XPS能谱分析方法及原理
XPS原理及分析

XPS原理及分析在现代材料科学和表面分析领域中,X 射线光电子能谱(XPS)是一种极其重要的分析技术。
它能够为我们提供有关材料表面化学组成、元素价态以及化学环境等丰富而关键的信息。
XPS 的基本原理基于爱因斯坦的光电效应。
当一束 X 射线照射到样品表面时,它具有足够的能量将样品中的原子内层电子激发出来,形成光电子。
这些光电子的能量分布与样品中原子的电子结合能直接相关。
电子结合能是指将一个电子从原子的某个能级中移到无穷远处所需的能量。
不同元素的原子,其内层电子的结合能是特定的,而且同一元素在不同化学环境中,其电子结合能也会有所差异。
这就为 XPS 分析元素组成和化学状态提供了基础。
具体来说,通过测量从样品表面发射出的光电子的能量,我们可以确定样品中存在哪些元素。
每种元素都有其独特的一系列结合能特征峰。
比如,碳元素在不同的化学环境中,其结合能可能在 2846 eV 左右(纯碳),但如果与氧形成某些化学键,结合能就会发生偏移。
在进行 XPS 分析时,首先需要将待分析的样品放入高真空的分析室中。
这是因为光电子非常容易与空气中的分子发生碰撞而损失能量,从而影响测量结果的准确性。
X 射线源通常采用铝(Al)或镁(Mg)的靶材,产生的 X 射线具有特定的能量。
这些 X 射线照射到样品表面后,激发出来的光电子经过能量分析器进行分析。
能量分析器可以将不同能量的光电子按照能量大小进行分离,并最终由探测器检测到。
得到的 XPS 谱图中,横坐标通常表示光电子的结合能,纵坐标则表示光电子的相对强度。
通过对谱图中峰的位置、形状和强度的分析,可以获得大量有关样品的信息。
对于元素的定性分析,我们主要依据特征峰的位置来确定样品中存在的元素种类。
而对于定量分析,则需要根据峰的强度来计算各元素的相对含量。
但这并不是简单的比例关系,因为不同元素的光电子发射截面、仪器的传输效率等因素都会对强度产生影响,所以需要采用特定的校正方法来进行准确的定量分析。
xps技术工作原理

xps技术工作原理
XPS(X-射线光电子能谱)技术工作原理是基于光电效应和能级分析的原理。
1. 光电效应:当高能量的光子(通常为X射线或紫外线)照
射到物质表面上时,光子与物质原子发生相互作用,将一部分光子能量转移给物质原子中的价电子。
当光子能量足够大时,价电子可以克服束缚在原子中的电势能,从固体表面逸出,并形成光电子。
2. 能级分析:逸出的光电子带有原子的特征信息,包括能级分布和化学状态。
这些信息可以通过对光电子进行能量分析来获取。
在XPS技术中,光电子通过穿过物质中的磁场和电场的
流线,从而形成一个能量分辨率很高的能谱。
通过测量光电子的能量,可以确定光电子的束缚能级,从而获取原子的价电子能级分布情况,并得到样品的化学成分以及表面化学状态等信息。
具体的XPS分析过程如下:
1. 样品表面被净化和处理,以去除表面污染物和氧化层。
2. 样品表面放置在真空室中,并通过高真空抽气来去除空气。
3. X射线或紫外线束照射到样品表面,使得光电子被激发逸出。
4. 逸出的光电子通过电子能量分析器,根据其能量进行分析和检测。
5. 光电子能谱图被记录和测量,根据光电子的能量和强度,可以获得样品的化学成分、表面化学状态等信息。
综上所述,XPS技术主要通过光电效应和能级分析来获取样品的化学成分和表面化学状态等信息。
XPS数据分析方法

XPS数据分析方法XPS数据分析方法指的是通过使用X射线光电子能谱(XPS)来研究材料表面元素的组成、化学状态、分布以及电荷状态等信息的一种分析方法。
XPS是一种非破坏性的表面分析技术,主要用于材料科学、化学、物理、能源等领域的表面和界面分析。
下面是关于XPS数据分析方法的一些内容。
1.XPS原理XPS是基于光电离现象的一种分析技术。
当实验样品暴露在具有一定能量的X射线束下时,样品表面的原子会被激发,其中部分电子会被激发到费米能级以上,形成X射线光电子。
这些光电子经电场作用会被收集并形成能谱。
通过分析能谱可以得到样品表面元素的信息。
