晶圆详细介绍
晶圆---简介
晶圆是制造IC的基本原料硅是由沙子所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
我们会听到几寸的晶圆厂，如果硅晶圆的直径越大，代表著这座晶圆厂有较好的技术。
另外还有scaling技术可以将电晶体与导线的尺寸缩小，这两种方式都可以在一片晶圆上，制作出更多的硅晶粒，提高品质与降低成本。
所以这代表6寸、8寸、12寸晶圆当中，12寸晶圆有较高的产能。
当然，生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。
晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。
二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。
晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。
硅晶棒再经过研磨，抛光，切片后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。
晶圆工艺晶圆的生产工艺流程从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）：晶棒成长-- 晶棒裁切与检测-- 外径研磨-- 切片-- 圆边-- 表层研磨-- 蚀刻-- 去疵-- 抛光-- 清洗-- 检验-- 包装1、晶棒成长工序：它又可细分为：1）、融化（Melt Down）：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。
200毫米晶圆-概念解析以及定义
200毫米晶圆-概述说明以及解释1.引言1.1 概述200毫米晶圆是一种在半导体制造过程中广泛使用的基础材料。
晶圆是一种扁平而圆形的硅基片，通常用于制造集成电路和其他电子元件。
随着科技的不断进步，对晶圆的要求也越来越高。
200毫米晶圆因其尺寸较大，具有更高的集成度和更高的生产效率，逐渐成为半导体行业的主流选择。
相比之下，100毫米或150毫米晶圆的制造成本相对较高，而300毫米晶圆则受到供应链和工艺等因素的限制。
而200毫米晶圆则在成本和生产效率之间取得了良好的平衡。
200毫米晶圆的制造过程需要经历多道工序，包括切割、抛光、清洗等。
然后，在晶圆上可以进行光刻、薄膜沉积、离子注入和扩散等步骤，最终制造出集成电路的各个组件。
除了制造集成电路，200毫米晶圆在其他领域也有着广泛的应用。
例如，它可以用于制造太阳能电池板、LED芯片和传感器等。
因此，随着人们对电子产品和新能源需求的不断增长，200毫米晶圆的市场需求也在逐渐扩大。
总之，200毫米晶圆在半导体制造业中具有重要的地位。
它的尺寸恰到好处，使得制造成本和生产效率得到平衡。
随着技术的不断发展，我们可以期待200毫米晶圆在未来的应用领域中发挥更重要的作用。
1.2 文章结构文章结构部分的内容如下：在本文中，将按照以下结构进行阐述：引言部分将提供关于200毫米晶圆的背景信息和概述；正文部分将依次介绍三个要点，包括第一个要点、第二个要点和第三个要点；结论部分将对本文的主要内容进行总结，并对结果进行分析，并展望200毫米晶圆的未来发展方向。
通过这样的结构安排，旨在全面介绍和探讨200毫米晶圆的相关问题，并对其应用前景进行展望。
1.3 目的本文的目的是探讨200毫米晶圆在半导体制造领域的应用，并对其优势和挑战进行分析。
首先，我们将介绍晶圆的基本概念和制造工艺，然后重点关注200毫米晶圆在集成电路生产中的应用情况。
通过比较不同尺寸的晶圆，我们将评估200毫米晶圆的优势和劣势，并分析其在提高集成电路生产能力和降低制造成本方面的潜力。
晶圆和芯片纳米关系-概述说明以及解释
晶圆和芯片纳米关系-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述：晶圆和芯片是现代电子设备中的重要组成部分，二者之间存在着紧密的纳米关系。
晶圆作为芯片制造的基础材料，承载着芯片的各种功能和电路结构。
本文将深入探讨晶圆和芯片之间的关系，并着重介绍晶圆的定义、制造过程，以及芯片的定义、制造过程。
晶圆是一种用于制造芯片的圆片状基底材料，通常由硅和其他材料制成。
它具有高度纯净度和晶体结构的特点，能够提供均匀且可控的物理特性，以支持芯片的正常运作。
晶圆的制造过程主要包括材料准备、晶体生长、切割和表面处理等步骤。
芯片则是晶圆经过一系列工艺加工和制造步骤后的成品。
它是电子器件最关键的组成部分，用于实现各种功能，如计算、存储和通信等。
芯片制造的过程通常包括芯片设计、光刻、离子注入、薄膜沉积、电路连接等多个阶段。
在这个过程中，晶圆的表面会被加工成各种电路结构、连接线和功能区域。
晶圆和芯片之间的关系密不可分。
