电力二极管结构
二极管桥式整流电路的基本结构及原理
二极管桥式整流电路的基本结构及原理引言在现代电子技术中，电力的转换和控制是不可或缺的。
而整流电路作为一种常见的电力转换电路，在各种电子设备中都有广泛的应用。
本文将介绍一种常见的整流电路，即二极管桥式整流电路，包括其基本结构和工作原理。
1.桥式整流电路的结构桥式整流电路主要由四个二极管和一个负载组成，其基本结构如下图所示：+---->Lo ad|A C In pu t+------>Di o de D1|+---->Di od eD2|+---->Di od eD3|+---->Di od eD4其中，A CI np ut代表交流输入电源，Lo a d代表电路的负载，D1至D4代表四个二极管。
2.桥式整流电路的工作原理桥式整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电转换为直流电的电路。
其工作原理如下：1.当输入交流电的正半周期时，二极管D1和D3导通，D2和D4截断。
电流从D1→Lo ad→D3流过负载，负载得到电流供应。
2.当输入交流电的负半周期时，二极管D2和D4导通，D1和D3截断。
电流从D2→Lo ad→D4流过负载，负载得到电流供应。
通过交流电的正负半周期交替导通，负载得到连续的直流电。
从而实现了交流电到直流电的转换。
3.桥式整流电路的优点桥式整流电路相比其他整流电路具有如下优点：-它可以实现单相或三相交流电的整流，适用范围广泛。
-桥式整流电路稳定性好，整流效率高。
-负载与电源之间的电压降低，减少了功率损耗。
-结构简单、成本低、可靠性高。
-对于功率较大的应用，可以通过并联多个二极管桥来提高整流能力，扩大使用范围。
4.总结二极管桥式整流电路是一种常见且重要的电力转换电路。
通过其独特的结构和工作原理，可以将交流电转换为直流电，为各种电子设备的正常运行提供可靠的电源。
其稳定性好、效率高以及成本低的特点，使得桥式整流电路在各个领域得到广泛应用。
希望本文能帮助读者对二极管桥式整流电路有更深入的理解，并在实践中得到应用。
平板型电力二极管
平板型电力二极管是一种大功率电子元件，主要用于高压、高电流、高频和高温环境下的电路中。
它具有以下特点：
1. 结构简单：平板型电力二极管由PN结、金属接线和硅片组成，结构简单，易于制造和组装。
2. 承受高压电流：平板型电力二极管能够承受较高的电压和电流，可用于高压、高功率的电路中。
3. 高速开关：平板型电力二极管具有快速开关功能，能够在高频环境下工作，适用于高速开关电路中。
4. 耐高温性能好：平板型电力二极管采用硅材料制造，具有良好的耐高温性能，适用于高温环境下的电路中。
5. 低漏电流：平板型电力二极管的PN结具有良好的隔离性能，漏电流较小，能够保证电路的稳定性和可靠性。
6. 大功率操作：平板型电力二极管具有较高的功率操作能力，能够承受较大的电流和功率，可用于大功率电路中。
总的来说，平板型电力二极管具有高性能、高可靠性、高效率等优点，
广泛应用于电力电子、高压直流输电、风能、太阳能、电动汽车、高速列车、医疗设备等领域。
二极管电路工作原理
二极管电路工作原理二极管是一种半导体器件，也是电子电路中最简单、最基础的元件之一。
它具有单向导电性，可以将电流只沿一个方向导通。
二极管广泛应用于电子设备中，如电源、收音机、电视等，起到整流、检波、稳压等重要作用。
本文将从二极管的结构、工作原理和应用等方面进行阐述。
一、二极管的结构二极管由P型半导体和N型半导体组成。
其中，P型半导体又称为阳极（Anode），N型半导体又称为阴极（Cathode）。
两者通过PN结相接，并形成一个耗尽区（Depletion Region）。
在二极管的阳极和阴极两侧分别连接金属引线，用以连接其他电路。
二、二极管的工作原理二极管的工作基于PN结的特性。
当二极管的阳极连接正向电压（即阳极电压高于阴极电压），这时P型半导体的空穴和N型半导体的电子会在耗尽区重新结合，导致电流通过。
这种状态下，二极管处于导通状态，称为正向偏置。
而当二极管的阳极连接反向电压（即阳极电压低于阴极电压），耗尽区将会变宽，电流无法通过。
这种状态下，二极管处于截止状态，称为反向偏置。
