电力电子技术第3章 晶闸管的触发驱动电路

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电力电子技术1-3章模拟题

电力电子技术1-3章模拟题

电⼒电⼦技术1-3章模拟题电⼒电⼦技术1-3章知识主线1、电⼒电⼦技术就是使⽤电⼒电⼦器件对电能进⾏变换和控制的技术2、电⼒电⼦器件的制造技术是电⼒电⼦技术的基础。

3、变流技术则是电⼒电⼦技术的核⼼4、电⼒变换分为整流、逆变、直流变直流、交流变交流四种电路5、开关器件的三种类型不可控型、半控型、全控型。

其中、第⼀种的代表型器件是电⼒⼆极管(Power Diode)、第⼆种的代表型器件是晶闸管(Thyristor)、第三种的代表型器件是IGBT和Power MOSFET。

6、在通常情况下,电⼒电⼦器件功率损耗主要有_通态损耗、断态损耗、开关损耗_,通态损耗是电⼒电⼦器件功率损耗的主要成因。

⽽当器件开关频率较⾼时,功率损耗主要为开关损耗。

7、⼆极管的基本原理——PN结的单向导电性8、在如下器件:电⼒⼆极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电⼒晶体管(GTR)、电⼒场效应管(电⼒MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电⼒⼆极管,属于半控型器件的是_晶闸管,属于全控型器件的是MOSFET, IGBT;属于单极型电⼒电⼦器件的有电⼒MOSFET ,,属于电流驱动的是。

9、⼈们利⽤PN结的反向特性研制成了稳压⼆极管。

10、1956年美国贝尔实验室(Bell Laboratories)发明了晶闸管,1957年美国通⽤电⽓公司(General Electric)开发出了世界上第⼀只晶闸管产品,并于1958年使其商业化。

其承受的电压和电流容量仍然是⽬前电⼒电⼦器件中最⾼,⽽且⼯作可靠,因此在⼤容量的应⽤场合仍然具有⽐较重要的地位。

11、晶闸管有阳极A、阴极K和门极(控制端)G三个联接端。

内部是PNPN四层半导体结构。

12、晶闸管导通的⼯作原理可以⽤双晶体管(三极管)模型来解释,则晶闸管可以看作由PNP和NPN型构成的V1、V2的组合。

如果外电路向门极G注⼊电流I G(驱动电流),则I G注⼊晶体管V2的基极,即产⽣集电极电流I C2,它构成晶体管V1的基极电流,放⼤成集电极电流I C1,⼜进⼀步增⼤V2的基极电流,如此形成强烈的正反馈,最后V1和V2进⼊完全饱和状态,即晶闸管导通。

电力电子器件复习提纲

电力电子器件复习提纲

• 16、电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管 所承受的最大正向电压Um等于√2U2,晶闸管控制角 α的最大移相范围是0~150º,使负载电流连续的条件 为α≤30º(U2为相电压有效值)。 • 17、单相全控桥式整流大电感负载电路中,控制角α 的移相范围是( A ) • A 0°~90° B 0°~180° C 90°~ 180° D 180°~360°
• 11、直流斩波电路作用是将交流电压变换成一种幅值可调的直流 电压。 (×) • 12、直流斩波电路采用的电力电子器件多以晶闸管为主。 (×) • 13、直流斩波电路有降压式斩波电路、升压式斩波电路和升降压 式斩波电路。 (√) • 14、晶闸管过零调功器两种控制方式为全周波连续式和全周波间 隔式。 • 15、交流调压电路是用来变换交流电压幅值的电路,与整流相似, 也有单相和三相之分。
• 23、晶闸管在电路中的门极正向偏压( B )愈好。 • A、愈大 B、愈小 C、不变 D、愈稳定 • 24、普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( C ) 来表示的。A 有效值 B 最大值 C 平均值 D瞬时值 • 25、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复 峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为( A ) • A、700V B、750V C、800V D、850V • 26、双向晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( A ) 来表示的。 • A、 有效值 B、 最大值 C、 平均值 D、 瞬时值 • 27、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的( B )。 • A、GTR B、MOSFET C、IGBT D、GTO • 28、下列电力半导体器件电路符号中表示IGBT器件的电路符 号是( C )。
第一章 电力电子器件
• 1、P14,例1-1 • 2、P14,例1-2 • 3、作业(P34):1-1、1-2、1-3、1-4、1-7、1-8、1-9(C)、110、1-11、1-22。 • 4、电力电子技术是依靠电力电子器件组成各种电力变换电路, 实现电能的高效率转换与控制的一门学科,它包括 电力电子器件、 电力电子电路和控制电路三个组成部分。

