不变时,增加单 位表面积,体系吉布斯自由能的变化
G ( ) p ,T ,nB A
2. 广义定义:保持体系相应变量不变时,增加单位表面 积,体系热力学函数的变化
F G H U ( ) S ,V ,nB ( ) S , P ,n ( )T ,V ,nB ( )T , P ,nB A A A A

第五章 纯金属的凝固

第五章 纯金属的凝固

r*
体积自由能
r
2 16 2Tm A* 4 (r*)2 2 Lm T 2
1 G * A * 3
2 16 3Tm 1 G* A 2 3( Lm T ) 3
说明:
① 形核功△G*与(△T )2成反比,△T↑,△G*↓; ② 形成临界晶核时自由能仍是增高的(△G*>0),其增 值相当于其表面能的1/3,即L→S体积自由能差值只补 偿形成临界晶核表面所需的能量的2/3,而不足的1/3则 另需他法;
(1)非均匀形核时的能量变化及形核功
设一曲率半径为r的球冠的晶胚依附于型壁W上形成。
接触角为θ (又称浸润角)。
G GVV A
GVV AL L AM ( M L M )
LM L cos M
AL 2r (1 cos )
非均匀形核的形核功:
* G非 2 16 3Tm * f ( ) =f ( )G均 3( Lm T ) 2
* G非
2 16 3Tm * f ( ) =f ( )G均 3( Lm T ) 2
讨论: ① θ=0°, f(θ)=0,ΔG*非=0,基底和晶核结构相同,直接 长大,称外延生长;杂质本身即为晶核;
undulation
液态的结构特征:原子排列长程无序,动态短程有序。
5.1.2 纯金属结晶的过冷现象
过冷:
(Supercooling或 Undercooling )
液态材料在理论结晶温度以下仍保持液 态的现象。
理论凝固温度Tm与实际开始凝固温度Tn 之差,即ΔT= Tm - Tn 。
过冷度 ΔT:
5.3.1 均匀形核(homogeneous nucleation)

02-晶体生长(结晶学与矿物学)

02-晶体生长(结晶学与矿物学)
②结晶固相→结晶固相 同质多象转变 重结晶作用 固溶体分解 变质结晶
第二章 晶体生长理论
2-1 晶体的形成方式
(a)
(b)
第二章 晶体生长理论
2-2 晶核的形成
晶体生长过程的第一步,就是形成晶核。
成核是一个相变过程,即在母液相中形成固相小晶芽,这一相变 过程中体系自由能的变化为: ΔG= ΔGv +ΔGs ΔGs为新相形成时新旧相界面的 表面能,ΔGv为新相形成时的体系 自由能 rc为体系自由能由升高到降低转 变时所对应的晶核半径值——临界 半径 只有当r>rc时, ΔG下降,晶核才 能稳定存在。 也就是说,晶核的形成,一方 面由于体系从液相转变为内能更小 的晶体相而使体系自由能下降,另 一方面又由于增加了液 - 固界面而使 体系自由能升高。
第二章 晶体生长理论
2-3 晶体生长模型 2.螺旋生长理论模型 (screw growth)
(Frank)等人(1949,1951)的实验证实:气相结晶时,1%的过饱和度 即可。另外,发现实际晶体总是存在台阶位错。
第二章 晶体生长理论
2-4 晶面的发育 1布拉维法则 晶体上的实际晶面平行于面网密度大的面网,这 就是布拉维法则(law of Bravais)。
discretediffractionpatternquasicrystalznmghodiffractionanysolidhavingessentiallydiscretediffractiondiagram212223242526gs为新相形成时新旧相界面的表面能gv为新相形成时的体系自由能为体系自由能由升高到降低转变时所对应的晶核半径值临界半径只有当rrg下降晶核才能稳定存在
国际晶体学联合会最近建议把晶体定义为衍射图谱呈现明 确图案的固体(any solid having an essentially discrete diffraction diagram)来代替原先的微观 空间呈现周期性结构的定义。

