晶体管电路设计
晶体管输出特性曲线测试电路的设计实验报告
晶体管输出特性曲线测试电路的设计无29班 宋林琦 2002011547一、实验任务：设计一个测量NPN 型晶体管特性曲线的电路。
测量电路设置标有e 、b 、c 引脚的插孔。
当被测晶体管插入插孔通电后，示波器屏幕上便显示出被测晶体管的输出特性曲线。
要有具体指标的要求。
二、实验目的：1、了解测量双极型晶体管输出特性曲线的原理和方法。
2、熟悉脉冲波形的产生和波形变换的原理和方法。
3、熟悉各单元电路的设计方法。
三、实验原理：晶体管共发射极输出特性曲线如图1所示，它是由函数ic =f (v CE )|i B=常数，表示的一簇曲线。
它既反映了基极电流i B 对集电极电流i C 的控制作用，同时也反映出集电极和发射极之间的电压v CE 对集电极电流i C 的影响。
如使示波器显示图1那样的曲线，则应将集电极电流i C 取样，加至示波器的Y 轴输入端，将电压v CE 加至示波器的X 轴输入端。
若要显示i B 为不同值时的一簇曲线，基极电流应为逐级增加的阶梯波形。
通常晶体管的集电极电压是从零开始增加，达到某一图2 晶体管输出特性测试电路图1 晶体管输出特性曲线 V CE V CC 0IsI B =0I B =5μAI B =10μA103 Ic/mA数值后又回到零值的扫描波形，本次实验采用锯齿波。
测量晶体管输出特性曲线的一种参考电路框图如图2所示。
矩形波震荡电路产生矩形脉冲输出电压v O1。
该电路一方面经锯齿波形成电路变换成锯齿波v O2，作为晶体管集电极的扫描电压；另一方面经阶梯波形成电路，通过隔离电阻送至晶体管的基极，作为积极驱动电流i B ，波形见图3的第三个图（波形不完整，没有下降）。
电阻R C 将集电极电流取样，经电压变换电路转换成与电流i C 成正比的对地电压V O3,加至示波器的Y 轴输入端，则示波器的屏幕上便会显示出晶体管输出特性曲线。
需要注意，锯齿波的周期与基极阶梯波每一级的时间要完全同步（用同一矩形脉冲产生的锯齿波和阶梯波可以很好的满足这个条件）。
电子课程设计-二级晶体管放大电路Word版
五邑大学电子技术课程设计报告题目：二级晶体管放大电路院系机电工程学院专业机械工程及其自动化学号 AP100学生姓名指导教师黄东完成日期 2 0 1 2 / 1 / 7一、设计题目：晶体管放大电路（1）设计一级晶体管放大电路，输入信号幅度≥20mv, 频率为1KHz，电源电压+5V，要求完成下面的技术指标：a. 电压增益A u ≥20b. 输入电阻Ri ≥2KΩc. 输出电阻Ro ≤50Ω（2）测量出输入电阻值，并说明该值于那些元件有关系。
（3）可选用的器件与元件二、方案的论证和设计1）工作原理：输入信号加到前级的输入端，经过前级放大后加到后级的输入端，再经后级放大。
在两级放大器中，放大器的输入端事实上就是前级的输入端，前级的输出也就是后级的输入，后级的输出也就是两级放大的输出；前级是后级的信号源，后级是前级的负载。
因此，两极放大的线性电压放大倍数就等于前后两级放大倍数的乘积；放大器的输入电阻就是前级的输入电阻；放大器的输出电阻就是后级的输出电阻。
2)设计电路的主要功能该电路具有实现输入信号放大的功能，能将较小的输入信号通过二级放大电路实现信号放大，从而获得必要的电压幅值或足够的功率，最终达到推动负载工作的使用要求。
