TC86 IGBT-无感吸收电容
IGBT应用中常见问题及解决方法
IGBT应用中常见问题及解决方法————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：IGBT应用中常见问题及解决方法来源：半导体器件应用网摘要：综合了gtr和mosfet优点的igbt,是一种新型的80年代问世的绝缘栅双极性晶体管，它控制方便、工作频率高、开关速度快、安全工作区大。
随着电压、电流等级的不断提高，igbt成为了大功率开关电源、变频调速和有源滤波器等装置的理想功率开关器件，在电力电子装置中得到非常广泛的应用。
关键字：变频调速器，开关电源，ups逆变电源随着现代电力电子技术的高频大功率化的发展，开关器件在应用中潜在的问题越来越凸出，开关过程引起的电压、电流过冲，影响到了逆变器的工作效率和工作可靠性。
为解决上述问题，积极采用了过电流保护、散热及减少线路电感等措施，缓冲电路和软开关技术也得到了广泛的研究，取得了迅速的进展。
本文就针对这方面进行了综述。
2 igbt的应用领域2。
1 在变频调速器中的应用spwm变频调速系统的原理框图如图1所示。
主回路为以igbt为开关元件的电压源型spwm逆变器的标准拓扑电路，电容由一个整流电路进行充电，控制回路产生的spwm信号经驱动电路对逆变器的输出波形进行控制；变频器向异步电动机输出相应频率、幅值和相序的三相交流电压,使之按一定的转速和旋转方向运转。
2.2 在开关电源中的应用图2为典型的ups系统框图。
它的基本结构是一套将交流电变为直流电的整流器和充电器以及把直流电再变为交流电的逆变器。
蓄电池在交流电正常供电时贮存能量且维持正常的充电电压，处于“浮充”状态.一旦供电超出正常的范围或中断时，蓄电池立即对逆变器供电,以保证ups电源输出交流电压。
ups逆变电源中的主要控制对象是逆变器,所使用的控制方法中用得最为广泛的是正弦脉宽调制（spwm)法。
2。
3 在有源滤波器中的应用并联型有源滤波系统的原理图如图3所示。
SVG无功补偿系统培训
• 8、将SVG转换开关打到“投入”状态，观察调节装置三相直流电压值， 监控装置SVG链节电压以及有无告警信息出现，一切正常无告警则正常 运行，否则将SVG转换开关打到“自检”状态，分析故障原因，待排除 故障后再投入SVG。
• 在电力系统中除发电机是无功功率的电源外，线 路的电容也产生部分无功功率。在上述两种无功 电源不能满足电网无功功率的要求时，需要加装 无功补偿装置。
无功补偿装置的作用？
• 改善功率因数 • 改善电压调节 • 调节负载的平衡性
无功补偿的基本原理
把具有容性功率负荷的装置与感性功率负 荷，并联接在同一电路；当容性负载释放能量 时，感性负荷吸收能量；而当感性负荷释放能 量时，容性负荷却在吸收能量；能量在两种负 荷之间交换。
SVG退出运行操作步骤
• 1、将SVG转换开关打到“自检”状态； • 2、断开旁路接触器； • 3、断开SVG断路器； • 4、关闭SVG风机； • 5、打开SVG隔离开关、合隔离开关接地刀
SVG维护注意事项
• SVG运行时，严禁打开启动柜柜门以及功率柜 柜门，避免发生事故。如需对启动柜、功率 柜内的部件进行检修，须断开SVG上级断路器、 拉开SVG上级隔离并将隔离开关接
直流电容
SVG控制系统工作方式
• SVG控制系统共有3种工作方式，分别是：“投入”、“自 检”、“退出”。工作方式切换通过SVG控制屏前板所设 置转换开关完成。
• 在“投入”模式下，SVG控制系统所有装置均正常工作， 能够实现功率单元的正常触发、监测和SOE记录。
IGBT吸收电容系列PDF规格书
注： “-”表示内部特征码。
Guang Zhou Bo Hao Electronic Technology Co., Ltd.
MKP-C38 Series
技术要求 产品代码 引用标准 额定电压(UN) 气候类别 额定容量(CN) 容量偏差 存储温度 C381U306J0-0000 IEC61071 600VDC 40/85/56 30μF J(±5)% -40˚C~85˚C 金属化聚丙烯薄膜 环氧树脂，UL94-V0 89mm×64mm×51mm PPS 镀锡黄铜 M6：5Nm
8 耐 久 性
最后测量
■ 印章
符号说明:
符号 商标 1000 额定电压 说明 符号 C38 7791170002 说明 产品型号 产品生产代码 符号 125K 说明 标称电容量及偏差
■ 包装箱尺寸
1 散装外包装箱尺寸 2 内包装箱尺寸
L:375mm B:375mm H:265mm 注：包装箱尺寸根据需要有可能改变。
1. 结构参数
介质材料 填充材料 主体尺寸 外壳材质 电极材质 最大安装扭矩
2.