CrystalGrowth-界面稳定性

CrystalGrowth-界面稳定性

当k0<1,随着固液 界面推进,在固液 界面前沿不断有溶 质排出
越接近晶体尾部 溶质浓度越高
• 固溶体凝固的特点: • 1 在整个结晶过程中,固相成分都与液相成 分不同,只有凝固完毕后的固相成分才等 于原合金成分。所以固溶体凝固形核除需 要能量起伏和结构起伏外,还需要成分起 伏,因而比纯金属形核更难。 • 2 固溶体凝固需要一定的温度范围,在此范 围内的任一温度都对应一定成分和一定数 量的固相,凝固过程依赖于异类原子的互 相扩散,凝固速率比纯金属慢。
• 界面上能量守恒
• 界面上溶质守恒
• 界面温度的连续性
TL=TS
• 界面上温度与组分间的热力学关系
人们关心晶体生长过程中的界面是否稳定,不仅是因 为它涉及到晶体形态的理论研究,而且还涉及到晶体生长 过程是否能人为可控以及长成的晶体中溶质的分布情况。 实验证明,只有当界面处于稳定的条件下.晶体的生 长速率才是可以控制的.也只有平坦而稳定的界面可能长 出质量合格的晶体。所以,不论以何种方法生长晶体,都 要求界面是一稳定界面。
C a b
CL
z’=0 Cs=k0CL z’=a→b Cs=CL 因溶体中杂质浓度为CL/k0 z’>b 最后熔区--顺序凝固(溶质保守系统分 凝)
k0C 初始区
L
均匀区
尾区
0 Z’
l
L
生长的晶体中溶 质浓度分布
• 在很快结晶条件下,宏观偏析很少。仅在 凝固末端,由于扩散受阻使其浓度迅速升 高,形成一个终端瞬态区,其长度约几厘 米。 • 固溶体因凝固速度不同可形成不同的宏观 偏析。很快结晶时偏析很小;缓慢结晶时 偏析严重;较快结晶时介于前两者之间。
• 成分过冷与固溶体的组织 • 纯材料的熔点恒定,熔体过冷度完全取决于实际 温度分布。这种过冷叫热温过冷。 • 固溶体结晶时,凝固条件不同会造成液固界面前 沿液相内的分布变化,熔点随之改变,同时过冷 现象深入液相内部。这种由于液相成分改变而形 成的过冷叫成分过冷。

2 CrystalGrowth-界面微观结构-2 修改后

2 CrystalGrowth-界面微观结构-2 修改后

c 过程:自台阶上的扭折位置将原子移到另一台阶的扭折 位置,破坏的键数为零(不需能量),无扭折产生.
一个扭折的形成能为 1。
在台阶上任一位置形成正、负扭折的相对几率为
+ - = 0 =exp(1 / kT ) 0
台阶上任一位置形成扭 折的总几率为
= ++ -=2 0 exp(1 / kT )
具有立方对 称性的界面 能极图
i:界面能
晶体的平衡形状 在界面能极图的能量曲面 上每一点作出垂直于该点 矢径的平面,这些平面所 包围的最小体积相似于晶 体的平衡形状。 • 晶体的平衡形状在几何 上相似于界面能极图中体 积为最小的内接多面体。
具有立方对称性 的界面能极图
• 多面体关于平衡形状的任何偏离,都会引起系统吉布斯自由 能的增加,因此存在使晶体恢复到平衡形状的相变驱动力
例:液体
γ(n) = γ = const
∵ 球体:A/V=min ∴液体的平衡形状是球体。
(2) 表面能极图 ——反应表面能与晶面取向关系的图 形 作法: 从原点O作出所有可能存在的· · · · · =n1 : n2 : n3 · · · · · · ·
2.2 晶体的平衡形状
一、表面能极图与晶体平衡形状的描述
1.表面能 晶体表面的离子,由于电价不饱和而具有较多的能 量——表面能。
另一角度:造成单位面积所损耗的功。
比表面能: 晶体表面单位面积的表面能。 •单位:N/m;J/m2 •表面能大小和多种因素有关:晶 体与环境相得性质、结构、成分、 温度、结晶学取向等。
图3.1.2 根据表面能极图求晶体的平衡形状
由界面能极图可以将界面分为:
奇异面:界面能极图中能量曲面上出现最小值的点 (尖点)。该点所对应的晶面称为奇异面。 奇异面是低指数面,也是密积面。 邻位面:奇异面邻近的晶面

