晶闸管触发电路设计

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7-7晶闸管的触发电路

7-7晶闸管的触发电路
线性好的晶闸管整流电路,常采用由晶体 管组成的触发电路。常见的有同步电压为 锯齿波的晶体管触发电路。 • 见P237图7-41 • 特点: 移相范围大,输出电压和电流线性好, 适用于大中容量的晶闸管。
• (4)单结晶体管的特点 • 1)单结晶体管发射极电压等于峰点电压时,单结
晶体管导通,导通之后,当发射极电压小于谷点 电压时,管子由导通变为截止,谷点电压在2-5v 之间。 • 2)单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1是 一个阻值随发射极电流增大而减小的电阻, RB2 则是一个与发射极电流无关的电阻。 • 3)不同的晶体管有不同的UP、UV,若电源电压不 同,二者也会改变,在触发电路中常选用UV大一 些或IV大一些的单结晶体管。
单结晶体管振荡电路
• 因此,在电容器两端得到锯齿波,在输出端得 到脉冲尖顶波。
• 调整RC可以调整电容充放电速度,使输出波形 前移或移,从而控制晶闸管的触发时刻。RC乘 积较大时,后移。
单结晶体管触发电路
• 3、单结晶体管触发电路 • 由于每半个周期内第一个脉冲将晶体管触发后,
后面的脉冲均无作用,因此只要改变每半周第一 个脉冲产生的时间即改变了控制角α的大小,在实 际中可利用改变充电电阻R的方法来实现改变控 制角从
① 截止区:当uEB1<UP时,PN结反偏,单结管截止。 ② 负阻区:当uEB1>UP,PN结正偏,iE猛增,uEB1
反而减小,呈现负阻效应。
③ 饱和区:当uEB1下降到谷点以后,iE增加,uEB1
也有所增加,但变化较小,器件进入饱和区,当
uEB1<Uv时管子重新截止。
单结晶体管的特点
• 2、单结晶体管振荡电路
E R1
当电源接通时电源通过R对C充电,E点电位逐渐升高, 当上升到up时,单结管导通,发射极电流突然增大, 电容C通过发射极、第一基极、电阻R1放电,由于R1 很小,故放电速度快,电容两端电压下降很快,uO下 降很快,当下降到单结晶体管的谷点电压,单结晶体管 截止,输出电流、电压为0。接着电源又重新开始对C 充电,重复以上过程。

基于单片机的晶闸管触发器的设计

基于单片机的晶闸管触发器的设计

基于单片机的晶闸管触发器的设计1 引言晶闸管也叫可控硅整流器.是目前工业应用中最为广泛的大功率变换器件。

晶闸管在烧结炉、电弧炉等整流场合主要采用移相触发控制,即通过调节晶闸管导通时刻的相位实现控制输出。

传统的晶闸管触发器采用模拟控制电路,无法克服其固有缺点。

数字式控制电路与模拟式相比,主要优点是输出波形稳定和可靠性高,但其缺点是电路比较复杂,移相触发角较大时控制精度不高。

随着单片机技术的发展,由单片机组成的控制电路的优势越明显,除具有与数字式触发电路相同的优点外,更因其移相触发角通过软件计算完成,触发电路结构简单,控制灵活,温漂影响小,控制精度可通过软件补偿,移相范围可任意调节等特点,目前已获得业界的广泛认可。

以三相桥式全控整流电路为例,介绍应用单片机组成晶闸管触发器硬件电路的设计,以及软件实现移相触发脉冲控制的方法。

2 单片机触发器的组成单片机控制的晶闸管触发器主要由同步信号检测、CPU硬件电路、复位电路和触发脉冲驱动电路4部分组成,如图l所示。

CPU通过检测电路获知触发信号,依据所要控制的电路要求,通过编程实现预定的程序流程,在相应时间段内通过单片机I/O端输出触发脉冲信号,复位电路可保证系统安全可靠的运行。

