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半导体制造专业术语
微电子制造专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体专业术语
1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.Acid：酸4.Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5.Align mark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammonium fluoride：NH4F10.Ammonium hydroxide：NH4OH11.Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模拟的13.Angstrom：A（1E-10m）埃14.Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15.AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16.ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去胶机22.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24.Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25.Baseline：标准流程26.Benchmark：基准27.Bipolar：双极28.Boat：扩散用（石英）舟29.CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
30.Character window：特征窗口。
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1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.Acid：酸4.Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5.Align mark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammonium fluoride：NH4F10.Ammonium hydroxide：NH4OH11.Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模拟的13.Angstrom：A（1E-10m）埃14.Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15.AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16.ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去胶机22.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24.Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25.Baseline：标准流程26.Benchmark：基准27.Bipolar：双极28.Boat：扩散用（石英）舟29.CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD为多晶条宽。
30.Character window：特征窗口。
半导体专业用语
金属前介质层（PMD）金属间介质层（IMD）W塞（W PLUG）钝化层（Passivation）acceptor 受主，如B，掺入Si中需要接受电子Acid：酸actuator激励ADI After develop inspection显影后检视AEI After etching inspection蚀科后检查AFM atomic force microscopy 原子力显微ALD atomic layer deposition 原子层淀积Align mark(key)：对位标记Alignment 排成一直线，对平Alloy：合金Aluminum：铝Ammonia：氨水Ammonium fluoride：NHFAmmonium hydroxide：NHOHAmorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）amplifier 放大器AMU 原子质量数Analog：模拟的analyzer magnet 磁分析器Angstrom：A（E-m）埃Anisotropic：各向异性（如POL Y ETCH）Antimony(Sb)锑arc chamber 起弧室ARC：anti-reflect coating 防反射层Argon(Ar)氩Arsenic trioxide(AsO)三氧化二砷Arsenic(As)砷Arsine(AsH)ASHER 一种干法刻蚀方式Asher：去胶机ASI 光阻去除后检查ASIC 特定用途集成电路Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）ATE 自动检测设备Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）Backside Etch 背面蚀刻Backside 晶片背面Baseline：标准流程Beam-Current 电子束电流Benchmark：基准BGA ball grid array 高脚封装Bipolar：双极Boat：扩散用（石英）舟Cassette 装晶片的晶舟CD：critical dimension 关键性尺寸，临界尺寸Chamber 反应室Chart 图表Child lot 子批chiller 制冷机Chip (die) 晶粒Chip：碎片或芯片。
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专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSI STOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MO S制造过程中ACTI VE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTI VE AREA会受到鸟嘴（BIRD’SBEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BI RD’SBEAK 存在，也就是说AC TIVEAREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：AfterDevelo pingInspec tion之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即Af ter Etchin g Inspec tion，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
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专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TR ANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTI VE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTI VE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体制造专业术语
微电子制造专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体专业术语
1.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子20.Asher：去胶机21.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）Acid2.：酸22.Active device：有源器件，如MOS FET （非线性，可以对信号放大）Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 3.23.Back end：后段（ 4.Align mark(key)：对位标记CONTACT以后、PCM测试前）24. Baseline：标准流程Alloy5.：合金25.6.Aluminum：铝Benchmark：基准26. Bipolar：双极Ammonia7.：氨水27.8.Ammonium fluoride：Boat：扩散用（石英）舟NH4F28.CD：（Ammonium hydroxide9.：NH4OH Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
，非晶硅（不是多晶硅）-SiAmorphous silicon10.：α29.Analog11.：模拟的Character window：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
30.）埃Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
1E-10mAAngstrom12.：（31.13.Chemical vapor deposition ）（CVD）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工POLY ETCHAnisotropic：各向异性（如艺。
14. 95%AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以置信度通过质32.Chip：碎片或芯片。
量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）33.CIM等层的光刻）：抗反射层（用于15.ARC(Antireflective coating)METAL ：computer-integrated manufacturing 的缩写。
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1. acceptor: 受主，如 B，掺入 Si 中需要接受电子20. Asher ：去胶机2. Acid ：酸21. Aspect ration ：形貌比（ ETCH中的深度、宽度比）3. Active device ：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）22. Autodoping ：自搀杂（外延时 SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）4. Align mark(key) ：对位标记23. Back end ：后段（ CONTACT以后、 PCM测试前）5. Alloy ：合金24. Baseline ：标准流程6. Aluminum：铝25. Benchmark：基准7. Ammonia：氨水26. Bipolar ：双极8. Ammonium fluoride ： NH4F 27. Boat ：扩散用（石英）舟9. Ammonium hydroxide ： NH4OH 28. CD：（Critical Dimension ）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为10. Amorphous silicon ：α -Si ，非晶硅（不是多晶硅）多晶条宽。
11. Analog ：模拟的29. Character window ：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