晶圆提供了芯片制造的基础，其物理特性决定了芯片的性能和可靠性。
晶圆的特性和制造质量对芯片的成功率、工作速度和功耗等也有直接影响。
另一方面，芯片的设计和制造过程则需要依赖晶圆提供的可靠性和均匀性。
晶圆的品质和工艺控制直接决定了芯片的质量和可靠性。
未来，随着科技的发展，晶圆和芯片纳米关系将进一步加强。
随着芯片尺寸的不断减小和功能的不断增加，晶圆制造技术将面临更高的要求和挑战。
纳米级别的晶圆加工和控制将成为关键，以支持更高性能、更复杂的芯片制造。
晶圆和芯片的关系将不断演变，为科技的进步和社会的发展提供更强大的支持。
1.2 文章结构本文将分为三个主要部分来探讨晶圆和芯片之间的纳米关系。
第一部分，引言，将对本文的整体概述进行说明。
首先，将简要介绍晶圆和芯片的定义和制造过程，为读者提供一些基本背景知识。
随后，将介绍本文的文章结构以及目的，确保读者了解文章的整体布局和目标。
第二部分，正文，将详细介绍晶圆和芯片的定义和制造过程。
首先，我们将解释晶圆的定义以及其在芯片制造中的作用。
晶圆---简介
晶圆是制造IC的基本原料硅是由沙子所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
我们会听到几寸的晶圆厂，如果硅晶圆的直径越大，代表著这座晶圆厂有较好的技术。
另外还有scaling技术可以将电晶体与导线的尺寸缩小，这两种方式都可以在一片晶圆上，制作出更多的硅晶粒，提高品质与降低成本。
所以这代表6寸、8寸、12寸晶圆当中，12寸晶圆有较高的产能。
当然，生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。
晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。
二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。
晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。
硅晶棒再经过研磨，抛光，切片后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。
晶圆工艺晶圆的生产工艺流程从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）：晶棒成长-- 晶棒裁切与检测-- 外径研磨-- 切片-- 圆边-- 表层研磨-- 蚀刻-- 去疵-- 抛光-- 清洗-- 检验-- 包装1、晶棒成长工序：它又可细分为：1）、融化（Melt Down）：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。
晶圆详细介绍
目录1.01晶圆2.01制造过程3.01着名晶圆厂商4.01制造工艺4.02表面清洗4.03初次氧化4.04热CVD4.05热处理4.06除氮化硅4.07离子注入4.08退火处理4.09去除氮化硅层4.10去除SIO2层4.11干法氧化法4.12湿法氧化4.13氧化4.14形成源漏极4.15沉积4.16沉积掺杂硼磷的氧化层4.17深处理5.01专业术语1.01晶圆晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。
晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。
晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等）。
晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本；但对材料技术和生产技术的要求更高，例如均匀度等等的问题。
一般认为硅晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术，在生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
2.01制造过程“长晶”。
硅晶棒再经过切片、研磨、抛光后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。
很简单的说，单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过切片、抛光之后，就成为了晶圆。
晶圆经多次光掩模处理，其中每一次的步骤包括感光剂涂布、曝光、显影、腐蚀、渗透、植入、刻蚀或蒸着等等，将其光掩模上的电路复制到层层晶圆上，制成具有多层线路与元件的IC晶圆，再交由后段的测试、切割、封装厂，以制成实体的集成电路成品，从晶圆要加工成为产品需要专业精细的分工。
3.01着名晶圆厂商只制造硅晶圆基片的厂商例如合晶（台湾股票代号：6182）、中美晶（台湾股票代号：5483）、信越化学等。
