二极管伏安特性试验
二极管的伏安特性曲线实验报告
二极管的伏安特性曲线实验报告实验报告实验名称：二极管的伏安特性曲线实验实验目的：1. 理解半导体材料的特性2. 理解二极管的基本结构和工作原理3. 掌握二极管的伏安特性曲线及其应用实验原理：二极管是一种半导体元器件，由p型半导体和n型半导体构成。
p型半导体具有正电荷载流子（空穴），n型半导体具有负电荷载流子（电子）。
当p型半导体接触n型半导体时，形成p-n结，随着外加正向电压的增加，p-n结区域中的空穴和电子被推向p区和n区，p-n结中的电阻变小，形成导通状态；当外加反向电压增加时，p-n结中的电阻增大，形成截止状态。
实验步骤：1. 将二极管连接在电路实验板上，通过万用表测量二极管的端子正向电压和反向电压；2. 在电源电压恒定条件下，分别改变二极管的正向电压和反向电压，记录相应的电路电流值；3. 根据实验数据，绘制二极管的伏安特性曲线图。
实验结果：通过实验数据，绘制出了二极管的伏安特性曲线，曲线呈现出明显的“S”型。
当正向电压为0.6-0.7V时，二极管开始导通，电路电流急剧增加；反向电压逐渐增加时，电路电流基本保持稳定。
二极管的正向导通电压和反向击穿电压分别为0.6-0.7V和80-100V。
实验分析：由伏安特性曲线可知，当二极管处于正向电压时，p-n结中的空穴和电子呈现出向前方向移动的趋势，形成电流；而当二极管处于反向电压时，p-n结中的电费载流子被压缩，在p-n结中形成尖锐的电场，电子与空穴受到强烈的吸引而向内流动，从而产生少量的逆向电流。
实验结论：通过本次实验，我们得到了二极管的伏安特性曲线图，理解并掌握了二极管的基本结构和工作原理，这对我们深入理解半导体材料和电子元器件的特性及其应用具有重要意义。
测绘二极管伏安特性曲线的实验报告
测绘二极管伏安特性曲线的实验报告
一、名称：测绘二极管伏安特性曲线
二、实验目的：
依据二极管非线性电阻元件的特点，选择实验方案，设计合适的检测电路，选择配套的仪器，测绘出二极管元件的伏安特性曲线。
三、仪器与用具：
函数信号发生器、万用表、导线若干、待测稳压二极管、示波器、两个已知阻值的电阻。
四、实验原理
对二极管施加正向偏置电压时，则二极管中就有正向电流通过（多数载流子导电），随着正向偏置电压的增加，开始时，电流随电压变化很缓慢，而当正向偏置电压增至接近二极管导通电压时（锗管为0.2V左右，硅管为0.7V左右），电流急剧增加，二极管导通后，电压的少许变化，电流的变化都很大。
五、实验内容
电路图
步骤
1.先用二极管测定稳压二极管的正、负极，再按如图所示的电路图在面包板上
连线。
注意：要熟悉面包板的使用。
2.再把万用表调到直流电压档，然后把函数信号发生器调节到10Vpp，接着把
电路接通电源，再接好示波器上的X,Y轴接线柱，就可以在示波器上看到伏安特性曲线，在调节清晰。
注意要用函数信号发生器上的正弦波或三角波。
六、数据处理
伏安特性曲线图。
伏安法测二极管的伏安特性(精)
3.R0为限流器(即电阻箱)，改变电阻箱的阻值可改变正向电 流值。R1为限流器，R2为分压器。改变R1和R2可输出不 同的电压值，并由电压表指示，目的是与二极管两端的电 压进行比较。
4. 通常R1值越大，可测量的UD越小，R1值很小甚至为零， 可测量较大的UD值。
实验步骤和要求
1、根据图8-2连接线路，并预置R0为最大值，R1为最大 值，R2的输出为零，注意电表的极性!
