分子束外延技术
mbe分子束外延材料
mbe分子束外延材料摘要：一、MBE分子束外延材料简介二、MBE分子束外延技术的原理与应用三、MBE分子束外延材料的优点与不足四、我国MBE分子束外延材料的发展现状与展望正文：一、MBE分子束外延材料简介MBE（Molecular Beam Epitaxy，分子束外延）分子束外延材料是一种先进的材料生长技术，通过控制分子束的输运和沉积速率，实现对薄膜材料的精确生长。
MBE技术可以生长各种薄膜材料，如半导体、金属和氧化物等，被广泛应用于微电子、光电子和能源领域。
二、MBE分子束外延技术的原理与应用MBE分子束外延技术利用分子束源将原材料分子束射到基板上，通过调节束流、角度和速度，使分子在基板表面发生沉积、生长。
该技术具有极高的生长速率控制能力和薄膜质量，可实现对薄膜厚度、成分和结构的精确控制。
MBE技术在我国已得到广泛应用，如半导体器件制造、太阳能电池、发光二极管、激光器和光纤通信等领域。
此外，MBE技术在基础研究中也具有重要意义，如生长量子点、量子井、异质结构等。
三、MBE分子束外延材料的优点与不足MBE分子束外延材料具有以下优点：1.薄膜质量高：MBE技术可以实现对薄膜厚度和结构的精确控制，薄膜具有优异的物理和化学性能。
2.生长速率快：相较于其他外延技术，MBE技术具有较高的生长速率，提高生产效率。
3.成分可控：通过调节分子束的成分和比例，可以实现对薄膜成分的精确控制。
4.制备异质结构能力强：MBE技术可以实现不同材料之间的精确拼接，制备出具有特殊功能的异质结构。
然而，MBE技术也存在一定的不足：1.设备昂贵：MBE设备价格高昂，投资成本较大。
2.工艺复杂：MBE技术对生长环境和设备参数要求较高，工艺复杂且难以控制。
3.产量有限：MBE设备的生产能力较低，难以满足大规模生产需求。
四、我国MBE分子束外延材料的发展现状与展望近年来，我国MBE分子束外延材料研究取得了显著成果，不仅在技术上实现了突破，还成功应用于多个领域。
mbe 分子束外延
mbe 分子束外延分子束外延（MBE，Molecular Beam Epitaxy）是一种制备薄膜材料的技术，主要用于制备半导体材料和器件。
它是一种高真空技术，使得薄膜的生长在几秒到几分钟的时间内完成。
MBE技术在半导体产业中得到了广泛的应用，促进了半导体材料和器件的发展。
MBE技术的工作原理是利用分子束，将材料分子在真空环境下逐个排列而成的薄膜材料。
首先，通过加热来提供足够的热能，从而将材料转化为蒸汽或气体。
接下来，通过使用高度完整的分子束来传输这些分子，使其在基底表面上按照预定的方式排列成薄膜。
最后，冷却材料并结晶，形成所需的薄膜。
MBE技术的一个显著特点是能够实现单原子层的生长。
由于分子束的高能精度和流动控制，可以准确控制薄膜的厚度和成分，从而产生高质量的材料和器件。
此外，MBE技术具有高度可控性和精确性，可以在纳米尺度上进行控制和操纵。
这使得MBE在制备多层异质结构材料和量子器件方面具有独特的优势。
MBE技术主要用于制备半导体材料和器件，如激光器，光电探测器，高电子迁移率晶体管（HEMTs）等。
由于MBE可以实现高质量的外延生长，使得器件具有优异的性能，并展现了许多新奇的物理现象。
例如，MBE可以制备出具有垂直量子阱结构的激光器，使得它们可以在低阈值电流下工作和实现可调谐性。
此外，MBE也被用于制备GaAs和InP等半导体材料的缺陷量子阱结构，研究光电子学和量子信息处理等领域。
随着纳米材料和纳米器件的发展，MBE技术的应用正在不断扩展。
MBE可以制备纳米颗粒和纳米线等结构，用于能源转换和存储等领域。
此外，MBE还可以用于制备二维晶体和拓扑绝缘体等新兴材料，研究它们的物理性质和应用。
通过结合MBE技术和其他生长技术，例如分子束外延悬浮液法和金属有机化学气相沉积法等，可以实现更多样化的材料和器件结构。
总之，分子束外延是一种重要的薄膜生长技术，在半导体材料和器件领域发挥着重要的作用。
它具有高质量、高可控性和高精度的优点，可以应用于各种材料和器件的制备。
分子束外延的含义
分子束外延的含义分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，简称MBE）是一种用于生长单晶薄膜的先进材料制备技术。
通过控制分子束的流动和能量，可以在原子尺度上控制材料的质量和结构，从而实现高度纯净、低缺陷的薄膜生长。
这一技术在半导体、光电子学、纳米科技等领域发挥着重要作用。
MBE技术是通过在真空环境中利用化学反应来生长单晶薄膜。
从源材料中产生高能量的分子束，束流中的分子逸散并与加热的基片上的原子发生反应，从而在基片表面上沉积一层新的薄膜。