电气参数
660V (30% of on-load-dur.) 690V (30min/day) 720V (5min/day) 780V (1min/day) 900V (30ms every time, 1 000 times during the life of the capacitor) 45A@100kHz,θamb=25℃ 1 800A 5 400A 60V/μs ≤3.0mΩ@20℃ (电阻温度系数 TCR: 0.4%/℃) ＜32nH 0.0002 tgδ0+2×π×fripple×CN×Rs (≤0.0010@1kHz) Rth≤10K/W (热点到环境（自然冷却）) Rthhc≤5K/W(热点到外壳) ≥10 000s (20℃,100V,1min) - 40°C to 85°C ≤85°C (θhs=θamb+I2rms×(RS+tgδ0/(2×π×fripple×CN)) ×Rth or θhs=θcase+I2rms×(RS+tgδ0/(2×π×fripple×CN)) ×Rthhc) 900Vd.c.,60s 2 500Va.c.,60s 100 000hrs@500VDC, θhs≤85°C & 失效率: ≤10 FIT
CBB、CL电容介绍大全(原版)
CBB、CL交流薄膜电容器大全一、交流薄膜电容器分类主要是特性和用途不同,例如:产品名称型号常见电容容量常见工作电压特性及用途金属化聚乙酯膜电容器MEF0.01uF-10uF100VDC,250VDC,400VDC,630VDCMEF是非感应式,用镀金属聚酯薄膜作为电介质/电极,镀锡铜包钢线,具有环氧树酯包封.本品适合于耦合,滤波,整流和计时电路中,在远程通讯,数据处理,工业仪表和自动控制系统的设备中得到运用.金属化聚丙烯电容器MPF0.001uF-10uF100VDC,250VDC,400VDC,630VDCMPF是非感应式,用镀金属聚丙烯电介质/电极,绕制而成,镀锡铜包钢线,用环氧树酯包封,本品应用于要求高频率下高电流,高稳定性的电路中,尤其用于CRT电路的S-校正中.聚酯薄膜电容器PEN 0.001-0.47uF50VDC,100VDC,200VDCPEN是非感应式,用聚酯薄膜作为介质和铝箔为电极绕制成,镀锡铜包钢线,具有环氧树酯包封.本品用ZYL于需要降躁音的小信号电路的工商业设备中十分理想. 聚丙烯薄膜电容器PPN 0.001-0.47uF250VDC,400VDC,630VDCPPN为非感应式,用聚丙烯薄膜电介质和铝箔为电极绕制成,镀锡铜包钢线,具有环氧树酯包封.本品用于无程通讯,数据处理,工业仪表和自动化控制的系统的设备.金属化聚丙烯薄膜电容器(高压 PPS 0.001-0.33uF1000VDC,1200VDC,1600VDC,2000VDCPPS为非感应式,用聚丙烯电介质和镀金属聚丙烯薄膜串联以铝箔为电极绕制而成,镀锡铜包钢线,环氧树酯包封.本品用于高频率,高脉冲上升时间电路十分理想,在缓冲器,转接开关和高压电源器以及电子照明镇流器中得到广泛的应用.聚乙酯膜电容器PEI 0.001-0.47uF50VDC,100VDCPEI是感应式,用聚酯薄膜电介和铝箔为电极绕制成,镀锡铜包钢线,具有环氧树酯包封.本品适合于计时电路和滤波,耦合的用途,用于电视机,收音机,磁带录音机,音响和其它消费性电子设备十分理想. MKT82 圆轴向金属化聚酯膜电容器MKT83扁轴向0.001-33uF50,63V,100V,160V,250V,400V,630V(DCMKT82、MKT83以金属化聚脂膜作介质和电极,用阻燃胶带外包和环氧树酯密封,具有电性能优良,可靠性好,耐温高,体积小,容量大和良好自愈性能.本品适用于仪器,仪表,家用电器的交/直流电路,广泛应用于音响系统分频线路中.安規濾波電容器MPX ——MPX 是非感应式聚丙烯膜介质,真空蒸金属电极, 径向镀锡导线点焊于电容器两端面金属层,装于加强阻燃型盒子并用环氧树脂灌封,阻燃要求达到UL94V-0。
电容分类
电容的分类图片等家电类2008-11-19 17:31:07 阅读2312 评论0字号：大中小微波炉用CBB电容CBB电容,用于小功率电机起动电容，用于开关电源220V交流高频滤波。
用于电视机等的电路板上的要求较高的地方，如彩显的S校正电容等。
名称：聚丙烯电容（CBB）符号：电容量：1000p--10u额定电压：63--2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路独石电容最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。
应用范围：广泛应用于电子精密仪器。
各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
容量范围：0.5PF--1UF耐压：二倍额定电压。
里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。
2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。
名称：铝电解电容符号：电容量：0。
47--10000u额定电压：6。
3--450V主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等名称：钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）符号：电容量：0。