晶圆制造厂着名晶圆代工厂有台积电、联华电子、格罗方德（Global Fundries）及中芯国际等。
英特尔（Intel）等公司则自行设计并制造自己的IC晶圆直至完成并行销其产品。
半导体行业专业知识-wafer知识
半导体行业专业知识 - Wafer 知识在半导体行业中，晶圆（Wafer）是一种重要的概念。
晶圆是半导体工厂生产芯片的基础，它通过光刻技术在上面刻出芯片上的电路和电子元器件。
本文将介绍一些关于晶圆的基础知识，以及与晶圆相关的工艺流程。
晶圆的基础知识晶圆又被称为衬底，它是由单晶硅材料制成，并且表面非常平整。
在制造晶圆时，首先需要采用化学气相沉积等技术将硅石及硅片中的多晶硅转化为单晶硅，然后通过超细磨片技术将硅块加工成薄而平整的圆盘，这就是晶圆。
晶圆的尺寸通常是指直径，主要有6英寸、8英寸、12英寸等几种规格，现在逐渐向更大的尺寸发展，如14英寸、18英寸等。
硅晶圆的制造工艺中还要注意晶圆表面的净化、去除有机污染物、消除缺陷等问题，以保证芯片的质量。
晶圆与半导体工艺晶圆在半导体工艺中起着至关重要的作用，通过晶圆衬底上的光阻和掩膜，施加光照、刻蚀等工艺，形成电路和元器件。
晶圆工艺的步骤如下：前处理前处理是指在晶圆上形成光阻和其他掩膜准备工作。
这个过程主要分为清洗、干燥、回流、涂敷、曝光等步骤，这些过程保证了晶圆表面的平整和光阻的黏附性，以及涂敷的厚度和误差。
离子注入离子注入通常是指将外界材料掺入晶圆内部，以改变晶圆中的电子元器件的性质。
这个过程中要注意注入能量、保证注入的均匀性等问题。
薄膜沉积薄膜沉积是指在晶圆表面上沉积一层新的材料，如金属、氧化物，以增加芯片的实用性。
这个过程包括物理气相沉积、化学气相沉积等技术。
集成电路制造集成电路的制造是指将电子器件和电路的制造过程，与晶圆上的光阻和掩膜相结合，对晶圆表面进行刻蚀、沉积等工艺，最终制成电子元器件。
本文简单介绍了晶圆在半导体工艺中的重要作用，以及晶圆的基础知识和工艺流程。
虽然前沿技术的发展迅速，但是晶圆作为半导体工厂的基础，仍然是半导体行业中至关重要的一环。
12英寸晶圆 制程
12英寸晶圆制程12英寸晶圆制程是一种先进的半导体制造工艺，它在半导体行业中占据了重要的地位。
它被广泛应用于手机、电脑、摄像头、汽车电子等众多领域。
下面我们将介绍一下12英寸晶圆制程的全过程，希望能为读者们提供一些指导性的信息。
首先，让我们来了解一下什么是晶圆。
晶圆是一种由单晶硅制成的圆片，直径为12英寸，也就是30厘米。
它是半导体芯片制造的基础材料，是将电子元件生产工艺中的各种材料沉积到其表面上，并通过光刻、蚀刻等加工工艺形成多个微小的电子元件。
制程的第一步是对晶圆进行清洁。
通过超声波清洗和化学清洗等方法，将表面的污染物去除，确保晶圆的质量。
接下来是沉积步骤。
在这一阶段，使用化学气相沉积（CVD）等技术将各种材料层沉积到晶圆表面。
这些材料包括金属、绝缘层和半导体材料，它们将用于制作电子元件的不同部分。
然后是光刻步骤。
在这一步中，使用特殊的光刻胶和光罩，通过光照和显影的过程在晶圆表面形成微米级别的图形。
这些图形将用于定义电子元件的形状和结构。
之后是蚀刻步骤。
这一步是利用化学反应将不需要的材料从晶圆表面去除，只保留需要的部分。
蚀刻可以使用干法或湿法进行，取决于材料的性质。
接下来是电镀和刻蚀步骤。
通过电化学的方法，在蚀刻后的表面上沉积金属，将其填满，并使用机械磨削和化学蚀刻技术去除多余的金属，使其与晶圆表面平齐。
最后是封装和测试。
在这一步中，将晶圆切割成小块并进行封装，形成芯片。
然后对芯片进行功能和可靠性测试，确保其正常工作。
通过这些步骤，12英寸晶圆制程可以生产出高质量的半导体芯片。
整个制程过程需要严格的控制和高精度的设备。
制程的每一步都需要工程师们精心设计和调整，以确保最终产品的质量和性能。
12英寸晶圆制程的发展使得芯片的制造更加高效、可靠和经济。
它在推动现代科技发展、提高电子产品性能等方面发挥了重要的作用。
随着技术的不断进步，将不断涌现出更多的晶圆制程，给我们的生活带来更多的便利和创新。
晶圆的标准尺寸 -回复
晶圆的标准尺寸-回复晶圆的标准尺寸是半导体制造过程中非常重要的概念。
晶圆是一种特殊的圆形薄片，通常由硅材料制成，用于制造集成电路。
在整个半导体制造流程中，晶圆尺寸的标准化对于保证生产效率和产品质量至关重要。
本文将逐步回答晶圆的标准尺寸问题，以帮助读者更好地理解该概念。
第一步：了解晶圆的基本概念晶圆是一种圆形的薄片，通常由硅材料制成，用于制造集成电路。
它是半导体制造过程中的核心材料之一。
在制造晶圆的过程中，通过一系列的工艺步骤，将各种电子元件和电路结构依次压印到晶圆上，最终形成集成电路芯片。
第二步：晶圆的尺寸标准化为了在不同的制造工艺和设备之间实现互操作性，对晶圆尺寸进行了标准化。
最常见的标准尺寸是以英寸为单位的直径。
