分子束外延系统选型手册.ppt
分子束外延
分子束外延
Surface phase diagram for GaAs(001) growth from Ga and As4
分子束外延
同质外延 Homoepitaxy 异质外延 Heteroepitaxy
分子束外延
异质外延
匹配
应变
弛豫
分子束外延
异质外延三种生长模式
分子束外延—发展历程
分子束外延技术1968年由 Bell Labs 的 Alfred Y. Cho （卓以和）和 John R. Arthur, Jr. 发明
分子束外延—发展历程
一维纳米线材料
D. Pan et al, Controlled Synthesis of Phase-Pure InAs Nanowires on Si(111) by Diminishing the Diameter to 10 nm, Nano Lett. 2014, 14, 1214−1220
Separate Confinement Heterostructure
Zhores I. Alferov, Nobel Lecture, December 8, 2000
分子束外延—发展历程
二十世纪七十年代基于分子束外延开展人工量子材料、能带工程研究 Zhores I. Alferov和Herbert Kroemer—半导体异质结
分子束外延
精确控制生长过程 1000 nm/h ~ 1 ML/s ML-monolayer 高质量（缺陷少，均匀性好）外延薄膜 陡峭界面 远离平衡态
分子束外延
Monolayer, ML, 单分子层 闪锌矿结构 晶格常数/2 GaAs 1 ML=0.283 nm InAs 1 ML=0.303 nm
新一代STE分子束外延系统
新一代STE分子束外延系统A.Alexeev;A.Filaretov;V.Chaly;Yu.Pogorelsky【期刊名称】《电子工业专用设备》【年(卷),期】2010(039)002【总页数】4页(P35-38)【作者】A.Alexeev;A.Filaretov;V.Chaly;Yu.Pogorelsky【作者单位】"Semiconductor Technologies and Equipment" JSC;"Semiconductor Technologies and Equipment" JSC;"Semiconductor Technologies and Equipment" JSC;"Semiconductor Technologies and Equipment" JSC【正文语种】中文In 2001,"Semiconductor Technologies and Equipment" JSC(St.Petersburg,Russia) started to manufacture new generation of MBE systems (trademark "STE") (Fig.1).This company was founded by technologists from Ioffe Institute that have great practical experience on domestic and foreign MBE systems.Projection of new MBE systems started in 1995.Fig.1 STE3N3 MBE systemThe company started its activities with the development of special MBE systemintended for growth of III-N semiconductor compounds (in 1990-2000's,nitride semiconductors have demonstrated new opportunities in optoelectronics and microwave microelectronics).It was found that their growth conditions differ from the growth conditions of classical semiconductors A3B5(eg,AlGaAs).Attempts of traditional MBE systems adaptation for this purpose did not reach desired results.The significant increase of the wafer temperature,serious amplification of pumping system for removing ammonia flow used as a nitrogen source,etc.were required.(In particular for the nitrides,it led to world time lag in MBE technology if compare to MOCVDmethods).Developers of"Semiconductor Technologies and Equipment"JSC were success to solve the above problems.STE3N2(Fig.2)and STE3N3 MBEsystems demonstrate high level of technological and instrumental results comparable to MOCVDsystems of foreign production.Fig.2 STE3N2 MBE systemThe first testing of established MBE system was held at "Svetlana-Rost" JSC (St.Petersburg,Russia),specialized on the development and serial manufacture of semiconductor heterostructures,microwave transistors and integrated circuits.Developed nitride heterostructures for microwave microelectronic show the complete lack of collapse effect (power decrease in the microwave regime in compared with the static characteristics),that is typical for nitride transistors.Mobility in two-dimensional channel onGaN/AlGaN heterointerface is～1500 cm-2/V·s at concen tration～1,5·1013 cm-2.