2、接通电源，注意观察有无异常情况发生，否则马上 切断电源，根据现象检查故障。
3、选择各种值UD (0.1～0.6 V)，对于每种UD值，调节 R0，使检流计指示为零，记下电流表的电流值． 4.根据测量数据，绘出二极管正向伏—安特性曲线
实验8 伏安法测二极管的伏—安特性
伏安法是测绘电阻元件伏安特性曲线的最简单的实验 方法。为了使测量更为精确，还可以利用电位差计、示波 器或电桥等检测仪器测量电阻的伏安特性曲线。 非线性电阻的伏安特性所反映的规律，总是与特定的一些 物理过程相联系的，对于非线性电阻特性和规律的深入分 析，有利于对有关物理过程的理解和认识。 实验目的 1、掌握分压器和限流器的使用方法。 2、熟悉测量伏安特性的方法。 3、了解二极管的正向伏安特性。
实验仪器和用具 器、 可变电阻箱、检流计、开关、待测二极管
．
图8-1 二极管的伏安特性
图8-2 伏安法测量二极管的特性电路
1. 当检流计指零时，电压表指示着二极管两端的正向电压值，
电流表A指示着流过二极管的正向电流 2. 如果将稳压电源的极性反向连接，按上述相同方法测量， 也可得到UD与ID的许多组数据，但这些数据表征着二极管 的反向特性。
实验1 二极管伏安特性曲线的测试
实验1 二极管伏安特性曲线的测试
一、实验目的：
学会使用电流表和电压表（或万用表）测试二极管的伏安特性。
二、实验器材
稳压电源、万用表（两个）、二极管(IN4007、2AP9)、电位器、电阻、实验电路板。
三、实验内容和步骤
1、测试二极管的正向特性
（1）按实验线路图1连接好电路。
（2）接通电源，调节R1的值，按表1所列的数据逐渐增大二极管两端的电压。
测出对应的流过二极管的正向电流I V，把测量结果填入表1中
（3）按表1中记录数据，在直角坐标系上逐点描出两种二极管的正向特性曲线。
图1
正向电压(V) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 2 3
正向电流（mA）1N4007 2AP9
2、测试二极管的反向特性
（1）按实验线路图2连接好电路（电压表与二极管并联）
（2）输出电压从0V开始起调，按每2V间隔依次提高加在二极管两端的反向电压，并测量不同反压时的反向漏电流并将其数据记入表2中（测量时要注意万用表的量程和极性）。
（3）按表2中记录数据，在同一个直角坐标系上描出两种二极管的反向特性曲线。
图2
反向电压（V）0 2 4 6 8
1N4007
反向电流（μA）
2AP9。
测量二极管的伏安特性实验报告
测量二极管的伏安特性实验报告实验报告课程名称：大学物理实验（1）实验名称：测量二极管的伏安特性学院：XX学院专业：XX 班级：XX 组号：XX 指导教师：XX报告人学号：XX 实验时间：年月日星期实验地点：科技楼903实验报告提交时间：一、实验目的了解晶体二极管的导电特性并测定其伏安特性曲线。
二、实验原理晶体二极管的导电特性：晶体二极管无论加上正向或反向电压，当电压小于一定数值时只能通过很小的电流，只有当电压大于一定数值时，才有较大电流出现，相应的电压可以称为导通电压。
正向导通电压小，反向导通电压相差很大。
当外加电压大于导通电压时，电流按指数规律迅速增大，此时，欧姆定律对二极管不成立。
实验线路图如下：注意：无论毫安表内接还是外接，实验数据都应该进行修正：毫安表外接时应该进行电流修正，内接时应该进行电压修正。
由于实验用毫伏表内阻很大（约100~1000多万欧姆），按照上述接法，数据修正简单：正向时伏特表的电流可以忽略；反向时，伏特表的电流始终保持0.0006mA，很容易修正。
假如将毫安表内接，则无论正向反向，每一个数据都要做电压修正，并且每个修正值都不同，给实验带来很大麻烦。
三、实验仪器晶体二极管、电压表、电流表、电阻箱、导线、电源、开关等。
四、实验内容和步骤1、测定正向特性曲线打开电源开关，把电源电压调到最小，然后接通线路，逐步减小限流电阻，直到毫安表显示1.9999mA，记录相应的电流和电压。
然后调节电源电压，将电压表的最后一位调节成0，记录电压与电流；以后按每降低0.010V测量一次数据，直至伏特表读数为0.5500V为止。
此时，正向电流不需要修正。
2、测定反向特性曲线把线路改接后，接通线路，将电源电压调到最大，逐步减小限流电阻，直到毫安表显示1.9999mA为止，记录相应的电流和电压。
然后调节电源电压或者限流电阻，再将电流调节为1.8006、1.6006、1.4006……mA情况下，记录相应的电压；其中0.0006mA为伏特表的电流，此为修正电流，记录电流时应该自行减去。
实验3-1 伏安法测晶体二极管特性.