原子结合键atomicbonding

原子结合键atomicbonding

A奥罗万机制(Orowan mechanism)奥氏体(austenite)B八面体间隙(octahedral interstices)半共格界面(half-coherent interface)板织构(sheet texture)棒状结构(rodlike structure)包晶(peritectic)包晶反应(peritectic reaction)包晶偏析(peritectic segregation)包晶相图(peritectic phase diagram)包析反应(peritectoid reaction)胞状结构(cellular structure)本征扩散系数(intrinsic diffusion coefficient) 变态莱氏体(transformed ledeburite )变形孪晶(deformation twins)标准投影(standard projection)表层细晶区(chill zone)表面(surface)泊松比(Poisson’s ratio)柏氏矢量(Burger’s vector)不对称倾斜晶界(asymmetric tilt boundary) 不平衡共晶(non-equilibrium eutectic)不全位错(imperfect dislocation)布拉菲点阵(Bravais Lattice)部分位错(partial dislocation)部分有序(partial order)C材料科学(materials science)残余应力(residual stress)长程有序(long-range order, LRO)成分(composition)成分过冷(constitutional supercooling)成分起伏(composition fluctuation)成分三角形(composition triangle)尺寸因素化合物(size factor compound)垂直截面(vertical section)纯铁(pure iron)脆性(brittleness)D大角度晶界(high-angle grain boundary)单晶体(single crystal)单位位错(unit dislocation)单相(single phase)单相合金(homogeneous alloy)单斜晶系(monoclinic crystal system)倒易点阵(reciprocal lattice)等温线投影图(polythermal projection)等腰成分三角形(isosceles composition triangle)等轴晶区(equiaxed zone)点缺陷(point defects)点阵常数(lattice constant)点阵畸变(lattice distortion)电负性(electronegativity)电离能(ionization energy of atoms)电子化合物(electron compound, Hume-Rothery phase)电子浓度(electron concentration)电子亲和能(affinity energy of electrons)动力学(kinetics)动态过冷(dynamic supercooling)动态回复(dynamic recovery)动态再结晶(dynamic recrystallization)短程有序(short-range order, SRO)短路扩散(short circuit diffusion)堆垛层错(stacking fault)堆垛层错能(stacking fault energy)对称倾斜晶界(symmetric tilt boundary)多边化(polygonization)多滑移(multiple slip)多晶体(polycrystalline solid)多晶型性(polymorphism)多相材料(polyphase materials, heterogeneous)多相合金(heterogeneous alloy)E二次键(secondary bonding)二次再结晶(secondary recrystallization)二维晶核机制(two-dimensional nucleation)二元相图(binary phase diagrams )F反应扩散(reaction diffusion)范德瓦耳斯键(van der Waals bonding)非共格界面(non-coherent interface)非共格孪晶界(non-coherent twin boundary)非晶体(amorphous material)非均匀形核(heterogeneous nucleation)非平衡凝固(nonequilibrium solidification)非稳态扩散(nonsteady-state diffusion)菲克第二定律(Fick’s second law)菲克第一定律(Fick’s first law)分切应力(resolved shear stress)弗兰克尔缺陷(Frenkel defects)弗兰克-瑞德源(Frank-Read source)复合材料(composite)复合晶胞(composite unit cell)G杠杆定律(lever rule)高斯解(Guass solution)Gibbs相律(Gibbs phase rule)公切线法则(common tangent line)共轭连线(conjugate lines)共轭曲线(conjugate curves)共格孪晶界(coherent twin boundary)共格相界(coherent phase interface)共价键(covalent bonding)共晶(eutectic)共晶白口铸铁(eutectic white cast iron)共晶反应(eutectic reaction):共晶合金(eutectic alloy)共晶相图(eutectic phase diagram)共析反应(eutectoid reaction)共析钢(eutectoid steel)固溶强化(solid-solution strengthening)固溶体(solid solution)固相线(solidus)过饱和点缺陷(supersaturated point defects)过共晶白口铸铁(hyper-eutectic white cast iron) 过共晶合金(hypereutectic alloy)过共析钢(hyper-eutectoid