2.XPS数据处理XPS实验获得的原始数据包含了来自不同元素的能量信号,以及其他噪声信号。
数据处理旨在提取出有用的能量信号,并将其定性和定量分析。
常见的数据处理步骤包括信号峰形辨认、能量校正、背景修正和分峰拟合等。
3.峰形辨认峰形辨认是将实验数据中的峰与相应的元素进行匹配的过程。
每个元素具有特定的光电子能量,因此可以通过比较实验获得的能谱与已知元素的能谱进行匹配,确定元素的存在。
4.能量校正能谱中的能量量度需要进行校正,以获得准确的能谱峰位置。
能量校正的常用方法是通过硬币吸收边界(coinicidence absorption edge)或内部参考能谱进行校正。
这样可以消除能量测量中的偏差。
5.背景修正实验信号中常常会包含一些背景信号,如弹性散射信号、底部信号等。
这些背景信号对于准确的数据分析来说是干扰因素,需要进行背景修正。
背景修正的方法可以是线性背景修正或曲线拟合法。
6.分峰拟合分峰拟合是基于已知的能量峰进行曲线拟合,以确定元素在样品中的化学状态和相对丰度。
常见的拟合函数包括高斯函数、洛伦兹函数和Pseudo-Voigt函数等。
7.数据分析通过对能谱的峰进行定量分析,可以获得材料表面元素的组成和相对丰度。
此外,还可以通过分析峰的形状和位置得到元素的化学状态信息。
通过与已知物质的对比,可以推测样品的化学成分,并深入了解材料的特性。
说明xps分析的原理应用及特点

说明XPS分析的原理应用及特点1. 引言X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,简称XPS)是一种用于分析材料表面化学成分和化学状态的非破坏性表征技术。
本文将对XPS分析的原理、应用和特点进行说明。
2. 原理XPS利用高能X射线轰击材料表面,通过测量材料表面逸出的光电子能谱来获得有关材料化学成分和化学状态的信息。
其基本原理如下: - X射线入射:高能X 射线束通过X射线源作用在样品表面,激发样品表面原子的束缚电子。
- 光电子逸出:激发的束缚电子获得足够的能量克服束缚力,从样品表面逸出成为自由电子。
- 能谱检测:逸出的光电子根据能量不同形成能谱,通过能量分辨仪进行检测和分析。
- 数据分析:通过对能谱的峰位、峰面积和峰形等进行分析,可以获得样品表面元素的组成和化学状态信息。
3. 应用XPS技术在多个领域有广泛的应用,以下列举几个常见的应用场景:3.1 表面成分分析XPS可以准确测量材料表面的元素组成和化学状态,可以表征材料的成分。
在材料科学、化学、生物医学等领域中,XPS被广泛用于表面成分分析。
3.2 化学反应分析XPS能够跟踪材料表面化学反应的过程和机制,通过观察化学反应前后材料表面的变化,可以获得有关反应的信息。
3.3 材料表面状态研究XPS可以研究材料表面的电荷状态、化学键形成和断裂等变化。
这对于了解样品在化学、电子学等方面的性质具有重要意义。
3.4 腐蚀和污染研究XPS可以追踪材料表面腐蚀和污染的过程,分析腐蚀和污染物的成分和形态。
这对于材料保护、环境保护等方面具有重要意义。
4. 特点XPS作为一种高精准度的表征技术,具有以下特点:4.1 高分辨率XPS能够实现较高的能量分辨率,可以准确测定光电子能谱的峰位和峰形,从而得到更准确的表征数据。
4.2 高灵敏度XPS对材料表面的元素非常敏感,可以检测到较低浓度的元素。
这对于分析痕量元素具有重要意义。
XPS原理及分析

XPS原理及分析X射线光电子能谱(XPS)是一种表面分析技术,利用X射线入射样品表面,通过测量样品表面上逸出的光电子的能谱来确定样品表面元素的化学性质及其表面态的信息。
XPS技术具有高表面敏感性、定性和定量分析的能力,因此在材料科学、化学、地球科学、生物医学和环境科学等领域得到广泛应用。
XPS原理基于“薄物质”理论,即在入射X射线束与物质相互作用时,只有较薄表面层中的电子才能逃逸到空间中并被探测器所接收。
这是由于较低能的光电子受到表面电势井的束缚,而高能电子则受到较深层电势井的束缚,因此只有能量较高的光电子能够逃逸。
