柔性低温多晶硅薄膜晶体管的弯曲稳定性

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有机薄膜晶体管的优势

有机薄膜晶体管的优势有机薄膜晶体管（Organic Thin Film Transistor，简称OTFT）是一种利用有机材料构建的薄膜晶体管结构。

相比传统的硅基薄膜晶体管，有机薄膜晶体管具有许多独特的优势。

有机薄膜晶体管具有低成本的优势。

由于有机材料相对于硅材料更容易制备和加工，所以生产有机薄膜晶体管的成本较低。

此外，有机材料通常是可溶的，可以通过印刷技术等低成本的制造方法来制备大面积的有机薄膜晶体管，从而进一步降低成本。

有机薄膜晶体管具有柔性和可弯曲的特点。

由于有机材料具有高度的柔韧性和可塑性，因此制备的有机薄膜晶体管可以在弯曲的表面上工作，甚至可以制备成可折叠的设备。

这为柔性显示器、电子纸等新型设备的发展提供了可能。

有机薄膜晶体管还具有低电压驱动的优势。

与硅基薄膜晶体管相比，有机薄膜晶体管的工作电压更低，通常只需要几伏的电压即可实现可靠的开关控制。

这意味着在同样功耗下，有机薄膜晶体管可以实现更低的电压驱动，从而节省能源并延长电池寿命。

有机薄膜晶体管还具有快速响应和高频率特性。

由于有机材料具有较高的载流子迁移率，所以有机薄膜晶体管可以实现较高的开关速度和频率响应。

这使得有机薄膜晶体管在显示器、光电传感器等领域具有广阔的应用前景。

有机材料还具有可调性和可多功能化的特点。

通过对有机分子结构的调整和功能化改造，可以实现有机薄膜晶体管的电学性能调控和多功能化设计。

这为有机薄膜晶体管在逻辑电路、存储器、传感器等应用中展示出更加丰富的功能提供了可能。

有机薄膜晶体管具有低成本、柔性可弯曲、低电压驱动、快速响应和高频率特性以及可调性和可多功能化等优势。

这些优势使得有机薄膜晶体管在可穿戴设备、柔性电子产品、医疗器械等领域具有广泛的应用前景。

随着有机材料的不断发展和研究，相信有机薄膜晶体管将在未来的科技领域发挥更加重要的作用。

晶体管的温度稳定性和零点漂移

晶体管晶体管特性特性特性的温度稳定性的温度稳定性（电子科大微固学院 Xie Meng-xian ）双极型晶体管在应用上的温度稳定性是一个很重要的问题。

因为晶体管是温度的敏感器件，它的参数（V BE 、β、I CBO ）都将会随温度而发生变化，并使得放大电路的静态工作点产生偏移。

这种变化不仅会影响到一般电路工作的稳定性，而且也会导致晶体管直接耦合放大电路产生零点漂移（温度漂移）。

对于一般的晶体管放大电路，其温度的稳定性就主要决定于晶体管工作点（直流电压和直流电流）随着温度而发生的变化；而导致这种变化的主要原因则是晶体管集电结反向饱和电流（I CBO ）的变化。

（1）影响晶体管温度稳定性的因素影响晶体管温度稳定性的因素：：因为共发射极放大晶体管的输出集电极电流I C ，可表示为放大了的输入电流（即βI B ）与晶体管穿透电流I CEO 之和：I C = β I B + I CEO ≈ β I B + β I CBO可见，当工作温度变化时，晶体管电流放大系数β的变化以及I CBO 的变化，都将要引起晶体管输出电流的变化（即工作点变化）。

由于集电结反向饱和电流I CBO 是少数载流子扩散电流，则该电流决定于集电区和基区中的是少数载流子浓度梯度，近似与该两个区域中的少数载流子浓度成正比。

而半导体中的少数载流子浓度与温度之间存在着指数函数的关系（即少数载流子浓度将随着温度的升高而指数式增大），因此，晶体管的I CBO 也将随着温度的升高而指数式增大。

从而，这就会导致晶体管输出电流也相应地随着温度的升高而很快增大。

相对来说，晶体管电流放大系数随温度的变化较小，则在考虑温度变化的影响时，可以忽略β变化对晶体管输出电流的作用。

所以，在温度变化时，晶体管输出电流的变化将主要是由于晶体管的集电结反向饱和电流这个因素的影响。

从而可以见到：① 为了提高晶体管的温度稳定性，就应该尽量减小晶体管的集电结反向饱和电流或者晶体管的穿透电流。

低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示技术（LTPSTFT

低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示技术（LTPS TFT北方彩晶集团谷至华2005年1月由于多晶硅电学性能上的优势，可以实现玻璃基板上的驱动集成（CHIP ON GLASS 简写COG）,系统集成（SYSTEM ON GLASS 简写SOG），可以现实更高分辨率，更快的响应速度，稳定性，可靠性更高的显示器件，低温多晶硅是TFT-LCD产业发展的方向。