steel)过冷(supercooling)过冷度(the degree of supercooling)H合金(alloy)合晶反应(synthetic reaction)合力(net force)宏观结构(macrostructure)虎克定律(Hooke’s law)互扩散(interdiffusion)互扩散系数(interdiffusion coefficient)滑移(slip)滑移带(slip bands)滑移系(slip systems)滑移线(slip lines)化合物(intermediate compound)化学亲和力(chemical affinity)环形换位(cyclic exchange)回复(recovery)混合位错(mixed dislocation)霍尔—佩奇公式(Hall-Petch equation)J极射投影(stereographic project)激活能(activation energy)加工硬化(work hardening, strain hardening) 间隙(interstices)间隙固溶体(interstitial solid solution)间隙化合物(interstitial compound)间隙相(interstitial phase)简单晶胞(simple unit cell)交滑移(cross slip)结构起伏(structure fluctuation)结合键(bonding)结合能(bonding energy)结晶(crystallization)介稳相(metastable phase)金属(metal)金属间化合物(intermetallic compound)金属键(metallic bonding)晶胞(unit cells)晶带(crystal zone)晶带轴(crystal zone axis)晶格(crystal lattice)晶核(nucleus of crystal)晶界(grain boundary)晶界能(boundary energy)晶粒长大(grain growth)晶面(crystal planes)晶面间距(inter-planer spacing)晶面指数(Miller indices of crystallographic plane)晶面转动(rotation of crystal plane)晶面族(a family of crystal planes)晶胚(crystal embryo)晶体(crystalline solid)晶体结构(crystal structures)晶系(crystal system)晶向(crystal directions)晶向指数(Orientation index, Miller indices for the direction) 晶向族(a family of crystal directions)晶轴(crystal axes)均匀形核(homogeneous nucleation)K抗拉强度σb (tensile strength)柯肯达尔效应(Kirkendall effect)柯氏气团(Cottrell atmosphere)空间点阵(space lattice)空位(vacancy)空位机制( vacancy mechanism)扩散(diffusion)扩散常数(diffusion constant)扩散方程(diffusion equation)扩散机制(diffusion mechanism)扩散通量(diffusion flux)扩散系数(diffusion coefficient)扩散系数(diffusion coefficient)扩展位错(extended dislocation)L拉弗斯相(Laves phase)莱氏体(Ld, ledeburite)冷却曲线(cooling curve)冷作硬化(cold working)离子键(ionic bonding)离子晶体(ionic crystal)立方晶系(cubic crystal system)连续生长(continuous growth)临界半径(critical radius)临界变形度(critical degree of deformation)临界分切应力(critical resolved shear stress)临界晶核(critical nucleus)菱方晶系(rhombohedral crystal system)六方晶系(hexagonal crystal system)吕德斯带(Lüders band)孪晶(twins)孪晶界(twin boundary)孪生(twinning)螺型位错(screw dislocation)M弥散粒子(precipitate)密排堆垛结构(close packed crystal structures)密排六方结构(hexagonal close-packed crystal structure,HCP,A3)面角位错(Lomer-Cottrell dislocation)面缺陷(planar defects)面心立方结构(face-centered cubic crystal structure,FCC,A1)N纳米结构(nanostructure)能量起伏(energy fluctuation)凝固(Solidification)扭折(kink)扭转晶界(twist boundary)浓度(concentration)浓度梯度(concentration gradient)P排斥力(repulsive force)派—纳力(Peierls-Nabarro force,P-N force)攀移(climb)配位数(CN, coordination number)偏晶反应(monotectic reaction)偏聚(solute cluster)片状结构(lamellar structure)平衡分配系数(equilibrium partition coefficient)平衡凝固(equilibrium solidification)平衡状态图(equilibrium or constitutional diagram)。

《材料成形原理》3.3晶体生长

《材料成形原理》3.3晶体生长
3 凝固的结晶学基础
Fundamentals of Crystalization
3 Fundamentals of Crystalization
3.1 经典形核理论 3.2 固-液界面结构 3.3 晶体生长 3.4 凝固过程溶质的分配 3.5 固-液界面的稳定性 3.5 多相合金的结晶
3.3 Crystal Growth

