《模拟电子技术基础》重点和难点提纲-20151118

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(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结

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模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模拟电子技术基础复习提纲-全文可读

模拟电子技术基础复习提纲-全文可读
《模拟电子技术基础》复习提纲涵盖了九个核心章节。首章聚焦半导体二极管及其应用,涉及P型与N型半导的分析。第二章重点讨论晶体三极管及其基本放大电路,包括放大的条件、区域、通路、失真等,要求熟练掌握共发射极等放大电路的计算与分析。接下来,场效应管及其放大电路章节介绍了场效应管的工作原理及要求。第四章集成运算放大器是重点,涉及差分放大电路、共模抑制比等关键概念,以及典型电路的计算。第五章阐述负反馈放大电路的原理与影响。第六章讲述基于集成运放的信号运算与处理电路,如各种运算电路与电压比较器的识别与计算。第七章探讨信号产生与变换电路,特别是正弦波振荡的条件与识别。第八章功率放大电路则关注输出功率、转换效率等。最后,第九章直流稳压电源介绍了整流、滤波等基本概念与计算。整体而言,提纲全面梳理了模拟电子技术的基础知识点,为复习提供了明确的方向。

模拟电子技术课程复习提纲(复习必备)

模拟电子技术课程复习提纲(复习必备)

模拟电子技术课程复习提纲(复习必备)第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体:本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理;2、杂质半导体:杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子;3、PN 结:PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性;4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响;5、PN 结的伏安特性:)1(-=T U u S D e I I ,当T=300K 时mV U T 26=,伏安特性曲线:反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区;6、PN 结的反向击穿特性:击穿类型、击穿原因(雪崩击穿、齐纳击穿);7、PN 结的电容效应:势垒电容C T 、扩散电容C D ,PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。

§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号;2、二极管的伏安特性:)1(-=T D U u S D e I I ,⑴正向特性:死区开启电压U th =0.5V (Si )、0.1V (Ge ),正向导通电压U D(on)=0.7V (Si )、0.2V (Ge ),⑵反向特性:反向截止区,反向击穿区;3、二极管的温度特性;4、二极管的参数及其含义:F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=; 5、二极管的等效模型:理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号(微变等效)模型(注意微变等效模型的应用条件);6、二极管电路的分析方法:⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法(在Q 点附近i u 幅度较小时使用)、⑷微变等效电路分析法;7、稳压二级管:稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算;8、二极管应用(单向导电特性、二极管导通截止的判断)⑴静态工作分析、⑵整流电路(单管半波整流、双管全波整流、桥式整流)、⑶限幅电路(串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅)、⑷门电路;9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数,发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

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完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。

2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流,从而控制集电极电流,实现信号放大。

3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大,共集电极放大倍数最小。

三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。

2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。

3.共基极放大电路---具有电压放大的作用,输入电阻较低。

4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置,使其工作在放大区,保证放大电路的稳定性。

四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。

2.开关---控制大电流的通断。

3.振荡器---产生高频信号。

4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性,实现稳定的输出电压。

模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,如硅Si、锗Ge。

2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子,是半导体中的两种主要载流体。

5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

根据掺杂元素的不同,可分为P型半导体和N型半导体。

6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。

7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结,具有单向导电性和接触电位差等特性。

8.PN结的伏安特性是指在不同电压下,PN结的电流和电压之间的关系。

二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。

1.半导体二极管具有单向导电性,即只有在正向电压作用下才能导通,反向电压下截止。

2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似,具有正向导通压降和死区电压等特性。

3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。

三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管,其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区,具有稳压的作用。

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1•半导体…导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、错Ge)。

2. 特性…光敏、热敏和掺杂特性。

3. 本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5. 杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)6•杂质半导体的特性*载流子的浓度…多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻…通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型…通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN 结* PN结的接触电位差…硅材料约为0.6〜0.8V,错材料约为0.2〜0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性……正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降……硅管0.6〜0.7V,错管0.2〜0.3V。

*死区电压——硅管0.5V,错管0.1V。

3. 分析方法——将二极管断开,分析二极管两端电位的高低若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。

*三种模型& a三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性…正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

微变等效电路法<<»)模型第二章§ 2-1三极管及其基本放大电路三极管的结构、类型及特点1•类型…分为NPN和PNP两种。

模拟电子技术基础 各章节重难点

模拟电子技术基础 各章节重难点

各章节重难点
第1章半导体器件
•PN结及其单向导电性
•半导体二极管电路分析
•半导体三极管及其特性曲线
•场效应管的原理及特性
第2章基本放大电路
•放大电路的结构
•微变等效电路
•三种组态放大电路的分析
•放大电路的频率特性
第3章集成运算放大器
•集成电路的特点
•多级放大电路的分析
•差分放大电路的分析和计算
第4章放大电路中的负反馈
•负反馈的概念及分类
•负反馈的判断
•深度负反馈下电路的计算
第5章集成运算放大器的应用
•集成运放的基本运算
•集成运放的非线形应用
•有源滤波器的分析
第6章功率放大电路
•功率放大电路的特点
•互补对称功率放大电路的分析
第7章波形产生电路
•正弦波振荡电路的振荡条件
•RC正弦波振荡电路的原理
•L C正弦波振荡电路的原理
第8章直流稳压电源
•单相桥式整流电路的分析
•滤波电路的分析
•稳压电路的分析与设计
•开关稳压电源的分析与设计。

