电子能谱分析
电子能谱分析基础
分布 价带结构 功函数
1-6
第一章 电子能谱分析基础
三 电子能谱与表面灵敏性
一般来讲 分析方法的表面灵敏度依赖于所检测的辐射 电子能谱中 电子从被
电子束或X射线照射的样品中发射出 然后到达能量分析器和检测器进行分析测量 在
1-7
电子能谱(Electron Spectroscopy)
电子在固体中的非弹性平均自由程 通用曲线
为了计算不同物质的非弹性平均自由程 M.P.Seah和W.A.Dench(1979)综合了大量
实测数据 总结出以下经验公式
对纯元素 对无机化合物 对有机化合物
由于电子能谱中包含着样品有关表面电子结构的重要信息 用它可直接研究表面 及体相的元素组成 电子组态和分子结构 电子能谱可进行表面元素的定性和定量分析 元素组成的选区和微区分析 元素组成的表面分布分析 原子和分子的价带结构分析 在某些情况下还可对元素的化学状态 分子结构等进行研究 是一种用途广泛的现代分 析实验技术和表面分析的有力工具 广泛应用于科学研究和工程技术的诸多领域中
由于表面所具有的特殊性质和表面问题与基础理论和工程技术的密切关系 使得近 年来对表面问题研究异常活跃 表面科学虽然诞生的历史不长 但它被认为是当今发展 最快 与技术关系最密切的一门前沿科学 它涉及物理学 化学 生物技术 材料科学 等许多领域
材料的表面行为对于我们的生活是及其重要的 如明显的腐蚀问题可由特别的表 面处理来克服 玻璃的光学性质可由表面涂覆层或改变表面组分加以调控 聚合物的表 面化学可被调整到使其紧附于包装上而对食品不沾 汽车废气催化剂可以除去燃烧引擎 的某些有害排出是表面化学的一个代表作 正如工业催化剂对90%的化工产品是及其重 要的 无论是催化剂 固态电子器件 还是引擎中的运动部件 均是其表面与其环境相 接触 其表面活性将决定材料在预期功能中的行为表现 所以彻底了解材料的表面性质 和行为是十分重要的
电子能谱分析XPS和AES
电子能谱分析XPS和AES电子能谱分析（Electronic Spectroscopy）是一种用来研究材料表面的化学成分和电子结构的技术。
常用的电子能谱分析方法有X射线光电子能谱（X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS）和反射能量损失光谱（Auger Electron Spectroscopy, AES）。
X射线光电子能谱（XPS）是一种通过照射样品表面并测量逸出电子能量来获取有关材料表面成分和电子状态的信息的分析技术。
XPS的原理基于光电效应，即被照射的样品会产生光电子，这些光电子的能量和数量与样品的化学成分和电子状态有关。
通过分析逸出电子的能谱，可以得到材料的化学成分、元素的氧化态和电子能级等信息。
XPS的实验装置主要由以下几个部分组成：X射线源、能谱分析器、逸出电子探测器和数据处理系统。
首先，样品被置于真空室中，并由X射线源产生的X射线照射。
X射线会使样品表面的原子或分子发生光电效应，逸出的光电子经过能谱分析器的光学元件进行能量分析。
最后，逸出电子被探测器捕获，并由数据处理系统进行分析和展示。
XPS的主要应用领域包括材料科学、表面化学和界面物理等。
通过XPS，可以定量确定样品表面的化学成分，并且可以分析不同化学状态的元素。
此外，XPS还可以提供有关样品表面化学反应和电子能带结构等信息。
XPS广泛应用于材料研究、催化剂表征、薄膜和界面研究等领域。
反射能量损失光谱（Auger Electron Spectroscopy, AES）是另一种常用的电子能谱分析方法。
AES是一种利用样品表面产生的俄歇电子进行表征的技术。
与XPS类似，AES也是一种通过照射样品表面并测量逸出电子能谱来获取有关材料表面成分和电子结构的信息。
AES的原理基于俄歇电子效应，即当X射线或电子束照射在样品表面时，被照射的原子会发生电离，产生一个空位。
然后，另一个外层电子会填补进空位，并释放出一个能量等于原位电子之间跃迁能量差的电子，称为俄歇电子。
电子能谱定量分析和深度分析
1
1 3
电离截面计算值(Scofield)
U的相关结合能和电离截面
Scofield vs. Wagner?
