大学物理第16章
大学物理第16章麦克斯韦方程组和电磁辐射

位移电流 全电流安培环路定理
稳恒磁场中,安培环路定理 H dl I j ds
l s
S1
L
-
S2
+ + + +
(以 L 为边做任意曲面 S ) H dl j ds I
L S1
I
H dl j ds 0
第16章 麦克斯韦方程组和电 磁辐射
本章主要内容
§16.1 Maxwell电磁场方程组
§16.2 电磁波和电磁辐射 §16.4 电磁波的性质 §16.5 电磁波的能量 §16.6 电磁波的动量 光压
第16章 麦克斯韦方程组和电磁辐射
电现象/磁现象
电场/磁场(稳恒态)
我国:周朝(BC8世)/战国(BC4-3世) 西方:BC6世/ AD15世末
B
2
计算得
r dQ H 2 2 π R dt
Q
0 r dQ
2 π R dt
2
代入数据计算得
Q
I d 1.1 A
B 1.1110 T
5
Ic
R
P *r
Ic
例2. 一平行板电容器的两极板都是圆形板,面积为S,其上 的电荷随时间变化,变化率为 q q sint
m
求: 1)电容器中位移电流密度的大小。
麦克斯韦18311879英国物理学家1865年麦克斯韦在总结前人工作的基础上提出完整的电磁场理论他的主要贡献是提出了有旋电场和位移电流两个假设从而预言了电磁波的存在并计算出电磁波的速度即光1888年赫兹的实验证实了他的预言麦克斯韦理论奠定了经典电动力学的基础为无线电技术和现代电子通讯技术发展开辟了广阔前景
大学物理 第16章量子力学基本原理-例题及练习题

∴ n = 2,6,10...... 时概率密度最大
nhπ 6 × 10 = =1时 (3) n=1时: E = =1 2mL L
2 2 2 2 2 −38
A 例题3 例题3 设粒子沿 x 方向运动,其波函数为 ψ ( x ) = 方向运动, 1 + ix
( n = 1,2,3,...)
E n=4
p2 E = 2m p= nπh nh 2 mE = = a 2a
n=3 n=2 n=1
h 2a λ= = p n
二者是一致的。 二者是一致的。
( n = 1, 2, 3,...)
o a
x
例题2 粒子质量为m, 在宽度为L的一维无限 的一维无限深势 例题2 P516例1:粒子质量为m, 在宽度为 的一维无限深势 中运动,试求( 粒子在0 阱中运动,试求(1)粒子在0≤x≤L/4区间出现的概率。并 ≤ / 区间出现的概率。 求粒子处于n=1 状态的概率。 在哪些量子态上, 求粒子处于 1和n=∞状态的概率。(2)在哪些量子态上, 状态的概率 (2)在哪些量子态上 L/4处的概率密度最大?(3)求n=1时粒子的能量 补充 。 /4处的概率密度最大 (3)求 =1时粒子的能量(补充 处的概率密度最大? =1时粒子的能量 补充)。 2 nπ x 由题得: 解:(1) 由题得: 概率密度 |ψ | = sin
2 2 2 2 0
2
2
2
2
0
0
k
0
2
2
2 k
0
k
k
k
0
h ∴λ = = p
hc 2E m c + E
2 k 0
大学物理 上海交通大学 16章 课后习题答案

习题1616-1.如图所示,金属圆环半径为R ,位于磁感应强度为B 的均匀磁场中,圆环平面与磁场方向垂直。
当圆环以恒定速度v 在环所在平面内运动时,求环中的感应电动势及环上位于与运动方向垂直的直径两端a 、b 间的电势差。
解:(1)由法拉第电磁感应定律i d dt εΦ=-,考虑到圆环内的磁通量不变,所以,环中的感应电动势0i ε=;(2)利用:()aab b v B dlε=⨯⋅⎰,有:22ab Bv R Bv Rε=⋅=。
【注:相同电动势的两个电源并联,并联后等效电源电动势不变】16-2.如图所示,长直导线中通有电流A I 0.5=,在与其相距cm 5.0=d 处放有一矩形线圈,共1000匝,设线圈长cm 0.4=l ,宽cm 0.2=a 。
不计线圈自感,若线圈以速度cm/s 0.3=v 沿垂直于长导线的方向向右 运动,线圈中的感生电动势多大?解法一:利用法拉第电磁感应定律解决。
首先用0l B dl I μ⋅=∑⎰求出电场分布,易得:02I B r μπ=, 则矩形线圈内的磁通量为:00ln 22x axI I l x a l dr r x μμππ++Φ=⋅=⎰,由i d Nd t εΦ=-,有:011()2i N I l d xx a x dt μεπ=--⋅+∴当x d =时,有:041.92102()i N I l a vVd a μεπ-==⨯+。