第三章_电力电子技术—整流电路_li(第一次课)

第三章_电力电子技术—整流电路_li(第一次课)

变压器二次侧电流有效值i2与输出电流有效值i相等
I I2 1



(
2U 2 U sin t )2 d( t ) 2 R R
1 I 2
1 sin 2 2
I dVT
VT可能承受的最大正向电压为 VT可能承受的最大反向电压为
2 U2 2 2U 2
3.1单相可控整流电路
相控方式——通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出 电压大小的方式
3.1单相可控整流电路
3.1.1 单相半波可控整流电路——阻感负载
阻感负载的特点:
电感对电流变化有抗拒作用,使得流过 电感的电流不能发生突变,因此负载的电流 波形与电压波形不相同。
3.1单相可控整流电路
3.1.1 单相半波可控整流电路——阻感负载
ud O i1 O

t
t
b)
3.1单相可控整流电路
3.1.3 单相全波可控整流电路
单相全波与单相桥式全控比较
单相全波只用2个VT,比单相全控桥少2个,相应地, 门极驱动电路也少2个 单相全波导电回路只含1个VT,比单相桥少1个,因而 管压降也少1个 VT承受最大正向电压 2U2,最大反向电压为 2 2U 2 , 是单相全控桥的2倍 单相全波中变压器结构较复杂,材料的消耗多
结构简单,但输出脉动大,变压器二次侧电
流中含直流分量,造成变压器铁芯直流磁化
实际上很少应用此种电路
分析该电路的主要目的在于利用其简单易学
的特点,建立起整流电路的基本概念
3.1单相可控整流电路
3.1.2 单相桥式全控整流电路——电阻负载
电路结构 VT1和VT4组成一对桥臂 VT2和VT3组成另一对桥臂

电力电子技术第3章 三相可控整流电路

电力电子技术第3章 三相可控整流电路
19
第二节 时
三相全控桥式整流电路
整流电压为三相半波时的两倍,在大电感负载
20
图 3.9 三相桥式全控整流电路
21
图 3.10 三相全控桥大电感负载 α =0°时的波形
22
图 3.11 三相全控桥大电感负载 α =30°时的电压波形
23
图 3.12 三相全控桥大电感负载 α =60°时的电压波形
3
图 3.2是 α =30°时的波形。设 VT3 已导通, 当经过自然换流点 ωt0 时,因为 VT1的触发脉冲 ug1还没来到,因而不能导通,而 uc 仍大于零,所 以 VT3 不能关断,直到ωt1 所处时刻 ug1触发 VT1 导通,VT3 承受反压关断,负载电流从 c相换到 a 相。
4
图 3.2 三相半波电路电阻负载 α =30°时的波形
32
一、双反星形中点带平衡电抗器的可控整流电路 在低电压大电流直流供电系统中,如果要采用 三相半波可控整流电路,每相要多个晶闸管并联, 这就带来均流、保护等一系列问题。如前所述三相 半波电路还存在直流磁化和变压器利用率不高的问 题。
33
图 3.15 带平衡电抗器双反星形可控整流电路
34
图 3.16 带平衡电抗器双反星形可控整流 ud 和 uP 波形
26
图 3.14 三相桥式半控整流电路及波形 (a)电路图 (b)α =30° (c)α =120°
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一、电阻性负载 控制角 α =0时,电路工作情况基本与三相全 控桥 α =0时一样,输出电压 ud波形完全一样。输 出直流平均电压最大为 2.34U2Φ。
28
由图 3.14( b),通过积分运算可得Ud 的计 算公式
12
当 α >30°时,晶闸管导通角 θV=150°- α。 因为在一个周期内有 3次续流,所以续流管的导通 角 θVD=3( α -30°)。晶闸管平均电流为