实验3-1 伏安法测晶体二极管特性给一个元件通以直流电，用电压表测出元件两端的电压，用电流表测出通过元器件的电流。
通常以电压为横坐标、电流为纵坐标，画出该元件电流和电压的关系曲线，称为该元件的伏安特性曲线。
这种研究元件特性的方法称为伏安法。
伏安特性曲线为直线的元件称为线性元件，如电阻；伏安特性曲线为非直线的元件称为非线性元件，如二极管、三极管等。
伏安法的主要用途是测量研究线性和非线性元件的电特性。
非线性电阻总是与一定的物理过程相联系，如发热、发光和能级跃迁等，江崎玲、於奈等人因研究与隧道二极管负电阻有关的现象而获得1973年的诺贝尔物理学奖。
【实验目的】1．具体了解和分析二极管的伏安特性曲线。
2．学会分析伏安法的电表接入误差，正确选择电路使其误差最小。
3．学会电表、电阻器、电源等基本仪器的使用。
【仪器用具】安培计、伏特计、变阻器、转盘电阻箱、甲电池、待测二极管、导线、双刀双掷倒向开关、单刀开关【实验原理】半导体二极管的核心是一个PN结，这个PN结处在一小片半导体材料的P区与N区之间（如图3-1-1），它由这片材料中的P型半导体区域和N型半导体区域相连所构成。
连接P 型区域的引出线称为P极，连接N型区域的引出线称为N极。
当电压加在PN结上时，若电压的正端接在P极上，电压的负端接在N极上（如图3-1-2），称这种连接为“正向连接”；反之，档PN结的两极反向连接到电压上时为“反向连接”。
正向连接时，二极管很容易导图3-1-1 图3-1-2通，反向连接时，二极管很难导通。
我们称二极管的这种特性为单向导电性。
实验工作中往往利用二极管的单向导电性进行整流、检波、作电子开关等。
二极管电流随外加电压变化的关系曲线称为伏安特性曲线。
二极管的伏安特性曲线如图3-1-3和图3-1-4所示。
这两个图说明了二极管的单向导电性。
由图可见，在正向区域，锗管和硅管的起始导通电压不同，电流上升的曲线斜率也不同。
图3-1-3 图3-1-4利用绘制出的二极管的伏安特性曲线，可以计算出二极管的直流电阻及表征其它特性的某些参数。
二极管正向伏安特性测量(精)
非线性元件伏安特性的测量
——二极管正向伏安特性测量
一、实验目的
研究非线性元件伏安特性,对二极管正向伏安特性测量
二、实验仪器
整流二极管(1N4007、数字万用表2个、DH-VC1直流恒压源恒流源、变阻器、开关、导线若干,九孔插排等。
数字万用表2个, 三、实验原理
对二极管施加正向偏置电压时,则二极管中就有正向电流通过(多数载流子导电,随着正向偏置电压的增加,开始时,电流随电压变化很缓慢,而当正向偏置电压增至接
近二极管导通电压时(锗管为0.2V 左右,硅管为 0.7V 左右,电流急剧增加,二极管导通后,电压的少许变化,电流的变化都很大。
四、实验内容及步骤
⒈如图所示接好电路
⒉调节滑动变阻器,测量二极管在指定电压下电流表的读数,记录在表格中。
⒊画出伏安特性曲线
五、实验数据 1 2 3 4 5 6 7 8 U(v 0.20 0.40 0.50 0.55 0.60 0.65 0.68 0.69 I (mA
0.00
0.01 0.17 0.27 0.86 2.61 5.15 6.45
六、实验数据处理
七、实验结果
由上图分析,对二极管施加正向偏置电压时,随着正向偏置电压的增加,开始时,电流随电压变化很缓慢,而当正向偏置电压增至接近二极管导通电压时,电流急剧增加,二极管导通后,电压的少许变化,电流的变化都很大。
二极管伏安特性试验
实验十二非线性元件伏安特性的测量和研究给一个元件通以直流电，用电压表测出元件两端的电压，用电流表测出通过元器件的电流。
通常以电压为横坐标、电流为纵坐标，画出该元件电流和电压的关系曲线，称为该元件的伏安特性曲线。
这种研究元件特性的方法称为伏安法。
伏安特性曲线为直线的元件称为线性元件，如电阻；伏安特性曲线为非直线的元件称为非线性元件，如二极管、三极管等。
伏安法的主要用途是测量研究线性和非线性元件的电特性。