解法二:利用动生电动势公式解决。
由0l B dl Iμ⋅=∑⎰求出电场分布,易得:02I B r μπ=,考虑线圈框架的两个平行长直导线部分产生动生电动势,近端部分:11NB l v ε=, 远端部分:22NB lvε=,则:12εεε=-=00411() 1.921022()N I N I a l v l v Vd d a d d a μμππ--==⨯++。
16-3.如图所示,长直导线中通有电流强度为I 的电流,长为l 的金属棒ab 与长直导线共面且垂直于导线放置,其a 端离导线为d ,并以速度v 平行于长直导线作匀速运动,求金属棒中的感应电动势ε并比较U a 、U b 的电势大小。
大学物理第16章气体动理论

pA
lim N
NA N
1 2
抛硬币的 统计规律
2020/1/15
DUT 余 虹
4
16.1 理想气体的压强
一、分子的作用力与压强
总数N 个,分子质量m ,摩尔质量,
体积V,温度T。
F
气体分子频繁碰撞 容器壁——给容器
壁冲量。大量分子在t 时间内给予I
的冲量,宏观上表现为对器壁的平均
vf
v
d
v
0
f
vd v
0
vf
v d
v
麦克斯韦分布律
v 1.60 RT
2020/1/15
DUT 余 虹
21
(3)方均根速率 v 2
一段速率区间v1~v2的方均速率
f v
v122
v2 v 2 d N N v v2 2 f v d v
v1 v2 d N
作用力
F I t
气体对容器壁的压强
P F I S S t
2020/1/15
DUT 余 虹
5
二、P 与微观量 的关系
分子按速度区 间分组
第i 组: 速度 近vi 似~ 认vi 为 都dv是i v i
分子数N
i ,分子数密度
ni
Ni V
考察这组分子给面元A的冲量
一 碰壁前速度 vix viy viz
一、速率分布函数
处于平衡态的气体,每个分子 朝各个方向运动的概率均等。
可是大量分子速度分 量的方均值相等。
一个分子,某一时刻速度
v
通常 v xv y v z
v
大学物理 上册(第五版)重点总结归纳及试题详解第十六章 从经典物理到量子物理

第十六章 从经典物理到量子物理一、基本要求1. 了解描述热辐射的几个物理量及绝对黑体辐射的两条实验规律。
2. 理解普朗克的“能量子”假设的内容,了解普朗克公式。
3. 理解光电效应和康普顿效应的实验规律,以及爱因斯坦的光子理论对这两个效应的解释。
4. 理解爱因斯坦光电效应方程;红限概念和康普顿散射公式。
5. 理解光的波粒二象性以及光子的能量,质量和动量的计算。
6. 掌握氢原子光谱的实验规律,理解玻尔氢原子理论的三条基本假设的内容;并由三条假设出发,推导出氢原子的光谱规律。
二、基本内容1. 黑体辐射(1)绝对黑体在任何温度下都能全部吸收照射在其上的任何波长的电磁波的物体,称为绝对黑体。
绝对黑体是一种理想模型,其在任何温度下对任何波长入射辐射能的吸收比均为1。
(2)黑体辐射的实验规律斯特藩-玻尔兹曼定律40)(T T M σ=式中)(0T M 为绝对黑体在一定温度下的辐射出射度,σ=5.67×10-8W ·m -2·K -1为斯特藩常量。
维恩位移定律b T m =λ式中m λ为相应于)(0T M λ曲线极大值的波长,31089.2-⨯=b m ·K(3)普朗克的能量子假说辐射黑体是由原子分子组成的。
这些原子和分子的振动可看作线性谐振子,这些谐振子的能量只能是某一最小能量ε的整数倍,即ε,2ε,3ε...,n ε,物体发射或吸收的能量必须是这个最小单元的整数倍。
ε称为能量子,n 为正整数,叫量子数。
在黑体辐射理论中,能量子ε=hv ,其中h 是普朗克常量,v 是特定波长的辐射所对应的频率。
(4)普朗克黑体辐射公式)(0T M λ=11252-⋅T k hce hc λλπ 式中h 为普朗克常量,k 为玻尔兹曼常量,c 为真空中光速。
由此公式可推导出斯特藩-玻尔兹曼定律和维恩位移定律,而且在低频和高频情况下可分别化为瑞利-金斯公式和维恩公式。
2. 光电效应金属及其化合物在电磁辐射下发射电子的现象称为光电效应。
昆明理工大学物理习题集(下)第十六章元答案