通过测量逸出光电子的能谱,可以得到逸出光电子的能量和强度信息,进一步分析可以确定元素的化学状态和表面化学键的信息。
XPS分析的过程包括样品的准备、X射线的入射和光电子的测量。
首先,样品必须准备成纯度较高的固体或薄膜,并且表面应该光滑、洁净,避免杂质和氧化层的影响。
然后,通过X射线源入射样品表面,激发样品表面的光电子,并且通过能量分析器将光电子按能量进行分散。
最后,光电子通过一个探测器接收并进行能谱测量。
XPS技术可以提供多种信息。
首先,通过测量各元素光电子能谱的能量峰位置,可以确定样品表面的元素组成。
其次,通过能峰的形状和峰的宽度,可以得到元素的化学状态和价态信息。
此外,还可以测量光电子的相对强度,用于定量分析元素的表面含量。
最后,通过X射线光电子能谱成像技术,可以获得样品表面的化学状态和形貌分布信息。
XPS技术具有许多优点。
首先,具有高表面敏感性,能够测量样品表面几个纳米的深度范围。
其次,可以进行原位和无损分析,不需要对样品进行特殊处理或破坏性操作。
此外,具有化学态信息和定量分析的能力,可以提供元素和化学键的详细信息。
最后,XPS技术还可以进行X射线光电子能谱成像,可以获得元素和化学状态的空间分布图像。
总之,XPS技术是一种强大的表面分析技术,具有高表面敏感性、定性和定量分析的能力,已经在多个领域得到广泛应用。
xps碳谱结合能

xps碳谱结合能X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,简称XPS),又称为化学分析电子能谱(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis,简称ESCA),是一种用于分析材料表面化学状态的技术。
XPS碳谱是XPS技术中的一种,主要用于分析材料表面碳的化学状态。
结合能是XPS碳谱中的一个重要参数,它反映了材料中碳原子与其它原子之间的化学键合情况。
本文将从以下几个方面对XPS碳谱结合能进行详细解析:一、XPS基本原理1.X射线照射:XPS通过照射样品表面,使得样品中的电子被激发并脱离样品,形成电子能谱。
2.电子能谱分析:通过对脱离样品的电子的能量进行分析,可以得到样品表面的元素种类、化学状态等信息。
二、XPS碳谱1.碳谱概念:XPS碳谱是XPS技术中的一种,主要用于分析材料表面碳的化学状态。
2.碳的结合能:碳谱中的结合能反映了碳原子与其它原子之间的化学键合情况。
三、结合能的计算方法1.标准化处理:通过对XPS碳谱进行标准化处理,可以得到碳的结合能。
2.碳谱拟合:通过拟合碳谱,可以得到碳的结合能。
四、XPS碳谱结合能的应用1.材料表面分析:通过分析XPS碳谱结合能,可以得到材料表面碳的化学状态,进而了解材料的性质。
2.碳纳米管分析:通过分析XPS碳谱结合能,可以了解碳纳米管的化学状态,进而了解碳纳米管的性质。
五、结论XPS碳谱结合能是XPS技术中的一种重要参数,它反映了材料中碳原子与其它原子之间的化学键合情况。
通过对XPS碳谱结合能的研究,我们可以深入了解材料表面碳的化学状态,为材料分析和应用提供理论依据。
XPS原理及分析

XPS原理及分析X射线光电子能谱(XPS)是一种用于研究固体表面化学性质的表面分析方法。
它利用X射线照射样品表面,通过测量样品表面光电子的能谱,来获得样品表面元素的化学状态、化学成分以及化学性质的信息。
XPS的基本原理是根据光电效应:当X射线通过样品表面时,部分X射线会被样品上的原子吸收,从而使得原子的内层电子被激发出来。
这些激发出的电子称为光电子。
光电子的能量与原子的内层电子能级相关,不同元素的光电子能谱特征能量不同。
通过测量光电子的能量分布,可以推断出样品表面元素的化学状态和化学成分。
XPS分析的步骤如下:1.准备样品:样品必须是固体,并且表面必须是光滑、干净、无杂质的。
样品可以是块状、薄膜或粉末。
2.X射线照射:样品放在真空室中,通过X射线照射样品表面。
X射线能量通常在200-1500eV之间。