粗糙界面非小平面生长的一次晶 p60图3.18
奥氏体 枝状晶
Al基固 溶体枝 状晶
温度对晶体形貌影响
生长均匀、连续的粗糙界面, • 正温度梯度下,晶体生长,界面形貌? • 负温度梯度下,晶体生长,界面形貌?
温度对晶体形貌影响
生长均匀、连续的粗糙界面, • 正温度梯度下界面稳定,应以平面推进。 • 负温度梯度下晶体快速向内部生长,界面不稳
脱氧铜(99.9%Cu),退火组织,单α相
生长速度
• 生长就是固-液界面向液相的推进。 • 长大速度取决于
– 温度条件G (结晶潜热的散失速度与散热) – 固-液界面结构 – 溶质离开固-液界面的扩散速度。 • 界面平均移动速度R与过冷度ΔT的函数关系。
粗糙界面
R 1 T
μ1为比例常数,对大多数金属,μ1≈1cm/sK
3.3 Crystal Growth
• 动力学过冷 • 生长机制 • 凝固形成的晶体缺陷 • 晶界 • 生长速率
晶界 Grain boundary
晶界:从不同的晶核长大的小晶体,取向各不相同。凝 固 结 束 时 , 两 个 晶 体 间 的 位 向 失 配 ( orientation mismatch),形成分隔这些小晶体的界面。
晶体生长:是液相中的原子向晶体表面迁 移和堆砌,短程序 长程有序, 固-液界面向液体中不断推移的过程。

北航物理冶金原理3-合金相图与凝固(1)

北航物理冶金原理3-合金相图与凝固(1)

B%
B
A
T, oC
Liquid: L
L + a
Solid: a
Co
CL
CS
Cs= k CL
Wa
WL
Co
CL
Ca
Ts
TL
二、单相合金的平衡凝固:Equilibrium Solidification 2. 两相平衡的基本规则:杠杆规则 Lever Rule 平衡相之成分点:连接线-tie-line or Conode 平衡相之相对重量百分数:杠杆定律Lever Rule
相平衡规律:相律
体系自由度 f=n – p + 2 f=n – p + 1(常压条件)
常见基本相图类型
1、匀晶相图(无限互溶单相固溶体)Isomorphous +L
L
a
(f=2-1+1=2)
(f=2-1+1=2)
(f=2-2+1=1)
2、共晶相图:Eutectic Phase Diagram LE (a+b) 三相平衡 f=2-3+1=0
单相二元合金的凝固 Solidification of Single-Phase Binary Alloys
一、相图分析: 液相线-Liquidus; 固相线-Solidus; 液相区; 固相区; 两相区. 自由度
DT
DGv
Tm
T
G
GL
Gs
Spontaneous Nucleation 自发形核(均匀形核)
Spontaneous Nucleation 自发形核(均匀形核)
Spontaneous Nucleation 自发形核(均匀形核)
r
临界形核功: Critical Energy of Nucleation
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=u Ts
s
s
界面张力:作用于界面的单位长度周界上的力 • 数值上等于界面能 • 方向和界面相切
通常,由于环境不同,处于界面的分子与处于相本体 内的分子所受力是不同的。 譬如:在水内部的一个水分子受到周围水分子的作用 力的合力为零,但在表面的一个水分子却不如此。因 上层空间气相分子对它的吸引力小于内部液相分子对 它的吸引力,所以该分子所受合力不等于零,其合力 方向垂直指向液体内部,结果导致液体表面具有自动 缩小的趋势,这种收缩力称为表面张力。
g (T , p ) g (T , p ) l (T , pl ) l (T , p )

