电子技术习题答案

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(完整版)电子技术基础习题答案

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(完整版)电子技术基础习题答案三、选择题:(每小题2分,共20分)1、单极型半导体器件是(C)。

A、二极管;B、双极型三极管;C、场效应管;D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。

A、三价;B、四价;C、五价;D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是( C)。

A、导通状态;B、截止状态;C、反向击穿状态;D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管(C)。

A、已经击穿;B、完好状态;C、内部老化不通;D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。

A、多子扩散;B、少子扩散;C、少子漂移;D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在(A)。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流(C)。

A、较大;B、较小;C、为零;D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(C)。

A、矩形方波;B、等腰三角波;C、正弦半波;D、仍为正弦波。

9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流I CM;B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率P CM;D、管子的电流放大倍数。

10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C)A、发射结正偏、集电结正偏;B、发射结反偏、集电结反偏;C、发射结正偏、集电结反偏;D、发射结反偏、集电结正偏。

三、选择题:(每小题2分,共20分)1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。

A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。

2、基本放大电路中的主要放大对象是(B)。

A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。

3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现(B)。

A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。

电子技术基础练习题库及答案

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电子技术基础练习题库及答案一、单选题(共70题,每题1分,共70分)1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。

A、✔B、×正确答案:A2、单相半波整流电路,负载电阻RL=750W,变压器次级电压有效值,U2=20V,则输出电压平均值U0为。

A、18VB、20VC、9V正确答案:C3、PN结两端加正向电压时,那么参加导电的是()A、少数载流子。

B、既有多数载流子又有少数载流子。

C、多数载流子。

正确答案:C4、符号IB表示三极管基极电流的()A、直流分量。

B、交流分量。

C、直流分量和交流分量之和。

正确答案:A5、在晶体三极管放大电路中,当输入电流一定时,若静态工作点设置太低,将产生()A、截止失真。

B、放大失真。

C、饱和失真。

正确答案:A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是()A、5VB、9VC、12V正确答案:C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v,则该三极管类型是()A、npn型硅管。

B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案:A8、稳压管的稳压区是指其工作在()的区域。

A、正向导通。

B、反向击穿。

C、反向截止。

正确答案:B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。

()A、差值放大器。

B、反相放大器。

C、电压比较器。

正确答案:C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态()A、无关B、有关C、不一定正确答案:B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。

A、×B、✔正确答案:A12、下列三种电路中,输入电阻最大的电路是()A、共集放大电路。

B、共射放大电路。

C、共基放大电路。

正确答案:A13、最常用的显示器件是()数码显示器。

A、七段B、五段C、九段正确答案:A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果()A、相同B、不想同C、有的相同,有的不相同。

正确答案:C15、非门的逻辑功能是()A、有0出0。

全1出1。

B、有1出1。

(完整版)电子技术复习题(答案)

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电子技术复习题一、填空1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。

2.当电源电压升高时,电抗原件将能量存储起来,而当电源电压降低时,又将能量释放出来,从而使输出电压比较平滑,这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。

4.晶体管是有三个电极的电流放大器,任选其中一个电极为公共电极时,可组成三种不同的四端网络,分别成为共基极、共发射极、共集电极。

5.构成放大电路的条件有两个:一是发射结正偏,集电结反偏;二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。

6、当温度升高时,会引起放大电路的静态工作点向上偏移,造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。

8.半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。

9.硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10.二极管的反向电压在一定范围时,电流基本上是 恒定(或不变) 的。