3.光电子发射:被照射的样品会发射出光电子。
光电子的能量与原子的内层电子能级有关。
4.能谱测量:收集并测量光电子的能量分布。
能谱中的光电子峰表示不同元素的化学状态和存在量。
5.数据分析:根据能谱中的光电子峰的位置和峰面积,可以推断出样品表面元素的化学状态和存在量。
XPS的主要应用领域包括固体表面成分分析、材料表面效应研究、化学反应在表面的过程研究等。
XPS可以提供关于固体材料的表面化学性质、形态结构以及表面反应过程的有关信息,因此被广泛应用于材料科学、化学、表面物理等领域。
总结而言,XPS是一种非常有用的表面分析技术,可以提供有关固体表面化学性质和化学成分的信息。
通过测量光电子的能量分布,可以推断出样品表面元素的化学状态和存在量。
XPS原理数据分析方法讲解

XPS原理数据分析方法讲解XPS(X射线光电子能谱)是一种用于表面分析的常用方法,可以用于确定样品中元素的化学状态和测量元素的相对丰度。
本文将讲解XPS的原理和数据分析方法。
1.XPS原理:XPS利用物质表面发射的光电子来研究元素的化学状态和相对丰度。
其原理基于以下两个过程:-光电子发射:当一束X射线照射到样品表面时,光子通过光电效应将电子从样品表面的原子中解离出来。
这些光电子的动能与其所来自的原子的束缚能有关,因此可以通过测量光电子的动能来确定原子的化学状态。
-表面分析:通过测量不同能量的X射线和测量发射光电子的能量和强度,可以得到元素的谱图。
X射线的能量可以调节,从而选取特定能量的X射线与特定元素相互作用,进一步确定元素的化学状态和相对丰度。
2.数据分析方法:XPS谱图包括两个主要部分:能级谱和分析谱。
能级谱用于确定元素的化学状态,分析谱用于计算元素的相对丰度。
-能级谱分析:1)首先,将能级谱分为两个区域:高分辨率核电子谱(Valence Band)和低分辨率核电子谱(Core Level)。
2)高分辨率核电子谱用于确定元素的键合状态和价态。
通过观察能级峰的位置和形状,可以判断原子是否在化合物中。
3)低分辨率核电子谱用于确定元素的元素组成。
通过测量特定能级的光电子峰的相对强度,可以计算元素的相对丰度。
-分析谱分析:1)利用分析谱可以计算元素的相对丰度。
分析谱根据元素的主要光电子峰的能量和强度来建立。
通过测量每个元素的主要光电子峰的峰强和标准物质的峰强,可以计算元素的相对丰度。
2)校正数据。
由于光电子的逃逸深度和电子的信号衰减,测量到的峰强可能与真实丰度有所偏差。
因此,需要进行校正,建立校正曲线,将峰强转换为相对丰度。
3.XPS仪器:XPS仪器由以下几部分构成:-X射线源:提供特定能量的X射线,用于激发样品释放光电子。
-能谱仪:包括投射能量分辨部分和检测器,用于测量发射光电子的能量和强度。
-样品台:用于固定和聚焦样品,可控制样品在X射线照射下的角度和位置。
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电子的原子中。
•
• 俄歇电子(Auger electron):当原子内层电子光致电
离而射出后,内层留下空穴,原子处于激发态,这种 激发态离子要向低能态转化而发生弛豫,其方式可以 通过辐射跃迁释放能量,波长在X射线区称为X射线荧 光;或者通过非辐射跃迁使另一电子激发成自由电子 ,这种电子就称为俄歇电子。对其进行分析能得到样 品原子种类方面的信息。
层电子跃迁到激发的束缚态导至发射光电子的动能减少。( 能量差为带有一个内层空穴离子基态的电离电位)
• 能量损失(Energy loss):由于光电子在穿过样品表面时同
原子(或分子)发生非弹性碰撞而引起的能量损失。
• X射线伴线(X-ray statellites):X-ray不是单一的Ka,还
有Ka1,2,3,4,5,6以及Kβ。(主要有Ka3,4构成)
1.溶剂清洗(萃取)或长时间抽真空除表面污染物 。 2.氩离子刻蚀除表面污物。注意刻蚀可能会引起表 面化学性质的变化(如氧化还原反应)。 3.擦磨、刮剥和研磨。对表理成分相同的样品可用 SiC(600#)砂纸擦磨或小刀刮剥表面污层;对粉末 样品可采用研磨的方法。 4.真空加热。对于能耐高温的样品,可采用高真空 下加热的办法除去样品表面吸附物。