两数据库都在用 – 但对同一套数据可能有不同结果!! 它们必须以稍有不同的方式来使用 Scofield – 理论灵敏度因子数据库, 基于 C1s = 1 为此我们需要增加一项来说明分析的深度 (即 λ 并通常取 KE0.6) Wagner -实验灵敏度因子数据库, 基于 F1s = 1 为此我们需要增加一项来修正不同（仪器）类型分析器 产生的因子 (A CMA rather than our HSA). 这可通过乘 以峰动能来实现。(λ项已包含在里面)
1、一级原理模型(First Principle Model)
l
l
从光电子发射的“三步模型”出发，将所观测到的谱线强 度和激发源，待测样品的性质以及谱仪的检测条件等统 一起来考虑，形成一定的物理模型。 由于模型涉及较多的因素，目前还缺乏必要精度的实验 数据，因此一级原理模型计算还未得到真正应用。
I ij = K ⋅ T ( E ) ⋅ Lij (γ ) ⋅ σ ij ⋅ ∫ ni ( z ) ⋅ e
−z λ ( E ) cos θ
dz ⋅
其中: Iij为i元素j峰的面积，K为仪器常数，T(E)为分析器的传输函数，Lij(γ)是i 元素j轨道的角不对称因子，σij为表面i元素j轨道的的光电离截面，ni(z)为表面i 元素在表面下距离z处的原子浓度，λ(E)为光电子的非弹性平均自由程，θ是测 量的光电子相对于表面法线的夹角。
l
深度剖析 l 离子束在样品表面扫描 l 样品表面物质被逐渐刻蚀掉 l 在刻蚀周期间采集XPS谱 l 建立起样品成分随深度变化的剖析图 l 剖析深度可达 1µm l 结构破坏技术
能谱分析
1．俄歇电子产额
K
俄歇电子产额或俄歇跃迁几率 决定俄歇谱峰强度，直接关系 到元素的定量分析。俄歇电子 与特征X射线是两个互相关联和 竞争的发射过程。对同一K层空 穴，退激发过程中荧光X射线与 俄歇电子的相对发射几率，即 图13-1 俄歇电子产额与原子序数的关系 荧光产额(K)和俄歇电子产额 由图可知，对于K层空穴Z<19，发射俄歇 ( K )满足 电子的几率在90％以上；随Z的增加，X射 =1－K (13-1)
图13-5 俄歇电子能量图
主要俄歇峰的能量用空心 圆圈表示， 实心圆圈代表每个元素的 强峰
定性分析的一般步骤：
(1)利用“主要俄歇电子能量图”，确定实测谱中最强峰可能对应的几 种(一般为2、3种)元素； (2)实测谱与可能的几种元素的标淮谱对照，确定最强峰对应元素的所 有峰； (3)反复重复上述步骤识别实测谱中尚未标识的其余峰。 注意：化学环境对俄歇谱的影响造成定性分析的困难(但又为研究样 品表面状况提供了有益的信息)，应注意识别。
图2-8 Ag的光电子能谱图 （Mg K激发）
二、X射线光电子能谱仪
主要组成部分：X光源(激发源)， 样品室，电子能量分析器和信 息放大、记录(显示)系统等组 成。
图13-9 (X射线)光电子能谱仪方框图
三、X射线光电子能分析与应用
1．元素(及其化学状态)定性分析 方法：以实测光电子谱图与标准谱图相对照，根据元素特征峰位置 (及其化学位移)确定样品(固态样品表面)中存在哪些元素(及这些元素 存在于何种化合物中)。 常用Perkin-Elmer公司的X射线光电子谱手册 定性分析原则上可以鉴定除氢、氦以外的所有元素。 分析时首先通过对样品(在整个光电子能量范围)进行全扫描，以确定 样品中存在的元素；然后再对所选择的峰峰进行窄扫描，以确定化学 状态。
电子能谱分析
1.1 基本原理
1.1.1 信息产生
信息的产生是基于能量为h的光子与物质原子中的电子产生非弹性 散射的过程。当一个h光子将其能量传递给原子中某一壳层上受束缚 电子，且当h大于（能克服）该电子结合能Eb (binding energy, BE)， 则可将其激发电离为二次电子，并以一定动能 EK(kinetic energy, EK) 逸出，可见信息产生是基于爱因斯坦光电效应。
1.1.7 光电子特征峰伴峰
(1) 震激 ( Shake up )和震离 ( Shake off ) (2) 能量损失 ( Energy loss )
(3) 等离子振荡(plasmon)
(4) X射线伴峰 (X-ray satellites )
(5) 多重分裂 (Multiplet splitting )
8000
Intensity / cps
6000
Shake up
4000
2000
0 298 296 294 292 290 288 286 284 282 280 278
Binding Enegy / eV
(2) 能量损失峰 ( Energy loss)
能量损失峰是由于光电子在穿过样品表面时, 同原子(或分子) 之间发生非弹性碰撞损失能量后在谱图上出现的伴峰.