11.稳压管工作在 反向击穿 区。

12.NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。

13.PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。

14.非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。

15.为不产生非线性失真,放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ,输入信号的幅值不能太大。

16.在外部因素(如温度变化、三极管老化、电源电压波动等)的影响下,会引起放大电路 静态工作点 的偏移。

17.外部因素中,对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。

18.三极管级间耦合的方式主要有:阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。

19.三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。

20.三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。

21.三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。

22.场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。

23.场效应管有两种类型:结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。

电子技术第1章课后答案

电子技术第1章课后答案

第1章半导体存器件1。

1 在如图1.4所示的各个电路中,已知直流电压V,电阻kΩ,二极管的正向压降为0.7V,求U o。

图1.4 习题1.1的图分析U o的值与二极管的工作状态有关,所以必须先判断二极管是导通还是截止。

若二极管两端电压为正向偏置则导通,可将其等效为一个0.7V的恒压源;若二极管两端电压为反向偏置则截止,则可将其视为开路。

解对图1。

4(a)所示电路,由于V,二极管VD承受正向电压,处于导通状态,故:(V)对图1.4(b)所示电路,由于V,二极管VD承受反向电压截止,故:(V)对图1.4(c)所示电路,由于V,二极管VD承受正向电压导通,故:(V)1.2 在如图1.5所示的各个电路中,已知输入电压V,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出各电路的输入电压u i和输出电压u o的波形.分析在u i和5V电源作用下,分析出在哪个时间段内二极管正向导通,哪个时间段内二极管反向截止。

在忽略正向压降的情况下,正向导通时可视为短路,截止时可视为开路,由此可画出各电路的输入、输出电压的波形。

图1。

5 习题1.2的图解对图1。

5(a)所示电路,输出电压u o为:u i≥5V时二极管VD承受正向电压导通,U D=0,u o=5V;u i〈5V时二极管VD承受反向电压截止,电阻R中无电流,u R=0,u o=u i。

输入电压u i和输出电压u o的波形如图1.6(a)所示。

图1。

6 习题1.2解答用图对图1。

5(b)所示电路,输出电压u o为:u i≥5V时二极管VD承受正向电压导通,U D=0,u o= u i;u i〈5V时二极管VD承受反向电压截止,电阻R中无电流,u R=0,u o=5V。

输入电压u i和输出电压u o的波形如图1。

6(b)所示。

对图1。

5(c)所示电路,输出电压u o为:u i≥5V时二极管VD承受反向电压截止,电阻R中无电流,u R=0,u o= u i;u i〈5V时二极管VD承受正向电压导通,U D=0,u o=5V。

电子技术及应用习题解答第1章

电子技术及应用习题解答第1章

思考与练习1-、选择题:(请将唯一正确选项的字母填入对应的括号内)1、如图1-1所示,电路中所有的二极管都为理想二极管(即二极管正向压降可忽略不计),则哪个选项对D1、D2和D3的工作状态判断正确?( )(A )D1、D2导通,D3截止 (B )D1、D3导通,D2截止 (C )D1、D2截止,D3导通 (D )D1、D3截止,D2导通D 10V4V图1-1 题1.1图答案:C 。

原因:3D 的负极所接电压为-7V ,是最低电压,所以3D 导通。

3D 导通后1D 和2D 承受反向电压而截止。

2、如图1-2所示,电路中所有的二极管都为理想二极管,且L1、L2、L3、L4四盏灯都相同,则哪个灯最亮?( )(A )L1 (B )L2 (C )L3 (D )L4R图1-2题1.2图答案:D 。

原因:当电源~220V 正半周时,只有4D 承受正向电压导通,L4不亮;1D 、2D 和3D 承受反向电压截止,L1、L2和L3同时点亮;当电源~220V 负半周时,只有4D 承受反向电压截止,只有L4点亮;1D 、2D 和3D 承受正向电压导通,L1、L2和L3同时不亮;由此可见,灯泡L4最亮。

3、在如图1-3所示的电路中,已知10V E 稳压管Z1D 和Z2D 的稳定电压分别为5V 和3V ,正向压降都是0.7V ,则A 、B 两点间的电压O U 为多少?( )(A )-2.3V (B )4.3V (C )2.3V (D )-4.3VED Z 22图1-3 题1.3图答案:C 。

原因:A 点电位:A 100.79.3V V =-=;B 点电位:1037B V V =-=;所以,9.37 2.3O A B U V V V=-=-=4、下面关于二极管表述不正确的是?( ) (A )具有单向导电性; (B )由硅材料或锗材料构成;(C )既有点接触型二极管,也有面接触型二极管;(D )只能工作在反向击穿区,不能加正向电压。

电工电子技术习题(附答案)

电工电子技术习题(附答案)