该领域涉及主要产品及技术主要产品:手机、数码相机、便携视听产品，车载移动终端，高级计算机显示器等。

技术：低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器（Lp-Si TFT－LCD）技术涉及集成电路设计、信号转换、薄膜技术、液晶显示技术、激光技术、界面处理技术等，低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器是目前世界上最新的技术，代表了一个国家的平板显示产业的技术水平。

1.技术及产品发展现状LTPS TFT物理电学特性较a-Si TFT性能更加优异，具有更高的集成度，可以实现驱动电路的集成，甚至计算机系统的集成，外接元件大量减少，器件的性能得到大幅度提升，更加稳定，更加可靠，而器件的成本会更加低。

是平板显示技术的发展方向。

但是由于技术难度比较大，特别是大面积激光退火技术具有非常大的工艺挑战性。

目前只有日本东芝和松下在新加坡投资的4.5五代线可以生产17英寸的多晶硅液晶显示器，其他公司基本上只能处理手机和移动终端的小尺寸的多晶硅。

多晶硅TFT-LCD还是投影显示领域的核心技术之一。

是数字化电影院建设的关键部件，在教育、办公和大屏幕投影家庭影院领域也有巨大的市场。

随着LTPS技术的逐渐成熟，在未来的10年中，LTPS将成为平板显示领域的核心技术，有机电致发光，厚膜无机电致发光都需要LTPS技术，大尺寸液晶电视也期待着LTPS的应用。

LTPS作为平板显示器产业的重大潜在核心技术受到国际上科研和产业界的高度重视。

通过对早期TFT-LCDa-Si TFT生产线改造，投入少，可以使产业迅速升级。

目前国际上3代一下的非晶硅TFT-LCD生产线基本上都已经改造成为多晶硅生产线。

多晶硅薄膜材料在高温环境下性能稳定性研究

多晶硅薄膜材料在高温环境下性能稳定性研究下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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低温多晶硅晶体管

低温多晶硅晶体管低温多晶硅晶体管（Low-Temperature Polycrystalline Silicon Transistor）是一种常用的半导体器件，具有广泛应用于电子设备中的特点。

本文将介绍低温多晶硅晶体管的原理、制备方法、特性及应用。

一、原理低温多晶硅晶体管是基于多晶硅材料制备的晶体管。

晶体管是一种能够放大和开关电信号的电子器件，由发射极、基极和集电极组成。

在低温多晶硅晶体管中，多晶硅材料被用作半导体材料。

多晶硅是由许多小的晶粒组成的，相比于单晶硅具有更低的生产成本和更高的制备效率。

多晶硅晶体管的工作原理是基于PN结的电子输运过程。

当在多晶硅材料中形成PN结时，当施加外加电压时，PN结上的电子和空穴会在高场强的作用下被加速，从而形成电子注和空穴注。

通过控制电子注和空穴注的流动，可以实现电流的控制和放大，从而实现晶体管的放大和开关功能。

二、制备方法低温多晶硅晶体管的制备通常采用化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）的方法。

CVD是一种通过气体在表面反应生成固体薄膜的方法。

在制备低温多晶硅晶体管时，首先需要将硅衬底表面进行清洗和处理，以提高多晶硅材料的质量和结晶度。

然后，在高温下，将硅衬底放置在一定气氛中，通过气体的化学反应，在硅衬底表面沉积一层多晶硅薄膜。

多晶硅薄膜的质量和结晶度会影响到晶体管的性能。

因此，制备过程中需要控制反应温度、气氛成分和沉积时间等参数，以获得高质量的多晶硅材料。

三、特性低温多晶硅晶体管具有多种特性，使其在电子设备中得到广泛应用。

1. 低温制备：相比于单晶硅晶体管，低温多晶硅晶体管的制备温度较低，可以在较低的温度下完成制备过程，从而降低了生产成本。

2. 高制备效率：多晶硅材料具有较高的制备效率，可以在较短的时间内制备大面积的多晶硅材料。

3. 良好的电性能：低温多晶硅晶体管具有良好的电性能，包括较高的电导率、较低的电阻和较高的载流子迁移率，能够满足电子器件对电流放大和开关的要求。

LTPS低温多晶硅技术浅析

LTPS低温多晶硅技术浅析一、LTPS简介低温多晶硅（Low Temperature Poly-silicon；LTPS，以下以LTPS代称）是平板显示器领域中的又一新技术。

继非晶硅（Amorphous-Silicon，以下以a-Si代称）之后的下一代技术。

Polysilicon (多晶硅) 是一种约为0.1至数个um大小、以硅为基底的材料，由许多硅粒子组合而成。

在半导体制造产业中，多晶硅通常经由LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)处理后，再以高于900C的退火程序，此方法即为SPC (Solid Phase Crystallization) 。