12000
10000
8000
6000 82 80 78 76 74 72 70 68 66 64 62
Binding Energy / eV
化学位移
因原子所处化学环境不同， 使原子芯层电子结合能发生
变化，则X射线光电子谱谱
峰位置发生移动，称之为谱 峰的化学位移。
如图所示为Ti和Ti4+的Ti
X射线光电子能谱分析
X射线光电子能谱分析X射线光电子能谱分析（X-ray photoelectron spectroscopy，简称XPS）是一种用来表征材料表面元素化学状态和电子能级分布的表征技术。
它利用X射线照射材料表面，测量和分析材料表面光电子的能谱，通过分析能谱图可以得到有关材料的化学组成、表面化学键的种类和键长、元素的电子与核心电子之间的相互作用等信息。
本文将对X射线光电子能谱分析技术的原理、仪器设备及应用领域进行详细介绍。
X射线光电子能谱分析的原理可以用以下几个步骤来概括：首先，用X射线照射材料表面，激发材料表面的原子和分子。
然后，从激发的原子和分子中发射出光电子。
这些光电子的能量与产生它们的原子或分子的能级差有关。
最后，测量和分析这些光电子的能谱，从而得到材料表面的化学组成和电子能级分布信息。
为了进行X射线光电子能谱分析，需要使用专门的仪器设备，包括X射线源、能量分辨光电子能谱仪和电子能谱仪。
X射线源通常使用非常亮的单晶或多晶X射线管。
光电子能谱仪用来测量光电子的能谱，并将所获得的信号转化为能谱图。
电子能谱仪则用来检测、放大和记录电子能谱图。
X射线光电子能谱分析可以在多个领域应用，具有广泛的研究意义和实际应用价值。
在材料科学领域，它可以用来表征材料表面的成分和化学状态，研究材料的性质和行为；在表面科学领域，它可以研究表面的形貌和变化，探索表面的特性和反应；在催化剂和材料化学领域，它可以分析催化剂的表面状态和反应过程；在电子器件和光学器件领域，它可以研究界面和界面化学反应的机理等。
总结起来，X射线光电子能谱分析是一种非常重要的表征技术，可以提供关于材料表面的成分、化学状态和电子能级分布等信息。
通过XPS技术，可以探索材料的性质、表面的形貌以及材料的化学反应机理等，对于材料科学、表面科学、催化剂和电子光学器件等领域的研究和应用具有重要意义。
电子能谱分析
2.3.2 XPS仪器 仪器结构框图与AES相似，差别在于探针不同。xray源为x光管，常用铝靶或镁靶作为X光管的靶材 料。
对于Al靶的Kα为1.49Kev，半宽度为0.68 ev ； Mg靶的Kα为1.25Kev，半宽度为0.83 ev。
2.3.3应用 1 定性分析 月球土壤
2 定量分析 聚四氟乙烯定量分析
3 表面的电子结构与体内原子结构不同。
每个原子/离子在体内的都是有规律地排布，从空 间上讲是电子处于一种平衡状态，而表面原子从空 间分布上至少是缺一个方向的平衡（面、棱、角）， 电子云的分布也不相同。因此，表面的原子比体内 原子活性更大。
2.1.3表面分析方法
表面分析方法是借助于某种“探针”，通过“探针” 与物质的表面作用，从而获得有关表面的信息的分 析方法
定量分析方法常用相对灵敏因子法（归一化法）
ci—第i种元素的摩尔分数（相对值）；Ii——AES 信号强度；Si——相对灵敏度因子（与Ag相比，可 查到）
3 实际应用举例
Element O V Au Si Na
Wt% 39.77 60.23 11.32 22.89 02.06 At% 67.76 32.24 01.74 24.66 02.71
退激发的方式有两种：一种是发射特征X－ray； 另一种是较外层电子向空穴跃迁，退激发的能量 使外层电子克服结合能脱离原子，发射出来的电 子被称为俄歇电子。
2.2.2俄歇电子能谱（AES）基本原理
1 俄歇过程命名法