晶闸管的触发电路原理

晶闸管的触发电路原理

晶闸管的触发电路原理
晶闸管(thyristor)是一种半导体器件,具有双向导电性能,在电力电子中常用作开关装置。

为了控制晶闸管的导通,需要使用一个触发电路。

触发电路的主要原理是根据输入信号的变化来控制晶闸管的导通。

一种常见的触发电路是基于脉冲变压器的设计。

该电路主要由一个变压器、一个电容器和一个电阻器组成。

当输入信号为正半周时,变压器将电压放大到足够高的水平,这使得电容器能够充电。

当电容器充电达到足够的电压时,晶闸管将被触发并导通。

当输入信号为负半周时,晶闸管将被阻断并停止导通。

另一种常见的触发电路是基于光耦合器的设计。

该电路使用光耦合器将输入信号隔离,使得输入信号可以与晶闸管的控制电源完全独立。

当输入信号为正半周时,光耦合器将导通并激活晶闸管。

当输入信号为负半周时,光耦合器将阻断并切断晶闸管的控制电源。

除了上述两种触发电路,还有其他一些设计,如电流触发电路和电压触发电路。

不同的触发电路适用于不同的应用场景,可以根据需求选择合适的触发电路。

《电力电子技术》课后答案完整版

《电力电子技术》课后答案完整版
穿问题。
GTO电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强。电流关断增益很小,关断时门极负脉
冲电流大,开关速度低,驱动功率大,
驱动电路复杂,开关频率低。
电力
MOSFET
开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题。通态电阻大,通态损耗大,电流容量
d I ,并画出d u与d i波形。
解: ︒=0α时,在电源电压2u的正半周期晶闸管导通时,负载电感L储能,在晶闸管开始导通时刻,负载电流为零。在电源电压2u的负半周期,负载电感L释放能量,晶闸管继续导通。因此,在电源电压2u的一个
周期里,以下方程均成立:
t U dt
di L
d
ωsin 22=考虑到初始条件:当0=t ω时0=d i可解方程得:
αα+两个等效晶体管过饱和而导通;121<
αα+不能维持饱和导通而关断。GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点
图1-43晶闸管导电波形
不同:1多元并联集成结构使每个GTO元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,2P区的横向电阻很小,显著减小了横向压降效应,从而使从门极抽出较大的电流成为可能;
对于电感负载;~(απα+期问,单相全波电路中1VT导逼,单相全控桥电路中1VT、4VT导通,输出电压均与电源电压2U相等;2~(απαπ++期间,单相全波电路中2VT导通,单相全控桥电路中2VT、3VT导通,输出波形等于2U -。
可见,两者的输出电压相同,加到同样的负载上时,则输出电流也相同。
2.3单相桥式全控整流电路,V U 1002=,负载中Ω=20R ,L值极大,当︒=30α时,要求:①作出d u、

晶闸管及其驱动实验报告

晶闸管及其驱动实验报告

一、实验目的1. 了解晶闸管的基本结构、工作原理及触发方式。

2. 掌握晶闸管驱动电路的设计方法及驱动信号的生成。

3. 通过实验验证晶闸管的触发、导通和关断特性。

二、实验原理1. 晶闸管(Thyristor)是一种大功率半导体器件,具有可控硅整流器的特性,是一种四层三端器件。

晶闸管在正向电压作用下,在阳极与阴极之间形成PNPN结构,导通电流;在反向电压作用下,阻断电流。

2. 晶闸管的触发方式主要有以下几种:(1)正触发:在阳极与阴极之间施加正向电压,并在控制极与阴极之间施加正向脉冲信号,使晶闸管导通。

(2)负触发:在阳极与阴极之间施加反向电压,并在控制极与阴极之间施加负向脉冲信号,使晶闸管导通。

(3)双极触发:在阳极与阴极之间施加正向电压,同时在控制极与阴极之间施加正向脉冲信号,使晶闸管导通。

3. 晶闸管驱动电路主要作用是产生触发信号,驱动晶闸管导通和关断。

驱动电路一般由脉冲发生器、驱动放大器、隔离电路和缓冲电路组成。

三、实验器材1. 晶闸管:2只2. 驱动电路:1套3. 脉冲发生器:1台4. 测量仪器:示波器、万用表、电源等5. 电路板、导线、连接器等四、实验步骤1. 晶闸管基本特性测试(1)将晶闸管安装在电路板上,连接好电路。

