TOP工艺封装制程
SMDTOP生产流程
邊緣破裂
雙胞
Pad污染,缺角
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SMDTOP生产流程
东晟和电子工具有限公司
DB15S –固晶視覺定位及檢測系統
固晶定位及檢測糸統
圖像教導及特徵修飾，提高判別率及定 位精度 固晶位置設定以方形Chip大小及圓形顯 示，提 高人員設定精度 多圖像辨識(100種max.) 固晶後檢測修正功能，免除人員調整困 擾(固晶後會做視覺判斷修正位置) 簡易的十字標設定,修正點膠固晶位置偏 差
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SMDTOP生产流程
东晟和电子工具有限公司
DB15S – 芯片工作台
芯片工作台
6英吋芯片環 低角度光源 粗化晶粒可辨識 可隨不同粗 化程度調整光源角度及高度 芯片歪斜(±15 ˚max)自動轉正,修正後< 3 ˚
防止雙電極晶片偏轉過度帶來 焊線良品率的影響
無須工具可更換頂針，方便且快速
基本特點 l 固晶週期: 270ms l 每小時產能 (UPH) – 參考數值
l Lamp: >11K l SMD: >11K (0603) l 食人魚: >8.5K l 精度: XY 1.3mil ( 33um)
θ 3 l 可處理芯片尺寸
l 8 x8mil to 40 x 40mil (標準) l 可根據客戶芯片尺寸大小作調整 l 芯環尺寸: 6” (取晶範圍: 4.7”) l 料盒 (治具) l 10” x 5.5” 料盒 l 不同的材料選用不同的料盒
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东晟和电子工具有限公司
MUSASHI-FAD2300全自动点胶设备
BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程（英文名词解释）
BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程1、Active parts(Devices) 主动零件指半导体类之各种主动性集成电路器或晶体管，相对另有 Passive﹣Parts 被动零件，如电阻器、电容器等。
2、Array 排列，数组系指通孔的孔位，或表面黏装的焊垫，以方格交点式着落在板面上(即矩阵式)的数组情形。
常见"针脚格点式排列"的插装零件称为 PGA(Pin Grid Arr ay)，另一种"球脚格点矩阵式排列"的贴装零件，则称为 BGA(Ball Grid Ar ray)。
3、ASIC 特定用途的集成电路器Application-Specific Integrated Circuit，如电视、音响、录放机、摄影机等各种专用型订做的 IC 即是。
4、Axial-lead 轴心引脚指传统圆柱式电阻器或电容器，均自两端中心有接脚引出，用以插装在板子通孔中，以完成其整体功能。
5、Ball Grid Array 球脚数组(封装)是一种大型组件的引脚封装方式，与 QFP的四面引脚相似，都是利用SMT 锡膏焊接与电路板相连。
其不同处是罗列在四周的"一度空间"单排式引脚，如鸥翼形伸脚、平伸脚、或缩回腹底的J型脚等；改变成腹底全面数组或局部数组，采行二度空间面积性的焊锡球脚分布，做为芯片封装体对电路板的焊接互连工具。
BGA是 1986年Motorola公司所开发的封装法，先期是以 B T有机板材制做成双面载板(Substrate)，代替传统的金属脚架(Lead Fram e)对 IC进行封装。
BGA最大的好处是脚距 (Lead Pitch)比起 QFP要宽松很多，目前许多QFP的脚距已紧缩到 12.5mil 甚至 9.8mil 之密距 (如 P5笔记型计算机所用 Daughter Card 上 320 脚 CPU 的焊垫即是，其裸铜垫面上的焊料现采 Super Solder法施工)，使得PCB的制做与下游组装都非常困难。
封装的工艺流程
封装的工艺流程封装的工艺流程封装是电子元器件生产中非常重要的一环，它将制造好的集成电路芯片封装在外部保护壳中，以保证电路的正常运行和使用。
下面将介绍一种常用的封装工艺流程。
首先，封装工艺流程的第一步是准备工作。
准备工作包括准备所需的封装材料，如塑料壳体、封装芯片、导线等，并清洗这些材料以确保其表面清洁。
此外，还需要准备要使用的封装设备和工具。
第二步是芯片的固定。
在封装过程中，芯片需要被固定在封装壳体中。
这可以通过使用胶水或焊锡来完成。