电工电子技术习题(附答案)一、单选题(共30题,每题1分,共30分)1、目前铁路IP网的IP地址属于( )地址。

A、A类B、B类C、C类D、D类正确答案:A2、Ethernet Switch的100Mbit/s全双工端口的带宽为( )。

A、100Mbit/sB、20Mbit/sC、200Mbit/sD、10/100Mbit/s正确答案:C3、扩音机与扬声器直接配接,通常叫低阻配接,适用于( )输出的扩音机。

A、小功率定压B、小功率C、小功率定阻D、大功率正确答案:C4、华为接入网ESC显示故障或者离线,可能原因( )。

A、数据配置错误B、ESC板故障或者跳线错误C、与ESC通信的RSA,RSP,PV8,PV4故障D、以上都有可能正确答案:D5、100W扩音机输出阻抗是( )。

A、36欧B、50欧C、30欧D、60欧正确答案:A6、(考题). 郑西高铁ZXMP S385设备SE以太网板用户端口( )A、16个B、9个C、24个D、4个正确答案:B7、话路CH17对应的时隙是( )。

A、TS16B、TS17C、TS18D、TS19正确答案:C8、视频信号画面的像素数量4CIF指( )A、352 X 288B、704 X 576C、720 X 576D、1280 X 720正确答案:B9、通信段管内各站段会议系统通道均为主备用通道,主用通道为64 kbit/s可视会议,备用通道为四线音频会议。

当会议主通道故障时可通过会议汇接机操作台瞬间转换为备用通道,对会议过程无影响。

( )A、对B、错数据网正确答案:B10、应急通信线路设备的日常维护项目以下哪一项不属于月周期测试( )。

A、连接线、插件检查B、通话柱通话试验C、抢险工具等其他器材性能检查数量核对D、电缆复用器检查、室外连接试验正确答案:D11、(考题) 郑西线北电BTS9000出现“Blockedairinlet”告警最可能是( )模块引发的。

A、DDMB、RICAMC、SICSD、RMBlockedairinlet:堵塞的空气入口正确答案:C12、以下不是数据链路层的功能是( )A、帧同步B、对“帧”的差错检测与恢复C、链路连接的建立和分离D、对“比特流”的差错检测与恢复正确答案:B13、综合视频监控系统核心节点到区域节点的网络传输质量要求网络丢包率不大于( )A、10-6B、10-5C、10-4D、10-3正确答案:D14、一般情况下,路由器与路由器之间的连接需要使用( )网线。

电子技术基础习题答案

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第1章检测题(共100分, 120分钟)一、填空题: (每空0.5分, 共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳五价元素构成旳。

这种半导体内旳多数载流子为自由电子, 少数载流子为空穴, 不能移动旳杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量旳三价元素构成旳。

这种半导体内旳多数载流子为空穴, 少数载流子为自由电子, 不能移动旳杂质离子带负电。

2.三极管旳内部构造是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结构成旳。

三极管对外引出旳电极分别是发射极、基极和集电极。

3.PN结正向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向相反, 有助于多数载流子旳扩散运动而不利于少数载流子旳漂移;PN结反向偏置时, 外电场旳方向与内电场旳方向一致, 有助于少子旳漂移运动而不利于多子旳扩散, 这种状况下旳电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成旳过程中, P型半导体中旳多数载流子由P 向N 区进行扩散, N型半导体中旳多数载流子由N 向P 区进行扩散。

扩散旳成果使它们旳交界处建立起一种空间电荷区, 其方向由N 区指向P 区。

空间电荷区旳建立, 对多数载流子旳扩散起减弱作用, 对少子旳漂移起增强作用, 当这两种运动到达动态平衡时, PN结形成。

7、稳压管是一种特殊物质制造旳面接触型硅晶体二极管, 正常工作应在特性曲线旳反向击穿区。

三、选择题:(每题2分, 共20分)2.P型半导体是在本征半导体中加入微量旳( A )元素构成旳。

A.三价;B.四价;C.五价;D.六价。

3.稳压二极管旳正常工作状态是( C )。

A.导通状态;B.截止状态;C.反向击穿状态;D.任意状态。

5.PN结两端加正向电压时, 其正向电流是( A )而成。

A.多子扩散;B.少子扩散;C.少子漂移;D.多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V, VB=2.8V, VC=4.4V, 阐明此三极管处在( A )。