生的伴峰不同于其
•AlKa1,2
•强 度
它伴峰的主要标志。
•(I) •非弹性散射
•AlKa3,4
•动能(ev) •结合能(ev)
•
利用XPS谱图鉴定物质成分:
• 利用某元素原子中电子的特征结合能来鉴别物质 。
• 自旋-轨道偶合引起的能级分裂,谱线分裂成双 线(强度比),特别对于微量元素:
对于P1/2和P3/2的相对强度为1:2,d3/2和d5/2为2:3,f5/2和f7/2
•
XPS谱图中伴峰的鉴别:
(在XPS中化学位移比较小,一般只有几ev,要想对 化学状态作出鉴定,首先要区分光电子峰和伴峰)
• 光电子峰:在XPS中最强(主峰)一般比较对称且半宽
度最窄。
• 俄歇电子峰:Auger有两个特征:
1.Auger与X-ray源无关,改变X-ray,Auger不变。
2.Auger是以谱线群的形式出现的。
其过程为:
•两者只能选择其一
•A+hν
•(A+)*+e-(光电子
)
•A++ hν’(X荧光)
•A2++e-(俄歇电子)
•(原子序数Z<30的元素以发射俄歇电子为主)
•
俄歇电子产生过程图解:
•俄歇电子e-
•hv(X-ray荧光)
•Energy
•处于激发态离子 •产生X-ray荧光过程
•处于激发态离子 •产生俄歇电子的过程
• 1954年研制成世界上第一台双聚焦磁场式光电子能谱仪 。
• XPS是一种对固体表面进行定性、定量分析和结构鉴定 的实用性很强的表面分析方法。
• 现今世界上关于XPS的刊物主要有: Journal of Electron Spectroscopy. Related Phenomena.
•
基本概念:
•
XPS谱线中伴峰的来源:
• 振离(Shake-off):多重电离过程(能量差为带有一个内层
空穴离子基态的电离电位) A+hν=(A2+)*+2e正常:Ek(2P)=hν-Eb(2P) 振离:Ek’(2P)=hν-[Eb(2P)+Eb(3d)]
• 振激(Shake-up):在X-ray作用下内层电子发生电离而使外
• 上式即为原子内层电子结合能公式。
•
实际测量时,利用标准样品的基准谱线来校正 被测谱线的结合能,称为内标法:
Eb(测)=Ek(标)+Eb(标)-Ek(测)
(其中, Ek(标)和Eb(标)已知, Ek(测)可由谱仪测出)
• 化学位移:又称结合能位移,原子的内层电子结合
能随原子周围化学环境变化的现象称为化学位移。
• 振激和振离峰:振离峰以平滑连续 •强度I
谱的形式出现在光电子主峰低动能的 一边,连续谱的高动能端有一陡限。 振激峰也是出现在其低能端,比主峰 •振离峰
•主峰 •振激峰
高几ev,并且一条光电子峰可能有几 条振激伴线。(如右图所示)
•动能Ek
•
• 能量损失峰:其特点是随X-ray的波动而波动。
• 多重分裂峰:多重分裂峰的相对强度等于终态的统
•
• 样品的安装:
一般是把粉末样品粘在双面胶带上或压入铟箔(或 金属网)内,块状样品可直接夹在样品托上或用导 电胶带粘在样品托上进行测定。 其它方法: 1.压片法:对疏松软散的样品可用此法。 2.溶解法:将样品溶解于易挥发的有机溶剂中,然 后将其滴在样品托上让其晾干或吹干后再进行测量 。 3.研压法:对不易溶于具有挥发性有机溶剂的样品 ,可将其少量研压在金箔上,使其成一薄层,再进 行测量。
8Pa)
•能量分析器 •检测器
•磁屏蔽系统(~1×10-8T)
•扫描和记录系统
•
XPS 的工作原理:
•X-ray
•样品 •电离放出光电子 •能量分析器
•(记录不同能量的电子数目)
•检测器
•e•hν(X-ray)
•光电子产生过程:
•A(中性分子或原子)+ hν(X-ray)
•A+*(激发态的离子)+e-(光电子)
影响化学位移的因素有: (如图所示)。
非导电材料的表面荷电效应;
固体的热效应;
•hν
自由分子的压力效应;
凝聚态物质的固态效应.