俄歇过程涉及到三个能级，分别用Wi、Xp、Yq表示。其 中W表示产生空穴的主能级，i表示次能级。X表示向空穴 跃迂电子的主能级，p表示次能级；Y为发射俄歇电子的 主能级，q表示次能级 。 命名：以空穴所在电子层命名俄歇系 K系列—空穴在K层； L系列—空穴在L层
电子能谱分析实验技术的使用注意事项
电子能谱分析实验技术的使用注意事项电子能谱分析是一种利用电子能谱仪器来研究物质的成分和结构的重要实验技术。
其通过测量物质中电子能级的能量和强度来获取对物质性质的了解。
然而，电子能谱分析在实际操作中需要注意一些关键事项，以确保实验的准确性和可靠性。
本文将以深度解析的方式，探讨电子能谱分析实验技术的使用注意事项。
首先，实验前的样品准备至关重要。
为了获得准确和可靠的结果，样品必须具备一定的纯度。
在分析之前，应将样品经过适当的处理和纯化，以去除任何可能的杂质。
此外，在样品制备过程中，还需要注意样品的粒度，以确保实验的精确性。
一般来说，样品的粒度应控制在合适的范围内，以避免在实验过程中出现不必要的问题。
其次，在实验中正确操作仪器也是非常关键的。
电子能谱分析仪器通常非常复杂且敏感，需要精确的操作。
在操作中，实验人员必须严格遵守操作规程，并熟悉仪器的使用方法。
例如，实验人员应注意电子能谱分析仪器的工作原理和仪器参数的设置。
错误的参数设置可能导致数据失真，从而影响实验结果的准确性。
另外，实验过程中还应注意保持仪器的稳定性，如避免温度和电场等因素的变化对实验结果的影响。
另一方面，对于数据处理和结果分析过程也不能忽视。
电子能谱分析得到的数据通常十分庞大且复杂，需要经过合理的处理和分析才能得出有意义的结论。
在数据处理过程中，实验人员应了解并正确运用相应的数据处理软件，如谱峰分析软件、峰面积计算软件等。
同时，还应注意在数据处理过程中避免非必要的误差引入。
另外，在结果分析过程中，应结合已有的理论知识和背景，对实验结果进行合理解释和推断。
同时，在实验过程中，安全问题也是需要重视的。
电子能谱分析实验涉及到较高的真空度和电子束等特殊条件，因此在操作过程中需要特别注意实验环境和个人安全。
例如，应佩戴适当的防护装备，保持实验室的通风良好，以避免任何可能的危险。
此外，实验人员还应严格遵守实验室的安全操作规程，确保实验过程的安全性。
最后，数据的可靠性和重复性也是电子能谱分析实验中需要关注的问题。
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1.1.5 XPS谱线的自然宽度和分辨率
• 光电子发射是建立在激发态原子弛豫后的电子发射，即某一内 壳层轨道上一个电子被激发电离而产生的电子发射。光电子发 射峰的宽度直接反映了电离后产生离子的寿命长短； • 由Heisenberg测不准原理有以下关系：
h
4.11015
(eV )
• 离子寿命一般在10-14~10-15s之间，因而谱线半高宽为10-1~100 eV量级；
► 自旋-轨道偶合分裂（XPS谱图中较明显）谱线有：
p轨道的p3/2、p1/2， d轨道的d5/2 、d3/2，
► 光电子特征峰
f 轨道的f7/2、f5/2；
— s壳层不发生自旋分裂 — p, d, f壳层分裂成两个能级
在谱图上是单峰 在谱图上出现双峰. 两峰的面积比一般为 2p1/2 2p3/2 = 1 2 3d3/2 3d5/2 = 2 3 4f5/2 4f7/2 = 3 4
对Z>12的元素，为了获得尽可能好的灵 敏度，采用2p电子，并随Z增加而灵敏 度增大，在Z=31处陡降；
以此类推，结果发现如图所示的规律；
上述规律为我们分析不同组成元素选择 合理的不同壳层电子提供了依据。即：
Z=1~11， 选1s；
Z=12~32，选2p； Z=33~62，选3d； Z=63~70，选4d Z=71~90，选4f.