A.放大区;B.饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

电子技术课后习题详解

电子技术课后习题详解

习题解答【1-1】填空:1.本征半导体是,其载流子是和。

两种载流子的浓度.2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系.3.漂移电流是在作用下形成的。

4.二极管的最主要特征是,与此有关的两个主要参数是和.5.稳压管是利用了二极管的特征,而制造的特殊二极管。

它工作在。

描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是、、、和.6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将。

7.双极型晶体管可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参与导电。

8.场效应管从结构上分成和两种类型,它的导电过程仅仅取决于载流子的流动;因而它又称做器件.9.场效应管属于控制型器件,而双极型晶体管是控制型器件。

10.当温度升高时,双极性晶体管的β将,反向饱和电流I CEO将,正向结压降U BE将。

11.用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时,测出最为方便。

12.晶体管工作有三个区域,在放大区时,应保证和;在饱和区,应保证和;在截止区,,应保证和。

13.当温度升高时,晶体管的共射输入特性曲线将,输出特性曲线将,而且输出特性曲线之间的间隔将.解:1.完全纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。

2.杂质浓度,温度。

3.少数载流子,(内)电场力。

4.单向导电性,正向导通压降U F和反向饱和电流I S.5.反向击穿特性曲线陡直,反向击穿区,稳定电压(U Z),工作电流(I Emin),最大管耗(P Zmax)和动态电阻(r Z)6.增大;7.NPN,PNP,自由电子,空穴(多子,少子)。

8.结型,绝缘栅型,多数,单极型。

9.电压,电流。

10.变大,变大,变小。

11.各管脚对地电压;12.发射结正偏,集电结反偏;发射结正偏,集电结正偏;发射结反偏,集电结反偏.13.左移,上移,增大。

【1—2】在图1-2的各电路图中,E =5V ,u i =10t ωsin V ,二极管D 视为理想二极管,试分别画出输出电压u o 的波形。

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第6章第1次 专业 班 学号 2009 姓名 一、填空题1.变压器的主要功能有 电压 变换、 电流 变换和 阻抗 变换。

2.稳压二极管稳压工作时,是工作在其特性曲线的 反向击穿 区。

3.稳压管是利用反向击穿 特性来稳压的,正向 也可以 稳压。

4.在电子线路和自动控制系统中,常需要稳定的直流电压,直流稳压电源主要由 变压 、整流 、 滤波 和 稳压 四部分电路组成。

5.电路如图1所示,二极管为理想元件,已知交流电压表V 1的读数为100V ,负载电阻R L =1 k Ω,开关S 断开时直流电压表V 2 = 45V ,电流表A= 45mA ;开关S 闭合时直流电压表V 2 = 90V ,电流表A= 90mA 。

图1二、选择题1.要得到P 型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的( A )。

A .三价元素B .四价元素C .五价元素D .六价元素 2.稳压管电路如图2所示,稳压管Z1D 的稳定电压112V Z U =,Z2D 的稳定电压为26VZ U =,则电压0U 等于( C )。

A .12 VB .20 VC .6 VD .0 V图2 图33.理想二极管构成的电路如图3所示,则输出电压0U 等于( A ) A .8 V B .- 6 V C .2 V D .14 V4.在整流电路中,设整流电路的输出电流平均值为o I ,如果流过每只二极管的电流平均值D o /2I I =,每只二极管的最高反压为2U ,则这种电路是( A )A .单相桥式整流电路B .单相全波整流电路C .单相半波整流电路D .单相半波整流电容滤波电路 5.稳压管电路如图4所示,稳压管Z1D 的稳定电压112V Z U =,Z2D 的稳定电压为26VZ U =,则电压0U 等于( C )A .12 VB .20 VC .6 VD .0 V图4 图56.整流电路如图5所示,输出电压平均值0U 是18V ,若因故一只二极管损坏而断开,则输出电压平均值0U 是( A )A .9 VB .20 VC .40 VD .10 V三、计算题1.电路如图6所示,设S V U =6,i sin V u t ω=12,分别画出输出电压01U 和02U 的波形。