昆明理工大学物理习题集(下)第十六章元答案第十六章量子物理基础一、选择题:1. 关于光的波粒二象性,下述说法正确的是 [ D ](A )频率高的光子易显示波动性(B )个别光子产生的效果以显示粒子性(C )光的衍射说明光具有粒子性(D )光电效应说明光具有粒子性2. 金属的光电效应的红限依赖于:[ C ](A )入射光的频率(B )入射光的强度(C )金属的逸出功(D )入射光的频率和金属的逸出功3. 用频率为1ν单色光照射某种金属时,测得饱和电流为1I ,以频率为2ν的单色光照射该金属时,测得饱和电流为2I ,若21I I >,则:[ D ](A )21νν> (B )21νν<(C )21νν= (D )1ν与2ν的关系还不能确定4. 光电效应中光电子的最大初动能与入射光的关系是: [ C ](A )与入射光的频率成正比(B )与入射光的强度成正比(C )与入射光的频率成线性关系(D )与入射光的强度成线性关系5. 两束频率、光强都相同的光照射两种不同的金属表面,产生光电效应,则: [ C ](A )两种情况下的红限频率相同(B )逸出电子的初动能相同(C )在单位时间内逸出的电子数相同(D )遏止电压相同6. 钾金属表面被蓝光照射时,有光电子逸出,若增强蓝光强度,则:[ A ](A )单位时间内逸出的光电子数增加(B )逸出的光电子初动能增大(C )光电效应的红限频率增大(D )发射光电子所需的时间增长7. 用频率为1ν的单色光照射一金属表面产生光电效应,用频率为2ν的单色光照射该金属表面也产生光电效应,而且测得它们的光电子有E k 1>E k 2的关系,则:[ A ](A )1ν>2ν (B )1ν<2ν (C )1ν=2ν (D )不能确定8. 当照射光的波长从4000?变到3000?时,对同一金属,在光电效应实验中测得的遏止电压将:[ D ](A )减小V 56.0 (B )增大V 165.0 (C )减小V 34.0 (D )增大V 035.19. 钠光的波长是λ,设h 为普朗克恒量,c 为真空中的光速,则此光子的:[ C ](A )能量为c h /λ (B )质量为λc h / (C )动量为λ/h(D )频率为c /λ (E )以上结论都不对10. 以下一些材料的功函数(逸出功)为:铍—eV 9.3、钯—5.0eV 、铯—1.9eV 、钨—4.5eV 。
大学物理学(下册)(第二版)(李承祖主编)PPT模板
3
费衍射光栅光谱和光
栅分辨本领
第四部分振动波动电磁波和波动光学
第21章波动光学(ⅲ)
21.1光的偏振 态偏振光的获 得
21.4偏振光的 干涉
21.2双折射现 象
*21.5人工双 折射
21.3偏振棱镜 波片圆和椭圆 偏振光的产生 和检验
问题和习题
04
o
n
e
第五部分相对论物理学中的对称性
第五部分相 对论物理学 中的对称性
01
o
n
e
前言
前言
02
o
n
e
第一版前言
第一版前言
03
o
n
e
第四部分振动波动电磁波和波动光学
第四部分振动波动 电磁波和波动光学
06
第21章波动 光学(ⅲ)
01
第16章振动
05
第20章波动 光学(ⅱ)
02
第17章机械 波
04
第19章波动 光学(ⅰ)
03
第18章电磁 波
第四部分振动波动电磁波和波动光学
01 1 7 .1 机 械波的产生 02 1 7 .2 平 面简谐波
和传播
03 1 7 .3 机 械波的能量 04 1 7 .4 惠 更斯原理波
密度和能流
的衍射、反射和折射
05 1 7 .5 波 的相干叠加 06 1 7 .6 多 普勒效应
驻波
第四部分振动波动电磁波和波动光学
第17章机械波
问题和习题
25.1对称性的概念 和描写方法
01
05
02
25.2时空 对称性和物 理量、物理 规律、物理 相互作用
04
03
*25.4动力学对称性
大学物理第十六章机械波第二节平面简谐波 波动方程
0.4
0.5
t=3T/4
波动方程的推导
(5)质点的最大速率
vm
A
A 2
T
0.5 102
2 m/s
1 30
0.94 m/s
(6)a、b两点相隔半个波长,b点处质点比a点处质点
的相位落后 。
(7)3T/4时的波形如下图中实线所示,波峰M1和M2已
分别右移3 4而到达
高等教育大学教学课件 大学物理
§16-2 平面简谐波 波动方程
平面简谐波传播时,介质中各质点都作同一频 率的简谐波动,在任一时刻,各点的振动相位一般 不同,它们的位移也不相同。据波阵面的定义可知, 任一时刻在同一波阵面上的各点有相同的相位,它 们离开各自的平衡位置有相同的位移。
波动方程:描述介质中各质点的位移随时间的变 化关系。
y /cm
M 1 和'
M 2处' 。
0.5 M1
M1' M2
M2'
0.4
0.2
a
0
b
0.2 10 20 30 40 50 60 70 x /cm
0.4
0.5
t=3T/4
谢谢欣赏!