三、二极管的特性曲线为了更好地了解二极管的工作原理，我们可以通过绘制二极管的特性曲线来观察其电流与电压之间的关系。
特性曲线通常分为正向特性曲线和反向特性曲线两部分。
正向特性曲线表示正向偏置时二极管的电流与电压之间的关系，而反向特性曲线表示反向偏置时二极管的电流与电压之间的关系。
从特性曲线中，我们可以得出二极管的导通电压（正向压降）和反向击穿电压等重要参数。
四、二极管的应用1.整流器：利用二极管的单向导电性质，将交流电转换为直流电。
具体而言，使用二极管进行整流时，将交流电输入二极管，通过正向偏置的状态使得电流只流向一个方向，从而达到将交流电转换为直流电的目的。
2.稳压器：二极管具有固定的正向压降特性，因此可以用作稳压器的关键元件。
在稳压电路中，二极管与电阻和负载一起构成稳压回路，通过将多余的电压压降在电阻上，从而保持负载电压稳定不变。
二极管的结构与工作原理
二极管的结构与工作原理一、引言二极管是电子学中最基本的元件之一，广泛应用于电源、信号处理、通信等领域。
本文将详细介绍二极管的结构与工作原理。
二、二极管的结构1. 二极管的组成二极管由P型半导体和N型半导体组成，其中P型半导体和N型半导体分别被称为“P区”和“N区”，两者之间形成PN结。
2. PN结的形成PN结是指在P型半导体和N型半导体相接触时，由于材料内部掺杂不同而形成的界面。
在PN结附近，由于P区和N区内部掺杂不同，使得P区中存在大量空穴（正电荷载流子），而N区中存在大量自由电子（负电荷载流子）。
当两者相遇时，空穴和自由电子会发生复合反应，并释放出能量。
这种反应会产生一个电势垒，阻止空穴和自由电子继续向对方扩散。
3. 二极管的封装为了保护PN结并便于使用，二极管通常被封装在金属外壳内。
外壳可以起到保护作用，同时也可以使二极管与其他元件连接。
三、二极管的工作原理1. 正向偏置当二极管的正端连接到正电压源，负端连接到负电压源时，PN结会被加上一个外部电势，使得PN结的空穴和自由电子被推向相反的方向。
这种情况下，空穴和自由电子会克服电势垒而扩散到对方区域，形成电流。
此时二极管处于正向偏置状态。
2. 反向偏置当二极管的正端连接到负电压源，负端连接到正电压源时，PN结会被加上一个外部电势，使得PN结中的空穴和自由电子被更加分离。
此时只有一小部分载流子能够通过PN结，并且这种情况下只有很小的漏电流存在。
此时二极管处于反向偏置状态。
3. 反向击穿当反向偏置达到一定程度时（称为“反向击穿电压”），PN结中的空穴和自由电子被强烈地推向对方区域，并且载流子数量大幅增加。
这种情况下，漏电流急剧增加，并且二极管会被烧毁。
因此，反向偏置状态下需要注意控制电压。
四、二极管的应用1. 整流器二极管可以作为一个整流器，将交流电转换为直流电。
当交流电通过二极管时，只有正半周或负半周能够通过，因此输出为单向的直流电。
2. 信号检波器二极管可以用作信号检波器，将一个模拟信号转换为数字信号。
二极管中点钳位型三电平结构
二极管中点钳位型三电平结构二极管中点钳位型三电平结构在电力电子领域，二极管中点钳位型三电平结构是一种重要的电路拓扑结构。
它在工业领域得到广泛应用，尤其在高功率电力转换器中起着至关重要的作用。
本文将从简单到复杂、由浅入深地介绍二极管中点钳位型三电平结构的原理、特点以及应用。
1. 什么是二极管中点钳位型三电平结构二极管中点钳位型三电平结构是一种特殊的多电平电压输出结构，可以通过控制开关管的导通与断开来实现不同电压级别的输出。
它由两个独立的能力相等、反向导通型的开关二极管组成，中点与系统的负极相连并接地。
这样设计的优势在于可以实现更低的开关损耗和更高的功率传递效率，同时减小对传感器和驱动电路的要求。
2. 二极管中点钳位型三电平结构的工作原理二极管中点钳位型三电平结构的工作原理基于电压的分段输出。
当两个开关管同时导通时，电压输出至最高级别；当两个开关管均断开时，电压输出至最低级别；而当一个开关导通、另一个开关断开时，电压在两级之间变化。
借助这种电压级别的变化，可以实现电力转换器的输出电压的调节和控制。
3. 二极管中点钳位型三电平结构的特点和优势二极管中点钳位型三电平结构具有以下特点和优势：- 较低的开关损耗：由于中点钳位结构，二极管承担了大部分的负载电压，从而减小了开关管的负载电压并降低了开关损耗。