(Note that the carrier concentration exceeds an order than the maximum values for the structures based on AlGaAs).Dispersion of specificlayer resistance Rson a plate no more than ± 1,5%,which determines the high output in the transistors manufacture(Fig.3).Fig.3 GaN HEMT(φ76 mm)In cooperation with Federal State Enterprise "Istok" transistors were fabricated on these heterostructures with the power density of 3.8 W/mm at 10 GHz,that is close to the limit values for the structures grown on sapphire.The achievement of these results is largely due to the capacity of growth equipment.STE3N2 and STE3N3 systems provide maximum value of the sample temperature not lower than the 1 200℃that at least at 200℃higher than on GaN-oriented system Compact-21 produced by "Riber" (France) -one of the world leaders in this sphere.The ability to carry out the process at 1 200℃gives the possibility to grow heterostructures with AlN sublayer that has high crystal perfection.Voluminous GaN structure grown on such layer shows record value of the freecarriers'mobility (Fig.4).This basic material characteristic is usually higher for MOCVD technology than for MBE.The results obtained on STE3N2 system are on the best level of the published data both for traditional MBE equipment and for MOCVD technology(growth on sapphire).Fig.4 STE3N:volume-doped GaN-resultsThe important instrument aspect of AlN sublayer growth process is the possibility of its easy adaptation to different wafertypes:sapphire,silicon,silicon carbide.High thermal conductivity of Si wafers (especially SiC) can significantly reduce the effects of thermal heating on the power transistor operation.These results are provided by the features of the created equipment. 600 mm diameter growth reactor includes:●Manipulator that provides heating and rotation of wafer fixed in the holder of patented design with diameter to 100 mm;●Two cryopanels with liquid nitrogen;●Seven ports for e ffusion sources with shutters and one central port for ammonia injector;●System of high-energy electron diffraction,optical pyrometer,specialized laser interferometer,mass spectrometer.Reactor pumping system consists of:corrosion-resistive turbo-molecular pump,ion pump and oil-free scroll pumping system.Service chambers(one in STE3N2,two in STE3N3):load-lock