Hale Waihona Puke A cos2
t
x
0
y(x,t) Acos( t k x 0) 其中 k 2
平面简谐波的波动表式
波动表式的意义:
x 一定。令x=x1,则质点位移y 仅是时间t 的函数。
即
y
A c os
t
2
x1
0
大学物理习题答案16
第十六章 电磁场P177.16.1 一条铜棒长为L = 0.5m ,水平放置,可绕距离A 端为L /5处和棒垂直的轴OO'在水平面内旋转,每秒转动一周.铜棒置于竖直向上的匀强磁场中,如图所示,磁感应强度B = 1.0×10-4T .求铜棒两端A 、B 的电势差,何端电势高.[解答]设想一个半径为R 的金属棒绕一端做匀速圆周运动,角速度为ω,经过时间d t 后转过的角度为d θ = ωd t ,扫过的面积为d S = R 2d θ/2,切割的磁通量为d Φ = B d S = BR 2d θ/2,动生电动势的大小为ε = d Φ/d t = ωBR 2/2.根据右手螺旋法则,圆周上端点的电势高.AO 和BO 段的动生电动势大小分别为22()2550AO B LBL ωωε==, 22416()2550BOB LBL ωωε==. 由于BO > AO ,所以B 端的电势比A 端更高,A 和B 端的电势差为2310BO AOBL ωεεε=-=242332π 1.010(0.5)1010BL ω-⨯⨯⨯=== 4.71×10-4(V). [讨论]如果棒上两点到O 的距离分别为L 和l ,则两点间的电势差为222()(2)222B L l Bl B L Ll ωωωε++=-=.16.2 一长直载流导线电流强度为I ,铜棒AB 长为L ,A 端与直导线的距离为x A ,AB 与直导线的夹角为θ,以水平速度v 向右运动.求AB 棒的动生电动势为多少,何端电势高?[解答]在棒上长为l 处取一线元d l ,在垂直于速度方向上的长度为 d l ⊥ = d l cos θ;线元到直线之间的距离为r = x A + l sin θ,直线电流在线元处产生的磁感应强度为图16.1图16.2002π2π(sin )A IIB rx l μμθ==+.由于B ,v 和d l ⊥相互垂直,线元上动生电动势的大小为0cos d d d 2π(sin )A Iv lBv l x l μθεθ⊥==+,棒的动生电动势为00cos d 2πsin LAIv lx l μθεθ=+⎰00cos d(sin )2πsin sin LA A Iv x l x l μθθθθ+=+⎰ 0sin cot ln2πA AIvx L x μθθ+=,A 端的电势高.[讨论](1)当θ→π/2时,cot θ = cos θ/sin θ→0,所以ε→0,就是说:当棒不切割磁力线时,棒中不产生电动势.(2)当θ→0时,由于sin sin sin lnln(1)A A A Ax L L L x x x θθθ+=+→,所以02πAIvLx με→,这就是棒垂直割磁力线时所产生电动势.16.3 如图所示,平行导轨上放置一金属杆AB ,质量为m ,长为L .在导轨上的一端接有电阻R .匀强磁场B 垂直导轨平面向里.当AB 杆以初速度v 0向运动时,求:(1)AB 杆能够移动的距离;(2)在移动过程中电阻R 上放出的焦耳热为多少? [分析]当杆运动时会产生动生电动势,在电路中形成电流;这时杆又变成通电导体,所受的安培力与速度方向相反,所以杆将做减速运动.随着杆的速度变小,动生电动势也会变小,因而电流也会变小,所受的安培力也会变小,所以杆做加速度不断减小的减速运动,最后缓慢地停下来.[解答](1)方法一:速度法.设杆运动时间t 时的速度为v ,则动生电动势为ε = BLv ,电流为I = ε/R ,所受的安培力为F = -ILB = -εLB/R = -(BL )2v/R ,负号表示力的方向与速度方向相反.取速度的方向为正,根据牛顿第二定律F = ma 得速度的微分方程为BA图16.32()d d BL v v m R t-=,即: 2d ()d v B L t v m R=-积分得方程的通解为21()ln BL v t C mR=-+.根据初始条件,当t = 0时,v = v 0,可得常量C 1 = ln v 0.方程的特解为20()exp[]BL v v t mR=-.由于v = d x /d t ,可得位移的微分方程20()d exp[]d BL x v t t mR=-,方程的通解为20()exp[]d BL x v t t mR =-⎰2022()exp[]()mRv BL t C BL mR-=-+, 当t = 0时,x = 0,所以常量为022()mRv C BL =. 方程的特解为202(){1exp[]}()mRv BL x t BL mR=--. 当时间t 趋于无穷大时,杆运动的距离为2()mRv x BL =. 方法二:冲量定理.根据安培力的公式可得F = -(BL )2v/R ,负号表示安培力与速度的方向相反.因此2()d d BL x F t R-=,根据冲量定理得d 0tF t mv=-⎰,即:杆所受的冲量等于杆的动量的变化量.积分后可得02()mv Rx BL =. (2)方法一:焦耳定律.杆在移动过程中产生的焦耳热元为222()d d d d BLv Q I R t t t R R ε===220()2()exp[]d BLv BL t t R mR=-整个运动过程中产生的焦耳热为2200()2()exp[]d BLv BL Q t t R mR ∞=-⎰222002()exp[]22mv mv BL t mR ∞-=-=, 即:焦耳热是杆的动能转化而来的.方法二:动能定理.由于I = ε/R ,其中ε = BLv = BL d x /d t ,而安培力为F = -ILB ,负号表示安培力的方向与杆运动的方向相反.