12. Angstrom ：A（1E-10m）埃30. Chemical-mechanical polish （ CMP）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
13. Anisotropic ：各向异性（如POLY ETCH）31. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工14. AQL(Acceptance Quality Level) ：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质艺。
量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）32. Chip ：碎片或芯片。
15. ARC(Antireflective coating) ：抗反射层（用于 METAL等层的光刻）33. CIM： computer-integrated manufacturing 的缩写。
用计算机控制和监控制造工艺的一种16. Argon(Ar) 氩综合方式。
17. Arsenic(As) 砷34. Circuit design ：电路设计。
一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
18. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷35. Cleanroom ：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
19. Arsine(AsH3)36. Compensation doping：补偿掺杂。
向P 型半导体掺入施主杂质或向N 型掺入受主杂质。
37. CMOS：complementary metal oxide semiconductor 的缩写。
一种将 PMOS和 NMOS在同一个52. Depth of focus （ DOF）：焦深。
硅衬底上混合制造的工艺。
53. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果38. Computer-aided design （ CAD）：计算机辅助设计。
的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
39. Conductivity type ：传导类型，由多数载流子决定。
在N 型材料中多数载流子是电子，在54. develop ：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）P 型材料中多数载流子是空穴。
55. developer ：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液40. Contact ：孔。
在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
56. die ：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上41. Control chart ：控制图。
一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
的部分划片槽区域。
42. Correlation ：相关性。
57. dielectric ：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供43. Cp：工艺能力，详见 process capability。
电绝缘功能。
44. Cpk：工艺能力指数，详见 process capability index 。
58. diffused layer ：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形45. Cycle time ：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。
通常用来衡量流通速度的快慢。
成与衬底材料反型的杂质离子层。
46. Damage：损伤。
对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫59. drive-in ：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
做损伤。
60. dry etch ：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物47. Defect density ：缺陷密度。
单位面积内的缺陷数。
理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
48. Depletion implant ：耗尽注入。
一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。
（耗尽61. effective layer thickness ：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。
）硅锭前端的深度。
49. Depletion layer ：耗尽层。
可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
62. EM：electromigration ，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散50. Depletion width ：耗尽宽度。
53 中提到的耗尽层这个区域的宽度。
过程。
51. Deposition ：淀积。
一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一63. epitaxial layer ：外延层。
半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体种方法。
材料，这一单晶半导体层即为外延层。
64. equipment downtime ：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
83. hard bake ：后烘65. etch ：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
84. heteroepitaxy ：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法66. exposure ：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
85. high-current implanter ：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产67. fab ：常指半导体生产的制造工厂。
86. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter ：高效率空气颗粒过滤器，去掉%的大于68. feature size ：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
的颗粒69. field-effect transistor （ FET）：场效应管。
包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的87. host ：主机多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
88. hot carriers ：热载流子70. film ：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
89. hydrophilic ：亲水性71. flat ：平边90. hydrophobic ：疏水性72. flow velocity ：流速计91. impurity ：杂质73. flow volume ：流量计92. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体74. flux ：单位时间内流过给定面积的颗粒数93. inert gas ：惰性气体75. forbidden energy gap ：禁带94. initial oxide ：一氧76. four-point probe ：四点探针台95. insulator ：绝缘77. functional area ：功能区96. isolated line ：隔离线78. gate oxide ：栅氧97. implant : 注入79. glass transition temperature ：玻璃态转换温度98. impurity n : 掺杂80. gowning ：净化服99. junction : 结81. gray area ：灰区100. junction spiking n : 铝穿刺82. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪101. kerf :划片槽102. landing pad n :PAD 122. overlap n ：交迭区103. lithography n制版123. oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应104. maintainability, equipment : 设备产能124. phosphorus (P) n：磷，一种有毒的非金属元素105. maintenance n : 保养125. photomask n ：光刻版，用于光刻的版106. majority carrier n : 多数载流子126. photomask, negative n ：反刻107. masks, device series of n : 一成套光刻版127. images ：去掉图形区域的版108. material n : 原料128. photomask, positive n ：正刻109. matrix n 1 : 矩阵129. pilot n：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子110. mean n : 平均值130. plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体111. measured leak rate n : 测得漏率131. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n ：等离子体化学气相淀积，低112. median n : 中间值温条件下的等离子淀积工艺113. memory n : 记忆体132. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺114. metal n : 金属133. pn junction n ： pn 结115. nanometer (nm) n ：纳米134. pocked bead n ：麻点，在 20X 下观察到的吸附在低压表面的水珠116. nanosecond (ns) n ：纳秒135. polarization n ：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语117. nitride etch n ：氮化物刻蚀136. polycide n ：多晶硅 / 金属硅化物，解决高阻的复合栅结构118. nitrogen (N2 ) n ：氮气，一种双原子气体137. polycrystalline silicon (poly) n ：多晶硅，高浓度掺杂（ >5E19）的硅，能导电。