1.1 基本原理
1.1.1 信息产生
信息的产生是基于能量为h的光子与物质原子中的电子产生非弹性 散射的过程。当一个h光子将其能量传递给原子中某一壳层上受束缚 电子，且当h大于（能克服）该电子结合能Eb (binding energy, BE)， 则可将其激发电离为二次电子，并以一定动能 EK(kinetic energy, EK) 逸出，可见信息产生是基于爱因斯坦光电效应。
-V1 -V2
能量的电子能通过能量分析
器，在出口处的检测器上聚 焦。
1.3 X射线光电子能谱分析与应用
1.3.1 元素(及其化学状态)定性分析
• 方法：以实测光电子谱图与标准谱图相对照，根据元素特
征峰位置(及其化学位移)确定样品(固态样品表面)中存在哪 些元素(及这些元素存在于何种化合物中)。
► B, C, N, F, O, Na, Mg元素的p分裂谱线看不见；
► Al, Si, P, Cl, S等元素的p分裂谱线间距小，不使用单色器时不能分
开。
4500
N1s
36000 34000
Zn2p3/2
Intensity / a.u.
4000
Intensity / a.u.
Zn2p1/2
3500
• 在样品室安装低能电子中和枪 • 利用污染碳C1s结合能做内标 （BEC1s=284.8eV）
1.2 仪
X射线光电子能谱
主要组成部分：X光源(激 发源)，样品室，电子能量 分析器和信息放大、记录 (显示)系统等组成。 双阳极X射线源: 在XPS 中常用的有Mg/Al双阳极 X射线源，其产生的X射 线特征辐射为： MgKα hν= 1253.6eV AlKα hν= 1486.6eV 线宽ΔE=0.7eV 线宽ΔE=0.85eV
1.1.7 光电子特征峰伴峰
(1) 震激 ( Shake up )和震离 ( Shake off ) (2) 能量损失 ( Energy loss )
(3) 等离子振荡(plasmon)
(4) X射线伴峰 (X-ray satellites )
(5) 多重分裂 (Multiplet splitting )
32000 30000 28000
3000
2500
26000
406 404 402 400 398 396 394
Binding Energy / eV
1050
1030
1020
1010
Binding Energy / eV
16000
Pt4f5/2
Pt4f7/2
14000
intensity / cps
★同一壳层电子的激发灵敏度随原子序数不同也不同，呈周期性变 化
3. 例如，Z=1~12的轻元素， 1s电子激发灵敏度随Z增加而增大，到 Z=12时急剧下降。如果对Z=1~12的轻元素，测其2s电子激发强度， 则可发现，2s电子灵敏度比1s低20倍左右。这就是为什么轻元素均用 1s电子结合能的原因。
对于Z=1~12的轻元素，其1s电子的激发 几率除与轨道半径平方成反比外，还与 核电荷（Z）的三次方成正比，即随Z增 加，激发几率迅速增大；
宏观性能做出正确的评价与理解，首先必须对各种条件下表
面的化学组成和化学状态进行定性和定量的测定和分析。
• 固体表面状态，包括表面成分、结构、配位、化学键性、
能带、电子态等等，对材料的许多物性以及相关的应用和 理论都有非常重要的意义。
• 人们早就十分关注固体表面问题，但一直受到实验手段的 局限，主要是缺乏在原子水平表征、研究材料成分、结构、 状态和性能的直接手段。 • 电子能谱主要用于研究≤2-5nm尺度的表面成分与状态。
电子枪
离子枪
真空主要靠两个涡 轮分子泵来获得， 其前级由机械泵维 持，另外在分析室 还可加装一离子泵 和钛升华泵，这样 在样品分析室中真 空度可优于1×10-10 mbar
XPS大多采用半球形静电式能量分析器
半球面静电能量分析器由内 外半球组成，半径分别为r1 和r2 ，在两半球上加上负电 位（V2>V1 ）。运动的电子 进入两个同心球面间时，受 到电场的作用其运动方向会 偏转。只有具有：
什么是电子能谱分析法？