胶水是刷在封装壳体的内部的，将芯片粘贴在指定的位置上。
而焊锡则是通过加热来使其融化，并将芯片焊接在壳体上。
第三步是连接导线。
封装工艺中的一个重要步骤是将芯片与其他电子器件连接起来。
这可以通过焊接、印刷、接插等多种方式来实现。
焊接是最常用的方式之一，它通过将导线与芯片的引脚连接，并加热使其焊接在一起。
而印刷是将导线印制在芯片表面和封装壳体内部，通过印刷设备将导线印制在指定的位置上。
接插则是将导线插入到芯片的插槽中，通过插座与芯片连接起来。
第四步是封装壳体的密封。
为了确保芯片的安全性和耐用性，封装壳体需要进行密封处理。
这可以通过使用胶水或密封胶来完成。
胶水是将封装壳体的两个半壳粘合在一起，以达到密封的目的。
而密封胶是将其涂抹在封装壳体的连接处，使其更加牢固和密封。
第五步是整体的检验和测试。
在封装工艺完成后，需要对封装好的器件进行检查和测试，以确保其质量和性能。
这可以通过视觉检查、电气测试和功能测试等方式来完成。
视觉检查可以通过直观地观察封装壳体、连接线和芯片等部分的外观，以检查是否有缺陷或损坏。
电气测试是通过测试仪器对封装好的芯片进行电气性能测试，以确保其符合规定的电参数要求。
功能测试是对封装好的芯片进行功能性能测试，以确保其正常运行和使用。
最后，是封装工艺流程的完工和包装。
当封装工艺流程完成后，封装好的器件需要经过最后的包装处理。
这可以通过将器件放入包装盒或包装袋中，然后进行标签贴附、封口等操作来完成。
top-con工艺路线详解
top-con工艺路线详解
Top-con工艺路线是一种用于生产半导体设备的工艺路线。
它
是由Top-con公司开发的，被广泛应用于电子产品制造领域。
Top-con工艺路线的主要步骤如下：
1. 制备晶圆：首先，使用晶体生长技术，将高纯度的硅材料熔化并冷却，形成硅晶圆。
然后，通过机械和化学处理，将硅晶圆的表面平整并去除污染物。
2. 晶圆清洁：将硅晶圆放入清洗台中，使用多个步骤进行清洁，以去除表面的杂质和污染。
3. 杂质控制：在晶圆表面涂覆一层控制杂质的薄膜，以确保后续步骤中的杂质浓度符合要求。
4. 光刻：在晶圆表面涂覆光刻胶，并使用光刻机将图案投影到光刻胶上。
然后，通过暴露、显影和清洗等步骤，将图案转移到晶圆上。
5. 制备电路结构：在晶圆表面通过物理或化学方法建立电流、电荷和导体等电路结构。
6. 金属沉积：使用化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）技术，在晶圆表面沉积金属层。
这些金属层通常用
于电路的连接和接触。
7. 线路定义：使用刻蚀或化学机械抛光等方法，将不需要的金属层和杂质去除，从而定义出电路的线路。
8. 封装和测试：将晶圆切割成单个芯片，并进行封装以保护芯片。
然后，进行电性能测试和可行性测试，确保芯片的质量和功能符合要求。
总结来说，Top-con工艺路线主要包括晶圆制备、光刻、杂质控制、电路结构、金属沉积、线路定义、封装和测试等步骤。
每个步骤都有相应的工艺设备和技术要求，以确保生产出高质量的半导体设备。
TOP封装制程讲解及注意事项
AT：VR / IR：9.9V/<1μA ( HPO晶片25V/<1μA )
烘烤： 120± 5℃/12H+5min ( 除濕 )
Taping： VR / IR：8V/<1μA(TOP Lens機種9.9V/<3μA )
烘烤： 75± 5℃/24H+5min ( 除濕 )
打標簽 & 包裝：LXF & EOI出貨標簽Logo不同
TOP 產品封裝流程
固晶(AM)
焊線(AB)
封膠(AE)
測試(AT)
TOP 產品固晶 ( AM )
物 料 准 備： 支架、晶片、銀/白膠 支 架 烘 烤： 支 架 清 洗： 空支架焊線： 只針對紅黃產品 固 晶： 固晶OK的半成品必須在2H內進烤
150± 5℃/120+5min ( 除濕 )
烘
烤：
膠量注意事項： 用樹脂膠水HL2002，點 TOP Lens 支架時，點膠 膠量稍凸出反射蓋平面
點TOP材料時，不管用 什么膠水，點膠量均與 反射蓋平面平齊
TOP 產品測試 ( AT )
待剝離半成品： 已封膠OK的半成品 剝 離：材料搬運時，必須每兩片一組，工作面對工作面合在 一起
擺，防止膠體表面刮傷
TOP 產品焊線 ( AB )
待焊線半成品： 已固晶 OK 的半成品
電 漿 清 洗：
焊
線： 待焊線半成品存放在幹燥箱內24H以內必須焊線
TOP 產品焊線注意事項
焊線注意事項：
魚尾寬度≧金球大小的90%
H L
A
B
1.
L、A、B規格：2.8---3.5倍線徑，首件集中3.0-3.1倍線徑；
2.