目前，最常见的晶圆尺寸是8英寸（200毫米）和12英寸（300毫米）。
此外，6英寸（150毫米）和4英寸（100毫米）也是一些较小规模的生产线上常用的晶圆尺寸。
第三步：为什么选择特定的晶圆尺寸选择特定的晶圆尺寸是根据多种因素进行的。
首先，晶圆尺寸会直接影响到集成电路的产量。
通常来说，较大的晶圆能够容纳更多的电路芯片，从而提高产量和生产效率。
此外，较大的晶圆还可以减少单位芯片成本，因为在同一片晶圆上制造的芯片数量更多，可以更好地利用材料。
另外，新一代的半导体工艺通常需要更大的晶圆尺寸，以适应更高的集成度和更小的晶体管尺寸。
第四步：制造晶圆的挑战制造符合标准尺寸的晶圆是一个具有挑战性的过程。
首先，晶圆需要具备高度的平整度和光洁度。
任何微小的不平整都可能导致芯片上的缺陷。
其次，晶圆上的杂质和缺陷会对制造工艺和电子元件性能产生负面影响。
因此，晶圆制造过程需要严格的控制和检测，以确保产品质量。
第五步：晶圆尺寸变化的趋势随着科技的不断发展，晶圆尺寸也在不断增大。
较大的晶圆尺寸可以提高生产效率和产能，并减少单位产品成本。
另外，随着微纳加工技术的发展，晶圆上可以容纳更多的电子元件和电路结构，从而实现更高的集成度和性能。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
目录1.01晶圆2.01制造过程3.01著名晶圆厂商4.01制造工艺4.02表面清洗4.03初次氧化4.04热CVD4.05热处理4.06除氮化硅4.07离子注入4.08退火处理4.09去除氮化硅层4.10去除SIO2层4.11干法氧化法4.12湿法氧化4.13氧化4.14形成源漏极4.15沉积4.16沉积掺杂硼磷的氧化层4.17深处理5.01专业术语1.01晶圆晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。
晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。
晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英吋、15英吋、16英吋、……20英吋以上等）。
晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本；但对材料技术和生产技术的要求更高，例如均匀度等等的问题。
一般认为硅晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术，在生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
2.01制造过程二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%，因在精密电子元件当中，硅晶圆需要有相当的纯度，不然会产生缺陷。
晶圆制造厂再以柴可拉斯基法将此多晶硅熔解，再于溶液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶粒在融熔态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。
硅晶棒再经过切片、研磨、抛光后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。
很简单的说，单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过切片、抛光之后，就成为了晶圆。
晶圆经多次光掩模处理，其中每一次的步骤包括感光剂涂布、曝光、显影、腐蚀、渗透、植入、刻蚀或蒸著等等，将其光掩模上的电路复制到层层晶圆上，制成具有多层线路与元件的IC晶圆，再交由后段的测试、切割、封装厂，以制成实体的集成电路成品，从晶圆要加工成为产品需要专业精细的分工。
3.01著名晶圆厂商只制造硅晶圆基片的厂商例如合晶（台湾股票代号：6182）、中美晶（台湾股票代号：5483）、信越化学等。
晶圆制造厂著名晶圆代工厂有台积电、联华电子、格罗方德（Global Fundries）及中芯国际等。
英特尔（Intel）等公司则自行设计并制造自己的IC晶圆直至完成并行销其产品。
三星电子等则兼有晶圆代工及自制业务。
南亚科技、瑞晶科技(现已并入美光科技，更名台湾美光内存)、Hynix、美光科技（Micron）等则专于内存产品。
日月光半导体等则为晶圆产业后段的封装、测试厂商。
4.01制造工艺4.02表面清洗晶圆表面附着大约2um的Al2O3和甘晶圆，油混合液保护层,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。
4.03初次氧化由热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术：干法氧化Si(固)+O2 à SiO2(固)和湿法氧化Si(固)+2H2O à SiO2(固)+2H2。