1--1000u额定电压：6。
3--125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容应用：在要求高的电路中代替铝电解电容摘录电解电容厂家的“铝电解电容器适用指南”如下：一.电路设计（4）铝电解电容分正负极，不得加反向电压和交流电压，对可能出现反向电压的地方应使用无极性电容。
（5）对需要快速充放电的地方，不应使用铝电解电容器，应选择特别设计的具有较长寿命的电容器。
（6）不应使用过载电压1.直流电压玉文博电压叠加后的缝制电压低于额定值。
2.两个以上电解电容串联的时候要考虑使用平衡电阻器，使得各个电容上的电压在其额定的范围内。
3.3kV矿用组合高压防爆变频器设计探究
2021.14科学技术创新3.3kV 矿用组合高压防爆变频器设计探究吴世均（上海伟肯实业有限公司，上海201806）煤矿采掘面驱动刮板机、转载机和破碎机的设备，都要求无极调速、低频大转矩特性，传统的液力偶合器调速系统根本无法满足工况要求。
采掘面3.3KV 供电系统早已得到应用,3.3KV 防爆高压变频器应运而生。
本文以模块化思路实现高压防爆变频器设计，规避共整流方式的缺点，满足变频器故障不停运，快速维修的要求，为煤矿可靠地实现智能化生产做出一定贡献。
1项目概况本项目设计3.3kV 组合防爆高压变频器，包括两组合、三组合两个大的类型，每一个类型包括1250kW 和2000KW 两个功率段的变频器，由于涉及到多种变频器，而同功率的两组合和三组合变频器，物料类型相同，所以变频器主回路采用多个单独主回路拓扑结构，并且对主回路进行划分，形成了5个功能模块。
控制回路也进行划分，形成内控和外控两大模块。
相同功率的变频器，就可以直接使用这些功能模块，既减少了设计工作量，又利于提高生产和售后服务效率。
2整机设计矿用组合高压防爆变频器主回路采用交直交电压型拓扑，整流拓扑结构采用串联12脉动整流或者6脉动三相桥式整流、直流采用模块式薄膜电容、逆变采用一字型三电平拓扑。
如图1所示的12脉动的3.3KV 单台高压防爆变频器主回路拓扑图。
在三组合变频器中，含有三台相同的变频器，三台变频器的主回路完全相互隔离，其中任何一台变频器出现故障，可以直接断掉电源，启动备用变频器，或者剩下的变频器投入运行，不影响煤矿的生产。
可将图1的主回路划分为5个模块：（1）功率输入单元：包括高压继电器、预充电电阻、主真空接触器KM1和KM2。
（2）模组Z+U ：包括整流部分、均压电阻和逆变U 相。
（3）模组V+W ：包括逆变V 相和逆变W 相。
（4）储能单元，包括C1-C6的薄膜电容。
（5）功率输出单元，也就是输出电抗器，如图2所示。
在整机布局中，可以将组合变频器的所有功率输入单元统一放入外控腔，将剩下部分放置在变频腔中，这样组合变频器就由一个外控腔和多个变频腔构成。
电容系列
1、DC-LINK系列包括SHB SHD SHE SHF SHA2、突波无感吸收系列包括STM STF STD STC STS STBEACO电容选用高品质的金属化薄膜作为原材料，采用最新的设计理念和生产工艺，性能具有高频、大电流、高脉冲的特点；所有产品都经过先进的电流能力（dv/dt)检测设备检测出厂，具备高可靠性。
主要应用领域有：高频开关电源、变频器、UPS/EPS、感应加热电源、逆变焊机、电镀电源、逆变电源，混合动力汽车...STM系列IGBT突波吸收电容双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。
高性价比，广泛应用于电机驱动、牵引、混合动力车、大功率转换、逆变焊机、风力发电等行业的“across-the-bus”功率线路设计电压等级：700V-3000Vdc容量：0.047uF-5.6uFSTC系列IGBT突波吸收电容双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。
电压等级分别为700，850，1200，1500，2000，2500，3000Vdc用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路。
STD系列IGBT突波吸收电容双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。
用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，高频谐振线路。
STB系列高频、高脉冲电容器缓冲线路，可控硅整流线路，开关电源保护线路。
IGBT，MOSFET突波吸收高电压，高脉冲，高du/dtSTS系列IGBT突波吸收电容双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，高纹波电流，中高du/dv以及高过压能力。
STS系列IGBT突波吸收电容双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，高纹波电流，中高du/dv以及高过压能力。
igbt吸收电容
igbt吸收电容
IGBT吸收电容是一种应用在半导体大功率变换装置中的电容。
它的作用是在IGBT发生反向恢复时，吸收反向恢复过程中产生的极大电流，以防止IGBT过度热耗损及元件发生短路烧坏的情况。
同时，IGBT吸收电容也能够调整电路的振荡行为，以期获得更优的转换效率。