chamber with eight samples'storage,additional preparation chamber that provides heating and degassing of wafer before growth.Each chamber has its own pumping system and combines by linear manipulators that transfer the samples fromone chamber toanother.During growth process the following control functions are realized:*Temperature of each source given with an accuracy of±0,5℃;● Manipulating of the source shutters,open/close duration is less than 0.3 s;●Ammonia feed flow carried out with an accuracy of less than 2%;●Wafer temperature maintained with an accuracy of±0,5℃.●The process is fully automated,but can be done manually(on PC).We should also note on the original design of gallium and aluminumeffusion sources that takes into account their operation specifics in ammonia atmosphere and ensure long-term performance combined with high rates of AlN and GaN growth(>1 micron/h).Sources design as well as a number of critical technology solutions in MBE systems are patented.Testing of main STE3N2 systemin"Svetlana-Rost,JSC"was aimed not only the technology approbation but also the design reliability.After year-lon g exploitation and more than three hundred epitaxial process serial production STE3N2 and STE3N3 systems was started.To date the overall distribution:●STE3N2 for"Svetlana-Rost"JSC;●STE3N2 for Ioffe Institute;●Three modules of STE3N3 installed to the robotic production cluster of"NT-MDT"JSC for Moscow Institute of ElectronicTechnology(Zelenograd);●Multi-chamber complex includes STE3N3 system for the Kurchatov Scientific Center with "Sigma-Scan"JSC(Moscow);●STE3N3 for"Svetlana-Rost"JSC;STE3N3 for Institute of Microstructure Physics(Nizhny Novgorod);●STE3532 for Southern Federal University(Taganrog);●STE3526 for Ioffe Institute●Three new orders started to develop.Systems' installation in Ioffe Institute and MIET accompanied with growing of test structures with GaN interior layers and double heterostructure oftransistor type.Parameters of test samples coincided with the above characteristics for the structures grown on main STE3N2 systemin"Svetlana-Rost"JSC."Semiconductor Technologies and Equipment"JSC besides nitride MBE systems has mastered the production of MBE equipment for classicalA3B5/A2B6 semiconductors (Fig.5),electron beam evaporation systems,plasma chemical etching and plasma chemical vapor deposition systems,rapid thermal annealing systems of semiconductor wafers.Fig.5 STE3532 MBE systemThe latest project of MBE equipment is Two-Growth Chamber complex STE3526 that specially designed as a modern MBE technology platform for hybrid III-V and II-VI semiconductor heterostructures growing(Fig.6). Fig.6 STE3526 MBE complexEach of these systems was delivered to Russian research centers and enterprises.Supply and maintenance experience allows to plan an active campaign to exit the company with its products on foreign markets.To this aim,"Semiconductor Technologies and Equipment" JSC has already hosted a European office(SemiTEq GmbH).。