因此焦耳热元为d Q = I 2R d t = I εd t = IBL d x = -F d x .负号表示安培力做负功.根据动能定理,磁场的安培力对杆所做的功等于杆的动能的增量,因此安培力在杆的整个运动过程中所做的功为201d (0)2W F x mv =-=--⎰, 所以产生的焦耳热为212Q W mv ==. [小结]在求杆的运动距离时,用冲量定理可避免解微分方程.在求焦耳热时用动能定理可避免积分运算.16.4 如图所示,质量为m 、长度为L 的金属棒AB 从静止开始沿倾斜的绝缘框架滑下.磁感应强度B 的方向竖直向上(忽略棒AB 与框架之间的摩擦),求棒AB 的动生电动势.若棒AB 沿光滑的金属框架滑下,设金属棒与金属框组成的回路的电阻R 为常量,棒AB 的动生电动势又为多少?[解答](1)棒的加速度为a = g sin θ,经过时间t ,棒的速度为v = at = (g sin θ)t ,而切割磁力线的速度为v ⊥ = v cos θ,所以棒的动生电动势为ε = BLv ⊥ = BLg (sin θcos θ)t = BLg (sin2θ)t /2.(2)设棒运动时间t 时的速度为v ,则动生电动势为图16.4ε = BLv cos θ,电流为I = ε/R ,所受的安培力的大小为F = ILB = εLB/R = (BL )2v cos θ/R ,其方向水平向右.安培力沿着斜面向上的分量为F' = F cos θ,其方向与速度的方向相反.取速度的方向为正,根据牛顿第二定律ΣF = ma 得速度的微分方程为2(cos )d sin d BL v vmg m R tθθ-=,即 2d d sin (cos )mRt v mgR BL vθθ=-, 方程可化为222d[sin (cos )]d (cos )sin (cos )mR mgR BL v t BL mgR BL vθθθθθ--=-. 积分得方程的通解为22ln[sin (cos )](cos )mR t mgR BL v C BL θθθ-=-+.根据初始条件,当t = 0时,v = 0,可得常量2ln(sin )(cos )mRC mgR BL θθ=, 方程的特解为22[sin (cos )]ln (cos )sin mR mgR BL v t BL mgR θθθθ--=, 棒的速度为22sin (cos ){1exp[]}(cos )mgR BL v t BL mRθθθ=--, 动生电动势为cos BLv εθ=2(cos )tan {1exp[]}mgR BL t BL mRθθ=--. [讨论]当时间t 趋于无穷大时,最终速度为2sin (cos )mgR v BL θθ=,最终电动势为tan mgRBL εθ=, 最终电流为tan mgI BLθ=. 另外,棒最终做匀速运动,重力做功的功率等于感生电流做功的功率,重力做功的功率为P = mg sin θv ,感生电流做功的功率为222(cos )BLv P I R R Rεθ===, 两式联立也可得2sin (cos )mgR v BL θθ=,由此可以求出最终电动势和电流.[注意]只有当物体做匀速运动时,重力所做的功才等于电流所做的功,否则,重力还有一部分功转换成物体的动能.16.5 电磁涡流制动器是一个电导率为ζ,厚度为t 的圆盘,此盘绕通过其中心的垂直轴旋转,且有一覆盖小面积为a 2的均匀磁场B 垂直于圆盘,小面积离轴r (r >>a ).当圆盘角速度为ω时,试证此圆盘受到一阻碍其转动的磁力矩,其大小近似地表达为M ≈B 2a 2r 2ωζt .[解答]电导率是电阻率的倒数ζ = 1/ρ.不妨将圆盘与磁场相对的部分当成长、宽和高分别为a 、a 和t 的小导体,其横截面积为S = at ,电流将从横截面中流过,长度为a ,因此其电阻为1l R S tρσ==. 宽为a 的边扫过磁场中,速度大小为v = r ω,产生的感生电动势为ε = Bav = Bar ω,圆盘其他部分的电阻远小于小导体的电阻,因此通过小导体的电流强度为I ≈ε/R = Bar ωζt ,所受的安培力为F = IaB ≈B 2a 2r ωζt ,其方向与速度方向相反.产生的磁力矩为M = Fr ≈B 2a 2r 2ωζt .其方向与角速度的方向相反.16.6 如图,有一弯成θ角的金属架COD 放在磁场中,磁感应强度B 的方向垂直于金图16.5t属架COD 所在平面,一导体杆MN 垂直于OD 边,并在金属架上以恒定速度v 向右滑动,v 与MN 垂直,设t = 0时,x = 0,求下列两情形,框架内的感应电动势εi .(1)磁场分布均匀,且B 不随时间改变; (2)非均匀的交变磁场B = Kx cos ωt . [解答](1)经过时间t ,导体杆运动的距离为X = vt ,杆的有效长度为l = X tan θ = v (tan θ)t , 动生电动势为εi = Blv = Bv 2(tan θ)t . (2)导体杆在t 时刻运动到X 处,在三角形中取一个面积元 d S = y d x , 由于y = x tan θ,所以d S = x tan θd x ,通过该面元的磁通量为d Φ = B d S = K cos ωt tan θx 2d x ,通过三角形的磁通量为20tan cos d XK t x x Φθω=⎰31tan cos 3K tX θω=331tan cos 3Kv t t θω=,感应电动势为d d i t Φε=-323tan (3cos sin )3kv t t t t θωωω=--,即: 32tan (sin 3cos )3i kv t t t t θεωωω=-.[注意]公式B = Kx cos ωt 中的x 是场点到O 点的距离,不一定是杆运动的距离,为了区别两个距离,杆的距离用X 表示.16.7 如图所示的回路,磁感应强度B 垂直于回路平面向里,磁通量按下述规律变化Φ = 3t 2 + 2t + 1,式中Φ的单位为毫韦伯,t 的单位为秒.