3 移相触发脉冲的控制原理相位控制要求以变流电路的自然换相点为基准,经过一定的相位延迟后,再输出触发信号使晶闸管导通。

在实际应用中,自然换相点通过同步信号给出,再按同步电压过零检测的方法在CPU中实现同步,并由CPU控制软件完成移相计算,按移相要求输出触发脉冲。

图2为三相桥式全控整流电路,触发脉冲信号输出的时序也可由单片机根据同步信号电平确定,当单片机检测到A相同步信号时,输出脉冲时序通常采用移相触发脉冲的方法,即用一个同步电压信号和一个定时器完成触发脉冲的计算。

这在三相电路对称时是可行的。

因为三相完全对称,各相彼此相差120°,电路每隔60°换流一次,且换流的时序事先已知。

晶闸管对触发电路

晶闸管对触发电路

第六章晶闸管触发电路6.1 晶闸管对触发电路的基本要求6.1.1 触发信号的种类晶闸管由关断到开通,必须具备两个外部条件:第一是承受足够的正向电压;第二是门极及阴极之间加一适当反向电压、电流信号(触发信号)。

门极触发信号有直流信号、交流信号和脉冲信号三种基本形式。

(1)直流信号在晶闸管加适当的阳极正向电压的情况下,在晶闸管门极及阴极间加适当的直流电压,则晶闸管将被触发导通,如图6.1(a)、(b)所示。

这种触发方式在实际中应用极少。

因为晶闸管在其导通后就不需要门极信号继续存在。

若采用直流触发信号将使晶闸管门极损耗增加,有可能超过门极功耗;在晶闸管反向电压时,门极直流电压将使反向漏电流增加,也有可能造成晶闸管的损坏。

(2)交流信号如图6.1(c)所示,在晶闸管门极及阴极间加入交流电压,当交流电压Dc,uc,时,晶闸管导通。

uc,是保证晶闸管可靠触发所需的最小门极电压值,改变u。

值,可改变触发延迟角o。

这种触发形式也存在许多缺点,如:在温度变化和交流电压幅值波动时,触发延迟角(不稳定;改变交流电压u。

值来调节。

的变化范围较小(0’《。

《90‘),精度低徊l/dc不能太大等。

(3)脉冲信号脉冲信号如图6.1(d)·(h)所示,其中(d)为尖脉冲;(e)为宽脉冲;(f)为脉冲列;(s)为双脉冲;(h)为强触发脉冲。

在晶闸管门极触发电路中使用脉冲信号,不仅便于控制脉冲出现时刻,降低晶闸管门极功耗,还可以通过变压器的双绕组或多绕组输出,实现信号的隔离输出。

因此,触发信号多采用脉冲形式。

第118页6.1.2 晶闸管对门极触发电路的要求晶闸管门极触发信号由触发电路提供,由于晶闸管电路种类很多,如整流、逆变、交流调压、变频等;所带负载的性质也不相同,如电阻性负载、电阻—电感性负载、反电势负载等。

仅管不同的情况对触发电路的要求也不同,但其基本要求却是相同的,具体如下:(1)触发信号应有足够的功率(电压、电流)这些指标在产品样本中均已标明,由于晶闸管元件门极参数分散性大,且触发电压、电流值受温度影响会发生变化。

电路电子——晶闸管的触发电路设计

电路电子——晶闸管的触发电路设计
图8 同步电压为锯齿波的触发电路
脉冲前沿由V4导通时刻确定,脉冲宽度与反向充电回路时间 常数R11C3有关。 电路的触发脉冲由脉冲变压器TP二次侧输出,其一次绕组接 在V8集电极电路中。
二、同步电压为锯齿波的触发电路
4) 双窄脉冲形成环节 内双脉冲电路
V5、V6构成“或”门
当V5、V6都导通时,V7、V8都截止,没有脉冲输出。 只要V5、V6有一个截止,都会使V7、V8导通,有脉冲输出。
二、同步电压为锯齿波的触发电路
2) 锯齿波的形成和脉冲移相环节
锯齿波电压形成的方案较多,如采用自举式电路、恒流 源电路等;本电路采用恒流源电路。
图8 同步电压为锯齿波的触发电路
恒流源电路方案,由V1、V2、V3和C2等元件组成
V1、VS、RP2和R3为一恒流源电路
二、同步电压为锯齿波的触发电路
锯齿波是由开关V2管来控制的。
1. 电源接通:E通过Re对C充电, 时间常数为ReC
2. Uc增大,达到 UP ,单结晶体管 导通,C通过R1放电
3. Uc减少,达到Uv,单结晶体管截
止,uR1 下降,接近于零
4. 重复充放电过程
图5 单结晶体管自激振荡电路
Re的值不能太大或太小,满足电路振荡的Re的取值范围
一、 单结晶体管触发电路
图6 晶体管同步触发电路
一、 单结晶管由第一个脉 冲触发导通,后面的脉冲不 起作用。
改充电变速Re度的,大达小到,调可节改α变角电的容目
的。 削波的目的:增大移相范围,
使输出的触发脉冲的幅度基本 一样。
一、 单结晶体管触发电路
实际应用中,常用晶体管V2代替电位器Re,以便实现
第一个脉冲由本相触发单元的uco对应的控制角 产生。