然而此种方法却不适合用于平面显示器制造产业，因为玻璃的最高承受溫度只有650℃。

因此，LTPS技术即是特別应用在平面显示器的制造上。

传统的非晶硅材料（a-Si）的电子迁移率只有0.5 cm2/V‧S，而低温多晶硅材料（LTPS）的电子迁移率可达50～200 cm2/V‧S，因此与传统的非晶硅薄膜电晶体液晶显示器（a-Si TFT-LCD）相比，低溫多晶硅TFT-LCD具有更高解析度、反应速度快、亮度高(开口率aperture ratio高)等优点，同时可以将周边驱动电路同时制作在玻璃基板上，达到在玻璃上集成系统（SOG）的目标，所以能够节省空间和成本此外，LTPS技术又是发展主动式有机电致发光（AM-OLED）的技术平台，因此LTPS技术的发展受到了广泛的重视。

二、非晶硅（a-Si）与低温多晶硅（LTPS）的区别一般情况下低温多晶硅的制程温度应低于摄氏600℃，尤其对LTPS区别于a-Si制造的制造程序“激光退火”（laser anneal）要求更是如此。

与a-Si相比，LTPS的电子移动速度要比a-Si 快100倍，这个特点可以解释两个问题：首先，每个LTPS PANEL 都比a-Si PANEL反应速度快；其次，LTPS PANEL 外观尺寸都比a-Si PANEL小。

ltps工艺技术介绍

ltps工艺技术介绍LTPS工艺技术，全称为低温多晶硅技术（Low Temperature Poly-Silicon），是一种在低温下制备多晶硅的工艺技术。

它在显示屏制造领域广泛应用，特别是在智能手机和平板电脑的屏幕制造上。

LTPS工艺技术相对于传统的TFT-LCD工艺技术具有很多优势，下面我们来介绍一下。

首先，LTPS工艺技术可以制造出更高分辨率和更高精度的屏幕。

多晶硅的晶粒更小，可以在同样的面积上装下更多的晶粒，从而提高分辨率。

同时，LTPS工艺技术可以制造出更细腻的像素点，使显示效果更加细腻和真实。

其次，LTPS工艺技术可以提高屏幕的响应速度。

在传统的TFT-LCD工艺技术中，液晶分子移动的速度有限，导致刷新速度较慢，容易出现动态模糊现象。

而LTPS工艺技术采用了更高质量的多晶硅材料，可以使晶体管开关速度更快，从而提高屏幕的响应速度，减少动态模糊现象的发生。

另外，LTPS工艺技术可以节省能源和降低功耗。

在传统的TFT-LCD工艺技术中，需要使用背光模组来提供光源，而LTPS工艺技术采用了自发光的设计，可以直接通过薄膜晶体管激活像素，减少了能量传递过程中的损耗，从而达到节能和降低功耗的效果。

此外，LTPS工艺技术还可以制造出更薄更轻的屏幕。

相比于传统的TFT-LCD工艺技术，LTPS工艺技术所需要的驱动电路更小更精简，可以减少屏幕的厚度和重量，提高设备的便携性。

最后，LTPS工艺技术还可以提高屏幕的可靠性和寿命。

多晶硅具有更好的稳定性和耐用性，可以抵抗氧化和老化的影响，从而延长屏幕的使用寿命。

同时，LTPS工艺技术可以减少杂散电流和漏电流的发生，提高屏幕的稳定性和可靠性。

总之，LTPS工艺技术在显示屏制造领域具有广泛的应用前景。

它可以制造出更高分辨率、更高精度、更快响应速度、更节能、更薄轻、更可靠的屏幕，满足了现代科技产品对屏幕显示质量的要求，推动了智能手机和平板电脑等设备的发展。

随着技术的进步和创新，相信LTPS工艺技术在未来还将有更多的突破和应用。

LTPS制程与技术发展

LTPS制程与技术发展简介LTPS（Low Temperature Polysilicon）是指低温多晶硅制程。

它是一种用于制造高分辨率、高灵敏度的主动矩阵液晶显示器（AM-LCD）的技术。

LTPS制程与技术在过去几十年里经历了长足的发展，为现代液晶显示器的高品质和高性能提供了坚实的基础。

本文将重点介绍LTPS制程的原理、工艺步骤以及技术发展。

原理LTPS制程的原理是通过在低温条件下生长多晶硅薄膜来制造晶体管。

与普通的TFT（Thin Film Transistor）技术相比，LTPS制程可以在较低的温度下实现更高的结晶度和更高的电子移动度。

这样可以提高晶体管的开关速度和电流驱动能力，从而实现更高的像素密度和更快的响应时间。

LTPS制程使用的低温多晶硅薄膜通常通过两个步骤来生长：首先是硅薄膜的液相晶化（Liquid Phase Crystallization，LPC）过程，然后是后晶体治理（Post Annealing）过程。