非线性电阻总是与一定的物理过程相联系，如发热、发光和能级跃迁等，江崎玲、於奈等人因研究与隧道二极管负电阻有关的现象而获得1973年的诺贝尔物理学奖。
【实验目的】通过实验测量普通二极管、稳压二极管和发光二极管的伏安特性，掌握非线性元件伏安特性的测量方法、基本电路、误差计算，能够给出所测量元件的特性参数（如正向、反向导通电压，反向饱和电流。
击穿电压等）。
【实验仪器】非线性元件伏安特性实验仪，其控制面板如图1所示。
仪器由直流稳压电源、数字电压表、数字电流表、可变电阻器、普通二极管、稳压二极管、发光二极管、待测电阻等组成。
图1 非线性元件伏安特性实验仪控制面板仪器的使用及注意事项1、在实验过程中，通过调节分压调节以及分流调节旋钮来调节待测元件两端的电压。
2、面板的左部分电路为用来测试待测元件的正向特性；右部分电路用来测试待测元件的反向特性。
3、待测元件两端的电压由电压表给出，在测正向特性的时候，应该使用2V电压挡；在测量反向电压特性的时候，要使用20V 电压挡。
4、 在接线的过程中，注意不要将各个元件的正负向接反。
5、 由于本实验需要连接线较多，在实验中应注意正确连接线路，且在使用时不可用力过猛。
6、 在测量反向特性时，当反向电流开始增大时应注意缓慢调节电压。
如果观测到反向电流有突变趋势，应该立即减小电压。
图2 非线性元件伏安特性实验仪实物照片【实验原理】1、伏安特性根据欧姆定律，电阻R 、电压U 、电流I,有如下关系：R U I = （1）由电压表和电流表的示值U 和I 计算可得到待测元件Rx 的阻值。
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实验十二非线性元件伏安特性的测量和研究给一个元件通以直流电，用电压表测出元件两端的电压，用电流表测出通过元器件的电流。
通常以电压为横坐标、电流为纵坐标，画出该元件电流和电压的关系曲线，称为该元件的伏安特性曲线。
这种研究元件特性的方法称为伏安法。
伏安特性曲线为直线的元件称为线性元件，如电阻；伏安特性曲线为非直线的元件称为非线性元件，如二极管、三极管等。
伏安法的主要用途是测量研究线性和非线性元件的电特性。
非线性电阻总是与一定的物理过程相联系，如发热、发光和能级跃迁等，江崎玲、於奈等人因研究与隧道二极管负电阻有关的现象而获得1973年的诺贝尔物理学奖。
【实验目的】通过实验测量普通二极管、稳压二极管和发光二极管的伏安特性，掌握非线性元件伏安特性的测量方法、基本电路、误差计算，能够给出所测量元件的特性参数（如正向、反向导通电压，反向饱和电流。
击穿电压等）。
【实验仪器】非线性元件伏安特性实验仪，其控制面板如图1所示。
仪器由直流稳压电源、数字电压表、数字电流表、可变电阻器、普通二极管、稳压二极管、发光二极管、待测电阻等组成。
图1 非线性元件伏安特性实验仪控制面板仪器的使用及注意事项1、在实验过程中，通过调节分压调节以及分流调节旋钮来调节待测元件两端的电压。
2、面板的左部分电路为用来测试待测元件的正向特性；右部分电路用来测试待测元件的反向特性。
3、待测元件两端的电压由电压表给出，在测正向特性的时候，应该使用2V电压挡；在测量反向电压特性的时候，要使用20V 电压挡。
4、 在接线的过程中，注意不要将各个元件的正负向接反。
5、 由于本实验需要连接线较多，在实验中应注意正确连接线路，且在使用时不可用力过猛。
6、 在测量反向特性时，当反向电流开始增大时应注意缓慢调节电压。
如果观测到反向电流有突变趋势，应该立即减小电压。
图2 非线性元件伏安特性实验仪实物照片【实验原理】1、伏安特性根据欧姆定律，电阻R 、电压U 、电流I,有如下关系：R U I = （1）由电压表和电流表的示值U 和I 计算可得到待测元件Rx 的阻值。
但非线性元件的R 是一个变量，因此分析它的阻值必须指出其工作电压（或电流）。