3）设计原理图4）参数的设定1.计算后级电路电阻参数 节点B 电流方程为 1R I =2R I +B I 为了稳定静态工作点，令参数满足1R I >>B I因此，B 点位为CCB B B BE U R R R U 212+≈取1E I =1.mA ，并选β=91,则126)1(200E be I r β++= =200+(1+91)*26/1=2.592k第一级的放大倍数是beLC r R R A //u1β-=取1U A =120，取Ω=5101E R ,代入公式求出=C R 3.6k ΩCCCECC E R I U U R --=1, 取CEU =2V, 求得1E R =500Ω所以1E R 、1C R 取标称值 Ω=Ω=500,6.311C E R K R从而0.610.51 1.11B BE E E U U I R V =+=+⨯=1210100CCR B U I I AR R μ≈==+求得： Ω=Ω=k R R B B 15,k 5121 2、计算后级电路电阻参数(1)CCB B E U I R R β=++CE CC E U U U -=EE E I U R =2BBECC B I U U R -=3取标称值：3B R =150K Ω , ΩK R E 3.32=依据所计算的各个零件的数值列元件清单5）元件清单：6）数据记录：（1K ）表1表27）数据计算：由表1可知，Au=Uo／Ui=1990/20=99.5用万用表测得β=91Vb1=Rb2*Ucc/Rb1+Rb2=15000*5/(51000+1500)=1.14VVe=Vb-Ube=1.14-0.6=0.54VIe=Ve/Re=0.54/510=1.06mARbe1=200+(1+β)26/1.06=2.50 KΩIb2=(Ucc-Ube)/Rb+(1+B)Re=(5-0.60)/150000+(1+91)*3300=0.0097 mAIc=Ie=(1+β)*Ib=0.0097*(91+1)=0.90mARbe2=200+(1+β)*26/Ie=200+(1+91)*26/0.90=2.86 KΩ所以，Ri=Rb11//Rb12//rbe1=51//15//2.5≈2.1 KΩRo=Re2//（Re1+rbe2）/（1+β）=2.86*(2.50+2.86)*(91+1)/2.86+(2.50+2.86)≈26.80Ω8）结论与分析:由计算结果可知该电路的输入电阻Ri=2.1KΩ，大于2 KΩ，输出电阻Ro=26.80Ω，小于50Ω，电压增益Au=99.5，大于50。
《晶体管电路设计》铃木雅臣,模电,读后总结
输入阻抗
P23 如果电源内阻为0R，则电源正与相当于短路，则输入 阻抗为R1//R2,与输入隔直电容形成RC滤波器
P27 基极电压为一定值，减去0.6V，可知Ve也是固定值， Ie=Ve/Re,所以射极电流不变，Ice相当于恒流源,所以等 效内阻无限大，相当于断路，最后可知输出阻抗为Rc本 身。
输出阻抗
共模抑制比（CMRR）:表示加在两个输入端的同一信 号成分有多大程度能够受到抑制的特性。如果频率超 过一定值，两个晶体管相互抑制的能力会变差。
பைடு நூலகம்
插入图11.3 图中两个共发射极放大电路的发射极并在一起，并且 用一个三极管做恒流源，等效如图。由于发射极电流 是恒定的，那么可以将发射极的负载可以看成一个可 变电阻，电压升高则负载阻值也增大（I=V/R），以维 持电流恒定不变。而这两个负载电阻可以看成Vbe1与 Vbe2串联形成的，Vbe1增加则Vbe2减少。由于是两 个相同结构的共发射极放大电路并起来，所以两个电 压V1=V2，同时增加Δv,则经过放大后输出振幅也都会 增加Δv*Av(乘以增益倍)，也就是说两个输出都会增加 Δv*Av，那么从输出端Vo1与Vo2之间测量压差Vo1Vo2=0。即，Vout=Vo1-Vo2=Av(Vi1-Vi2),也就是说这 个放大器是对Vi1与Vi2的差进行放大。
加负反馈也能改善频率特性及噪声特性，这也是其优点之一。 闭环增益越小，越能扩展高频特性。