电力电子技术第3章 晶闸管的触发驱动电路

电力电子技术第3章  晶闸管的触发驱动电路
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3.3.1 锯齿波形成和脉冲移相控制环节 锯齿波同步触发电路的移相原理,是将锯齿波 电压与直流控制电压 UC叠加,使锯齿波可以垂直 上下移动,锯齿波形斜面对应的电压值能控制形成 脉冲的晶体管开通时刻,即改变对应控制角 α的大 小。
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3.3.2 脉冲形成、整形和放大输出环节 当锯齿波电压ue3与控制电压Uc、偏置电压Ub 叠加在V4管基极进行并联叠加的电压ub4<0.7V时, V4管截止,电源分别经及R13与R14向V6管与V5管供 给足够大的基极电流,使V6,V5管饱和导通。
8
3.2 单结晶体管触发电路 单结晶体管(Unijuncting Transistor)的结构 及图形符号、等效电路如图3.3所示。单结晶体管 是在一块高电阻率的N型硅片两端,用欧姆接触方 式引出第一基极b1和第二基极b2,b1和b2之间的 电阻为N硅片的体电阻,约为3~12kΩ,在硅片靠 近b2极渗入P型杂质,形成PN结,由P区引出发射 极 e。
6
3.1.3 移相触发器的主要技术指标 (1)同步信号波形 同步信号有正弦波,方波和锯齿波,三者各有 特点,但集成模拟触发器多用锯齿波;数字式触发 器同步信号多用方波。 (2)同步信号幅值 同步信号的幅值随所应用触发器外接元件的不 同而有差别,一般为 6 ~ 30 V。 (3)移相范围 移相范围指当移相控制电压 UC,从零至最大 变化时,输出触发脉冲对于同步信号相位的变化量 。
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(4)脉冲幅值 脉冲幅值一般指电压幅值与电流幅值。当脉 冲触发器输出的脉冲电压幅值在不接晶闸管时可以 为 12 ~25 V。而电流幅值随被触发晶闸管容量的 不同有差异。 (5)脉冲宽度 为了保证触发的可靠性,触发脉冲常采用宽 脉冲、双窄脉冲,或宽脉冲列、双窄脉列。宽脉冲 宽度应大于 60°小于 120°,双窄脉冲每个脉冲 的宽度应大于 18°小于 30°。