《模拟电子技术》教学大纲

《模拟电子技术》教学大纲

教学大纲课程名称:模拟电子技术总学时:74学时(理论学时54学时,实验学时20学时)学分:3开课学期:3授课对象:电气、电子信息科学类专业学生课程类别:必修课程性质:专业基础课一、课程的性质、任务和要求模拟电子技术课程是电气、电子信息类及相关专业的一门重要的专业基础课。

课程的主要任务是:使学生通过本大纲所规定的全部教学内容的学习,掌握电子线路的基本概念、基本原理和基本分析方法,达到具有初步分析、设计实际电子线路的能力,为后续课程的学习准备必要的知识,并为今后从事实际工作打下必要的基础。

学习本课程后,应达到下列基本要求:1.了解常用电子器件(包括集成组件)的外特性及其应用;了解放大电路的主要技术指标。

2.掌握基本放大电路的组成、分析方法和应用,会估算基本放大电路的静态工作点、放大倍数、输入电阻和输出电阻;掌握正弦波振荡器的组成及工作原理;掌握负反馈的基本组态及其对放大电路性能的影响;掌握集成运放组成的某些功能电路的电路组成、工作原理、性能和应用;掌握直流稳压电源的组成环节及各部分工作原理。

3.熟练掌握基本放大电路的工作原理;熟练掌握反馈的判别;熟练掌握集成运放组成的电路的分析方法。

4.熟悉常用电子仪器的使用方法,初步具有查阅电子元器件手册、正确使用元器件的能力、认识常见电子线路图的能力、测试常用电路功能及排除故障的能力。

二、本课程与其它课程的关系、主要参考教材先修课程:高等数学、电路分析基础。

教材名称:《模拟电子技术基础简明教程》,杨素行,高等教育出版社(第二版),1998年参考资料:《模拟电子技术基础》,童诗白,高等教育出版社(第三版),2001年《电子技术基础(模拟部分)》康华光,高等教育出版社(第四版),1999年《模拟电子技术基础》,应巧琴,高等教育出版社(第一版),1999年后续课程:数字电子技术基础、电力电子技术、电气自动控制系统、单片机原理及接口技术、微机原理及接口技术、电视原理及技术、微型计算机维护与维修等三、课程内容第一章半导体器件1.主要内容:半导体的特性;PN结;半导体二极管;双极性三极管。

(完整word版)模拟电子技术教学大纲

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目录编写说明 (2)教材和教学参考书 (3)第一部分理论教学要求 (3)第二部分实践教学要求 (13)第三部分教学进度表 (16)第四部分考核要求 (17)《模拟电子技术》课程教学大纲贺存锋编写说明一、课程的性质和教学目的本课程是电气、电子类专业的主要技术基础课之一,是一门理论和实际紧密结合的应用性很强的课程。

教学目的:在使学生获得模拟电子技术必备的的基本理论、基础知识的同时,着重培养学生的智力技能,提高他们分析问题、解决问题以及实践应用的能力,为学习后续课程和毕业后从事电子技术方面的工作打下必要的基础。

二、课程的任务和基本要求通过本课程的学习,在基本理论和基本技能方面应达到以下要求:1.基本器件方面了解常用半导体二极管、三极管、场效应管、线性集成电路的基本工作原理、特性和主要参数,并能合理选择和使用这些器件。

2.基本电路原理及结构方面掌握共射、共集放大电路,差分放大电路,互补对称功率放大电路,负反馈放大电路,集成运算放大电路的结构、理解它们的工作原理、性能及应用。

3.应用电路方面(1)熟悉正弦和非正弦信号产生电路,一阶有源滤波电路、整流滤波电路的结构、工作原理、性能及应用;熟悉三端稳压器件的应用。

(2)了解集成功放、集成模拟乘法器、集成函数信号发生器的应用。

(3)了解调制解调的基本概念和调制解调的基本方式。

4.分析计算方面(1)了解单级放大电路的图解分析方法。

(2)掌握三极管简化H参数微变等效电路分析方法,能估算单级放大电路的电压放大倍数、输入和输出电阻,了解多级放大电路的分析方法。

(3)掌握负反馈放大电路的类型判别,在深度负反馈条件下,掌握利用虚短或虚断估算电路电压放大倍数的方法。

(4)掌握正弦振荡条件的判断。

(5)熟悉稳压管稳压电路、串联型稳压电路的工程计算。

(6)掌握理想运放的基本运算规则、线性应用和非线性应用的分析计算方法。

(7)了解放大器频率特性和指标含义。

5.基本技能方面(1)初步掌握阅读和分析模拟电路原理图的一般规律。

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《模拟电子技术基础》重点和难点提纲
(内部资料,仅供参考,谢绝外传)
一、基本概念和原理
1、本征半导体、杂志半导体基本概念:P型半导体的空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。