为什么负反馈放大电路的增益是由反馈网络决定的（Rf、Rg）? 为什么加了负反馈网络后，增益就固定在一定值而与本身增益 无关，本来的放大电路具有离散性，那为什么加了负反馈后电 路增益就固定了？ 原因：如果没有加负反馈，Rs上的电流is=Vi/Rs，如果输入电压 是一定的值，那么三极管的发射极交流电压就是交流输入电压 Vi，最关键的是加了负反馈后的叠加电压不能高于Vi,否则不能 工作。没有加反馈时电路的放大倍数是晶体管本身Hfe，是很大 的值，加负反馈后只会把整体放大倍数压制下来。如果输出电 压由Rf与Rs由分压后产生的电压超过Vi，则输入停止。所以由 反馈叠加到发射极的电压会接近输入电压Vi，而永远不会超过 。所以，整体增益会被反馈网络限制而与晶体管本身增益无关 。
晶体管放大倍数β检测电路的设计
晶体管β值数显测量电路实验报告宁波大学科技学院理工分院课题五晶体管β值数显测量电路一、实验目的1、设计任务设计一个低频小功率NPN型硅三极管共射极电流放大倍数β值测量电路。
2、基本要求（1）β值的测量范围为50 ～ 250。
（2）接入晶体管后自动显示被测晶体管的β值，当没有接入晶体管时数码管显示为零。
（3）当接入晶体管的β值不在测量范围时，用发光二极管指示。
（4）测量精度为±5%。
（5）测量响应时间t<1S。
3、扩展要求（1）分档指示功能，当β值为50～100，100～180，180～250时，分别用发光二极管指示。
（2）能测量PNP管的β值。
二、实验原理由设计要求可知只要将被测晶体管的β值转换为对应的电压值，对β值的测量转变为对电压的测量。
将此电压进行比例调整后，进行A/D转换，然后进行译码显示即可。
其原理框图如图2-5-1所示。
三、单元电路设计参考1、β/V转换电路基本思路为：对被测晶体管输入一固定值的基极电流，则其集电极电流Ic=βIb，然后将集电极电流转换为电压即可。
基极电流的设置可以采用如下两种方式。
其一、如图2-5-2所示，选择恰当的基极偏置电阻Rb实现基极电流设置。
其二，利用恒流源实现基极电流的设置，如图2-5-3所示。
这种方式的优点是可以对锗管设置基极电流而不需要改变电路结构或元件参数。
由于要提供很小的基极电流，恒流源可以用如图2-5-4所示的微电流源实现。
微电流源的参考电流与输出电流之间的函数关系为：2、 比例调整电路比例调整电路的主要作用是将β/V 转换电路的输出电压作适当的调整提供给A/D 转换电路，以期得到一个适当的二进制数值，便于译码器显示对应的β值。
常用的比例电路有反相比例电路，同相比例电路，差动放大电路等。
在此介绍一下常用的三运放差动放大电路，电压如图2-5-6所示。
CSC S C b C R I U I I I I ===β10AR I U CC C μβ*==))(21(1220I I PU U R RU -+=6.19)21(255512510)21()21(28322=+=-==⨯+=+-PP C P R R LSB R R U R R 得：由：LM324N芯片引脚图3、A/D转换电路A/D转换电路将模拟量转换为数字量。
晶体管电路设计 精讲 第十三贴 控制频率特性的电路实例
晶体管电路设计精讲第十三贴放大电路的频率特性学习内容：简单的高低通和谐振放大电路原理针对要求，灵活变化（二）今天同样是几个例子，电路的基础还是基于带发射极电阻的共射极放大器，下面我们来看一下第一个图：我们观察一下这张图，象以前一样，我们先来找到这个电路与基本电路的区别。
大家应该能很轻松的发现，只有一个区别：在集电极电阻Rc上并联了一个0.015uF的电容。
那么这个仅价值不到1毛钱的电容会对电路产生什么样的影响呢？首先，我们来看一看它的位置，是与Rc并联，在以前的学习中我们了解到，Rc对于整个放大电路而言主要会影响两个方面。
第一、Rc/Re决定了放大器的增益也就是放大倍数。
第二，Rc在交流上等效于放大器的输出阻抗。