利用分子束的狭缝，薄膜可以在原子尺度上的精确控制生长，从而达到高质量、晶格匹配的效果。
MBE技术主要包括源材料的制备、束流形成和真空系统的设计。
源材料的纯度和制备过程对薄膜质量至关重要。
材料通过高温热蒸发、分子流辐射或簇射等方式产生，确保材料的纯净度和均匀性。
束流的形成则需要通过激光蒸发、热蒸发或分子簇射等技术实现。
同时，真空系统的设计和维护也是MBE技术的重要组成部分，保证材料生长的稳定性和纯净度。
MBE技术在半导体领域有广泛应用。
通过控制薄膜生长的参数，可以在半导体材料中实现掺杂和多层结构。
这为半导体器件的研究和制备提供了理想的原材料。
例如，MBE技术在光电子器件中的应用已被广泛研究。
通过调控薄膜的生长条件，可以实现光电转换和光电流输运的优化，从而实现高效率的光电子器件。
除了半导体领域，MBE技术还在纳米科技、光学薄膜和低维材料研究中发挥着重要作用。
例如，在纳米量子点的研究中，MBE技术可以精确控制量子点的大小和排列，从而调控其电学和光学性质。
在新型材料的研发中，MBE技术可以实现复杂结构的控制生长，从而研究材料的新奇性质。
总之，分子束外延技术是一种先进的材料制备技术，广泛应用于半导体、光电子学和纳米科技等领域。
通过精确控制薄膜生长的条件和材料组分，可以实现高质量、低缺陷的薄膜生长。
这一技术的发展将推动材料科学和器件制备的进步，为相关领域的研究提供有力支持。
原子层沉积 分子束外延
原子层沉积分子束外延摘要：1.原子层沉积与分子束外延的概述2.原子层沉积技术的原理与特点3.分子束外延技术的原理与特点4.两种技术的应用领域及优缺点对比5.中国在相关领域的研究与发展正文：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，简称ALD）和分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，简称MBE）是两种重要的薄膜制备技术，广泛应用于半导体、光学和能源等领域。
原子层沉积技术是一种自下而上的薄膜制备方法，通过气相沉积的方式，将材料原子一层一层地沉积在基底上。
ALD技术的特点是薄膜厚度可控、成分均匀、生长速率慢，因此能够实现对薄膜的精确控制。
此外，ALD技术可以应用于多种材料，包括金属、氧化物和化合物等。
在我国，ALD技术已经取得了显著的研究成果，并在半导体、太阳能电池、发光二极管等领域得到了广泛应用。
分子束外延技术则是一种自上而下的薄膜制备方法，通过将材料分子束射到基底表面，使其逐层生长。
MBE技术的特点是薄膜生长速率快、薄膜质量高、成分可控。
由于MBE技术对薄膜的生长具有很高的控制能力，因此在我国被广泛应用于量子点、量子井、超晶格等纳米材料的制备。
此外，MBE技术还在光电子器件、半导体器件等领域具有重要应用价值。
在对比两种技术时，ALD适用于大面积、均匀薄膜的制备，而MBE更适用于小面积、高质量薄膜的制备。
同时，ALD技术在我国的研究与应用相对成熟，拥有较高的产业化水平；而MBE技术在我国的研究尚处于起步阶段，但具有巨大的市场潜力。
总之，原子层沉积和分子束外延技术在我国都取得了显著的研究成果，并具有广泛的应用前景。
作为职业写手，我们有责任关注这两种技术的发展动态，挖掘其在不同领域的应用潜力，为我国科技事业的发展贡献力量。
分子束外延技术在纳米材料制备中的应用研究
分子束外延技术在纳米材料制备中的应用研究一、前言随着纳米材料研究的深入，越来越多的高性能纳米材料被制备出来，并被广泛应用于生物、能源、材料等领域。
其中，分子束外延技术以其特殊的制备方式和优异的材料性能引起了许多科学家的关注和研究。
本文将对分子束外延技术在纳米材料制备中的应用研究进行探讨。
二、分子束外延技术简介分子束外延技术（Molecular Beam Epitaxy，简称MBE）是一种通过分子束束流在单晶基底上沉积薄膜的制备方法。
其主要优点在于可以制备出高质量、高纯度、精确控制厚度和界面结构的晶体材料。
其基本原理是利用高温下的分子束束流进行物质的“脱发”和“捕捉”，在单晶基底上生长出所需的薄膜结构。
在MBE制备薄膜时，可以通过控制系统的参数，例如温度、束流强度、基底种类等，来控制薄膜的晶体结构、成分和厚度。
三、MBE制备纳米材料的应用1. 锗纳米线的制备Ge是一种具有重要应用前景的半导体材料。
锗纳米线在柔性电子器件、太阳能电池、传感器等领域具有重要的应用前景。
MBE 技术在制备高质量锗纳米线方面具有很大的优势。
通过MBE技术在氧化锗单晶基底上以GeH4为前驱物质，控制温度和气压，可以获得高质量、大规模、组装良好的锗纳米线。