晶闸管触发电路

晶闸管触发电路
晶闸管触发电路
•1.1 单结晶体管
单结晶体管又叫双基极二极管,是具有一个PN结的三 端负阻器件。 单结晶体管触发电路结构简单,输出脉 冲前沿陡峭,抗干扰能力强,运行可靠,调试方便,广 泛应用与小容量晶闸管触发控制。
1.单结晶体管的结构ຫໍສະໝຸດ 等效电路在一个低掺杂的N型硅棒上利 用扩散工艺形成一个高掺杂P 区,在P区与N区接触面形成 PN 结 , 就 构 成 单 结 晶 体 管 (UJT)。其结构如图 (a)所示,
当Ueb1增大,使PN结正向电压大于开启电压时,则IE变为正向电流,从 发射极e流向基极b1,此时,空穴浓度很高的P区向电子浓度很低的硅棒的A— b1区注入非平衡少子;由于半导体材料的电阻与其载流子的浓度紧密相关, 注入的载流子使rb1减小;而且rb1的减小,使其压降减小,导致PN结正向电 压增大,IE随之增大,注入的载流子将更多,于是rb1进一步减小;当IE增大 到一定程度时,二极管的导通电压将变化不大,此时UEB1。将因rb1的减小而 减小,表现出负阻特性。
P型半导体引出的电极为发射极E; N型半导体的两端引出两个电极, 分别为基极B1和基极B2,B1和B2 之间的N型区域可以等效为一个纯 电阻,即基区电阻RBB。该电阻的 阻值随着发射极电流的变化而改 变。单结晶体管因有两个基极, 故也称为双基极晶体管。其符号 如图(b)所示。
单结晶体管的等效电路如图(c)所 示,发射极所接P区与N型硅棒 形成的PN结等效为二极管D;N
型硅棒因掺杂浓度很低而呈现高 电阻,二极管阴极与基极B2之间 的 等 效 电 阻 为 RB2 , 二 极 管 阴 极 与基极B1之间的等效电阻为RB1; RB1的阻值受E-B1间电压的控制, 所以等效为可变电阻。
2、工作原理和特性曲线
当e-b1电压Ueb1为零或(Ueb1< UA)时,二极管承受反向电压,发射极的电 流Ie为二极管的反向电流,记作IEO。

晶闸管简易触发电路教材

晶闸管简易触发电路教材
自动化系
自控教研室
主讲:孙慧峰
第七章 晶闸管的触发电路
主要内容: 重 点 一、晶闸管对触发电路的要求
二、晶闸管的简易触发电路 1、引入本相电压作为触发信号的电路 2、阻容移相触发电路
三、单结晶体管同步触发电路 四、实用电路分析
第一节 对触发电路的要求 及简易触发电路
一、晶闸管对触发电路的要求
1、触发电路输出的脉冲必须具有足够的功率 2、触发脉冲要具有一定的宽度,前沿要陡 3、触发脉冲能满足主电路移相范围的要求 4、触发脉冲必须与晶闸管的主电压保持同步
VD2
VD1
B
图三、多路抢答器电路
K
1KA 2KA 3KA 4KA
H1
H2
H3
H4
R2
VT1 VT2 VT3
VT4
VT6
E
A
R3 C
VT5
R1
B
VD2
3KA
3KA
3KA
4KA
VD1
B
SB1
SB2
SB3
SB4
图三、多路抢答器电路
第二节单结晶体管触发电路
三、单结晶体管触发电路
b2
b2 发射极
e
PN结
充电,此时VT正偏;当ug=UG时,VT导通,负载Rd两端电 压ud= u2 。 结论:R调小,α小; R调大,α大。
3、实用电路分析
+
Q ~220V
RP
R1 R2
C3
VT TP
C1 C2 图一、晶闸管点火电路
电极间隙
Q ~220V
RP
R1
VT
R2
C1
C2
图二、简易调光台灯电路
u2

基于DSP的晶闸管数字式触发电路的设计与研究

基于DSP的晶闸管数字式触发电路的设计与研究

压器饱 和 ,降低 触发 电路 的输 出功率 。
23 D P数 字移 相及 脉 冲的形 成 . S
采 用 D P通 过软 件 运 算 对 数 字 式 晶闸 管进 行 S 移 相 及 脉 冲形 成 和 分 配 ,对 定 点 D P,主要 采 用 S
查表法求得[ 再根据控制 电压计算出晶闸管触发 3 J 。 角 ,然 后 由事 件管 理器 输 出 6路 P WM
I 白
il 蔓 口
P :j:;。I;:::, + ; ; i;i! l 口 i。 口 i : 口