N型半导体?
2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。

PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为(正偏),反之称为(反偏)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;稳定二极管稳压时是处于(反向)偏置状态,而二极管导通时是处于(正向)偏置状态。

PN反向相击穿包括(热击穿、电击穿(齐纳、雪崩击穿)),热击穿不可逆、电点穿是可逆的。

4、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

由漂移形成的电流是反向电流,它由(少数)载流子形成,其大小决定于(温度),而与外电场(无关)。

5、(BJT)三极管是(电流)控制元件,(FET)场效应管是(电压)控制元件。

晶体三极管的集电极电流=(βIb) 所以它是(电流)控制元件。

场效应管的漏极电流ID=(g m u gs),所以它是(电压)控制器件。

6、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

三极管三种工作状态的判断?放大、饱和和截止?NPN(0.7V)、PNP(0.2V)发射结电压。

例如:用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是1V、6V、1.7V,则三个电极分别是(E、C、B ),该管是(NPN)型。

工作在(放大)区
7、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增加),发射结压降(减小)。

当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO(增加)所以Ic也(也增加) 。

8、三极管放大电路共有三种组态分别是(共射极)、(共集电极)、(共基极)放大电路。

对应的FET呢?两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为(β2)。

共基极放大电路的高频特性比共射极电路(好),fa=(1+β)fβ。

其他特性的比较(P148)。

射极输出器的主要特点是:电压放大倍数小于接近1,输入电阻高,输出电阻低。

9、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(电流)负反馈。

其他的几种类型呢?从输入和输出来看。

例如:为了稳定三极管放大电路静态工作点,采用(直流)负反馈。

为稳定交流输出电压,采用(电压)负反馈,为了提高输入电阻采用(串联)负反馈。

其他几种反馈的应用。

10、负反馈放大电路的放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/F)。

负反馈使放大电路增益下降,但它可以(扩展)通频带(减少)失真。

反馈系数F=(Xf/Xo)。

反馈深度是(1+AF)。

11、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fH –fL),(1+AF)称为反馈深度。

12、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

差分放大电路是为了(抑制零点漂移)而设置的。

差分放大电路能够抑制(共模)信号,放大(差模)信号。

理想情况下共模抑制比(KCMR)为(无穷大)。

通用型集成运放的输入级多采用(差分接法)。

运算放大器输入级多采用差(分)动式放大器的原因是(运算放大器多是多级直接耦合,差动放大器可以抑制零点漂移。

13、用低频信号改变高频信号的相位称为(调相)。

低频信号称为(调制信号)、高频信号称为(载波)。

14、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而(下降)。

共基极电路比共射极电路高频特性(好)。

15、振荡电路的平衡条件是(AF=1),(正反馈)才能满足振荡电路的(相位平衡条件)。

振荡器由(放大电路、选频网络)组成;振荡频率由(选频网络)参数决定。

振荡器的输出
信号最初是由(干扰或噪声信号)而来的。

自激振荡的起振条件是(
1
.
.
F
A
)。

构成三点式振荡电路的原则可以简单记做(射同基反(或集反))。

正弦波振荡电路除了有放大电路和反馈网络,还应有选频网络和稳幅电路。

16、在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是(√2U2)。

17、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。

18、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。

19、当集成运放线性工作时,有两条分析依据(U-≈U+)(I-≈I+≈0)。

20、半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是(√2U2),全波呢?
在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是(√2U2)。

21、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(截止)失真。

共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为(饱和)失真。

22、对功率放大器的主要要求有(Po大)(效率高)(波形不失真)。

三端集成稳压器CW7906的输出电压是(6V),其他类型?。

23、单相小功率直流稳压电源一般由电源变压器、整流电路滤波电路和稳压电路及四个部分组成。

二、分析判断
1、二极管导通还是截止的(工作状态)判断
2、三极管三种工作状态的判断
3、反馈类型的判断
4、振荡起振的判断
三、应用计算
1、由理想二极管构成的基本电路:先假设断开二极管;判断二极管两端电位的高低;使用理想二极管模型计算电路
2、三极管构成的基本电路(共射、共基、共集)(包括差分电路):静态分析(直通通路:两个电流(实际只有一个)、一个电压)和动态分析静态分析(交流通路:两个电阻、一个电压增益)
3、深度负反馈的分析与计算:反馈基本概念和参数,反馈类型的分析,深度负反馈系数F。

(1)、BJT及组合电路。

(2)、运算放大器的计算:同相、反相、比例、求和、求差、微分和积分:利用虚短和虚断(深度负反馈)
(3)、集成稳压电源的简单计算
(4)、差分电路的分析及计算
4、有关振荡电路的频率简单计算
5、集成稳压电源的简单计算。

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