p p

Vm ( g )dp g Vm (l )dpl
p
pl
弯曲液面的饱和蒸汽压的变化
RT Vm ( g ) pg Vm (l ) 可近似视为常数

p p
界面张力的微观解释
界面张力的微观解释 • 是分子力的一种表现 • 是由表面层的液体分子处于特殊情况决定的 液体内部的分子只能在平衡位置附近振动和旋转。液体表面附 近的分子由于只显著受到液体内侧分子的作用,受力不均,使 速度较大的分子很容易冲出液面,成为蒸汽,结果在液体表面 层(跟气体接触的液体薄层)的分子分布比内部分子分布来得稀 疏。相对于液体内部分子的分布来说,它们处在特殊的情况中。 表面层分子间的斥力随它们彼此间的距离增大而减小,在这个 特殊层中分子间的引力作用占优势。
A B U N n r r
固体的自由表面可以看作为晶体结构周期的一种二维缺陷。处 在晶体内部的原子或离子,受到最近邻的和次近邻的原子或离子的 对称力场的作用。但处在晶体表面的原子或离子,受到的是一个不 对称力场的作用。 表面上原子(离子)的键是不饱和 影响界面附近原子 (离子)组合的几何图形、电子结构、点缺陷以及线缺陷的分布。
pl RT dpg Vm (l )dpl p pg
p RT ln Vm (l )( pl p ) p

弯曲液面的饱和蒸汽压的变化
1. 凸液面(液滴):
p 2 RT ln Vm (l )( p p ) p r 2
一般情况下
2 p p r
表面
表面:凝聚态物质相对于其纯气相的界面。
S-g、L-g界面算作表面
许多文献中也常常将两个不同体相间的 界面称为表面,表面化学这一术语也被大家 广泛接受了
表面现象的微观成因
表面现象的微观成因
表面相分子受力不均 匀,其分子有被拉入 液相的趋势。 这种受力不均匀性是 表面现象产生的微观 成因。
气相
液相
液体的表面积因而有 自发收缩的趋势。 这解释了为什么液滴会以 球形的形态存在
表面自由能
使液体表面积增大的过程是克服液相分子吸引力, 使体相 分子转移到表面相的过程,需要环境对体系做功。以可逆方 式做功最少,称之为表面功:
Wreversible dA
由吉布斯自由能性质可知,在恒温恒压下,此表面功即 等于体系吉布斯自由能的变化量的相反数:
l
r
p p

Vm (l )
M

Kelvin公式:
p 2 M ln p RT r
弯曲液面的饱和蒸汽压的变化
2. 凹液面(毛细管凹面):
p 2 RT ln Vm (l )( p p ) p R
Kelvin公式:
2 p p r
l
A B U N n r r
硅表面7×7重构图
界面交接
接触角-界面张力Lv和 SL的夹角
浸润与否取决于相 交诸相的性质界 面能界面张力
sv Lv cos SL sv SL cos Lv
若 sv SL ,固汽间的界面张力 固液间的界面张力 接触角是锐角,液相浸 润固相 若 sv SL , 接触角是钝角,液相不 浸润固相
Physical Fundamentals of Crystal Growth 晶体生长的物理基础
Dr. Prof. Y.L. Du (杜宇雷)
yldu@
2013年秋季学期
界面的微观结构
• 从宏观角度看:晶体生长过程是晶体—流体 (蒸气、溶液、熔体)界面向流体不 断推移的 过程.
界面
dG T , p ,n Wreversible dA
此式表明,考虑表面相贡献的多相体系,除了温度、压力、组 成等因素,表面积也是影响体系热力学函数的一个重要变量。
表面自由能
表面化学基本热力学关系式:
dU TdS PdV dA BdnB dH TdS VdP dA BdnB dF SdT PdV dA BdnB dG SdT VdP dA BdnB