实验发现，在250-450摄氏度的温度范围内，Ge纳米线的生长速率随温度的升高而增大。
通过控制温度和种类、厚度等参数可以精确控制纳米线的直径和长度。
2. 纳米二维材料的制备MBE技术在纳米二维材料的制备中也具有应用潜力。
石墨烯、磷化硼、二硫化钼等材料是具有媲美传统半导体材料的性质和性能的新兴纳米材料。
MBE技术可以通过控制单层二维材料的生长条件，实现高质量、大尺寸二维材料的制备。
例如，在金属衬底上以化学气相沉积法生长单层石墨烯过程中，MBE在薄膜成核和二维材料晶格平面培养的领域中也有重要应用。
3. 纳米线阵列的制备MBE技术可以通过控制阵列生长条件生长出高密度的纳米线阵列。
在仙人掌状金属表面上生长纳米线阵列时，可以通过控制金属表面的菲涅耳区域，利用VLS(Vapor-Liquid-Solid)机制，实现纳米线阵列的均匀和可控生长。
激光分子束外延
激光分子束外延激光分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，MBE）是一种在真空环境下生长单晶薄膜的技术。
它是一种高度精确的材料生长方法，广泛应用于半导体器件制造和研究领域。
本文将介绍激光分子束外延的原理、应用和发展趋势。
一、激光分子束外延的原理激光分子束外延利用分子束的束流来沉积原子或分子到基底表面，以生长单晶薄膜。
它通过在真空环境下，利用激光加热源将固态材料加热到高温，产生蒸气或气体分子束。
这些分子束从源头中垂直射向基底表面，被吸附并沉积在基底上，形成单晶薄膜。
激光分子束外延的关键在于控制分子束的能量和角度。
能量和角度的控制可以通过调节激光功率和分子束源的位置来实现。
调节功率可以改变分子束的能量，而调节位置可以改变分子束的角度。
这样可以控制沉积速率和沉积的晶格结构，从而获得所需的单晶薄膜。
激光分子束外延在半导体器件制造中有广泛的应用。
它可以生长高质量的半导体材料，如硅、镓、砷化镓等。
这些材料可以用于制造各种半导体器件，如光电子器件、激光器、太阳能电池等。
激光分子束外延还可以用于生长异质结构。
通过在不同材料之间生长薄膜，可以形成异质结构，如量子阱、量子点等。
这些异质结构具有特殊的能带结构，可以用于制造高性能的光电子器件。
除了在半导体器件制造领域，激光分子束外延还有其他应用。
例如，在研究领域，它可以用于生长新材料并研究其性质。
在材料科学中，它可以用于生长纳米结构材料，如纳米线、纳米片等。
三、激光分子束外延的发展趋势随着科学技术的不断进步，激光分子束外延技术也在不断发展。
一方面，人们对材料的需求越来越高，需要制造更高性能的器件。
因此，激光分子束外延需要不断改进，以提高生长材料的质量和控制能力。
另一方面，人们对新材料的研究兴趣也在增加。
激光分子束外延可以用于生长新材料，并研究其性质和应用。
因此，激光分子束外延的发展趋势是朝着高质量、高控制能力和多功能性的方向发展。
总结：激光分子束外延是一种用于生长单晶薄膜的高精度材料生长技术。
分子束外延技术
分子束外延技术分子束外延技术（Molecular Beam Epitaxy，简称MBE）是一种用于制备单晶薄膜的高精度的材料生长技术。
该技术利用了分子束流中的高能分子，在真空环境下将原子或分子沉积在衬底表面上，从而形成单晶薄膜。
MBE技术的基本原理是利用热源将材料加热到高温，使其产生蒸气或气体，并通过真空系统将其输送到衬底表面。
在衬底表面，这些分子会遇到另一些被加热的衬底原子或分子，从而形成单晶薄膜。
MBE技术具有许多优点。
首先，它可以制备出非常高质量的单晶材料。
这是因为在MBE过程中，所有杂质都可以被完全去除，并且可以精确控制沉积速率和沉积厚度。
其次，MBE技术可以制备出非常复杂的结构和组合材料。
例如，在半导体器件中使用不同类型的半导体材料可以增强器件性能。
MBE技术的应用范围非常广泛。
它主要用于制备半导体器件、光电子器件和磁性材料等。
在半导体器件中，MBE技术可以制备出非常高质量的异质结和量子阱等结构，这些结构可以用于制造高性能的激光器、光电探测器和太阳能电池等。
在磁性材料中，MBE技术可以制备出非常薄的磁性层，这些层可以用于制造高密度的硬盘驱动器。
MBE技术还有一些局限性。
首先，它需要非常高的真空环境，这使得设备成本非常昂贵。
其次，MBE过程需要非常复杂的控制系统来控制沉积速率、沉积厚度和晶格匹配等参数。
最后，MBE技术只适用于某些材料和结构。
总之，MBE技术是一种非常重要的材料生长技术，在半导体器件、光电子器件和磁性材料等领域具有广泛应用前景。
随着科学技术的不断发展，在未来可能会出现更加精确、高效的分子束外延技术。
mbe 分子束外延