二极管正向压降忽略不计。

图6解:1.电路如图7所示,变压器副边电压为20 V ,负载电阻L 200R =Ω,求:(1)若1S 断开,2S 合上,求负载电压0U 和二极管电流D I 。

(2)若1S 合上,2S 合上,求输出电压0U 。

(3)若1S 合上,2S 断开,求电容电压C U 和二极管最高反压D R M U 。

图7解:(1)U o =0.9U 2=18V ;I D =0.5I o =45mA ;(2)U o =1.2U 2=24V ;(3)U C =U DRM =28.2V第7章第1次 专业 班 学号 2009 姓名 一、填空题1.某放大状态的三极管,测得各管脚电位为:①脚电位V 1=2.3 V ,②脚电位V 2=3 V ,③脚电位V 3=-9 V ,则可判定三极管为 PNP 硅 管, ② 脚为e 极,③ 脚为c 极。

2.某晶体管的极限参数mW100CM=P ,mA15CM=I ,V30(BR)CEO=U ,若工作电V10CE=U ,则工作电流C I 不得超过10mA ,若工作电流mA5C=I ,工作电压不得超过20V 。

3.交流放大电路的静态是指 u i =0 的工作状态,通常说的静态值(静态工作点)是I B 、 I C 、 U CE 。

4.交流放大电路的静态分析法有 图解法 和 估算法 两种。

5.固定偏臵基本交流放大电路的偏值电阻B R 减小时,使静态值B I 随之 上升 ,导致静态工作点沿直流负载线向 饱和区 靠近。

6.基本交流放大电路的集电极负载电阻C R 减小时,使直流负载线变 陡 ;C R 加大时,会使直流负载线变 平坦 。

两种情况都会使不失真的动态范围减小。

7.分析放大电路求静态值时须用 直流 通路,求动态参数时应该用 交流通路和 微变等效 电路。

8.若放大电路的信号源电动势S E 不变,而内阻S R 减小,则输出电压随之 上升 。

二、选择题1.NPN 型晶体管,处在饱和状态时是( B )A .U BE <0,U BC <0B .U BE >0,U BC >0 C .U BE >0,U BC <0D .U BE <0,U BC >0 2.工作在放大状态的晶体管,各极的电位应满足( A )。

A .发射结正偏,集电结反偏B .发射结反偏,集电结正偏C .发射结、集电结均反偏D .发射结、集电结均正偏4.电路如图1,C 3k ΩR =,晶体管的50β=,欲使晶体管工作在放大区,B R 应调至(C )。

A .10 k Ω B .100 k Ω C .300 k ΩD .∞图1 图2 图35.某固定偏臵单管放大电路的静态工作点Q 如图2所示,欲使工作点移至Q '需使( C )。

A .偏臵电阻B R 增大 B .集电极电阻C R 减小 C .偏臵电阻B R 减小 3.基本放大电路如图3所示,该电路的输出电压o u 与输入电压i u 的相位( B )。

A .相同B .相反C .相差/2π三、计算题1.电路如图4所示,已知C C 12V U =, B 600k R =Ω,C 3k R =Ω,L 6k R =Ω,S 2.3k R =Ω,BE 0.6V U =。

晶体管的电流放大系数100=β,输入电阻r be =1.7 kΩ。

试求:(1) 电路的静态工作点B I 、C I 、C E U ;(2) 放大电路的电压放大倍数u A 及us A 、输入电阻i r 及输出电阻0r 。

解:120.6(1)2060010020212236C C BEB BC B C E C C C C U U I AR I I A m A U U I R V--==≈μ=β=⨯μ==-=-⨯=图42626(2)200(1)200101 1.52(//)100(3//6)1331.5//600//1.5 1.53 1.5133532.3 1.5be EC L u bei B be o C i us u S ir k I R R A r r R r k r R k r A A R r =++β=+⨯≈Ωβ⨯=-=-=-==≈Ω==Ω=⨯=-⨯=-++2.分压式偏臵放大电路如图5所示,已知C C 12V U =,C 3.3k R =Ω,B133k R =Ω,B210k R =Ω,E1200R =Ω,E2 1.3k R =Ω,L 5.1k R =Ω,S 600R =Ω,BE 0.6V U =。