IGBT吸收电容由两个主要元件组成，这些元件是IGBT反向恢复电流控制电阻以及IGBT吸收电容本身，其中IGBT反向恢复电流控制电阻可以调节IGBT吸收电容充放电的行为，以获得更高的转换性能。
IGBT吸收电容的容量一般为1uF-10uF之间，越大的容量能够吸收的电流越大，但同时也会导致电路的可靠性降低。
IGBT吸收电容的构型有两种，一种是“恒定容量”，其容量随着温度变化不会发生剧烈变化；另一种是“变容量”，其容量随着温度变化会有较大的变化。
在实际应用中，IGBT吸收电容通常采用恒容量类型，而在变换量较大的情况下，可以采用变容量构型，以提高电路的可靠性。
此外，IGBT吸收电容的绝缘电阻也是很重要的，绝缘电阻的高低直接关系到IGBT吸收电容的工作性能，IGBT吸收电容的绝缘电阻一般要求在100MΩ以上，其可靠性才能够得到保障。
IGBT吸收电容是IGBT变换装置的重要部件，它主要用于吸收反向恢复过程中产生的大电流，以防止IGBT过热烧坏，同时也可以调节电路的振荡行为，以提高整个电路的可靠性以及转换效率。
IGBT
吸收电容的构型有恒容量类型和变容量类型，而且它的绝缘电阻也必须达到足够高的电压，以保证IPBT变换装置的安全性及可靠性。
IGBT吸收电容
略图
上视图
Front View
Top View
��� L ±1.0 mm 9.0 mm .35 in ������16.0 mm 0.63 in both ends
SCT “B” Style Terminal Lugs
1000 Vdc SCT224K102D3B25-F 0.22 SCT474K102D3B25-F 0.47 SCT564K102D3B25-F 0.56 SCT684K102D3B25-F 0.68 SCT105K102D3B25-F 1.00 SCT125K102D3B25-F 1.20
������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������
W for "S" Type (in) 1.30 1.30 1.30 1.30 1.42 1.57 1.77 1.30 1.30 1.30 1.30 1.42 1.57 (mm) 33.0 33.0 33.0 33.0 36.0 40.0 45.0 33.0 33.0 33.0 33.0 36.0 40.0
SCT型
IGBT突波吸收盒装电容器
������������������ Film�����������
Ratings
頻率 种类
I
SL型尺寸的参考因素 Consult Factory for "SL" Style Dimensions 长度 B型的高度 B型的宽度
IGBT 缓冲电路 无感电容
CDE无感吸收电容器的应用摘要：扼要讨论了IGBT模块缓冲电路的有关题目，并先容了美国CDE电容模块在缓冲电路中的应用。
关键词：IGBT 缓冲电路电容模块Application of Capacitor Modules of American CDE Co.in Snubber CircuitAbstract: Briefly discuss about IGBT modules in snubber circuit and introduce application of capacitor modules of American CDE Co. in snubber circuit Key words: IGBT Snubber Circuit Capacitor Modules1 引言众所周知，在电力电子功率器件的应用电路中，无一例外地都要设置缓冲电路，即吸收电路。
一些初次应用全控型器件的读者或许有这样的感受：器件莫名其妙损坏。
固然原因颇多，但缓冲电路和缓冲电容选择不当是不可忽略的重要原因。
2 缓冲原理器件损坏，不过乎是器件在开关过程中遭受了过量di/dt、dv/dt或瞬时功耗的危害而造成的。
缓冲电路的作用，就是改变器件的开关轨迹，控制各种瞬态过电压，降低器件开关损耗，保护器件安全运行。
图1所示为GTR驱动感性负载时的开关波形。
不丢脸出，在开通和关断过程中的某一时刻，GTR集电极电压uc 和集电极电流 ic 将同时达到最大值，因而瞬时功耗也最大。
加进缓冲电路，可将开关功耗转移到相关电阻上消耗掉，达到了保证器件安全运行的目的。
典型复合式缓冲电路如图2。
当GTR 关断时，负载电流经缓冲二极管D向缓冲电容C充电，同时集电极电流 ic逐渐减少。
由于电容C两端电压不能突变，所以有效地限制了GTR集电极电压上升率dv/dt，也避免了集电极电压uc 和集电极电流 ic 同时达到最大值。
GTR集电极母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感，在GTR开通时储存的能量1/2 LI2，这时转换成1/2 CV2储存在缓冲电容C中。
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IGBT Snubber Capacitor
*产品简介（
General Description
）
介质材料 (Dielectric)：聚丙烯膜 (Metallized Polypropylene) 外壳结构 (Case)：
胶带 (polyster tape)