图 3 双 窄 脉 冲输 出波 形
● ● ● ● ●
● ●
● ●
● ● ● ●
● ● ● ●
● ●
● ●
● ● ● ● ●
口 女
灌装 量相 对误 差计 算
E:
Vi
* *
* 女 : :
:: :tn a dRue "oS a d r " ls
× 1 0% 0
式 中 :E 一灌 装量 相对 误差 ;
v一 i .第 个盛装容器 内的液体实际容量 ,m ; L
V 一灌装 量的标 称值 m ; L 52 定重 式灌 装机 灌装 量 的确 定 .
直接触发 晶闸管功率不够 。因此 ,信号传递 中需 要 脉 冲放 大 这 个 环 节 ,电 路 主 要 由 7 L 0 4 S 7缓 冲
器 、光 电隔 离 和脉 冲变 压 器 等 环 节 组 成 。 如 图 2
所示 。
图 2 脉 冲 功率 放大 电路 简 图
脉 冲功 率 放 大 环 节 输 出 的脉 冲应 具 有 足够 的

・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ● ・ ・; 鬟
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摘要为了控制晶闸管的导通,必须在控制级至阴极之间加上适当的触发信号(电压及电流),完成此任务的就是触发电路。

本课题针对晶闸管的触发电路进行设计,其电路的主要组成部分由触发电路,交流电路,同步电路等电路环节组成。

有阻容移相桥触发电路、正弦波同步触发电路、单结晶体触发电路、集成UAA4002、KJ004触发电路。

包括电路的工作原理和电路工作过程以及针对相关参数的计算。

关键词:晶闸管;触发电路;脉冲;KJ004目录第1章绪论 (1)第2章课程设计的方案 (1)2.1 概述 (1)2.2 系统组成整体结构 (2)2.3 设计方案 (2)第3章电路设计 (4)3.1 UAA4002集成芯片构成的触发器 (4)3.2 阻容移相桥触发电路 (5)3.3正弦波同步触发电路 (6)3.4单结晶体管触发电路 (8)3.5集成KJ004触发电路 (9)第4章课程设计总结 (12)参考文献 (14)绪论晶闸管是晶体闸流管的简称,又称为可控硅整流器,以前被简称为可控硅。

在电力二极管开始得到应用后不久,1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管,到1957年美国通用电气公司开发出世界上第一只晶闸管产品,并在1958年达到商业化。

由于其开通时刻可以控制,而且各方面性能均明显胜过以前的汞弧整流器,因而立即受到普遍欢迎,从此开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代,其标志就是以晶闸管为代表的电力半导体器件的广泛应用,有人称之为继晶体管发明和应用之后的又一次电子技术革命。

自20世纪80年代以来,晶闸管的地位开始被各种性能更好的全控型器件取代,但是由于其所能承受的电压和电流容量仍然是目前电力电子器件中最高的,而且工作可靠,因此在大容量的应用场合仍然具有比较重要的地位。

20世纪80年代以来,信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合而产生了一代高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件,从而将电力电子技术又带入一个崭新时代。

门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管就是全控型电力电子器件的典型代表。

晶闸管的种类较多,有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、直流开关晶闸管(即门级可关断晶闸管)、寄生晶闸管(即功率场效应管IGBT)、无控制极晶闸管等。

晶闸管在电力电子技术上有很广泛的应用,整流电路(交流变直流)、逆变电路(直流变交流)、交频电路(交流变交流)、斩波电路(直流变直流),此外,还可用作无触点开关。

又晶闸管是半控型器件,因此在控制极和阴极间的触发信号是必不可少的。

而触发电路的作用是产生符合要求的门级触发脉冲,保证在需要是晶闸管立即由阻断状态变为导通状态。

广义上讲,触发电路包括对其触发时刻进行控制的相位控制环节、放大和输出环节。

而触发电路的形成又有许多种形式。

本课程设计研究的是基于螺旋式晶闸管KP50的触发电路。

课程设计的方案概述要使晶闸管开始导通,必须施加触发脉冲,在晶闸管触发电路中必须有触发电路,触发电路性能的好坏直接影响晶闸管电路工作的可靠性,也影响系统的控制精度,正确设计触发电路是晶闸管电路应用的重要环节。

本设计要求采用KP50晶闸管,经查阅相关资料,KP50为螺旋式晶闸管,其通态电流T I 为50A ,通态峰值电压TM V ≤1.9V ,正反向重复峰值电压REM V 为100-2000V ,正反向重复峰值电流DEM I ≤5mA ,触发电压GT V ≤2V 。