激光分子束外延系统LMBE
激光分子束外延系统（LMBE）1主要技术参数与要求(1) 主腔体：1. 腔体材料采用优质304不锈钢，全金属密封连接，腔体直径16英寸（圆柱形设计）；2. 观察窗采取保护措施（加装含铅玻璃）以防止辐射，腔体预留仪器升级窗口；3. 真空系统采用德国普发分子泵（Hipace700），分子泵需配有数据接口以实现软件控制，抽速为650L/s，并配合使用爱德华涡旋式干泵（dry pump，减少返油污染），抽速5.4 m3/hr，本底极限真空度优于5×10-9mbar （烘烤后）。
分子泵与腔体之间采用软连接（配有Damper），以减小分子泵震动对RHEED的影响。
4. 主腔体配备两套不同的真空计，一套组合pirani/Bayard-Alpert（真空计类型）真空计，量程5×10-10 mbar 到1 bar，用于测量真空度；★5. 另外配置一套精确的Baratron（真空计类型）真空计，量程10-4到1 mbar，专门用于精确控制生长时的工艺压力。
(2) 快速进样室：1. 进样室配备单独的分子泵（普发Hipace80），可软件控制，抽速为70L/s，配前级隔膜泵，本底真空优于5×10-5 mbar；2. 能够通过磁力杆方便地传递样品以及靶材，与主腔体之间采用DN100CF插板阀隔离；2. 配备Pirani/capacitive（真空计类型）真空计，量程5×10-5 mbar 到1bar；3. 进样室配有观察窗；(3) 加热系统：1. 电阻式加热器，最高加热温度900°C，温度稳定性 1°C，容纳样品尺寸1英寸，对于1英寸的加热区域温度均匀性为3%；★2．加热器为插拔式设计，即整个加热器（包括加热丝）可通过磁力杆完全取出，方便检修与更换；2. 配备5维样品架，样品可在X/Y/Z方向移动，并且可以倾斜和面内旋转。
X/Y方向位移行程为±12.5 mm，Z方向为100 mm（即样品与靶之间距离的可调范围）。
分子束外延技术MBE的原理及其制备先进材料的研究进展PPT课件
此时，利用MBE技术通过低温外延InN或高温外延AlN作为缓冲层是提高 InN材料质量的有效途径。
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MBE前沿介绍
北京科技大学的研究团队设计了如下实验方案：
设备：Veeco公司生产的Gen20A 全固态MBE 系统； 目标物：GaN0.03As0.97/In0.09 Ga0.91As短周期超晶格结构； 原料：生长过程是在半绝缘GaAs 衬底的(001)面上进行 的,Si和Be分别作为GaAs 的n 型和p 型掺杂源。 工艺：生长之前,需在生长室内对GaAs衬底进行高温( ~ 600 ℃) 脱氧处理10min;然后,将GaAs衬底温度从600℃降 为580 ℃,生长300nm厚度的GaAs缓冲层以获得更好的外 延生长表面;最后,将生长温度降至480℃,进行GaNAs/ InGaAs超晶格的生长和后续电池中10 周期数的 GaNAs/ InGaAs超晶格有源区的生长。（GaNAs/InGaAs 超晶格中阱层和垒层厚度相同,总厚度为0. 2 μm。在总厚 度不变的条件下,周期厚度在6 ~30 nm之间变化。）
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荧光屏
MBE原理—系统
束源炉
MBE系统略图
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MBE原理—系统
反射高能电子衍射仪 （Reflection High—Energe Electron Diffraction ，RHEED） 是十分重要的设备。高能电子 枪发射电子束以1~3°掠射到 基片表面后，经表面晶格衍射 在荧光屏上产生的衍射条纹可 以直接反映薄膜的结晶性和表 面形貌，衍射强度随表面的粗 糙度发生变化，振荡反映了薄 膜的层状外延生长和外延生长 的单胞层数。
分子束外延技术PPT课件
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分子束外延工艺
在Load-Lock室装入样品后，进行抽气和低 温除气，真空度到达规定时，打开LoadLock室与准备室之间的真空阀，将贴有衬底 的钼托传送到准备室，在一定温度下加热钼 托（一般GaAs不超过400 ℃、InP不超过 300℃） ，使其充分放气。真空度达到要求 后，加热器降温。将除过气的钼托传送到生 长室进行生长。当衬底温度升高到某一特定 温度时，衬底表面氧化物迅速分解，脱离衬 底。该变化可以由RHEED图样的变化观察 到。一般的，认为：GaAs脱氧化物温度为 580 ℃ ，InP脱氧化物温度为540 ℃ 。衬底 的脱氧现象可用来确定生长时衬底实际温度 所对应的表观温度。
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分子束外延原理
外延表面反应过程
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分子束外延原理
MBE的典型特点：
• （1）从源炉喷出的分子（原子）以“分子束”流形式直线到达 衬底表面，可严格控制生长速率。
• （2）分子束外延的生长速率较慢，大约0.01~1nm/s。可实现单 原子（分子）层外延，具有极好的膜厚可控性。
• （3）通过调节束源和衬底之间的挡板的开闭，可严格控制膜的 成分和杂质浓度，也可实现选择性外延生长。