干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。
干法氧化成膜速度慢于湿法。
湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。
当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。
SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。
因而，要形成较厚SiO2膜，需要较长的氧化时间。
SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。
湿法氧化时，因在于OH基SiO2膜中的扩散系数比O2的大。
氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。
因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。
SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。
这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。
对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出(dSiO2)/(dox)=(nox)/(nSiO2)。
SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。
也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。
SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。
(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10-- 10E+11/cm ?2.eV-1 数量级。
(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。
4.04热CVD热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生产性高，梯状敷层性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜)等，故用途极广。
膜生成原理，例如由挥发性金属卤化物(MX)及金属有机化合物(MR)等在高温中气相化学反应(热分解，氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。
因只在高温下反应故用途被限制，但由于其可用领域中，则可得致密高纯度物质膜，且附着强度极强，若用心控制，则可得安定薄膜即可轻易制得触须(短纤维)等，故其应用范围极广。
热CVD法也可分成常压和低压。
低压CVD适用于同时进行多片基片的处理，压力一般控制在0.25-2.0Torr之间。
作为栅电极的多晶硅通常利用HCVD法将SiH4或Si2H。
气体热分解（约650oC）淀积而成。
采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法，利用氨和SiH4 或Si2H6反应面生成的，作为层间绝缘的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的温度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetra ethoxy silanc)和O2在750oC左右的高温下反应生成的，后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。
前者，在淀积的同时导入PH3 气体，就形成磷硅玻璃（ PSG：phosphor silicate glass）再导入B2H6气体就形成BPSG(borro ? phosphor silicate glass)膜。
这两种薄膜材料，高温下的流动性好，广泛用来作为表面平坦性好的层间绝缘膜。
4.05热处理在涂敷光刻胶之前，将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。
这样处理是为了增加光刻胶与基片间的粘附能力，防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀(sideetching)。
光刻胶的涂敷是用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进行的。