门极触发电压小于25V ,门极触发电流小于150mA ,维持电流小于200mA 。

根据给出的技术参数指标,要求触发电压不小于3.5V ,触发电流不小于100mA 。

触发信号不许超过规定的门极最大允许峰值电压与峰值电流。

触发脉冲要有一定的宽度,前沿要陡。

电阻性负载时脉冲宽度应大于10μs ,电感性负载时则应大于100μs 。

触发脉冲必须与主回路电源电压保持同步,即采同步电路从而保持输出电压的平稳。

系统组成整体结构图2.1 系统整体结构图整个设计主要分为电源、交流电路、同步电路、触发电路。

当接通电源时,系统工作,给晶闸管电路一个触发信号,晶闸管电路导通,当触发信号变为反向时,晶闸管迅速关断,电路停止工作。

如图2.1所示。

2.3 设计方案方案一 :采用UAA4002集成芯片UAA4002是法国汤姆逊公司生产的大规模集成电路,在国内市场上已能够购到。

较其他集成芯片,使用它可以实现对开关功率晶体管的最优基极驱动,同时实现对开关功率晶体管的就地非集中保护,保证其运行在参数最优的条件下。

这大大加快了高性能晶体管开关产品的开发。

是当前一种较好的基极驱动和保护方法。

方案二:阻容移相桥触发电路由电位器R、电容C和带中心抽头的同步变压器T组成的桥式电路就是最简单的一种触发电路,它本身就包含同步电压形成、移相、脉冲形成与输出三个部分。