H規格：40%-50%線徑。
to52封装工艺流程
to52封装工艺流程
To52封装工艺流程
1. 晶圆制备
- 晶圆生长
- 光刻
- 离子注入
- 氧化和驱扩步骤
- 金属化
- 钝化层沉积
2. 芯片划片
- 用锯片将晶圆划分成独立的芯片
3. 芯片装配
- 芯片键合:将划分好的芯片焊接到引线框架或基板上 - 键合焊线:将芯片与引线框架的引线连接起来
4. 封装成型
- 转移模具
- 注胶模封
- 固化
- 去模具
5. 引线成型
- 将引线框架的引线进行适当的弯曲和固定
6. 划片
- 将封装好的芯片从引线框架上划下来
7. 标识和检测
- 在芯片表面印上标识
- 进行电性能测试和可靠性检验
8. 分选和包装
- 根据测试结果对芯片进行分级
- 将合格的芯片包装好,准备出货
以上是To52封装工艺的一般流程,涵盖了从晶圆制备到最终芯片包装出货的全过程。
不同的厂家和产品可能会有细微差别。
先进封装的工艺流程
先进封装工艺流程涉及到多个复杂环节，以下是一个大致的概述：
1. 芯片设计：这是所有流程的起点。
设计师们使用计算机辅助设计（CAD）工具进行芯片设计。
设计过程中要考虑芯片的复杂性、功能、功耗以及可靠性。
2. 晶圆制备：在这个阶段，使用高纯度的硅材料制备晶圆。
这些晶圆将被用于制造芯片。
3. 薄膜沉积：在这个步骤中，通过物理或化学方法在晶圆上沉积薄膜。
这层薄膜将成为芯片的关键部分，用于实现各种电子功能。
4. 光刻：使用光刻技术在晶圆上刻画出精细的电路图案。
光刻胶被涂抹在晶圆上，然后通过紫外线照射进行图案刻画。
5. 刻蚀：在光刻步骤之后，使用化学或物理方法去除不需要的材料，以形成电路图案。
6. 离子注入：在这个阶段，使用离子注入机将特定元素注入到晶圆中，以改变其导电性能。
7. 热处理：通过加热来改变晶圆的物理和化学性质，以优化其电子性能。
8. 封装测试：这是先进封装工艺的最后阶段。
在这个阶段，将芯片封装在一个保护性的外壳中，以确保其能在恶劣的环境中正常工作。
同时，对每一个芯片进行测试，以确保其性能符合规格。
9. 成品测试和验证：在所有封装和测试流程完成后，进行最后的成品测试和验证，以确保所有的芯片都能满足设计和性能要求。
10. 发货：经过所有测试和验证后，芯片就可以发货给客户了。
以上就是先进封装工艺的大致流程。
需要注意的是，这个流程可能会根据不同的芯片设计和制造要求有所变化。
同时，每个步骤都可能涉及到复杂的工艺和技术，需要专业的设备和技能才能完成。
液晶面板制作工艺
一．工艺流程简述：前段工位：ITO 玻璃的投入（grading）——玻璃清洗与干燥（CLEANING）——涂光刻胶（PR COA T）——前烘烤（PREBREAK）——曝光（DEVELOP）显影（MAIN CURE）——蚀刻（ETCHING）——去膜（STRIP CLEAN）——图检（INSP）——清洗干燥（CLEAN）——TOP 涂布（TOP COAT）——UV 烘烤（UV CURE）——固化（MAIN CURE）——清洗（CLEAN）——涂取向剂（PI PRINT）——固化（MAIN CURE）——清洗（CLEAN）——丝网印刷（SEAL/SHORT PRINTING）——烘烤（CUPING FURNACE）——喷衬垫料（SPACER SPRAY）——对位压合（ASSEMBLY）——固化（SEAL MAIN CURING）1．ITO 图形的蚀刻：（ITO 玻璃的投入到图检完成）A．ITO 玻璃的投入：根据产品的要求，选择合适的ITO 玻璃装入传递篮具中，要求ITO 玻璃的规格型号符合产品要求，切记ITO 层面一定要向上插入篮具中。
B．玻璃的清洗与干燥：将用清洗剂以及去离子水（DI 水）等洗净ITO 玻璃，并用物理或者化学的方法将ITO 表面的杂质和油污洗净，然后把水除去并干燥，保证下道工艺的加工质量。
C．涂光刻胶：在ITO 玻璃的导电层面上均匀涂上一层光刻胶，涂过光刻胶的玻璃要在一定的温度下作预处理：（如下图）D．前烘：在一定的温度下将涂有光刻胶的玻璃烘烤一段时间，以使光刻胶中的溶剂挥发，增加与玻璃表面的粘附性。
E．曝光：用紫外光（UV）通过预先制作好的电极图形掩模版照射光刻胶表面，使被照光刻胶层发生反应，在涂有光刻胶的玻璃上覆盖光刻掩模版在紫外灯下对光刻胶进行选择性曝光：（如图所示）F．显影：用显影液处理玻璃表面，将经过光照分解的光刻胶层除去，保留未曝光部分的光刻胶层，用化学方法使受UV 光照射部分的光刻胶溶于显影液中，显影后的玻璃要经过一定的温度的坚膜处理G．坚膜：将玻璃再经过一次高温处理，使光刻胶更加坚固。