引出端头 (Terminals)：Axial leaded ,Lug terminals 内部结构 (Technology)：阻燃树脂填充无感干式结构 (No-Inductive,Dry Film) 工作温度 (Work Temperature)：- 40 ~ + 105℃
产品特性 (Performance)： High dV/dt ，Low ESR and ESL 产品应用 (Application)：
IGBT 吸收保护、高纹波电路
* 外形尺寸(Drawing)
采用聚丙烯双面金属膜;具有自愈性，耐高尖锋电流及高电压的上升速率 ；本具有相当低等效串联电阻的特性，同时还可以耐非常高的频率和电压。
Oval film capacitors use polypropylene film and dual metallized electrodes for both self healing and high peak current carrying capability (dV/dt).This series features low ESR characteristics,excellent high frequency and high voltage capabilities.
* 应用线路（Typical circuit ）
图一、IGBT 保护电路图二、阻容吸收电路
* 电气性能(Electrical Characteristics)
容值范围(Cn,Capacitance range)：
4.7 nF to 10μF 容量偏差(Tolerance)：
± 10%
工作电压(Urms,Rated AC Voltage)：700 to 3000Vdc (300 to 750Vac) 极间耐电压(UTT)：
1.5 * Un @ 60s
电极与外壳耐压(UTC)：
2.0 * Un @ 25℃,5 Sec.
I.R. @ 25℃
C ≤ 0.33μF
C > 0.33μF ≥ 50,000Mohm ≥ 30,000Mohm
** UTT: Test voltage between terminals
** UTC: Test voltage between terminals with case
TC86 IGBT吸收保护电容
IGBT Snubber Capacitor
* 标准产品电气性能表(Standard Electrical Data)L T W
0.15TC86S15K85C 117 6.7818725349.5140.22TC86S22K85C 2857.48197253411.316.50.33TC86S33K85C 3528.9721725341417.80.47TC86S47K85C 36811.6522725341723.50.68TC86S68K85C 40011.8425725342228.51.00TC86S105K85C 42012.13264114617262.00TC86S205K85C 55017.6328411462434
3.00
TC86S305K85C
61725.33314204635
0.15TC86S15K10A 1257.6820837341014.50.22TC86S22K10A 2288.77228373412.5170.33TC86S33K10A 3959.5722837341417.80.47TC86S47K10A 45011.87238373419250.68TC86S68K10A 55013.55258373425321.00TC86S105K10A 63013.7425457462030.52.00
TC86S205K10A
92022.7432457462735.4
0.1TC86S10K12A 2287.172012133411180.15TC86S15K12A 2758.572012133414200.22TC86S22K12A 3389.372311743417230.33TC86S33K12A 40010.47236274614230.47TC86S47K12A 54012.36256274617270.68TC86S68K12A 63015.45286274621311.00TC86S105K12A 75015.75316504625351.50TC86S155K12A 82017.9431540463040
2.00TC86S205K12A 90022.34335405829.7
3.00
TC86S305K12A
98023.43355405834
0.1TC86S10K20A 1759.412209403615220.15TC86S15K20A 2279.710229403617230.22TC86S22K20A 28010.77259403620250.33TC86S33K20A 31211.87289403623300.47TC86S47K20A 44515.16308113625311.00TC86S105K20A 74119.7
638740582434
注：仅举部分产品，可根据客户要求定做！
Un = 850 Vdc / Vrms = 450 Vac
Un = 1000 Vdc / Vrms = 500 Vac
Un = 1200 Vdc / Vrms = 550 Vac
Un = 2000 Vdc / Vrms = 700 Vac
容量Cap.产品代码 Part
Number
Ipeak
(A)
Irms (A)
ESL
ESR
dv/dt
TC86 IGBT吸收保护电容
DIMENSION Unit: mm。