(2)打开脉冲发生器,设置触发方式为正触发。

(3)使用示波器观察晶闸管的触发、导通和关断波形。

(4)调整脉冲发生器的脉冲宽度,观察晶闸管的导通和关断特性。

2. 晶闸管驱动电路设计(1)设计驱动电路,包括脉冲发生器、驱动放大器、隔离电路和缓冲电路。

(2)连接好电路,确保电路连接正确。

(3)打开脉冲发生器,设置触发方式为正触发。

(4)使用示波器观察驱动电路的输出波形,确保触发信号正确。

3. 驱动电路性能测试(1)在晶闸管驱动电路的基础上,连接晶闸管。

(2)打开脉冲发生器,设置触发方式为正触发。

(3)使用示波器观察晶闸管的触发、导通和关断波形,验证驱动电路的性能。

五、实验结果与分析1. 晶闸管基本特性测试实验结果显示,晶闸管在正触发方式下,触发电压为20V,导通电流为5A。

袁燕 电力电子技术习题答案

袁燕 电力电子技术习题答案

1)用万用表可以初步判断好坏,如上各极间阻值状况。 2)用 6V 电源(干电池或直流稳压电源)作阳极电源,接成下图所示电路,若按下开关 Q 后,灯亮,则说明管子是好的。
习题 1-14 题解图
3)用晶体管图示仪测量晶闸管正反向伏安特性。 1-15 双向晶闸管有哪几种触发方式?使用时要注意什么问题? 答:双向晶闸管共有四种触发方式:Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ- 。 使用时必须注意以下几个问题: 1) 不能承受较大的电压变化率,因此很难用于感性负载。 2)门极触发灵敏度较低,需较大的门极触发功率。 3)关断时间较长,换向能力较差,因而只能用于低频场合。 1-16 额定电流为 100A 两只普通晶闸管反并联,可用额定电流为多大的双向晶闸管等效代 替? 解:因 I T ( AV)
图 1-38 习题 1-9 图
解:
1-10 上题中如果不考虑安全裕量,问 100A 的晶闸管允许通过的平均电流各为多少? 解:额定电流 IT(AV) =100A 的晶闸管,允许的电流有效值 I =157A,由上题计算结果知: I 329.35(A) a) Im1 Id1 0.2717 Im1 89.48(A) 0.4767 b) Im2 c) Im3
图 1-40 习题 1-13 图
解:ud 的波形如下:
习题 1-13 题解图
1-14 用万用表怎样区分晶闸管的阳极 A、 阴极 K 和门极 G?判别晶闸管的好坏有哪些简单 实用的方法? 答:可用万用表测量晶闸管三个电极之间的电阻来区分晶闸管的阳极、阴极和门极。正常情 况下管子阳极与阴极之间的正反向电阻接近无穷大,门极与阴极之间的电阻值约为几百欧, 且 G-K 之间的阻值略小于 K-G 之间的阻值。 判断晶闸管好坏的方法有:
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3.3.1 锯齿波形成和脉冲移相控制环节 锯齿波同步触发电路的移相原理,是将锯齿波 电压与直流控制电压 UC叠加,使锯齿波可以垂直 上下移动,锯齿波形斜面对应的电压值能控制形成 脉冲的晶体管开通时刻,即改变对应控制角 α的大 小。
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3.3.2 脉冲形成、整形和放大输出环节 当锯齿波电压ue3与控制电压Uc、偏置电压Ub 叠加在V4管基极进行并联叠加的电压ub4<0.7V时, V4管截止,电源分别经及R13与R14向V6管与V5管供 给足够大的基极电流,使V6,V5管饱和导通。
8
3.2 单结晶体管触发电路 单结晶体管(Unijuncting Transistor)的结构 及图形符号、等效电路如图3.3所示。单结晶体管 是在一块高电阻率的N型硅片两端,用欧姆接触方 式引出第一基极b1和第二基极b2,b1和b2之间的 电阻为N硅片的体电阻,约为3~12kΩ,在硅片靠 近b2极渗入P型杂质,形成PN结,由P区引出发射 极 e。
6
3.1.3 移相触发器的主要技术指标 (1)同步信号波形 同步信号有正弦波,方波和锯齿波,三者各有 特点,但集成模拟触发器多用锯齿波;数字式触发 器同步信号多用方波。 (2)同步信号幅值 同步信号的幅值随所应用触发器外接元件的不 同而有差别,一般为 6 ~ 30 V。 (3)移相范围 移相范围指当移相控制电压 UC,从零至最大 变化时,输出触发脉冲对于同步信号相位的变化量 。
7
(4)脉冲幅值 脉冲幅值一般指电压幅值与电流幅值。当脉 冲触发器输出的脉冲电压幅值在不接晶闸管时可以 为 12 ~25 V。而电流幅值随被触发晶闸管容量的 不同有差异。 (5)脉冲宽度 为了保证触发的可靠性,触发脉冲常采用宽 脉冲、双窄脉冲,或宽脉冲列、双窄脉列。宽脉冲 宽度应大于 60°小于 120°,双窄脉冲每个脉冲 的宽度应大于 18°小于 30°。
图 3.1 常用脉方式
5