•ΔEk
•Ek
•Ek’
•E=0
•Eb
Eb’
•ΔEb •化学位移为: ΔEb= ΔEk
•
• 光电效应:原子在X-ray的作用下,内层电子得到能量
而发生电离成为自由电子(光电子)的现象。
计权重。如:Mn2+离子具有5个未成对电子,从Mn2+内
层发射一个s电子,其J值为(5/2+1/2)和 (5/2-1/2),其 强度正比于(2J+1),即其分裂峰的相对强度为7 :5;
• X-ray伴线产生的伴峰:X-ray的伴线能量比主线(
Ka1,2)高,因此样品XPS中光电子伴峰总是位于主峰 的低结合能一端(如下图所示),这也是X-ray伴线产
a.主量子数n;b.角量子数ι ;c.磁量子数ml;d.自旋量子数ms
自旋与轨道偶合产生能级分裂: j=| ι +ms|=| ι ±1/2| , 在 ι > 0的各亚壳层将分裂成两个能级,XPS中出现双峰 。
•
XPS 的工作流程:
•光 源(X-ray)
•过滤窗 •样品室
•真空系统 •(1.33×10-5—1.33×10-
XPS能谱分析方法及原理
•
主要内容:
• XPS 的发展 • 基本概念 • XPS 的工作流程及原理 • XPS谱线中伴峰的来源 • XPS谱图中伴峰的鉴别 • 利用XPS谱图鉴别物质 • XPS的实验方法 • XPS谱图的解释步骤 • XPS 的特点
•
XPS 的发展:
• XPS理论首先是由瑞典皇家科学院院士、乌普萨拉大学 物理研究所所长 K·Siebahn 教授创立的。 原名为化学分析电子能谱: ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)。
•
• 样品荷电的校正:
(绝缘体的荷电效应是影响结果的一个重要因素)
1.消除法: 用电子中和枪是目前减少荷电效应的最好方法; 另一种方法是,在导电样品托上制备超薄样品, 使谱仪和样品托达到良好的电接触状态。
2.校正法: 主要有以下几种方法: a.镀金法;b.外标法; c.内标法;d.二次内标法; e.混合法;f.氩注入法。
为3:4;下图是Si的2P电子产生的分裂峰(1:2):
• 利用俄歇化学位移标
•2质:
•2P1/2
如:Cu与CuO的化学位移为0.4eV
Ag与Ag2SO4化学位移为0.1eV 而对它们来说俄歇化学位移相当大。•105
•电子结合能(eV) •95
•
XPS的实验方法:
• 样品的预处理 :(对固体样品)
• 光电截面σ:表示光离子化几率。与下列因素有关:
a.原子中不同能级σ不同;b.不同元素σ随原子序数Z的增大而 增大;c.一般地说,同一元素壳层半径愈小σ愈大;d.电子结 合能与入射光的能量愈接近σ 愈大;e.对同一壳层: σ随角 量子数(ι)的增大而增大。
• 原子能级:与原子中的四个量子数有关,其物理意义为:
触
•由图可知:
•样品
•电位差ΔV等于样品 与
• •而
Eb=hν - фѕ- Ek’ Ek’+ фѕ= Ek+ фѕp
••(谱功仪能函的数就功是把能一函个电数子从之Fermi 差: •能级移到自由能级所需要的能量)
•知
Eb= hν - Ek- фѕp ( фѕp平均• 值约为4ev)фѕ-фѕp
• (其中,Ek’为从样品出射光电子的动能;Ek为谱仪测量到的光电子的动能)
• 光电子能谱: 反应了原子(或离子)在入射粒 子(一般为X-ray)作用下发射出来的电子的能 量、强度、角分布等信息。
• X-ray: 原子外层电子从L层跃迁到K层产生的 射线。 常见的X射线激发源有:
Mg :Ka1,2(1254ev,线宽0.7ev ) Al :Ka1,2(1487ev ,线宽0.9ev ) Cu :Ka1,2(8048ev,线宽2.5ev ) Ti :Ka1,2(4511ev,线宽1.4ev )
• 电子结合能:由光电过程的Einstein方程: