N沟道MOS管的结构及工作原理
N 沟道 MOS 管的结构及工作原理
N 沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS 管)的结构及工作原理 结型场效应管的输入电阻虽然可达 106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还 是不能满足要求。
而且，由于它的输入电阻是 PN 结的反偏电阻，在高温条件下工作时， PN 结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。
与结型场效应管不同，金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅 极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达 1015W。
它的另 一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。
MOS 管也有 N 沟道和 P 沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽型两种，二者的 区别是增强型 MOS 管在栅-源电压 vGS=0 时，漏-源极之间没有导电沟道存在，即使加上 电压 vDS（在一定的数值范围内），也没有漏极电流产生（iD=0）。
而耗尽型 MOS 管在 vGS=0 时，漏-源极间就有导电沟道存在。
一、N 沟道增强型场效应管结构
a) N 沟道增强型 MOS 管结构示意图
(b) N 沟道增强型 MOS 管代表符号
(c) P 沟道增强型 MOS 管代表符号
在一块掺杂浓度较低的 P 型硅衬底上， 用光刻、 扩散工艺制作两个高掺杂浓度的 N+ 区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极 d 和源极 s。
然后在半导体表面复盖一层很 薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极 g。
另外在衬底上也引出一个电极 B，这就构成了一个 N 沟道增强型 MOS 管。
显然它的栅极 与其它电极间是绝缘的。
图 1(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。
代表符号中 的箭头方向表示由 P(衬底)指向 N(沟道)。
P 沟道增强型 MOS 管的箭头方向与上述相反， 如图 1(c)所示。
二、N 沟道增强型场效应管工作原理 1．vGS 对 iD 及沟道的控制作用 MOS 管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。
从图 1(a) 可以看出， 增强型 MOS 管的漏极 d 和源极 s 之间有两个背靠背的 PN 结。
当栅-源电压 vGS=0 时，即使加上漏-源电压 vDS，而且不论 vDS 的极性如何，总有一个 PN 结处于反偏状态， 漏-源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流 iD≈0。
若在栅-源极间加上正向电压， vGS＞0， 即 则栅极和衬底之间的 SiO2 绝缘层中便产 生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子， 因而使栅极附近的 P 型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成 耗尽层，同时 P 衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。
当 vGS 数值较小，吸引电子 的能力不强时，漏-源极之间仍无导电沟道出现，如图 1(b)所示。
vGS 增加时，吸引到 P 衬底表面层的电子就增多，当 vGS 达到某一数值时，这些电子在栅极附近的 P 衬底表面 便形成一个 N 型薄层，且与两个 N+区相连通，在漏-源极间形成 N 型导电沟道，其导电 类型与 P 衬底相反，故又称为反型层，如图 1(c)所示。
vGS 越大，作用于半导体表面的
电场就越强，吸引到 P 衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
我们把 开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，用 VT 表示。
由上述分析可知，N 沟道增强型 MOS 管在 vGS＜VT 时，不能形成导电沟道，管子处于截 止状态。
只有当 vGS≥VT 时，才有沟道形成，此时在漏-源极间加上正向电压 vDS，才有 漏极电流产生。
而且 vGS 增大时， 沟道变厚， 沟道电阻减小， 增大。
iD 这种必须在 vGS≥VT 时才能形成导电沟道的 MOS 管称为增强型 MOS 管。
2．vDS 对 iD 的影响
图1
如图 2(a)所示，当 vGS>VT 且为一确定值时，漏-源电压 vDS 对导电沟道及电流 iD 的影响与结型场效应管相似。
漏极电流 iD 沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间 的电压不再相等，靠近源极一端的电压最大，这里沟道最厚，而漏极一端电压最小，其 值为 vGD=vGS - vDS，因而这里沟道最薄。
但当 vDS 较小（vDS 随着 vDS 的增大，靠近漏极的沟道越来越薄，当 vDS 增加到使 vGD=vGS-vDS=VT(或 vDS=vGS-VT)时，沟道在漏极一端出现预夹断，如图 2(b)所示。
再继续增大 vDS，夹断 点将向源极方向移动，如图 2(c)所示。
由于 vDS 的增加部分几乎全部降落在夹断区，故 iD 几乎不随 vDS 增大而增加，管子进入饱和区，iD 几乎仅由 vGS 决定。
三、特性曲线、电流方程及参数 1．特性曲线和电流方程
图1 N 沟道增强型 MOS 管的输出特性曲线如图 1(a)所示。
与结型场效应管一样,其输出 特性曲线也可分为可变电阻区、 饱和区、 截止区和击穿区几部分。
转移特性曲线如图 1(b) 所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时 iD 几乎不随 vDS 而变化,即不同的 vDS 所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用 vDS 大于某一数值 (vDS＞vGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线,与结型场效应 管相类似。
在饱和区内,iD 与 vGS 的近似关系式为
( vGS＞VT ) 式中 IDO 是 vGS=2VT 时的漏极电流 iD。
2. 参数 MOS 管的主要参数与结型场效应管基本相同， 只是增强型 MOS 管中不用夹断电压 VP， 而用开启电压 VT 表征管子的特性。
。
N沟道增强型MOS管的工作原理
N沟道增强型MOS管的工作原理
N沟道增强型MOS管（NMOS）是一种常见的场效应管(fET)，在N沟道增强型MOS管中，沟道导电能力可以通过适当的电压调节，从而导致开关体的导电能力发生明显变化。
其工作原理可以从材料结构、电场分布和电流传输三个方面进行解释。
1.材料结构：
NMOS的基本结构由P型衬底、N型沟道区域、P型源/漏极和绝缘层组成。
在衬底上形成一个绝缘层，然后再在上面形成一层N型沟道区域，称之为负载掺杂。
2.电场分布：
当N沟道增强型MOS管处于关闭状态时，沟道区域中没有电子通过，因此沟道区域的电势保持高电势，并阻断了N型衬底的连接。
当施加一个正的门极电压（如VGS），沟道区域中的P型区域受到吸引，形成了一个N型沟道连接了N型衬底和P型源/漏极，从而允许电流通过。
3.电流传输：
当门极电压（VGS）增加，沟道中的电子数量增加，导致增强模式下的导电能力增加，电流也随之增加。
沟道中电子的移动速度受电子迁移率的影响，通常电子迁移率很高，因此电子能够很快地通过沟道区域。
当N 沟道增强型MOS管处于开启状态时，电流可以从源极流向漏极。
总结起来，N沟道增强型MOS管的工作原理可以通过施加门极电压改变沟道区域的电势，从而控制电流的通过。
当门极电压为零时，NMOS处于关闭状态，电流无法通过。
当施加一个正的门极电压时，沟道区域中的
P型区域受到吸引，形成了一个N型沟道连接了N型衬底和P型源/漏极，从而允许电流通过。
NMOS具有许多优点，包括低功耗、快速开关速度和较高的集成度。
它在许多电子设备中广泛应用，如数字逻辑电路、微处理器和存储器芯片等。
N沟道MOS管的结构及工作原理
结型场效应管的输入电阻虽然可达 106~109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。
而且，由于它的输入电阻是PN 结的反偏电阻，在高温条件下工作时， PN 结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。
与结型场效应管不同，金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET) 的栅极与半导体之间隔有二氧化硅(SiO2)绝缘介质，使栅极处于绝缘状态(故又称绝缘栅场效应管)，于是它的输入电阻可高达1015W。
它的另一个优点是创造工艺简单，适于创造大规模及超大规模集成电路。
MOS 管也有 N 沟道和 P 沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽型两种，二者的区别是增强型 MOS 管在栅-源电压 vGS=0 时，漏-源极之间没有导电沟道存在，即使加之电压vDS (在一定的数值范围内)，也没有漏极电流产生(iD=0)。
而耗尽型 MOS 管在vGS=0 时，漏-源极间就有导电沟道存在。
a) N 沟道增强型MOS 管结构示意图(b) N 沟道增强型MOS 管代表符号 (c) P 沟道增强型MOS 管代表符号在一块掺杂浓度较低的 P 型硅衬底上，用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的 N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极 d 和源极 s。
然后在半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极 g。
此外在衬底上也引出一个电极 B，这就构成为了一个 N 沟道增强型MOS 管。
显然它的栅极与其它电极间是绝缘的。
图 1(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。
代表符号中的箭头方向表示由 P(衬底)指向 N(沟道)。
P 沟道增强型MOS 管的箭头方向与上述相反，如图 1(c)所示。
1．vGS 对 iD 及沟道的控制作用MOS 管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。
从图 1(a)可以看出，增强型MOS 管的漏极 d 和源极 s 之间有两个背靠背的 PN 结。
MOS场效应晶体管的结构工作原理
P沟道增强型MOSFET的结构
和 工作原理
P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流 子不同，供电电压极性不同而已。这如 同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。
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关于场效应管符号的说明：
D
D
G
BG
B
S
S
D
G
B
S
N沟道增强 型MOS管， 衬底箭头向 里。漏、衬 底和源、分 开，表示零 栅压时沟道 不通。
可变I电D/ 阻m A区
过损耗区
击穿区
4V
曲线分五个区域： （1）可变电阻区 （2）恒流区（放大区）
恒流区
3..5 V
（3）截止区
3V
（4）击穿区
O
U GS 2V
5 10 15
U DS /V
（5）过损耗区
截止区
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从漏极输出特性曲线可以得到转移特性曲线，过程如下：
ID/ 1
O 123
U th(on)
U DS 10V
4
U GS /V
N沟道增强型MOSFET的转移 特性曲线如左图所示，它是说明栅源 电压UGS对漏极电流ID的控制关系， 可用这个关系式来表达，这条特性曲 线称为转移特性曲线。
转移特性曲线的斜率gm反映了 栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm称为跨导。这是场效应三极管的 一个重要参数。
当UDS进一步增加时， ID会不断增 加,同时，漏端的耗尽层上移，会在漏端 出现夹断，这种状态称为预夹断。
当UDS进一步增加时， 漏端的耗尽 层向源极伸展，此时ID基本不再增加，增 加的UDS基本上降落在夹断区。
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n沟道mos管的结构和工作原理
n沟道mos管的结构和工作原理MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常见的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。
它的主要结构由源极、栅极和漏极组成，其中栅极的位置相对于源极和漏极被一层绝缘层隔开。
MOS管的工作原理是通过控制栅极电压来调节源漏电流。
MOS管的结构通常由四个主要组件构成：绝缘层、栅极、源极和漏极。
绝缘层一般是由二氧化硅（SiO2）等材料构成的，它位于源极和漏极之间，起到隔离源漏电流的作用。
栅极是一个金属电极，它覆盖在绝缘层上方。
源极是与电源相连的区域，而漏极是与负载相连的区域。
MOS管的工作原理基于栅极和源极之间的载流子控制。
当栅极上无电压时，源极和漏极之间的绝缘层阻挡了电流的流动，MOS管处于关闭状态。
当在栅极施加正电压时，栅极与源极之间形成电场，使得正电荷在接近源极区域向漏极区域流动。
这个正电荷层被称为沟道（channel）。
当电场达到一定强度时，沟道的宽度变得足够宽，源极和漏极之间产生通道，电流可以通过MOS管流动，这时MOS管处于开启状态。
在MOS管的开启状态下，沟道中的载流子（通常是电子）从源极流向漏极，形成源漏电流。
栅极电压越高，沟道的宽度就越大，源漏电流就越大。
另一方面，栅极电压越低，沟道的宽度就越小，源漏电流就越小。
这种通过栅极电压控制源漏电流的特性使得MOS管成为一种非常理想的电流放大器和开关。
在MOS管的工作过程中，漏极的电压也会对源漏电流产生影响。
当漏极电压很高时，电子受到漏极吸引，使得电流增大。
当漏极电压较低时，电子受到栅极电场的影响，电流减小。
因此，MOS管的源漏电流不仅受栅极电压的控制，还受漏极电压的影响。
总结来说，MOS管是一种根据栅极电压来控制源漏电流的器件。
当栅极电压足够高时，沟道宽度增加，源漏电流增大；而当栅极电压较低时，沟道宽度减小，源漏电流减小。
这种特性使得MOS管在逻辑门和放大器等电子设备中得到广泛应用。
n沟道耗尽型mos管工作原理
n沟道耗尽型mos管工作原理1. 引言：什么是n沟道耗尽型MOS管？好吧，我们先来聊聊什么是n沟道耗尽型MOS管，听起来有点复杂，但其实不难懂。
大家都知道，电路里有各种各样的电子元件，这些元件就像是电路里的“小工人”，它们负责不同的任务。
n沟道耗尽型MOS管，简称nMOS，算是这些“小工人”里的一个特别能干的家伙。
1.1 MOS管的基础知识MOS管，完整的名字叫金属氧化物半导体场效应管，这玩意儿的名字虽然长，但其实它的工作原理并不神秘。
简单来说，MOS管有三部分：栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。
栅极就像是一个开关，通过它的电压可以控制漏极和源极之间的电流。
这种控制方式可谓是高大上了，电流流动就像开关一样被精准地调控。
1.2 耗尽型MOS管的特别之处不同于增强型MOS管，耗尽型MOS管在未施加栅极电压的时候，源极和漏极之间已经有电流流动了。
换句话说，它平时就是开着的。
那什么情况下它会“关门”呢？答案就是：当你给栅极施加一个负电压时，它就会像被“收拾”了一样，电流开始减少，甚至可以完全阻断电流。
这种特性特别适合做一些开关和放大器的工作。
2. 工作原理：详细解析2.1 栅极电压的影响说白了，n沟道耗尽型MOS管的工作原理就是通过调整栅极电压来控制电流的大小。
假设你把栅极的电压调得特别低或者负数，这时候，nMOS管的“门”就会变得“紧闭”，漏极到源极之间的电流流动会受到限制。
如果你把栅极的电压调得高一点，电流就会流通得更顺畅。
说得简单点，就是栅极的电压决定了电流的流量。
2.2 耗尽区的形成在n沟道耗尽型MOS管里，当施加负电压时，源极和漏极之间的n型区会出现一个耗尽区。
这个耗尽区就像是一道“墙”，把电流挡在了外面。