下面分析一下，当电容并联上以后会发生什么呢？在分析时我们明确一点，电路在工作时，是交流信号和直流偏置（也可以看做直流信号）共同存在的，那么我们就要分别在交流和直流的两种情况下进行分析。
在直流通路中，根据电容“隔直通交”的特点，电容C相当于无穷大的一个电阻，那么一个无穷大的电阻并联在Rc上也就相当于Rc还是原先的Rc，就同没有这个电容一样。
这个应该很容易理解。
而正由于电容“隔直通交”的这个特点，电容往往会对交流通路产生很特别的作用。
在这时我们就不能仅仅停留在电容可以“隔直通交”上，而需要更深入一步的了解电容了。
对于电容“通交”的工作原理我们这里不多做介绍，感兴趣的朋友可以找相关资料看一下。
我们需要记住的是一个结论：电容在交流通路中的作用表现为一个电阻（阻抗），这个电阻是可变的，当通过电容的信号频率高时电容表现出来的电阻小，当通过电容的信号频率低时电容表现出来的电阻大。
大家还记得以前讲的三极管的微变等效电路吗？当加上这个0.015uF的电容后，我们可以简单的画一下输出部分的等效电路。
如下图：从图中大家可以看到，三极管的输出回路等效为一个恒流源加一个电阻Rc 和电容C，将这个电路做戴维南变换后可得下图，注意，因为电容C是非线性器件，故其不参与变换：电阻RL是新加上去的，表示负载。
晶体管电路设计
晶体管电路设计
晶体管是一种使用半导体材料制成的电子器件，广泛应用于电子设备中。
晶体管电路设计主要包括放大电路、开关电路和逻辑电路等。
下面以放大电路为例，简要介绍晶体管电路的设计过程。
首先，放大电路旨在将输入信号经过放大器放大后输出，一般需要确定放大器的增益、频率响应和电压偏置等参数。
以共射极放大电路为例，设计步骤如下：
1. 确定放大器的电压供应范围，一般为芯片规格提供的电源电压范围，如5V。
2. 确定放大器的输入电阻和输出电阻，一般根据应用需要确定，一般情况下，输入电阻应该大于输出电源才能更好地适应各种输入信号源，输出电阻则应该小于输入信号源。
3. 选择合适的晶体管型号和工作点。
根据应用要求选择合适的晶体管型号，根据电压供应范围、放大器工作点和输入输出电阻来确定最佳的工作点。
4. 计算放大器的增益。
根据晶体管的静态特性参数以及放大电路的拓扑结构计算放大器的增益。
5. 考虑反馈和补偿。
根据放大器的稳定性要求选择恰当的补偿电路和反馈电阻。
6. 优化设计并进行仿真。
对设计的放大电路进行电路的仿真和优化，验证其性能和稳定性。
7. PCB布线。
根据原理图进行PCB布线设计，注意电路的电磁兼容性和信号完整性。
8. 调试和测试。
将设计好的放大电路进行调试和测试，以保证性能和稳定性。
通过以上设计步骤，可以设计出满足需求的晶体管放大电路。
当然，设计晶体管电路还需要考虑众多因素，如噪声、功耗、温度稳定性等，在实际设计中还需要更加细致的考虑和优化。
晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路定义与设计
➢ 在上述的四管单元和五管单元与非门电路中，输出 管Q5的基极回路由电阻R3构成。
当输入电压Vi＞0.55V时，Q2管开始导通，VC2开始 下降，而此时Q5管尚未导通，由于电压传输特性曲 线上出现了线性区BC段，使电路的抗干扰能力下降。
在电路导通的瞬态，由于R3的存在，分走了部分Q5 管的基极驱动电流，使下降时间延长。
Vi<0.6V时，VB2<0.7V，Q2，Q5截止，输出高电平， 对应曲线上的AB段；
Vi≥0.6V时，Q2开始导通，VC2下降，V0跟随VC2 的下降线性下降，对应线段BC，BC斜率为 1.3V≤Vi≤1.4V时，Q5导通并达到饱和，输出电平下 降很快，直到低电平VOL对应曲线上CDE段，
3、二极管D的作用 电路导通时：Q2，Q5饱和，输出V0＝VOL，这
时Q2的集电极和输出之间的电位差为
这使Q3和D不能同时导通，所以D是一个电平 位移二极管，确保Q2，Q5饱和时，Q3截止。