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所：低维纳米结构和器件的设计、加工、 组装、集成技术为基础
浙江大学硅材料国家重点实验室：从事硅单晶材料及半导体材料的基础科学与应用 基础研究，着重拓展硅外延、太阳能硅材料、硅基光电子材料以及纳米硅材料的研 究;半导体薄膜领域：在坚持ZnO薄膜生长和掺杂特色的基础上，重点开展半导体薄 膜在LED照明领域的应用;
IBM T.J. Watson Research Center： single crystal SrTiO3 grown GeSn heterojunction diodes
分子束外延技术
分子束外延技术分子束外延（molecular beam epitaxy,MBE）技术是一种可在原子尺度上精确控制外延膜厚度、精确控制对薄膜的掺杂和精确控制界面平整度的薄膜制备技术，主要用于制备超薄膜、多层量子阱和超晶格等半导体用高精度薄膜，是新一代电子器件、光电子器件的主要制备技术之一。
1958年，K.Z. Gunther首先提出分子東外延概念；1968年，J.E. Davey和T. Pankey用分子束外延技术制备了GaAs薄膜；1975年，MBE技术应用于半导体器件制备。
我国1980年出产首台MBE系统，1986年后进入器件应用阶段。
图1 外延膜的示意图1.分子束外延原理分子束外延是把构成晶体的各个组分分别放在不同的蒸发源中，在10-8Pa的超高真空条件下，缓慢加热膜材，使之形成分子束流并以一定的热运动速度，按一定的比例喷射到基片上，在基体上进行外延薄膜生长，并在线监测生长过程的一种镀膜方法。
从本质上讲，它是一种真空蒸发镀，包括分子束的产生、分子束的输运和分子束的沉积三个过程。
分子束外延示意图如图2所示[1]，膜材放在蒸发源中，每个蒸发源有一个挡板，蒸发源对准基体，基体可以加热调节温度，另外有监测设备，在线监测薄膜晶态结构。
图2 分子束外延示意图1.1分子束的产生分子束是通过蒸发源产生的，蒸发源决定分子束的活性、分子束强度（由蒸发速率决定）。
蒸发源包括克努曾舟[2]、电子束加热源和裂解炉。
克努曾舟主要用来蒸发低熔点材料，如Ge、Ga和Al等，而电子束主要用于高熔点物质蒸发，如C、W等。
裂解炉通常用于As和P等物质的蒸发，这些材料蒸发时容易形成四聚体，需要用裂解炉使四聚体变成活性较高的二聚体或单原子。
束流反应活性高，利于制备热力学平衡态下难以制备的高浓度合金，因而能够制备新型人工材料和器件。
反应活性高，还利于降低样品生长时的衬底（基体）温度，从而减弱膜层或成分间相互扩散，有利于制作陡峭界面和极薄层的结构。
分子束外延
MBE-600分子束外延设备技术方案该系统主要通过超高真空环境来研制超薄薄膜，主要有超高真空蒸发沉积室、进样室、分子束源炉、样品磁力传递机构、样品台、样品加热机构、束源炉加热电源、高能电子衍射仪、泵抽系统、真空测量系统、气路系统、电控系统等组成。
一、进样室1套进样室采用一台国产FF160/620600L/S分子泵和2XZ-8机械泵进行主抽抽气，同时采用上述2XZ-8机械泵通过CF35角阀旁路抽气。
极限真空：6.6X10-5Pa；真空检漏漏率：10-7Pa.L/S短时间暴露大气并充干燥氮气抽至：6.0x10-4Pa,小于40分钟；进样室采用手动开门关门，一次可以放进四块样品，通过磁力传递杆的样品叉每次可以把一块样品送到蒸发室的样品台上。
1、进出样室腔体组件1套进样室腔体尺寸大约①250X300mm；腔体卧式放置，进样室前面开门用于安放样品。
并开有各种部件各种规格的法兰接口如下：1）连接蒸发沉积室法兰1个2）大门法兰约①100（胶圈密封）1个（含观察窗）3）连接分子泵CF150法兰1个4）备用法兰1个。
5）烘烤照明法兰接口1个6）机械泵旁抽管路CF35法兰1个7）交接样品用的磁力传递杆法兰1个8）充气阀法兰1个9）真空规接口2个10）样品储存架接口法兰1个腔体采用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，内外表面液态喷玻璃丸后电解抛光处理。
光鲜、漂亮。
各法兰口采用金属密封或氟橡胶密封。
2、烘烤照明系统1套进样室内有一套烘烤照明装置，烘烤采用碘钨灯加热的方式，用于对真空室加热（不带控温），驱除潮气，便于抽真空；采用小功率照明灯用于观察真空室内部，便于样品交接。
3、观察窗1个通光孔径约63mm，分别用以观察内部工作情况。
4、真空抽气与真空测量系统4.1、闸板阀：（选用国产超高真空闸板阀）2台分别用以隔断：1）进样室与蒸发沉积室；2）进出样室与分子泵4.2、分子泵及控制电源1套选用北科仪抽速600L/S分子泵和电源4.3、机械泵与电磁阀组件1套抽速8L/S（上海）4.4、机械泵与分子泵连接的金属软管接头组件1套4.5、机械泵旁抽的角阀CF35与金属软管组件1套4.6、充气阀1台4.7、真空规与计（成都）1路量程105〜10-5Pa，玻璃规管测量。
分子束外延技术
应用：外延生长原子级精确控制的超薄多层二维结构材料和
器件（超晶格、量子阱、调制掺杂异质结、量子阱激光器、 高电子迁移率晶体管等）；结合其他工艺，还可制备一维和
零维的纳米材料（量子线、量子点等）。
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分子束外延原理
在超高真空系统中，将组成化合 物中的各个元素和掺杂元素分别 放入不同的源炉内。加热源炉使 它们的分子（原子）以一定的热 运动速度和一定的束流强度比例 喷射到衬底表面上，与表面相互 作用，进行单晶薄膜的外延生长。 各源炉前的挡板用来改变外延层 的组份和掺杂。根据设定的程序 开关挡板、改变炉温和控制生长 时间，就可以生长出不同厚度、 不同组份、不同掺杂浓度的外延 材料。