电压越负，这道墙就越厚，电流就被隔得越远。
这个耗尽区是如何形成的呢？那是因为负电压使得电子被吸走，形成了一个没有电子的“空洞”，从而阻止了电流的通过。
3. 应用与实际意义3.1 实际应用场景那么，n沟道耗尽型MOS管在实际生活中有啥用呢？其实，它们用得非常广泛。
n沟道mos管开关电路
n沟道mos管开关电路一、引言沟道MOS管是一种常见的半导体器件，它的主要特点是具有高输入阻抗和低输出阻抗。
因此，沟道MOS管被广泛应用于模拟电路、数字电路和功率电子领域。
其中，沟道MOS管开关电路是最常见的应用之一。
本文将从以下几个方面介绍沟道MOS管开关电路。
二、沟道MOS管基础知识1. 沟道MOS管结构沟道MOS管由源极、漏极和栅极三个区域组成。
其中，源极和漏极之间形成一个P型或N型的半导体区域，称为“沟道”。
栅极覆盖在沟道上方，并与沟道之间形成一个氧化层隔离。
2. 沟道MOS管工作原理当栅极施加正向电压时，会在栅氧化层下形成一个反向偏置区域，从而使得沟道中的载流子数目减少，导致漏极和源极之间的电阻增大。
当栅极施加负向电压时，则会在栅氧化层下形成一个正向偏置区域，从而使得沟道中的载流子数目增多，导致漏极和源极之间的电阻减小。
三、沟道MOS管开关电路1. 单管驱动电路单管驱动电路是最简单的沟道MOS管开关电路。
它由一个NPN晶体管和一个沟道MOS管组成。
当NPN晶体管导通时，会使得沟道MOS管栅极施加正向电压，从而使得沟道MOS管导通；当NPN晶体管截止时，则会使得沟道MOS管栅极施加负向电压，从而使得沟道MOS管截止。
该电路适用于小功率应用。
2. 双向驱动电路双向驱动电路是一种常见的沟道MOS管开关电路。
它由两个NPN晶体管和一个沟道MOS管组成。
其中，一个NPN晶体管控制沟道MOS管的导通，另一个NPN晶体管控制沟道MOS管的截止。
该电路适用于大功率应用。
3. 集成驱动器集成驱动器是一种高度集成化的驱动器，它可以同时控制多个沟道MOS管。
该驱动器具有高速、高效、稳定的特点。
它适用于大功率应用和高频应用。
四、沟道MOS管开关电路的应用1. 电源开关沟道MOS管开关电路可以作为电源开关，用于控制电流的通断。
它可以有效地保护电路中的负载，延长负载的使用寿命。
2. LED驱动器沟道MOS管开关电路可以作为LED驱动器，用于控制LED灯的亮度。
N沟道和P沟道MOS管工作原理
N沟道和P沟道MOS管工作原理MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常用的半导体器件，由金属-氧化物-半导体结构组成。
其中，N沟道MOS管和P沟道MOS管是两种常用的MOS管类型。
它们的工作原理略有不同，下面将详细介绍。
一、N沟道MOS管（N-Channel MOSFET）工作原理：N沟道MOS管的基本结构由N型衬底、P型衬底上的N型沟道、P型栅极和绝缘层（通常为氧化硅SiO2）组成。
当沟道中间层没有加电压时，P型沟道区域导电能力强于N型衬底区域，因此MOS管处于截止状态。
当P型栅极施加正向电压时，沟道区域下方的内电场将使P型区域带有正电荷，形成沟道通过，MOS管进入导通状态。
这种情况下，栅极-源极之间的电压被称为V_DS，栅极-沟道之间的电压被称为V_GS。
N沟道MOS管的工作原理是基于场效应。
当栅极-沟道电压(V_GS)增大时，场效应电压将增大，导致沟道区域的电荷密度增加，电流也会随之增加。
当V_GS增大到一定值时，沟道的电阻下降到很小，电流将接近饱和状态。
因此，N沟道MOS管可以被视为可以控制电流的开关。
二、P沟道MOS管（P-Channel MOSFET）工作原理：P沟道MOS管的基本结构与N沟道MOS管类似，但其沟道区域是P型半导体，而栅极是N型半导体。
与N沟道MOS管相比，P沟道MOS管的工作原理相反。
当P沟道MOS管的栅极电压为零时，由于N型沟道和P型衬底之间的PN结的反向偏置，形成一个截止区。
当P型栅极施加负向电压时，沟道区域的电荷会被压缩，在栅极电压达到一定值时，PN结会被反向击穿，沟道将打开，P沟道MOS管进入导通状态。
与N沟道MOS管类似，P沟道MOS管也是基于场效应工作的。
当栅极-沟道电压(V_GS)减小时，沟道中的电荷密度减小，导致电流减小。
当V_GS减小到一定值时，沟道关闭，电流为零。