- 高效率：通过减小电流进行分段输出，可以有效降低功率损耗，从而提高转换效率。
- 减小谐波失真：采用三电平结构可以减小谐波含量，提高转换器质量。
- 稳定性强：由于三电平结构可以提供更平滑的输出电压，因此转换器的稳定性较高。
- 适应性强：二极管中点钳位型三电平结构可以适应不同功率级别的电力转换器，并且具有较强的抗干扰能力。
4. 二极管中点钳位型三电平结构的应用二极管中点钳位型三电平结构广泛应用于各类电力电子设备，特别是高功率电力转换器中的应用。
它可以用于电力传输系统、电力变换设备以及直流输电系统等。
在交流/直流或者直流/交流的转换中也有着重要的应用价值。
二极管结构及工作原理
二极管结构及工作原理二极管，听起来是不是有点高深？二极管就像电子世界里的“小门卫”。
它的工作原理很简单，简直就像我们家门口的小猫，只允许好朋友进来，不欢迎那些不速之客。
想象一下，一个小小的器件，形状就像一个小圆筒，里面有两个不同的区域，一个叫做P 区，另一个叫做N区。
P区就像是甜甜的果子，满是“孔洞”，而N区则是电流的“大海”，里面充满了自由电子。
这两者一结合，就形成了一个“PN结”，就像两种不同性格的小伙伴，互相吸引又互不干扰。
说到二极管的工作，它可真有意思。
电流从P区流向N区就像是去了一场派对，大家欢聚一堂，气氛热烈。
而如果电流试图反向流动，那可就麻烦了，像个不速之客硬闯进了派对，立刻就被拒之门外。
就这样，二极管就起到了单向导电的作用，真是聪明得不得了。
你可以把它想象成电子世界的“超级英雄”，在电路中维护秩序，让电流有序流动。
再来说说它的应用，二极管真的是个多面手。
比如，在整流电路里，它就像是个过滤器，把交流电转变成直流电。
就好比把一碗杂七杂八的水果，筛选出你最爱的那几种，剩下的统统被扔掉。
这样一来，我们的电子设备就能用上稳定的直流电，真是神奇！再比如，二极管在信号调制中也大显身手，把高频信号转变成我们能听懂的低频信号，仿佛是把一段外语翻译成母语，让人听得津津有味。
不过，二极管也有脾气，它需要合适的工作条件，电压过高就像给猫喝咖啡，肯定受不了，可能会“挂掉”。
在实际应用中，选择合适的二极管就像挑选朋友一样，不能随便。
如果选错了，后果可就不堪设想了。
市场上有很多种类的二极管，比如整流二极管、稳压二极管、发光二极管等等。
每种都有自己的特长，像一支多才多艺的乐队，各自演奏着动听的乐章。
二极管的结构也挺简单，外面一般都有一个保护壳，里面的PN结被精心包裹着，就像是“护身符”。
有的二极管还带有标记，像是个小小的身份证，让你一眼就能认出它的身份。
这样的设计让二极管在电路中既安全又可靠，真是“十全十美”。
二极管的结构及符号
二极管的结构及符号二极管是一种常用的电子元件，它主要由PN结（P-N Junction）组成。
PN结是由两种不同半导体材料结合在一起形成的，一种材料中电子丰富，称为P型半导体，另一种材料中空穴丰富，称为N型半导体。
二极管的结构可以分为三部分：阳极（Anode）、阴极（Cathode）和PN结。
阳极通常是连接电源的正极，阴极是连接电源的负极。
PN结位于二极管的中心，是二极管的主要部分。
二极管的符号通常是一个横线上面有一个箭头，箭头的一端是阳极，另一端是阴极。
这个符号表示二极管的方向性，只有电流从一个方向流过二极管时，二极管才会导通。
二极管有两种工作状态：截止（Off）和导通（On）。
当二极管反向偏置时，二极管处于截止状态，不允许电流流过。
当二极管正向偏置时，二极管处于导通状态，允许电流流过。
二极管在许多电子设备中都有应用，以下是一些常见的应用：1. 整流：在交流电中，二极管可以用于将交流电转换为直流电。
这是二极管的最基本应用。
2. 开关：二极管可以作为一个电子开关，当反向电压加到时，二极管导通，电流可以流通；当正向电压加到时，二极管截止，电流不能流通。
3. 信号放大：在电子电路中，二极管可以用于放大微小的电信号。
4. 限幅：在电源中，二极管可以用于限幅，防止电源电压超过额定值。
5. 稳压：在稳压电源中，二极管可以用于稳定输出电压。
6. 变频：在无线电设备中，二极管可以用于变频。
7. 极性保护：在电子设备中，二极管可以用于检测电极性，防止设备因电极性错误而损坏。