电子能谱分析法是采用单色光源（如X射线、紫外光） 或电子束去照射样品，使样品中电子受到激发而发射出 来，然后测量这些电子的产额（强度）对其能量的分布， 从中获得有关信息的一类分析方法。 本篇主要介绍X射线光电子能谱法(x-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)和俄歇电子能谱法(Auger Electron Spectroscopy, AES)
(6) 俄歇电子 (Auger electron )
这些复杂现象的出现同体系的电子结构密切相关，它们在XPS谱图上 表现为除正常光电子主峰外，还会出现若干伴峰，使得谱图变得复杂。 解释谱图并由此判断各种可能的相互作用，获得体系的结构信息，这是 当前推动XPS发展的重要方面，也是实用光电子谱经常遇到的问题。
880
860
840
820
800
780
Binding Energy / eV
克服校正荷电效应的方法： • 把样品制成尽可能薄的薄片
• 在样品表面蒸镀极薄的导电层，如表面蒸镀Au或Pt等 元素（BEAu4f7/2=84.0eV, BEPt4f7/2=71.1eV)
• 把非导电样品与导电样品紧密混合，将样品压入In片
1.1.8 非导电样品的荷电校正
在对非导电样品进行测定时，由于光电子的不断发射，使样品表面积
累正电荷。这种电荷效应一般引起发射的光电子动能降低，使记录的
谱峰位移（可达几个电子伏特）。
45000
Ba3d
40000 35000
Intensity / cps
30000 25000 20000 15000 10000 5000 0 900
• 只要逸出功s已知，即可通过测量光电子动能EK来求得元素不同
内层电子的结合能Eb ， Eb是特征的，因此，可以利用作为元
素分析
• 不同试样的s是变化的，因此，实际应用很不方便。
为方便测试，对逸出功s采用如下方法处理（谱仪逸出功sp代替试样 逸出功s： • 把试样放置在金属试样架上，并与仪器（谱仪）紧密连接和良好接 地； • 由固体物理理论可知，由于试样与仪器同时接地，处于等电位状态， 试样和谱仪（壳材料）的费米面拉平； • 此时，忽略Er，则试样和谱仪壳材两者分别有以下能量关系：谱仪 逸出功 sp代替试样逸出功s：
电子能谱分析
第一章 X射线光电子能谱
第二章 俄歇电子能谱
固体表面的化学组成和体内不完全相同，甚至完全不同， 造成这种差别的原因主要有：
★
表面原子（或离子）化学键部分断裂（悬挂键）， 能量状态与体内不同；
★ ★ ★
外来物在表面的吸附、污染；
表面的氧化、腐蚀和摩擦； 人为加工的表面，如离子注入、钝化和各种涂层。 因此，在实际应用中，人们要对材料和器件工作表面的
• XPS的优点：谱线的自然宽度很窄，具有很高的的分辨率
XPS法另一大特点： XPS峰能量分辨率随 原子序数增加变得 更好，说明XPS对轻、 重元素的分析都适 合。
1.1.6 XPS谱图
XPS中代表特征指标的参数有两种：一种是电子结合能Eb；另 一种是光电子动能EK，两种谱图表示的能量变化方向刚好相反。 元素的特征峰：能谱中表征样品芯层电子结合能的一系列光电 子谱峰。
12000
10000
8000
6000 82 80 78 76 74 72 70 68 66 64 62
Binding Energy / eV
化学位移
因原子所处化学环境不同， 使原子芯层电子结合能发生
变化，则X射线光电子谱谱
峰位置发生移动，称之为谱 峰的化学位移。
如图所示为Ti和Ti4+的Ti
第一章 X射线光电子能谱
X射线光电子能谱法（XPS），因最初以化学领域应用为主要目 标，故又称为化学分析用电子能谱法（ESCA）。
XPS是由瑞典Uppsala University的物理学家Kai M. Seigbahn 带领他的学生及同事于1962年首次建造，并历经20年研究发展 起来的。
• Al K、Mg K等x光可激发的光电子 能量范围约在50 ~ 1487eV，因此，其 逸出深度也很小，只有几个到几十Å （约5 ~ 20Å）数量级，是一种表面信 息。 衰减长度与电子能量的 关系Tracy曲线