因此，P沟道MOS管可以被视为可以控制电流的开关。
n沟道mos管工作原理
n沟道mos管工作原理
N沟道MOS管是一种在半导体电子学中被广泛应用的晶体管，其工作原理主要是通过它的栅极，源极和体系来控制电流。
其中，极可以被看作“开关”，用来控制通过管芯的电流。
N沟道MOS管由一种叫做氧化铝的绝缘材料组成，它以这种材料作为晶格，构成了一个由N、P型晶体管组成的三极器件。
在其中，MOS管的栅极具有正负两极的能力，可以用来控制电流的流动。
在晶体管的正常工作状态下，N沟道MOS管的栅极处于高斯相对安全电压。
而当此电压被稳定的外部电压所更改时，栅极的电荷状态就会发生变化，此时晶体管就可以被激活，从而使晶体管的栅极能够改变管芯中的电荷状态，从而控制电流的通过。
N沟道MOS管还具有另外两个重要的优势：高效率和低噪声。
由于其工作状态下，栅极对源极和体系的电压的控制更加可靠，从而能够达到更高的效率。
而且由于晶体管中的电荷状态只有高、低两种，其简单的操作特性也有助于降低发射出来的噪声，从而提高信号的纯度。
此外，N沟道MOS管还具有较强的耐电压和耐电流特性，其可以适应较高的电压和电流范围，并能够抗冲击扰动，从而使得它在高频电路中被越来越多地应用。
因此，N沟道MOS管可以被广泛应用于各种电子设备，如处理器、存储器、显示器和电源供应器等，它是电子产品中最为重要的部件之一。
总之，N沟道MOS管是半导体电子学中一种具有广泛应用的器件，其工作原理主要是通过它的栅极、源极和体系来控制电流的通过，从而实现对电路的控制。
N沟道MOS管具有较高的效率和低噪声特性，可以为各种电子产品提供高效率、稳定、安全的操作保障。
N沟道P沟道MOS管基本原理与应用案例
N沟道P沟道MOS管基本原理与应用案例
1.N沟道、P沟道MOS管的基本原理
在MOS管中，根据材料性质的不同，可以分为两种类型：N沟道MOS 管和P沟道MOS管。
N沟道MOS管的基本原理如下：
-MOS管的材料中，P型多晶硅为基底，上面覆盖着一个绝缘层（通常为二氧化硅）和一个金属层（通常为铝）。
-绝缘层上形成一个P型沟道，当沟道中下加上适当的负电压时，形成了一个导电通道。
-当导通通道存在时，MOS管的漏-源之间可以通过电流流动。
P沟道MOS管的基本原理如下：
-P沟道MOS管的基底是N型硅，绝缘层和金属层的结构与N沟道MOS 管相似。
-绝缘层上形成一个N型沟道，当沟道中下加上适当的正电压时，形成了一个导电通道。
-当导通通道存在时，MOS管的漏-源之间可以通过电流流动。
2.N沟道、P沟道MOS管的应用案例
（1）CMOS逻辑电路
CMOS逻辑电路有以下几个优势：
-低功耗：CMOS逻辑电路在工作时只消耗非常少的电流，功耗很低。
-高集成度：CMOS逻辑电路可以实现非常高的集成度，因为它们的工作电压和功耗都很低。
-高速度：CMOS逻辑电路的切换速度非常快，适用于高速数字系统。
（2）模拟电路中的放大器
例如，N沟道MOS管可以用作电压放大器，当输入电压施加在栅极上时，输出电压可以由漏-源间的电流决定。
（3）可编程逻辑器件
在这些器件中，MOS管的导通和截止状态可以被程序控制，通过适当的电路连接，可以实现不同的逻辑功能。
总之，N沟道、P沟道MOS管是一种重要的电子器件，具有广泛的应用。
在数字电路、模拟电路和可编程逻辑器件中都可以找到它们的身影。
N沟道和P沟道MOS管工作原理
MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。
我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
1.导通特性NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
2.MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。
这两种办法都可以减小开关损失。
3.MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。
这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。
对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。