mbe 分子束外延
MBE（分子束外延）是一种用于薄膜生长的技术。
在MBE过程中，固态材料通过热蒸发产生分子束，然后这些分子束沉积在衬底表面。
这种技术可以精确地控制薄膜的厚度和成分，因此在半导体和光电领域得到广泛应用。
MBE的工作原理是利用高真空环境中的分子束进行生长。
首先，固态材料（通常是金属、合金或化合物）被加热到高温，使其蒸发成气体态。
然后，这些气体态的分子通过使用运动控制的出口孔径进入到真空室中，并被一个电子束或离子束进行解离。
解离后的分子束会通过衬底的孔径进入到衬底表面，然后在衬底表面沉积成薄膜。
最终的薄膜的厚度和成分可以通过调整衬底表面的温度、蒸发速率和解离度来控制。
MBE具有许多优点。
首先，它可以在高真空环境中进行，这使得薄膜几乎没有与空气中的杂质接触，从而减少了薄膜的污染。
其次，由于分子束的精确控制，可以生长非常薄的薄膜（纳米级别），从而使得器件设计更加灵活。
此外，MBE可以生长多层结构，因此适用于复杂的器件设计。
然而，MBE也存在一些挑战。
首先，MBE是一个高成本的技术，需要耗费大量的设备和能量。
其次，由于分子束的束缚效应，薄膜生长的速率相对较低，通常需要几个小时到几天的时间来完成。
此外，MBE对衬底的要求也比较严格，需要高质量的晶体衬底。
总的来说，MBE是一种强大的薄膜生长技术，可以用于制备高质量的晶体薄膜。
它在半导体、光电和纳米材料等领域具有广泛的应用前景。
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分子束外延原理示意图
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分子束外延原理
外延表面反应过程
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分子束外延原理
MBE的典型特点：
• （1）从源炉喷出的分子（原子）以“分子束”流形式直线到达 衬底表面，可严格控制生长速率。 • （2）分子束外延的生长速率较慢，大约0.01~1nm/s。可实现单 原子（分子）层外延，具有极好的膜厚可控性。 • （3）通过调节束源和衬底之间的挡板的开闭，可严格控制膜的 成分和杂质浓度，也可实现选择性外延生长。
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国内外成果
中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室：李存才数十年 来负责微系统所四台分子束外延MBE设备的维运。2014年，该所信息功能材料国家 重点实验室研制出了InP基无锑量子阱激光器，制备的2.4微米窄条激光器（6 µ m×0.8 mm）在300 K时阈值电流仅62 mA，单面输出功率超过11 mW。此2.4微米 InP基无锑量子阱激光器是目前国际上已有报道中室温激射波长最长的。 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所：低维纳米结构和器件的设计、加工、 组装、集成技术为基础 浙江大学硅材料国家重点实验室：从事硅单晶材料及半导体材料的基础科学与应用 基础研究，着重拓展硅外延、太阳能硅材料、硅基光电子材料以及纳米硅材料的研 究;半导体薄膜领域：在坚持ZnO薄膜生长和掺杂特色的基础上，重点开展半导体薄 膜在LED照明领域的应用; 哈尔滨工业大学：InAs/GaSb超晶格
低温泵是使用低于20K的金 属表面使气体凝结，并保持 凝结物的蒸汽压力低于泵的 极限压力，从而达到抽气作 用低温泵可以获得抽气速率 最大、极限压力最低的清洁 真空。
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分子束外延设备
真空计
在低压强气体中，气体分子被电离生成的正 离子数与气体压强成正比。电离真空计是基 于在一定条件下，待测气体的压力与气体电 离产生的离子流呈正比关系的原理制作的真 空测量仪器。按照离子产生的方法不同，电 离真空计可分为热阴极电离真空计和冷阴极 电离真空计
应用：外延生长原子级精确控制的超薄多层二维结构材料和
器件（超晶格、量子阱、调制掺杂异质结、量子阱激光器、 高电子迁移率晶体管等）；结合其他工艺，还可制备一维和
零维的纳米材料（量子线、量子点等）。
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分子束外延原理