5分子束外延设备mbe设备适合于研发具有超精细复杂结构的外延材料它是一种超高真空的精密仪器生长室的极限真空可达1011torrmbembe系统真空机械计算机电子材料自动控制6分子束外延设备7分子束外延设备8分子束外延设备计算机真空系统真空腔室真空泵真空阀门真空计真空度监测控制与监测系统烘烤控制rheed检测残余气体分析挡板控制源炉温度控制9分子束外延设备10分子束外延设备芬兰dca公司p600型mbe系统11分子束外延设备涡轮分子泵?极限压力为109pa工作压力范围为101108pa抽气速率为几十到几千升每秒低温泵低温泵?极限压力约为冷板温度下的被冷凝气体的蒸气压力离子泵?极限压力可达107109pa12分子束外延设备其工作原理基于气体分子入射到固体表面上一般不做弹性反射而是停滞一定时间与表面交换能量然后以与入射方向无关的方向脱离利用高速旋转的动叶轮将动量传给气体分子使气体产生定向流动而气体分子使气体产生定向流动而抽气的真空泵
分子束外延设备
涡轮分子泵
• 极限压力为10-9Pa，工作压力范围为10-1～10-8Pa，抽气 速率为几十到几千升每秒
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主要产品介绍（5）
SGC1000 பைடு நூலகம்BE 系统
l 最大12英寸（300mm）样片 l 液氮冷却板 l 4个电子枪 l 最多可达6个泄流盒 l 垂直腔室 l 30KeV RHEED l 800L/s 离子泵 l 10英寸低温泵 l 1000L/s 分子泵 l 钛升华泵（TSP） l 带机械式晶片传送的超高真空（UHV）套件 l 带分子泵的盒式真空进片室
主要产品介绍（2）
P600 MBE系统
l 最大4英寸样片 l 双区域液氮冷却板 l 10个泄流盒 l 垂直腔室 l 30KeV RHEED l 500L/s 离子泵 l 8英寸低温泵 l 1000L/s 分子泵 l 钛升华泵（TSP） l 带300L/s 离子泵的超高真空（UHV）缓冲室 l 带分子泵的盒式真空进片室
谢谢参阅
主要产品介绍（4）
SGC800 MBE 系统
l 最大8英寸（200mm）样片 l 液氮冷却板 l 2个电子枪 l 最多可达6个泄流盒 l 垂直腔室 l 30KeV RHEED l 500L/s 离子泵 l 8英寸低温泵 l 1000L/s 分子泵 l 钛升华泵（TSP） l 带机械式晶片传送的超高真空（UHV）套件 l 带分子泵的盒式真空进片室
主要产品介绍（1）
R450(R450C) MBE系统
l 最大3英寸样片 l 双区域液氮冷却板 l 8个泄流盒 l 倾斜的腔室设计 l 15KeV RHEED l 500L/s 离子泵 l 8英寸低温泵 l 500L/s 分子泵 l 钛升华泵（TSP） l 带300L/s 离子泵的超高真空（UHV）缓冲室 l 带分子泵的真空进片室
l 球形腔室 l 6个1英寸目标固定器 l 最大3英寸样片 l 最高温度可达1000℃
的抗氧化加热器 l 520L/s分子泵 l 样片XY扫面 l 目标扫描 l 带分子泵的真空进片室 l 可选超高真空组件 l 可选高压RHEED l 可选计算机控制
主要产品介绍（8）
S450溅射系统
l 溅射器上或下配置的超高真空腔室 l 最多可达6个磁电管 l 最大4英寸的磁性目标直径 l 射频溅射 l 直流溅射 l 二极管溅射 l 非平衡溅射
DCA分子束外延及高 真空薄膜沉积系统
宇丰凯电子科技有限公司
DCA 公司简介
DCA Instruments 是一家专业从事分子束外 延（MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的 设计和制造的公司。DCA Instruments自1989年 成立以来，已经在全球范围内安装了超过100 套的超高真空系统。
l 最高温度可达1000℃的抗氧化加热器
l 最大4英寸样片 l 直流样片偏压 l 520L/s分子泵 l 带分子泵的真空进片室 l 可选超高真空（UHV）组件 l 可选计算机控制
主要产品介绍（9）
L400溅射系统
l 溅射器下配置的超高真空（UHV）腔室 l 6个磁电管安装在一个可移动的线性手臂上 l 最大4英寸的磁性目标直径 l 射频溅射 l 直流溅射 l 非平衡溅射 l 最高温度可达1000摄氏度的抗氧化加热器 l 最大3英寸样片 l 直流和射频样片偏压 l 8英寸低温板 l 带分子泵的真空进片室 l 计算机控制磁性参数 l 4个计算机控制的掩模盘进行楔入沉积
DCA 公司主要产品(2)
• 物理气相沉积（PVD）系统
沉积方式
特点
l 磁控溅射 l 脉冲激光沉积（PLD） l 电子束蒸发 l 离子束沉积 l 热蒸发
l 具有独特磁体配置的高均匀度磁溅射源 l 射频、直流、磁性材料和非平衡溅射 l 抗氧化衬底加热器 l 复合薄膜沉积的全自动溅射系统 l 全电脑控制的PLD系统可实现大区域沉积
l GaAs、InP和GaSb外延 l HgCdTe外延 l GaN、InN和AlN外延 l Ⅱ-Ⅵ族外延 l SiGe外延 l 氧化物外延
特点
l 专利的衬底操控器 l 专利的长寿命和高稳定性泄流盒灯丝 l 泄流盒（包括灯丝）两年质保 l 高性能PBN/PG/PBN或SiC衬底加热器 l 快速反应的磁感线性快门 l 衬底加热器两年质保 l 专利的磷裂解器 l 复合的薄膜沉积MBE系统
DCA Instruments绝大部分的产品都是针对 用户定制设计复杂的沉积系统,该公司许多的标 准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过 程特殊需求的解决方案,因此在标准系统制造业 中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户 中具有很好的声誉。
DCA 公司主要产品(1)
分子束外延系统（MBE）
所针对的材料
主要产品介绍（3）
M600 MBE系统 l 最大4英寸样片 l 液氮冷却板 l 2个电子枪 l 最多可达8个泄流盒 l 垂直腔室 l 30KeV RHEED l 500L/s 离子泵 l 8英寸低温泵 l 1000L/s 分子泵 l 钛升华泵（TSP） l 带300L/s 离子泵的超高真空（UHV）缓冲室 l 带分子泵的盒式真空进片室
主要产品介绍（6）
迷你MBE系统
l 最大1英寸样片 l 液氮主冷却板 l 16个泄流盒 l 泄流盒被分为四组，每组四个，
每一组都有单独的阀门与生长腔隔离开 l 15KeV RHEED l 300L/s 离子泵 l 液氮冷却钛升华泵（TSP） l 带分子泵的真空进片室
主要产品介绍（7）
PLD500 脉冲激光沉积系统