非线性元件的电阻有两种方法表示，一种称为静态电阻（或称为直流电阻），用D R 表示；另一种称为动态电阻用D r 表示，它等于工作点附近的电压改变量与电流改变量之比。
动态电阻可通过伏安曲线求出，如图3所示，图中Q 点的静态电阻D Q Q R U I =,动态电阻D r dU dI =。
图3 非线性元件的伏安特性曲线测量伏安特性时，受电压表、电流表内阻接入影响会引入一定的系统误差，由于数字式电压表内阻很高、数字式电流表内阻很小，在测量低、中值电阻时引入系统误差很小，一般可忽略不计。
2、半导体二极管半导体二极管是一种常用的非线性元件,由P型、N型半导体材料制成PN结，经欧姆接触引出电极，封装而成。
在电路中用图4(a)符号表示，两个电极分别为正极、负极。
二极管的主要特点是单向导电性，其伏安特性曲线如图4(b)所示，其特点是：在正向电流和反向电压较小时，电流较小，当正向电压加大到某一数值U D时，正向电流明显增大，将此段直线反向延长与横轴向交，交点U D称为正向导通阈值电压。
正向导通后，锗管的正向电压降为0.2-0.3V,硅管为0.6-0.8V。
在反向电压较大时，电流趋近极限值-Is,Is为反向饱和电流；在反向电压超过某一数值-Ub时，电流急剧增大，这种情况称为击穿，Ub为击穿电压。
图4（b）图5(b)图4，图5 普通二极管和稳压二极管的符号（a）和伏安特性（b）二极管的主要参数：最大整流电流I f,即二极管正常工作时允许通过的最大正向平均电流；最大反向电压Ub,一般为反向击穿电压的一半；反向电流Ir是反向饱和电流的额定值。
由于二极管具有单向导电性，它在电子电路中得到了广泛应用，常用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件等。
3、稳压二极管稳压二极管是一种特殊的硅二极管,表示符号如图5(a);其伏安特性曲线如图5(b)，在反向击穿区一个很宽的电流区间，伏安曲线徒直，此直线反向与横轴相交于Uw 。
与一般二极管不同，普通二极管击穿后电流急剧增大，电流超过极限值-Is ，二极管被烧毁。
稳压二极管的反向击穿是可逆的，去掉反向电压，稳压管又恢复正常，但如果反向电流超过允许范围，稳压管同样会因热击穿而烧毁。
故正常工作时要根据稳压二极管的允许工作电流来设定其工作电流 。
稳压管常用在稳压、恒流等电路中。
稳压管的主要参数：稳定电压Uw 、动态电阻rD(rD 越小,稳压性能越好）、最小稳压电流Imin 、最大稳压电流Imax 、最大耗散功率Pmax 。
（a ） (b) 图6 发光二极管的表示符号及其工作原理4、发光二极管(LED)发光二极管是由III-V 族化合物如GaAs （砷化镓）、GaP （磷化镓）、GaASP （磷砷化镓）等半导体材料制成的，其核心是PN 结。
因此它具有一般PN 结的伏安特性，即正向导通、反向截止、击穿特性。
LED 的表示符号如图6（a ），其主要是它具有发光特性。
在正向电压下，电子由N 区注入P 区，空穴由P 区注入N 区。
进入对方区域形成少数载流子，此时进入P 区的电子和P 区的空穴复合，进入N 区的空穴和N 区的电子复合，并以发光的形式辐射出多余的能量，这就是LED 工作的基本原理，如图6（b ）所示。
假设发光是在P 区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，但每次释放的能量不大，不能形成可见光。
发光的复合量相对非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。
由于复合是在少子扩散区内发光的，所以发光仅在靠近PN 结面数μm 以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体禁带宽度Eg 有关，即λ≈1240/Eg(nm)式中Eg=e*U D 、，单位为电子伏特（eV ）。
若能产生的可见光波长在380nm(紫光)～780nm(红光），半导体材料的Eg 应在3.26～1.63 eV 之间。