4.1.2 54H/74H五管单元与非门
四管单元的劣势
输出端从低电平向高电乎转换的瞬间，从电源经R5， Q3，D到Q5有瞬态大电流流过，因而在二极管D的 PN结有大量的存储电荷，由于在线路上没有泄放回 路，这些电荷只能靠管子本身的复合而消失，这必 将影极管的反抽作用，电路截止延迟时间有了改 善，但因IB2太小，电路导通延迟时间改善不大。
总结：虽然它不能作为单块电路使用，但它线路简单， 所占版图面积小，在TTL中大规模集成电路中有着重要 应用。
二、四管单元的优势
1、电路抗干扰能力增强 因为在Q1、Q5之间增加的Q2管，它的发射结
相当于一个起电平位移作用的二极管，它使电 路低电平噪声容限VNML提高了一个结压降。
➢ 为了解决这些问题，在六管单元与非门电路中，用RB，RC， Q6泄放网络代替R3。
实验二晶体管放大电路的设计
晶体管放大电路的设计（设计性实验）一．设计题目：单极晶体管阻容耦合放大器的设计(1)已知条件Vcc ＝+12V，RL＝2.4KΩ，V i＝10mV，R s＝2KΩ(2)性能指标要求Av >40，Ri>l KΩ，R O<2KΩ,F L<100Hz，F H>100kHz二．设计步骤及要求(1)根据已知条件及性能指标要求，确定电路器件，设置静态工作点，计算电路元件参数。
(2)在实验线路板上安装电路。
调整并测量静态工作点，使其满足设计计算值的要求。
(3)测试性能指标，调整与修改元件参数值，使其满足放大器性能指标的要求。
三．实验方案与设计过程1．工作原理图2-1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。
它的偏置电路采用R b1和Rb2组成的分压电路，并在发射极中接有电阻Re，以稳定放大器的静态工作点。
当在放大器的输入端加入输入信号ui后，在放大器的输出端便可得到一个与ui 相位相反，幅值被放大了的输出信号u，从而实现了电压放大。
图2-1 单管放大器实验电路图2．设计过程首先，选择电路形式及晶体管。
采用如图2-1所示的分压式电流负反馈偏置电路，可以获得稳定的静态工作点。
因放大器的上限频率要求较高，故选用高频小功率管，其特性参数IcM ＝20mA，V(BR)CEO≥20V，fT≥150MHz。
通常要求β的值大于Av的值，故选β＝60。
其次，设置静态工作点并计算元件参数。
由于是小信号放大器，故采用公式法设置静态工作点Q ，计算如下：要求R i >l K Ω(R i ≈r be )，根据公式26()26()(1)300()()be b eQ cQ mV mV r r I mA I mA ββ=++≈+26 2.21000300cQ I mA mA β<=-取2cQ I mA = 若取3bQ V V =,由 1.15bQ bee cQV V R k I -≈=Ω，取标称值1k Ω由120(5~10)bQ b V R k β==Ω2157CC bQ b b bQV V R R k V -≈=Ω为使静态工作点调整方便，2b R 由20k Ω固定电阻和100k Ω电位器串联而成。
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放大电路的失真
设： V cc 15V RE 2k RC 10k (1)u i 2 1 .2 8 s in t (2 )u i 1 .7 1 .2 8 sin t (3 )u i 1 .9 5 1 .2 5 sin t
载 o 负 u L R D N G 3 C D N 2 G C e c V 2eR1eRR DC NC GV 21 RR DC NC GV 1 C i u
uR
电阻依靠改变其端电压来限制电流。
i R R
电容
电容：维持电压不变的元件