在超高真空系统中，将组成化合 物中的各个元素和掺杂元素分别 放入不同的源炉内。加热源炉使 它们的分子（原子）以一定的热 运动速度和一定的束流强度比例 喷射到衬底表面上，与表面相互 作用，进行单晶薄膜的外延生长。 各源炉前的挡板用来改变外延层 的组份和掺杂。根据设定的程序 开关挡板、改变炉温和控制生长 时间，就可以生长出不同厚度、 不同组份、不同掺杂浓度的外延 材料。
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结语
MBE作为一种高级真空蒸发形式，在材料化学组分和生长速 率控制等方面表现出了卓越的性能，并在金属半导体场效 应晶体管（MESFET）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、异 质结构场效应晶体管(HFET)、异质结双极晶体管（HBT）等 微波、毫米波器件及电路和光电器件制备中发挥了重要作 用。专家认为未来半导体光电子学的重要突破口将是对超 晶格、量子阱（点、线）结构材料及器件的研究，而器件 和电路的发展一定要依赖于超薄层材料生长技术如分子束 外延技术的进步，相信未来分子束外延技术必将为技术的 发展做出更加重要的贡献。
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分子束外延设备
RHEED监测
RHEED （reflection high-energy electron diffraction）：反射高能电子 衍射仪，它是MBE) 技术中进行原位监测的一个重要手段。从电子枪发射出来 的具有一定能量(通常为10 - 30kev) 的电子束以1 - 2°的掠射角射到样品表 面,那么,电子垂直于样品表面的动量分量很小,又受到库仑场的散射,所以电子 束的透入深度仅1 - 2 个原子层, 因此RHEED 所反映的完全是样品表面的结构 信息，研究晶体生长、吸附、表面缺陷等方面
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分子束外延设备
MBE生长时表面覆盖度与RHEED衍射强度对比图
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分子束外延设备
残余气体分析
INFICON公司四极质谱仪 Hiden 公司四极质谱仪 19
分子束外延设备
四极质谱仪结构示意图
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分子束外延设备
源炉
MBE系统束源炉中装有 纯度为99.9999%以上的 高纯源材料，比如有Ga、 Al、In、Sb、As等。在 束源炉内材料会被加热到 适当温度，产生气态分子 或原子的束流喷射到衬底 表面。其中源炉的金属部 件采用高纯难熔的金属钽， 坩埚和绝缘材料采用热解 氮化硼。 Riber MBE系统源炉和挡板
涡轮分子泵结构图
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分子束外延设备
离子泵
在正交的电场及磁场作用下，稀薄状态气体会产生放电，称为潘宁放电。 应用这一原理，将阳极分割成若干筒型小室，阴极采用钛板制成。放电 产生的气体阳离子在电场作用下加速飞向阴极，气体离子射入阴极与钛 形成钛化合物而被固定抽除。
离子泵工作原理图
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分子束外延设备
低温泵
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国内外成果
中国科学院半导体研究所 ：GaAs GaN GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb 超晶格材料的MBE生长，制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光 器，采用分子束外延技术生长的InGaSb/ AlGaAsSb应变量子阱激光器，实 现了高工作温度(T=80℃)连续激射，激射波长2μm出光功率63.7mW，达到 国内领先水平。 半导体所纳米光电子实验室和超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE) 课题组在获得了1.7-2.3μm的室温发光量子阱材料基础上，进一步研究了激 光器台面腐蚀(刻蚀)、电极制备等工艺，获得的侧壁陡峭的脊型台面、nGaSb欧姆接触电阻率1×10-4Ωcm2的激光器结构。 结合激光器外延生长和锑化物工艺，研制出InGaSb/AlGaAsSb应变量子 阱激光器。激光器采用FP腔窄条8*800μm结构，工作电流450mA时激射波 长1.995μm，激射谱半高宽0.35nm。室温连续工作下出光功率达到82.2mW。 进一步提高工作温度至80℃时激光器仍可以连续工作，出光功率达到 63.7mW。