比红光波长长的光为红外光。
目前已有红外、红、黄、绿、白、蓝光等发光二极管。
发光二极管(LED)的主要参数：⑴最大正向电流IFm ：允许加的最大正向直流电流，超过此值LED 损坏。
⑵正向工作电流IF ：指LED 正常发光时的正向电流值，在实际使用中应根据亮度需要选择IF 在0.6*IFm 以下。
⑶正向工作电压VF:参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下测得的，一般是在IF=20mA 时测得的，VF 在1.4～3V 。
⑷最大反向电压VRm ：允许加的最大反向电压，超过此值LED 可能被击穿损坏。
⑸允许功耗Pm: 允许加在LED 两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。
超过此值LED 发热损坏。
⑹伏安特性：LED的电压与电流的关系可用图5表示。
图5 发光二极管的伏安特性曲线图6某LED器件的发光的光谱分布⑺光谱分布和峰值波长：某一个LED所发的光并不是单一波长，其波长大体按图6所示。
由图可见该LED所发之光中某一波长λ0的光强最大，该波长为峰值波长。
⑻光谱半宽度△λ：它表示LED的光谱纯度，是指图6中1/2峰值光强所对应两波长之间隔。
*发光强度IV、半值角θ1/2和视角等指标也很重要，但本实验不作研究。
【实验内容及要求】（a）（b）图7 a 正向伏安特性测量原理图 b 反向伏安特性测量原理图1、测量普通二极管的正向伏安特性实验a 按照图7a将普通二极管连接到正向伏安特性测量电路中。
b电压从最小开始调节，观察正向电流，当开始有正向电流时即缓慢地调节Rx1使电压缓慢变化(另加分压保护电阻R2)，正向电流达到20mA时实验结束，这里要求实验数据不能少于20个。
记录I-U关系数据，在作图纸上描出正向伏安特性曲线。
说明：由于普通二极管的反向击穿电压一般很大（约100V左右），远远超出了安全电压的范围，因而实验中不需要测量普通二极管的反向伏安特性。
2、测量稳压二极管的正向、反向伏安特性实验a 按照图7a将稳压二极管连接到正向伏安特性测量电路中。
b 电压从最小开始调节，观察正向电流，当开始有正向电流时即用电压微调调节电压(另加分压保护电阻R2)，正向电流达到10mA时结束，这里要求实验数据不能少于20个。
在作图纸上描出正向伏安特性曲线。
c按照图7b将稳压二极管连接到反向伏安特性测量电路中。
d测反向击穿特性（稳压特性），实验数据不能少于10个，测出反向电流达10mA时稳压二极管的反向击穿电压（稳定电压）。
并用伏安法求出稳压二极管的动态电阻，说明动态电阻的大小对稳压特性的影响。
在作图纸上描出反向伏安特性曲线。
3、测量发光二极管的正向伏安特性a 按照图7a将一个发光二极管（红、黄、绿三种发光二极管其中的一个）连接到正向伏安特性测量电路中。
b电压从最小开始调节，观察正向电流，当开始有正向电流时即用电压微调调节电压(另加分压保护电阻R2)，记下它们导通电压（点亮电压），正向电流达到10mA时结束(正向电流最大不能超过20mA，否则LED可能烧坏)。
要求数据点不得少于20个，在作图纸上描出正向伏安特性曲线。
c更换一个发光二极管重复上述实验，得出该发光二极管的正向伏安特性。
d分别根据红、黄、绿、三种发光二极管的导通电压估算出它们的峰值波长。
【思考题】1.为什么测量稳压二极管时正、反向特性时电压表的接法不同？为什么选择的保护电阻Rx2和Rx4的值也不一样？2.什么是静态电阻和动态电阻，说明二者区别？3.PN结正向伏安特性曲线的函数形式可能是什么类型？写出其标准形式。
从实验数据求出二极管（PN结）I-U关系的经验公式。
4.设计一种方法，判断红、绿、蓝三基色发光二极管各自发光的波长范围。
【预习要求】1.熟悉仪器的使用方法。
2.熟悉非线性元件伏安特性的测量方法，熟悉正向导通阈值电压、击穿电压、峰值波长等的测量和计算方法。
3.熟悉测量步骤。