试计算该电路:(1) 50=β时的静态值、电压放大倍数u A 、输入电阻和输出电阻; (2) 换用100=β 的晶体管后的静态值和电压放大倍数u A 。

图5解:2121212110(1)12 2.833102.80.6 1.471.51.4729151()12 1.47(3.3 1.5) 4.92626200(1)20051 1.11.47(//)(1)B B C C B B B BE E CE E E B C E C C C C E E E be EC L u be E R V U VR R V U I m A I R R I I AU U I R I R R V r k I R R A r R ==⨯=++--===≈+==≈μ+β=--+=-+==++β=+⨯≈Ωβ=-++β12150(3.3//5.1)8.91.1510.2////((1))33//10//11.37.67//11.3 4.63.3i B B be E o C r R R r R k r R k =-≈-+⨯=++β==≈Ω==Ω121212.80.6(2) 1.471.51.4714.61101()12 1.47(3.3 1.5) 4.92626200(1)200101 2.01.47(//)100(3.3//5.1)9.(1)21010.2B BE E CE E EB C E C C C C E E E be EC L u be E V U I m A I R R I I AU U I R I R R V r k I R R A r R --===≈+==≈μ+β=--+=-+==++β=+⨯≈Ωβ=-=-≈-++β+⨯0第7章第2次 专业 班 学号 2009 姓名 一、填空题1.射极输出器的三大特点是1u A ≤、 输入电阻高 、 输出电阻小 。

2.射极输出器作为多级放大电路的输入级使用时有 输入电阻高 的好处。

3.射极输出器作为多级放大电路的输出级使用时有输出电阻小 的好处。

4.多级放大电路的耦合方式有 阻容耦合 、 直接耦合 和 变压器 耦合三种。

5.多级放大电路的输入电阻是第一级的输入电阻,可能与 第一级电路 有关;多级放大电路的输出电阻是最后一级的输出电阻,可能与 后一级电路 有关。

6.多级放大电路的电压放大倍数等于 各级电压放大倍数 的乘积,计算前级的电压放大倍数时必须把 后级的输入电阻 作为前级的负载。

7.互补对称功率放大电路从电路结构上可分为 OTL 和 OCL 两类。

二、选择题1.射极输出器电路中,输出电压o u 与输入电压i u 之间的关系是( B )。

A .两者反相,输出电压大于输出电压B .两者同相,输出电压近似等于输入电压C .两者相位差90o ,且大小相等2.在多级放大电路中,功率放大级常位于( C )。

A .第一级B .中间级C .末级或末前级3.某功率放大电路的工作波形如图1,静态工作点Q 靠近截止区,这种情况称为( C )。

A .甲类工作状态B .乙类工作状态C .甲乙类工作状态图1 图24.互补对称功率放大电路,若设臵静态工作点使两管均工作在乙类状态,将会出现( C )。

A .饱和失真B .频率失真C .交越失真5.OCL 互补对称功率放大电路如图2,T 1,T 2为硅管, i 0.2sin V u t ω≤,则理想状态下输出电压0u 等于( C )。

A .12sin V t ωB .0.2sin V t ω-C .零三、计算题1.放大电路如图3所示,C C 12V U =,B 75k R =Ω,E 1k R =Ω,L 1k R =Ω,S 1k R =Ω,50β=,BE 0.6VU =。

(1)求静态工作点;(2)画出微变等效电路;(3)求输入电阻i r 、输出电阻o r 和电压放大倍数0u su A u =。

图3解:120.6(1)90(1)75511(1)5190 4.612 4.617.4C C BE B B EE B C C E C C C E U U I AR R I I m A I U U I R V--==≈μ++β+⨯=+β=⨯≈≈=-=-⨯=(2)(3)2626200(1)200510.484.6//((1)(//)75//(0.48511//1)75//2619.3(//)0.481//751.48//1//0.02915151(1)(//)511//1(1)(//)0.485be Ei B be E L be S B o E E L u be E L r k I r R r R R k r R R r R k R R A r R R =++β=+⨯≈Ω=++β=+⨯=≈Ω++==≈=Ω+β+β⨯=-=-++β+0.9811//1≈⨯2.两级阻容耦合放大电路如图4所示,已知CC 24V U =,B11M R =Ω,E127k R =Ω,B282k R =Ω,B343k R =Ω,C 10k R =Ω,E28.2k R =Ω,1250ββ==,BE1BE20.6V U U ==。

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