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国内外成果
The Hong Kong University of Science & Technology：GaMnAs II-VI semiconductor nanowires type-II GaAs/ AlAs CrSe/Fe/GaAs thin film structure MBE grown Fe-based nanostructures iron nanowires University of California：SiTiO、GaS 、GaN 、SrTiO3 Stanford University： Ge1-xSnx Bi2Se3 Bell lab：Growth of GaN on SiC (001） Ultra-High Quality AlGaAs/GaAs Heterostructures BaSi2 epitaxial films IBM T.J. Watson Research Center： single crystal SrTiO3 grown GeSn heterojunction diodes Sandia National Laboratories：third-order distributed feedback terahertz quantum-cascade lasers Michigan University：GaAs/AlGaAs heterostructure Red-Emitting (λ= 610 nm) In0.51Ga0.49N/GaN laser
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国内外成果
中科院上海技术物理研究所：碲镉汞红外焦平面技术，课题组在小批量生产大面 积、均匀、高性能的碲镉汞材料方面居国内领先水平、 InN基全太阳光谱光伏材料 的分子束外延生长和物性研究 中国科学院西安光学精密机械研究所：ZnO材料 中国科学院物理研究所：InAs/GaAs GaN Mn3O4 films grown on MgO(001) 薛其坤（清华大学物理系）从事低维纳米结构(量子点和量子线)的分子束外延 (MBE)生长和变温隧道显微镜(VT-STM)研究。主要是利用MBE技术分别在Si(001) 和Si(111)衬底上生长有序的金属量子线和全同金属量子点，利用STM和STS并配合 理论计算研究原子尺度上的结构及其变化和动力学过程。 中国科学院微电子研究所：InGaAs MOSFETs
分子束外延技术
目录
分子束外延原理
分子束外延设备
分子束外延工艺 国内外进展
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引言
分子束外延（Molecular Beam Epitaxy, MBE）
在超高真空环境下，使具有一定热能的一种或多种分子
（原子）束流喷射到衬底，在衬底表面发生反应的过程，由 于分子在“飞行”过程中几乎与环境气体无碰撞，以分子束 的形式射向衬底，进行外延生长，故此得名。 始创：20世纪70年代初期，卓以和，美国Bell实验室
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分子束外延设备
电阻加热式源炉
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分子束外延工艺
在Load-Lock室装入样品后，进行抽气和低 温除气，真空度到达规定时，打开LoadLock室与准备室之间的真空阀，将贴有衬底 的钼托传送到准备室，在一定温度下加热钼 托（一般GaAs不超过400 ℃、InP不超过 300℃） ，使其充分放气。真空度达到要求 后，加热器降温。将除过气的钼托传送到生 长室进行生长。当衬底温度升高到某一特定 温度时，衬底表面氧化物迅速分解，脱离衬 底。该变化可以由RHEED图样的变化观察 到。一般的，认为：GaAs脱氧化物温度为 580 ℃ ，InP脱氧化物温度为540 ℃ 。衬底 的脱氧现象可用来确定生长时衬底实际温度 所对应的表观温度。
分子束外延设备
涡轮分子泵
• 极限压力为10-9Pa，工作压力范围为10-1～10-8Pa，抽气 速率为几十到几千升每秒