首先、用真空吸引法将基片吸在甩胶机的吸盘上，把具有一定粘度的光刻胶滴在基片的表面，然后以设定的转速和时间甩胶。
由于离心力的作用，光刻胶在基片表面均匀地展开，多余的光刻胶被甩掉，获得一定厚度的光刻胶膜，光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来控制。
所谓光刻胶，是对光、电子束或X线等敏感，具有在显影液中溶解性的性质，同时具有耐腐蚀性的材料。
一般说来，正型胶的分辨率高，而负型胶具有感光度以及和下层的粘接性能好等特点。
光刻工艺精细图形(分辨率，清晰度)，以及与其他层的图形有多高的位置吻合精度(套刻精度)来决定，因此有良好的光刻胶，还要有好的曝光系统。
4.06除氮化硅此处用干法氧化法将氮化硅去除4.07离子注入离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成P型阱离子注入法是利用电场加速杂质离子，将其注入硅衬底中的方法。
离子注入法的特点是可以精密地控制扩散法难以得到的低浓度杂质分布。
MOS电路制造中，器件隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断，调整阀值电压用的沟道掺杂， CMOS的阱形成及源漏区的形成，要采用离子注入法来掺杂。
离子注入法通常是将欲掺入半导体中的杂质在离子源中离子化，然后将通过质量分析磁极后选定了离子进行加速，注入基片中。
4.08退火处理去除光刻胶放高温炉中进行退火处理以消除晶圆中晶格缺陷和内应力，以恢复晶格的完整性。
使植入的掺杂原子扩散到替代位置，产生电特性。
4.09去除氮化硅层用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子，形成 N 型阱，并使原先的SiO2 膜厚度增加，达到阻止下一步中n 型杂质注入P 型阱中。
4.10去除SIO2层退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层。
4.11干法氧化法干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅。
此时P 阱的表面因SiO2 层的生长与刻蚀已低于N 阱的表面水平面。
这里的SiO2 层和氮化硅的作用与前面一样。
接下来的步骤是为了隔离区和栅极与晶面之间的隔离层。
光刻技术和离子刻蚀技术利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层。
4.12湿法氧化生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区。
生成SIO2薄膜热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。
4.13氧化LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。
4.14形成源漏极表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。
用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。
4.15沉积利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
4.16沉积掺杂硼磷的氧化层含有硼磷杂质的SiO2 层，有较低的熔点，硼磷氧化层(BPSG) 加热到800 oC 时会软化并有流动特性，可使晶圆表面初级平坦化。
4.17深处理溅镀第一层金属利用光刻技术留出金属接触洞，溅镀钛+ 氮化钛+ 铝+ 氮化钛等多层金属膜。
离子刻蚀出布线结构，并用PECVD 在上面沉积一层SiO2 介电质。
并用SOG (spin on glass) 使表面平坦，加热去除SOG 中的溶剂。
然后再沉积一层介电质，为沉积第二层金属作准备。
（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。
有绝缘膜、半导体薄膜、金属薄膜等各种各样的薄膜。
薄膜的沉积法主要有利用化学反应的CVD(chemical vapor deposition) 法以及物理现象的PVD(physical vapor deposition) 法两大类。
CVD 法有外延生长法、HCVD ， PECVD 等。
PVD 有溅射法和真空蒸发法。
一般而言， PVD 温度低，没有毒气问题； CVD 温度高，需达到1000 oC 以上将气体解离，来产生化学作用。
PVD 沉积到材料表面的附着力较CVD 差一些， PVD 适用于在光电产业，而半导体制程中的金属导电膜大多使用PVD 来沉积，而其他绝缘膜则大多数采用要求较严谨的CVD 技术。