同步变压器初级电压相位与晶闸管主电路电压相位相同。

无需外接同步电路。

是一个极易调整,精度不高的晶闸管触发装置。

方案三:正弦波同步触发电路触发电路由移相控制环节和输出脉冲形成环节两大部分组成,分别有不同的功能。

移相控制环节自身含有电感,可以防止高频干扰。

该电路理论上移相范围为0度到180度,实际应用多在0度到150度左右。

由于有正反馈,抗干扰能力差。

但正反馈电流能提高输出脉冲的陡度和加大脉冲宽度。

同时交流电源电压的波动,会影响到移相角的变化。

方案四:单结晶体管触发电路由单结晶体管等组成的触发电路,又称单结晶体管驰张振荡器。

单结晶体管触发电路简单易调,脉冲前沿陡峭,抗干扰能力强,可靠性高。

但由于脉冲较窄,触发功率小,移相范围也较小,所以多用于50A及以下晶闸管的中、小功率系统中。

方案五:集成触发电路集成触发电路KJ004,KJ004可控硅移相触发电路适用于单相、三相全控桥式供电装置中,作可控硅的双路脉冲移相触发。

KJ004器件输出两路相差180度的移相脉冲,可以方便地构成全控桥式触发器线路。

KJ004电路具有输出负载能力大、移相性能好、正负半周脉冲相位均衡性好、移相范围宽的特点。

对同步电压要求低,有脉冲列调制输出端等功能与特点。

电路由同步检测电路、锯齿波形成电路、偏形电压、移相电压及锯齿波电压综合比较放大电路和功率放大电路四部分组成。

电路设计UAA4002集成芯片构成的触发器其内部结构图如图3.1所示。

图3.1 UAA4002内部结构UAA4002的特点:1.标准的16脚双排直插式结构。

2.UAA4002将接收到的以逻辑信号输入导通信号转变为加到晶闸管上的门极电流,这一门级电流可以自动调节,保证晶闸管总处于导通状态。

UAA4002输出的最大电流为0.5A,可以外接晶闸管扩大。

3.U AA4002可以给晶闸管加-3A的反向门极电流,保证晶闸管快速关断。

这个负的门极电流亦可通过外接晶闸管扩大。

4. UAA4002内装高速逻辑处理器保护晶闸管,监控导通期间晶闸管门极电流,亦监控集成电路的正负电源电压和芯片温度,对被驱动的晶闸管实现就地保护(非集中保护)。

5.与通常的驱动模块不一样,其输入端可接收电信号和交变脉冲信号,如果需要对输入端隔离,可外加光电藕合器或微分变压器。

根据给出的技术参数指标,完成晶闸管触发电路设计,晶闸管选用KP50。

要求触发电压不小于3.5V ,触发电流不小于100mA 。

触发信号不许超过规定的门极最大允许峰值电压与峰值电流。

触发脉冲要有一定的宽度,前沿要陡。

电阻性负载时脉冲宽度应大于10us ,电感性负载时则因大于100us 。

触发脉冲的移相范围应能满足主电路的要求。

触发脉冲必须与主回路电源电压保持同步。

由于电路的结构部分,由检测电路可以保证触发脉冲必须与主回路电源电压保持同步,并且由芯片资料可得,芯片触发脉冲的电压幅值为15V ,满足触发电压不小于3.5V 的要求,而且,芯片的正向导通电流可以达到0.5A ,同时也满足触发电流不小100mA ,由于芯片内部存在自身的保护电路,触发信号不会超过规定的门极最大允许峰值电压与峰值电流。

其中关于触发脉冲要有一定的宽度,由芯片资料,我们可知,触发脉冲的宽度由芯片6引脚、8引脚和芯片10引脚共同决定,其中6引脚接入电阻,8引脚接入电阻、10引脚接入电容,其参数与脉冲宽度的关系为: T=2·2C ×45.0R R d (3-1) R=)51(2min V R d + (3-2) minmin 5I U R d = (3-3) C=min min3U I (3-4)由于题目要求,触发脉冲的移相范围应可调节,并且范围尽可能大,可以满足0-170度之间任意调节,由芯片资料可知,芯片的15引脚控制移相范围。

且移相范围在0-180度以内。

阻容移相桥触发电路同步变压器初级电压相位与晶闸管主电路电压相位相同,其次级有一个中心抽头O 将次级绕组分成OA 、OB 两组作为桥路的两臂,桥路的另两臂是电阻R 和电容C 。

对角线OD 为输出端。

如图3.2所示。

图3.2 阻容移向桥触发电路根据KP50参数查到,要使晶闸管正常工作,其最起码的触发电压为3.5V ,最起码的触发电流为100mA 。

故同步变压器次级电压应取大于2×3.5,取 OD u =10V 。

取移相桥对角线电流OD I =100mA ,则C ≥OD OD u I 3=10100×3=30(μF ) (3-5) R ≥OD OD RI u K =10010×3=0.3(K Ω) (3-6) 故取C=30μF 、R=300Ω就能满足移相要求。

工作原理由矢量图可知:AB U ~ = AD U ~ +DB U ~=R U ~+C U ~ (3-7)同时,D 一直在以AB 为直径的半圆上移动,从而保证了OD U ~在数量上永远等于AB U ~的一半。

如果以OD U ~作为触发信号,就可以利用改变电阻R 的大小,实现对晶闸管的移相控制。

即α角由AB U ~决定即R U ~和C U ~共同决定。

其中R U ~由可变电阻的分压情况决定,C U ~由电解电容两端电流积分值来决定。

两部分电压代数和决定了AB U ~两端电压,即可调的触发角。

单相阻容移相触发电路的特点是简单,但触发电压是正弦波,因此触发不够准确,移相角受电网电压波动等影响较大,而且触发功率不大。

正弦波同步触发电路触发电路如图3.3。

图3.3 触发电路图触发脉冲的形成:,脉冲的移相:αααα图3.5 单结晶体管触发电路单结晶体管触发电路原理图如图3.6所示。

图3.6 单结晶体管触发电路图交流正弦电压经整流桥VC 整流、电阻w R 降压、限流、稳压管VW 削波。

取自主电路的正弦交流电通过同步变压器T 降压,变为较低的交流电压,然后经二极管整流桥变成脉动直流。

稳压管VW 和电阻RW 的作用是“削波”,脉动电压小于稳压管的稳压值时,VW 不导通,其两端的电压与整流输出电压相等;如果脉动电压大于稳压管的稳压值,将使VW 击穿,其两端电压保持稳压值,整流桥输出电压高出稳压值的部分降在电阻RW 上。

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