d u C 电容依靠吸收或释放足量的电流，来维持电压不变。 i C d t C
电感
电感：维持电流不变的元件
d i 电感依靠产生足够的高压，来维持电流不变。
L
u L d t L
二极管 1. 只能流过正向电流，反向阻断 2. 如果流过正向电流，那么
2iU 2oU 2eI 2eR2cR C C V e I 2eV E e E V V 1oU 1eV 1eR1cR C C V 1eI 1iU
实用的差分放大电路: 1、消灭温漂 2、单端输入、单端输出
IE1IE2 IE
Ui1UBEVE RE
Ui2UBEVE RE
IE
uRE1 ui1 VE 21ui1
减小高频放大（高频滤波）
载 o 负 u L R D N G 3 C 2 C e ce V RR CD CN VG 12 RR CD CN VG 1 C i u
高频增强放大（预加重电路）
三极管的敌人：温漂 温度会引起UBE的变化 (-2.5mV/OC)
2oU1oU ec RR DC NC GV ec RR DC NC GV 2iU1iU
1、共射放大电路
VE Ui UBEUi 0.7V
IC
IE
VE RE
Ui
0.7V RE
UO
VCCIC
RC
VCC
RC(Ui 0.7V RE
)
问题：
1、怎样保证iB一定存在？ 2、Uo是交流还是直流？？
uO
RC RE
ui
o U e ec V RR DC NC GV i U
波形分析
设： V cc 15V RE 2k RC 10k u i 2 sin t
射极跟随器的应用
思考 1、共射+射随有什么好处？ 2、为什么共射的输出滤波器和射随的输入偏 置省略了？ 3、静态工作点的设计原则有哪些？ 4、共射+射随解决了频率特性差的问题吗？
oi VV 3ec RRR C C V 1 C 21 RR C C V
3、共基放大电路
1、该电路必须有电压放大能力 2、该电路不能有米勒效应
设计要求：对1kHz，1Vpp正弦信号放大5倍，负载电阻100k。
1、选定VCC 2、设定Ic 3、根据负载设定Rc 4、根据放大倍数计算Re 5、根据VEQ计算VBQ 6、计算R1和R2比值 7、依据工程上“远大于”选定合适R1
和R2。 8、根据高通滤波器截止频率，选定C1
和C2
o U e ec V RR DC NC GV i U
结型
增强型
耗尽型
Ｎ管 三极管
Ｐ管
总结：
iC iB
1. 输入信号加载在ＢＥ上或者ＧＳ上。 2. Ｎ型管Ｄ或者Ｃ接高电位，Ｐ型的相反。
iD gm uGS
3. 三极管等效为 流控电流源CCCS，“流控比例系数”β恒定
4. 场效应管等效为 压控电流源VCCS，“压控比例系数”gm随压控电压成2次关系。
iE
0 ui RE
ui RE
iC
uO
RC
iC
RC RE
ui
缺点：
1、输入阻抗小
2、输出阻抗大
o U 3 C L R 43 1 RR C C C V ec RR C C V 21 RR C C V 1 C i U
共基放大电路的拓展（沃尔漫化）
思考： 1. 上方三极管的引入会改变共射放大
电路输出电压关系式吗？ 2. R3和R4什么作用？ 3. 米勒效应还存在吗？ 4. 怎样在一个复杂电路中看待三极管？
当车流很小，只开1条车道，通行所花时间为0.7V。车流很大时，多开车道，反正保证通行花 的时间是0.7V。
即使考虑电导调制，半导体的导电能力也远不及导体，半导体是牺牲了导流性能换来了可控 性！
稳压二极管 稳压二极管：正向特性等同普通二极管，导通后端电压0.7V。反向可被击穿导电，击穿后，
端电压维持标定值。
阻 电 值 阻 意 e 任 RK3.4 R D V N 5 1 e G c VI z R D N G V 5
URe5V-0.7V4.3V
IC
IE
URe 4.3UCE=? 2、当R电阻为20kΩ时，UCE=?