2)光耦合器连接。光耦合器是一种将电信号 转为光信号,又将光信号转为电信号的半导体器件 。光耦合器由于具有可实现输入和输出间电隔离, 且绝缘性能好,抗干扰能力强等优点。在用微机组 成的触发电路中采用,如图 3.2(b)所示。
3)脉冲变压器耦合连接。在导磁率较高的铁 磁材料上绕制的变压器,能够很好地把一次的脉冲 信号传输到二次绕组,二次绕组与晶闸管连接,使 主电路与控制电路有良好的电气绝缘。
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3.3.4 双窄脉冲的产生 由两个具有强触发功能的窄脉冲(脉宽约为 1ms,第二脉冲滞后第一脉冲60°)组成双窄脉冲 ,双窄脉冲是三相全控桥和三相双反星形可控整流 电路的特殊要求。实现双窄脉冲控制有两种电路: 一种是“外双窄脉冲电路”,它每一触发单元在一 周期内只产生一个脉冲,是通过脉冲变压器的两个 二次绕组,同时去触发本相和前相的晶闸管。
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图3.9 内双窄脉冲的形成连接图
22
3.3.5 其他说明 图3.7中脉冲封锁信号线的作用:在事故情况 下或在可逆逻辑无环流系统中,系统要求当一组变 流器工作时,另一组变流器要封锁,这时可将脉冲 封锁信号线置于零电位或负电位,于是V7与V8就无 法导通,触发电路无脉冲输出,变流组就被封锁而 停止工作,达到了保护或逻辑控制的要求。
3.1 触发驱动装置的选择 3.1.1 晶闸管对移相触发电路的要求 为了使晶闸管变流器准确无误地工作,对触发 电路必须有一定要求: 1)触发脉冲信号对门-阴极来说必须是正极性 的。为了减少门极损耗,一般不用交流或直流触发 信号,常采用脉冲形式的触发信号。 2)触发信号应有足够的功率(电压、电流) ,但以不超过门-阴极安全工区为限。 3)触发脉冲信号应有一定的宽度。保证被触 发的晶闸管可靠导通,该脉冲的宽度一般为 20 ~ 50 μs。
图 3.5 单结晶体管同步触发电路
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3.3 同步电压为锯齿波的触发电路 锯齿波同步的触发电路,由于同步电压采用锯 齿波,所以不受电网电压波动的影响,增强了电路 抗干扰能力,在晶闸管为 200 A 以下的变流电路中 得到广泛应用。电路组成如图 3.7所示。
14
图 3.6 用晶体管来代替 RP 的单结晶体管触发电路
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图 3.3 单结晶体管的结构及图形符号、等效电路
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图 3.4 单结晶体管自激振荡电路
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3.2.2 单结晶体管同步触发电路 前边讨论的振荡电路具有输出尖脉冲的能力,可 以用于晶闸管的触发。依照晶闸管对触发电路的要求 ,触发电路送出的触发脉冲必须与晶闸管所加阳极电 压同步,才能保证在管子阳极电压每个正半周内以相 同的控制角 α 控制导通,才能得到稳定的输出直流电 压 Ud。 12
第3章 晶闸管的触发驱动电路
本章提要 晶闸管的导通控制信号由触发电路提供,触发 电路的类型按组成元件的不同可分为:单结晶体 管触发电路、锯齿波同步触发电路、集成触发电 路和数字触发电路等。本章介绍这些电路的组成 单元、工作原理、调试方法。特别是对晶闸管变 流装置的示波器定相操作步骤作了详实的叙述。
1
2
4)触发脉冲的前沿要陡,有强触发的能力。 5)触发脉冲应与被触发晶闸管阳-阴极的电压 同步,并通过控制电压 UC,脉冲保证能有足够的 移相范围。 6)不触发时,触发脉冲电路输出加到晶闸管 门极-阴极间的漏电压应小 0.15 ~0.25 V。
3.1.2 脉冲电路与晶闸管连接方式 1)直接相连。主电路和触发电路采用导线直 接连接。由于主电路电压经常高于触发控制电路, 采用直连,造成操作不安全,主电路又往往干扰触 发电路。在简单的设备中采用到,如图 3.2(a) 所示。 3
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图 3.8 锯齿波同步的触发电路的波形
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3.3.3 强触发环节 采用强触发脉冲可以缩短晶闸管开通的时间, 以用来提高晶闸管承受电流变化率的能力。另一方 面,强触发脉冲也有利于改善晶闸管串联或并联使 用时的动态均压或动态均流,以提高系统的可靠性 。因此,一些大中容量系统的触发电路常带有强触 发环节,如图 3.7右上方点划线框所示。
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