求:(1)在t = 2s 时回路中的感生电动势为多少? (2)电阻上的电流方向如何?[解答](1)将磁通量的单位化为韦伯得 Φ = (3t 2 + 2t + 1)/103,感生电动势大小为ε = |d Φ/d t | = 2(3t + 1)/103.t = 2s 时的感生电动势为1.4×10-2(V).(2)由于原磁场在增加,根据楞次定律,感应电流所产生的磁场的方向与原磁场的方向相反,所以在线圈中感生电流的方向是逆时针的,从电阻的左边流向右边.O图16.6图16.716.8 如图所示的两个同轴圆形导体线圈,小线圈在大线圈上面.两线圈的距离为x ,设x 远大于圆半径R .大线圈中通有电流I 时,若半径为r 的小线圈中的磁场可看作是均匀的,且以速率v = d x /d t 运动.求x = NR 时,小线圈中的感应电动势为多少?感应电流的方向如何?[解答]环电流在轴线上产生的磁感应强度为20223/22()IR B x R μ=+, 当x >>R 时,磁感应强度为2032IRB xμ≈.小线圈的面积为S = πr 2,通过的磁通量为2203π2IR r BS x μΦ=≈, 当小线圈运动时,感应电动势为22043πd d 2IR r vt xμΦε=-≈, 当x = NR 时,感应电动势为20423π2Ir vN Rμε≈. 感应电流的磁场与原磁场的方向相同,感应电流的方向与原电流的环绕方向相同.16.9 如图所示,匀强磁场B 与矩形导线回路的法线n 成θ = 60°角,B = kt (k 为大于零的常数).长为L 的导体杆AB 以匀速v 向右平动,求回路中t 时刻的感应电动势的大小和方向(设t = 0时,x = 0).[解答]经过时间t ,导体杆运动的距离为 x = vt , 扫过的面积为 S = Lx = Lvt ,通过此面积的磁通量为Φ = B ·S = BS cos θ = Lvkt 2/2. 感应电动势的大小为ε = d Φ/d t = Lvkt .由于回路中磁通量在增加,而感应电流的磁通量阻碍原磁通量增加,其磁场与原磁场的方向相反,所以感应电动势的方向是顺时针的.16.10 长为b ,宽为a 的矩形线圈ABCD 与无限长直截流导线共面,且线圈的长边平行于长直导线,线圈以速度v 向右平动,t 时刻基AD 边距离长直导线为x ;且长直导线中的电流按I = I 0cos ωt 规律随时间变化,如图所示.求回路中的电动势ε.[解答]电流I 在r 处产生的磁感应强度为图16.8图16.902πIB rμ=,穿过面积元d S = b d r 的磁通量为0d d d 2πIbB S r rμΦ==,穿过矩形线圈ABCD 的磁通量为001d ln()2π2πx axIbIb x a r r xμμΦ++==⎰, 回路中的电动势为d d t Φε=-0d 11d [ln()()]2πd d b x a I x I x t x a x tμ+=-+-+ 00cos [ln()sin ]2π()I bx a av tt x x x a μωωω+=++. 显然,第一项是由于磁场变化产生的感生电动势,第二项是由于线圈运动产生的动生电动势. *16.11 如图,一个矩形的金属线框,边长分别为a和b (b 足够长).金属线框的质量为m ,自感系数为L ,忽略电阻.线框的长边与x 轴平行,它以速度v 0沿x 轴的方向从磁场外进入磁感应强度为B 0的均匀磁场中,B 0的方向垂直矩形线框平面.求矩形线框在磁场中速度与时间的关系式v = v (t )和沿x 轴方向移动的距离与时间的关系式x = x (t ).[解答]由于b 边很长,所以线框只有右边在做切割磁力线的运动.当线框速度为v 时,产生的动生电动势为ε = B 0av .当线框中的电流为i 时,产生的自感电动势的大小为d d L i Ltε=. 根据欧姆定律得ε + εL = iR ,由于不计电阻,所以有0d 0d iB av Lt+=. ① 右边所受的力为F = iaB 0,根据牛顿第二定律得0d d v iaB mt=, 微分得图16.10图16.11202d d d d i vaB m t t=, ②联立①和②式得微分方程2202()d 0d aB v v t mL+=, 这是简谐振动的微分方程,其通解为v A B =+.当t = 0时,v = v 0,所以A = v 0.加速度a t = d v /dt )A B =-+,当t = 0时,a t = 0,所以B = 0.速度方程为0v v =. 由于v = d x /d t ,所以0d d x v t v t ==⎰⎰00v C =+. 当t = 0时,x = 0,所以C = 0,所以位移方程为0x v =.16.12 如图所示的圆面积内,匀强磁场B 的方向垂直于圆面积向里,圆半径R = 12cm ,d B /d t = 10-2T·s -1.求图中a 、b 、c 三点的涡旋电场为多少(b 为圆心)?设ab = 10cm ,bc = 15cm . [解答](1)当点在磁场之中时,以b 为圆心,以r 为半径作一圆形环中,其周长为C = 2πr ,面积为S = πr 2.取环路的逆时针方向为正,根据右手螺旋法则,面积的法向方向垂直纸面向外。
大学物理第16章习题解答
两块平面晶体的中间,形成空气劈形膜,当单色光垂直入射时,产生等厚干涉条纹,如果滚
柱之间的距离 L 变小,则在 L 范围内干涉条纹的( )
(A) 数目减小,间距变大
(B) 数目减小,间距不变
(C) 数目不变,间距变小
(D) 数目增加,间距变小
题 16-3 图 分析与解 图(a)装置形成的劈尖等效图如图(b)所示.图中 d 为两滚柱的直径差, b 为两相邻明(或暗)条纹间距.因为 d 不变,当 L 变小时,θ 变大,L′、b 均变小.