o U e ec V RR DC NC GV i U
uO1
RC1
uRE1
RE1
1RC1 2 RE1
ui1
共射放大电路的优缺点
输入输出阻抗怎么测？
输入阻抗：当ui=2ui’时，待测电路输入阻抗为Ri。 输出阻抗：空载输出电压为uo，带载输出电压为uo’，如果uo=2uo’，那么输出阻抗就是Ro。
2、共集放大电路（射随电路）
UO Ui 0.7V
P管电路与N管电路的变换
VCC变-VCC。 NPN和PNP的BCE对应替换。 电解电容的极性反向。 其他啥也不变。
谢谢！
uO
RC 0
iu
继续增大放大倍数
uO
Z RE
载 o 负 u L R D N G 3 C 2 C C C V e e V R L D N G 12 RR CD CN VG 1 C i u
ui
选频放大（放大特定频率）
载 o 负 u L R D N G 3 C 2 C e ce V RR CD CN VG 12 RR CD CN VG 1 C i u
出 输 RL1 1 C VCC 18 RR VCC 3 DDZener 9 R VCC R10 3 47 C RR VCC Re2Rc2 VCC 5 2 R R VCC 4 C Rc1Re1 VCC 36 RR VCC 2 C 入入 输输 相相 反同
差分输入、沃尔曼化、推挽输出放大电路
4、场效应晶体管
二极管
u 0.7V
凭什么二极管增加电流却不增加“阻碍”电流增长的电压？
D
什么是PN结的电导调制效应？
导体电阻率很小（电导率很大）好比1万条车道的高速公路。 电流好比是车辆，电压好比是通行时间。 车流越大，必然通行时间越长。 由于车道数太多，导体不可控！！
半导体好比是受交通管制的1-100车道高速公路，先天牺牲了车道数，但是换来了可控。
改进型乙类功放
思考： 1、当Ui=0.01V时，UO=？ 2、当Ui=-0.01V时，UO=？
问题： 1、二极管压降与三极管UBE压降是否一定 相等？ 2、万恶的温漂来临会发生什么？ 3、大功率乙类功放会过热烧毁，必须用甲 乙类。
o U L R 1 C e R C C V ec RR C C V 21 RR C C V 1 C i U
射随电路的底部失真
设： V cc 15V RE 6k R L 1k (1 )u i 7 .7 4 s in t (2 )u i 7 .7 1 sin t
射随电路的底部失真
设： V cc 15V R E 1k RL 6k (1)u i 7 .7 4 s in t (2 )u i 7 .7 6 sin t
可得 : uO VCC IC RC V C C RC (ui 0.7V )
RE 8.5 5 sin t
实用的共射放大电路
1、如何给输入信号提升2V？ 2、如何给输出信号降低8.5V？
载 o 负 u L R D N G 1 C e ec U RR DC NC GV 21 RR DC NC GV 1 C i u
晶体管电路设计
电压源与电流源
电压源：无论接什么负载，端电压不能变。 1. 电压源本质上要能提供极大的电流。 2. 当负载阻抗很小时，也能通过加大电流来维持电压不变。
电流源：无论接什么负载，电流不能变。 1. 电流源本质上要能产生极高的电压。 2. 当负载电阻很大（甚至断开）时，电流源产生极高的电压即使击穿空气，也要维持电 流不变。
容 电 的 压 电 某 带 已 D N G e e RK3.4 V c I D N G z R D V N 5 1 G V 5
VE 5V-0.7V4.3V
IC
IE
VE RE
4.3V 1mA
4.3k
思考 1、当电容电压为10V时，UCE=? 2、当电容电压为3V时呢？
三极管恒流源电路（充电恒流源）
uO ui
思考： 1、射随电路是否有密勒效应？ 2、射随电路的输入阻抗？ 3、射随电路的输出阻抗？
RI (1)RERbrbe
RO数十欧
o U L R 1 C e R C C V 21 RR C C V 1 C i U
共集放大电路（甲类功放）
问题： 1、RE如何取值？ 2、 RE取值过小会发生什么？ 3、 RE取值过大会发生什么？
o U L R EC EC VV i U
推挽放大电路（乙类功放电路） •PNP三极管代替电阻RE •当Ui正半周时，NPN工作。 •当Ui负半周时，PNP工作 •所有电流均流向负载。
问题： 当-0.7V<Vi<0.7V时，会发生什么情况？
o U L R EC EC VV 21 RR CE CE VV i U
电子器件的本质
我们如果“强加”一个电压在某个器件上，那么器件上“被迫”流过的电流就是不可控的， 电流具体是多少，则是该器件的性质。
同理，我们如果“强行”让一个电流流过某器件，那么该器件两端“反抗”电压是不可控的， 电压具体是多少，则是该器件的性质。