在液相晶化过程中，通过在多晶硅薄膜上加热的同时用激光或其他能量源进行照射，使硅原子重新排列成晶体结构。

而在后晶体治理过程中，通过进一步的加热和退火处理来消除晶粒边界和其它缺陷，使得薄膜具有更好的结晶度和电学特性。

工艺步骤以下是LTPS制程的主要步骤：1.衬底准备：选择适当的衬底材料，通常使用的是玻璃基板或亚克力基板。

2.薄膜堆叠：在衬底上依次生长SiO2、SiNx等薄膜层，以提供电学绝缘和机械支撑。

3.多晶硅生长：在薄膜堆叠的表面上用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）等方法生长一层非晶硅（a-Si）薄膜。

这是后续多晶硅生长的基础。

4.液相晶化：使用激光或其他能量源进行照射，在退火和加热的作用下，实现多晶硅薄膜的晶体结构生长。

5.后晶体治理：通过进一步的加热和退火处理，消除晶粒边界和其它缺陷，使得薄膜具有更好的结晶度和电学特性。

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ＢｅｎｄｉｎｇＳｔａｂｉｌｉｔｙｏｆＦｌｅｘｉｂｌｅＬｏｗ
ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＰｏｌｙ－ｓｉｌｉｃｏｎＴｈｉｎ－ｉｌｆｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ
ＹＵＥＺｈｉ．ｆｕ。
３．上海天马微电子有限公司，上海２０１２０１）
２０００７２；
摘要：研究了以聚酰亚胺为基板的ｐ型低温多晶硅薄膜晶体管在不同弯曲半径下的偏压稳定性。当曲率半
径从１５ｍｍ变到３ｍｍ时，在拉伸弯曲状态下，阈值电压和平坦时保持一致（＝一１．３４Ｖ），迁移率从
第３８卷
第９期
发光学报
ＣＨＩＮＥＳＥＪｏＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ
Ｖ０ｌ＿３８Ｎｏ．９Ｓｅｐｔ
，
２０１７年９月
２０１７
文章编号：１０００－７０３２（２０１７）０９・１２０５－０５
４５．６５ａｍ／（Ｖ・ｓ）降到４５．１７ａｍ／（Ｖ・ｓ），开关比增大；在压缩弯曲状态下，转移特性曲线和平坦状态保持
了非常好的一致性。在最小弯曲半径为３ｍｉｌｌ时，进行了正负偏压稳定性测试，结果表明，器件依然具有很好：柔性；低温多晶硅薄膜晶体管；低温多晶硅；弯曲；稳定性
文献标识码：ＡＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘｂ２０１７３８０９．１２０５
中图分类号：ＴＮ３２１
柔性低温多晶硅薄膜晶体管的弯曲稳定性
岳致富，吴勇。，李喜峰，杨祥，姜姝，许云龙
（１．上海大学材料科学与工程学院，上海２０００７２；
２．上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室，上海
ｍｍ．Ｆｏｒｔｈｅｓｔｒｅｔｃｈｂｅｎｄｉｎｇ，ｔｈｅｔｈｒｅｓｈｏｌｄｖｏｌｔａｇｅｋｅｐｔｔｈｅｓａｍｅｗｉｔｈｔｈｅｌｆａｔ（ｈ＝一１．３４Ｖ），ｔｈｅｍｏｂｉｌｉｔｙｒｅｄｕｃｅｄｒｆｏｍ４５．６５ｃｍ／（Ｖ・ｓ）ｔｏ４５．１７ｃｍ／（Ｖ・８），ａｎｄＩｏｎ／Ｉ。ｉｎｃｒｅａｓｅｄ．Ｆｏｒ
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Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｂｉａｓｓｔａｂｉｌｉｔｙｏｆｔｈｅｌｅｆｘｉｂｌｅｔｈｉｎ．ｉｌｆｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｕｎｄｅｒｖａｒｉｏｕｓｂｅｎｄｉｎｇｒａｄｉｉｗａｓｉｎ．
ｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ．Ｔｈｅｔｈｉｎ－ｉｌｆｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｗｉｔｈｐ－ｔｙｐｅｌｏｗｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｐｏｌｙ－ｓｉｌｉｃｏｎｃｈａｎｎｅｌｌａｙｅｒｓｗｅｒｅ
ｆａｂｒｉｃａｔｅｄｏｎｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓｕｂｓｔｒａｔｅ．Ｔｈｅｃｈａｎｇｉｎｇｒｅｇｉｏｎｏｆｔｈｅｂｅｎｄｉｎｇｒａｄｉｕｓｗａｓｆｒｏｍ１５ｍｍｔｏ３