2
Δ2 -Δ1 =(n -1)d =(k2 -k1 )λ 式中(k2 -k1 )可以理解为移过点 P 的条纹数(本题为 5).因此,对于这类问题,求解 光程差的变化量是解题的关键.
解 由上述分析可知,两介质片插入前后,对于原中央明纹所在点 O,有
∆2 − ∆1 = (n2 − 1)d = 5λ
将有关数据代入可得
第 5 条暗环的半径为 3.0 ×10−3 m 。求透镜凸面的曲率半径和 k 的值。
解 第 k 个暗环的半径为
4
,
(1)
当 时,为中心的暗点,当 个暗环,对应于 ,其半径为
时,为第 1 条暗环,等等。第 k 个暗环之外的第 5
(2) 将以上两式平方后相除,得
, 将数值代入并求出 k 值,得
, . 将 k 值代入式(1),可求得透镜凸面的曲率半径,为
解:根据牛顿环干涉的实验结果,有
根据已知条件
rk = kRλ / n
r1 = Rλ / n, r4 = 2 Rλ / n
和
∆r = Rλ / n ∆r ' = Rλ '/ n可得 因此有∆源自 (')2=
λ
'
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
2 2 2 1 2
t 45 2d n n sin i
L 1 2 P
M1
M2
n1
i
A
D
3
C
n2
n1
B
d
E 4 5
产生等倾条纹的实验装置
普通物理教案
屏
透镜
s2 扩
分束板
s1
介质薄膜
干涉图象
展 光 源
用扩展光源使条 纹更明亮清晰。
L
n1
n2
n1
d
例 为增强照相机镜头的透射光,在镜头(n3=1.52) 上镀一层 MgF2 薄膜(n2=1.38),使对人眼和感光底 片最敏感的黄绿光 = 550 nm 反射最小,假设光垂 直照射镜头,求:MgF2 薄膜的最小厚度。 解 n1 n2 n3
r 干涉项 2 1 2 π 其中 若 I1 I 2 I 0 4I 0 , r k r 则 I 4 I 0 cos 2 (π ) 0 , r (2k 1) 2 2 (1 cos 2 cos )
2
I 4 I 0 cos (π
S
S1
a S2
d
o
o
D
o
I
解 由于中央明纹移动了 3.5 个条纹,则插入的介 质薄片所增加的光程差为 3.5 个波长,对应原屏幕 中央 O点两条光线的光程差也为 3.5 。 在原屏幕中央O点两光线的光程差为
3.5 (r1 d nd) r2 对于O点 r r2 0 1 d (n 1)d 3.5 S1 3.5 a
n2
n1 n2 n3
例1 如图所示为测量油膜折射率的实验装置 , 在平面玻璃片G上放一油滴,并展开成圆形油膜,在 波长为600nm的单色光垂直入射下,从反射光中可观 察到油膜所形成的干涉条纹。已知玻璃的折射率 n1=1.50,油膜的折射率 n2=1.20。 问:当油膜中心最高点与玻 L 璃片的上表面相距h=800nm S 时,(1)干涉条纹如何分布? (2)可见明纹的条数及各明 纹处膜厚 ? (3)中心点的 n2 h n1 G 明暗程度如何? (4)若油膜 展开,条纹如何变化?