界面的微观结构 决定了晶体的生长机制
人工晶体基础研究的重要内容: 晶体生长机制的研究
晶体的生长机制
决定了它所遵循的动力学规律
界面: •是指在热力学系统中共存各相的分界面; •它应包括:固-液界面、固-气界面、固-固界面、液-气界面和液-液界面等; 与晶体生长有关的界面: •晶体-流体(蒸气、溶液、熔体)界面;
4. 过饱和溶液
为什么要研究界面的性质?
界面效应: 系统足够大时可以忽略
体积效应:系统尺度的3次方
面效应:系统尺度的平方
晶体生长中很多现象与界面的宏观性质有关
• 亚稳相中新相的成核
• 光滑界面上台阶的成核 • 枝晶生长中尖端的极限速率 • 直拉法生长中的弯月面效应 ………..
界面的热力学性质及其结构
B B B B
表面自由能
由热力学基本关系式可知表面自由能的: 1. 狭义定义:保持体系温度、压力、组成不变时,增加单 位表面积,体系吉布斯自由能的变化
G ( ) p ,T ,nB A
2. 广义定义:保持体系相应变量不变时,增加单位表面 积,体系热力学函数的变化
F G H U ( ) S ,V ,nB ( ) S , P ,n ( )T ,V ,nB ( )T , P ,nB A A A A
s相:T s,,S s 界面相
具有表面的系统的自由能
在可逆定温、定容过程中,外界对系统作的功等 于自由能的增量。现在考虑一个体积为V,表面积 为A的液滴,如果在定温、定容条件下,表面积改 变为dA,外界对系统作的功为dA,则有
B
表面自由能
关于基本关系式的讨论
由基本关系式可知,在恒温恒压下,体系表面积增加, 则体系吉布斯自由能增加,因而该过程不能自发 进行。我们可以利用这一结论进行过程方向性判 断。
例如:胶体体系中存在大量直径100nm以下的固体小颗粒, 整个体系固液界面具有很大的表面积,当固体颗粒聚集在 一起时发生聚沉现象,从表面化学的观点看,此时表面积 减小,自由能下降,说明聚沉过程自发进行,胶体体系从 热力学角度看是不稳定的。
•很难找到一种对各种晶体、各种生长环境相均适用的统一的理论模型;
划分界面类型的标准有许多种: •界面是突变的,还是渐变的;
•是光滑的,还是粗糙的;
•是完整的,还是非完整的; •是存在有吸附层,还是不存在有吸附层等等。
界面能和界面张力
在单元系统中,在相平 衡曲线上,p和T由
( p, T ) ( p, T )
l
dA 2 p p l dV R
l g
杨-拉普拉斯公式
弯曲液面的力平衡条件
3. 凹液面(气泡):
R R dR A 4 R 2 dA 8 RdR
4 V V R 3 dV l 4 R 2 dR 3
l
dA 2 p p l dV R
弯曲液面的力平衡条件
1. 水平液面:
dA 0 dV
g
l
p p 0


p p


此结果与不考虑表面相时的结果完全一致,说明 一般情况下,经典的力平衡条件是成立的
弯曲液面的力平衡条件
2. 凸液面(液滴):
R R dR A 4 R 2 dA 8 RdR
4 V R 3 dV l 4 R 2 dR 3
毛细现象基本公式亦 可表示如下:
2 cos l gh R
弯曲液面的饱和蒸汽压的变化
水平液面:相平衡时, pl p g p
g (T , p ) l (T , p )
弯曲液面:相平衡时, pl p g , p g p
g (T , p ) l (T , pl )
体系各相压强相等 p1=p2=p3=p4=…..
考虑了表面效应后,这一关系是否还成立
弯曲液面的力平衡条件
如图所示两相平衡体系, 在等温、等容情况下达到平衡 的判据为: (dF )T ,V 0
dF dF dF dF



dF S dT p dV dF S dT p dV dF S dT p dV dA
l g
毛细现象
平面下液体的压强大于凹 面下的压强
液体从高压向低压流动, 毛细管内液体上升
毛细管内液体上升直至,同 一水平面的液体压强相等
弯曲液面的力平衡条件
毛细现象:
水在毛细管中得上升显 然应满足如下关系:
2 l gh R
式中R‘为弯曲液面的曲率半径
弯曲液面的力平衡条件
曲率半径与毛细管半径R的关系: R’=R/cos 为液面与管壁的接触角
界面交接的例子
黄金上的水珠
树叶上的水珠
许多植物的叶片,包括荷花 叶片,展示出了自我清洁的属性。 所谓“荷花效应”指的是,落在 植物叶片上的雨滴迅速滑落,将 讨厌的灰尘粒子带走,以避免这 些灰尘减少植物进行光合作用的 能力。
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