例2如图,两相干光源初相 相同,求在P点的相位差。
S1 S2
n1 n2
解 光程分别为 S1P: n1d S2P: n1(d–t)+n2t
P d
t
光程差为 =n1(d–t)+n2t –n1d =(n2 –n1 )t
2π 2π 在P点的相位差 (n2 n1 )t 0 0
例3 在双缝干涉实验中,用波长为 632.8 nm 的激 光照射一双缝,将一折射率为 n=1.4 的透明的介质 薄片插入一条光路,发现屏幕上中央明纹移动了3.5 个条纹,求介质薄片的厚度 d 。
l0
n1 n2
si
sio 2 e
l N
2
Si的折射率为3.42, SiO2的折射率为1.5
3)检验光学元件表面的平整度
e
b
b e b 2
b'
练习 两个直径相差甚微的圆柱夹在两块平板玻璃 之间构成空气劈尖,单色光垂直入射。如果将圆 柱之间的距离L拉大,则L范围内的干涉条纹( )
D 条纹间距 x d
(k 1)
干涉条纹图样 632.8nm的氦氖激光器产生的干涉条纹
589.3nm的钠黄光产生的干涉条纹
2、双缝干涉光强分布
2 2 E E10 E20 2 E10 E20 cos( 2 1 )
合光强 I I I 2 I I cos( ) 1 2 1 2 2 1
第十六章
光的干涉
16-1 光的本性
1、光是一种电磁波
r E E0 cos (t ) v 平面电磁波方程 r H H 0 cos (t ) v 光矢量 用 E 矢量表示光矢量, 它在引起人 眼视觉和底片感光上起主要作用。
可见光的范围
: 400 ~ 760 nm
: 7.5 1014 ~ 4.3 1014 Hz
16-5 光程和光程差
光在折射率为n 的介质中传播时 光传播的几何路 程x时相位差的变化
c v n 0 v c n n n 不变 2π 2π x nx
n
0
即相当于光在真空中传播路程nx时相位差的 变化。 光程 媒质折射率与光的几何路程之积。
例1 杨氏双缝干涉实验中,已知屏幕上某点处为第 三级明纹,若将整个装置浸入某种液体中,该点处 为第四级明纹,求该液体的折射率。 解一 P r1 空气中 r2 r1 3 S1 液体中 nr2 nr1 4 o r2 S2 4 解得 n 3 (nr2 nr1 ) (r2 r1 ) 解三 r2 r1 4 解二 n (n 1)( r2 r1 ) r2 r1 3 r2 r1 3 4 n 4 n 3 3
P S1 d S B M A
S2
D
N D0
例如图,离湖面h=0.5m处有一电磁波接收器位于C, 当一射电星从地平面渐渐升起时,接收器断续接收到 一系列极大值。已知射电星发射的电磁波波长为 =20.0cm,求第一次测到极大时,射电星的方位与湖 面所成的角。 解 计算波程差 2 B r AC BC 1 C 2 2
L 2 3 C E 5
P
n1
i
D
n2
n1
A B
d
4
32 n2 ( AB BC ) n1 AD
2
2d 2 n2 1 sin 2n2 d cos cos 2 2
由折射定律及上式得反射光的光程差为
透射光的光程差
r 32 2d n n sin i 2
d n 1 3.5 632 .8 10 9 1. 4 1 5.5 10 6 m
r1 r2
S2
D
o
练习1双缝干涉实验中,入射光波长为,用玻 璃纸遮住其中一缝,若玻璃纸中光程比相同厚 度的空气大2.5,则屏上原0级明纹处( ) A. 仍为明纹; B. 变为暗纹; C. 非明非暗; D. 无法确定。
2n2 d (2k 1) 2 (2k 1) d 4n2
d
n1 n2 n3
若 k 取 0,则 550 10 9 d 110 7 m 4n2 4 1.38
光从空气正入射到一些材料时的反射率和透射率 折射率 1.33 水 1.52 玻璃 1.73 白宝石 2.4 钻石 3.5 石英(红外) 4.0 锗(红外) 材 料 反射率R/(%) 透射率T/(%) 2.0 98.0 4.3 95.7 7.2 92.8 17 83 31 69 36 64
r2
D
x
o
s2
D d
rLeabharlann x D d , sin tan x D d sin d D
波程差 r r2 r1 d sin
s
s1
d o
r1
B
p
r2
D
x
o
s2
r
k x d D (2k 1) 2 D k d x D (2k 1) d 2
2
r
)
I
4I 0 , r k
0 , r (2k 1) 2
4I 0
红光光强分布图
D D 4 1 2 1 d d
0
D 2 1 d
D 4 1 d
x
紫光光强分布图
I 4I 0
4
D D 2 2 2 d d
0
2
D 2 d
4
D 2 d
x
干涉图象的清晰程度常用对比度或可见 度函数表示
L
A.数目增加,间距不变; B.数目增加,间距变小; C.数目不变,间距变大; D.数目减小,间距变大。
3、牛顿环
o
光程差
2d
2
R
空气薄膜相同处光 程差相同,干涉条 纹为一系列同心圆。
d
k (k 1,2,) 明纹 (2k 1) (k 0,1,) 暗纹 2
光程差 2d 2
R
r
d
r R ( R d ) 2dR d
2 2 2
2
R d d 2 0
r 2dR ( ) R 2
1 r (k ) R 明环半径 2 暗环半径 r kR
注意:半波损失应具体问题具体分析
n n
n1 n3
加强 k 0,1,2,
减弱 k 1,2, 明纹 k 0,1,2,
暗纹 k 1,2,
明暗条纹的位置 D k 明纹 k 0,1,2, d x D (2k 1) 暗纹 k 1,2, d 2 上式中k称为级次, 相应地称第k级明纹 ( k=0,1,2,…)、暗纹(k=1,2,3…)。屏中心O 点由于r2-r1=0,是相长干涉,称中央明纹。
I max I min V I max I min
例1 波长为 632.8 nm 的激光,垂直照射在间距为 1.2 mm 的双缝上,双缝到屏幕的距离为 500 mm。 求两条第4级明纹的距离。 4 解 kD 由明纹公式 xk o d I 两条 4 级明纹的距离为 8D 4 x d 8 632 .8 10 9 500 10 3 1.2 10 3 2.110 3 m
AC (1 cos 2 )
h
AC h sin