以上只是一部分应用，实际上，二极管的应用非常广泛，几乎涵盖了所有电子设备。
功率二极管结构和工作原理
功率二极管结构和工作原理在本征半导体中掺入P型和N型杂质，其交界处就形成了PN结，在PN结的两端引出两个电极，并在外面装上管壳，就成为半导体二极管。
如果一杂质半导体和金属形成整流接触，并在两端引出两个电极，则成为肖特基二极管。
二极管的结构和工作原理：PN结的形成及二极管的单向导电性描述如下：如下图1所示，对于一块纯净的半导体，如果它的一侧是P区，另一侧为N区，则在P区和N区之间形成一交界面。
N区的多子（电子）向P区运动，P区的多子（空穴）向N区运动，这种由于浓度差异而引起的运动称为“扩散运动”。
扩散到P区的电子不断地与空穴复合，同时P区的空穴向N区扩散，并与N区中的电子复合。
交界面两侧多子复合的结果就出现了由不能移动的带电离子组成的“空间电荷区”。
N区一侧出现正离子区，P区一侧出现负离子区，正负离子在交界面两侧形成一个内电场。
这个内电场对多子的扩散运动起阻碍作用的同时，又有利于N区的少子（空穴）进入P区，P区的少子（电子）进入N区，这种在内电场作用下少子的运动称为“漂移运动”。
扩散运动有助于内电场的加强，内电场的加强将阻碍多子的扩散，而有助于少子的漂移，少子漂移运动的加强又将削弱内电场，又有助于多子的扩散，最终扩散运动和漂移运动必在一定温度下达到动态平衡。
即在单位时间内P区扩散到N区的空穴数量等于由P区漂移到N区的自由电子数量，形成彼此大小相等，方向相反的漂移电流和扩散电流，交界面的总电流为零。
在动态平衡时，交界面两侧缺少载流子的区域称为“耗尽层“，这就形成了PN结。
如图2所示，当PN结处于正偏，即P区接电源正端，N区接电源负端时，外加电场与PN 结内电场方向相反，内电场被削弱，耗尽层变宽，打破了PN结的平衡状态，使扩散占优势。
多子形成的扩散电流通过回路形成很大的正向电流，此时PN结呈现的正向电阻很小，称为“正向导逋”。
当PN结上流过的正向电流较小时，二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻，其阻值较高且为常量，因而管压降随正向电流的上升而增加；当PN结上流过的正向电流较大时，注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，使得其电阻率明显下降，也就是电导率大大增加，这就是电导调制效应。
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1.1.3 晶闸管特性
1）晶闸管的伏安特性
Ø特性在I、III象限 ØIG=0A时，正向转折电压 Ø转折点越低，所需IG越大 Ø反向特性，击穿
I A VT
U U AK
R
Ø正向偏置时，可在断态、 通态间互相转化，且与门极 电流、阳极电压和阳极电流 有关 Ø反向偏置时，只能工作在 阻断状态，绝对不能超过击 穿电压
K
表1.2
作业
P51 1.1~1.5
1.2晶闸管器件的串并联
所要求装置的容量很大，以至单个器件难以满 足时，用器件的串并联来解决。
v电压不能满足，用串联 v电流不能满足，用并联
v1.2.1 晶闸管器件的串联运行 v1.2.2 晶闸管器件的并联运行
1.2.1 晶闸管器件的串联运行
Ø目的：当额定电压小于要求时，串联 Ø问题：理想串联希望器件分压相等，但因特 性差异，使器件电压分配不均匀：
v串联器件流过的电流相同，但因静态伏 安特性的分散性，各器件分压不等；
v承受电压高的器件首先达到转折电压而 导通，使另一个器件承担全部电压也导
IA 通，失去控制作用； v反向时，可能使其中一个器件先反向击
穿，另一个随之击穿。
原因：各器件的额定电压和漏电流决定的等效电阻 不同
晶闸管的串联及其伏安特性
2） 晶闸管的阻断工作状态
当晶闸管门极G与外电路断开时，晶闸管在它的 两个方向上均呈阻断工作状态。
晶闸管可以看成是三个二极管的串联
A
R
p
G
n j1
p j2
n j3
K
正向偏置
至少有一个为反向偏置
3）晶闸管的导通工作状态
用晶闸管的双晶体三极管模型分析。
两个复合晶体三极管： Øpnp型VT1 Ønpn型VT2
一个强烈的正反馈过程。
电流 - 时，a1、a2随之 - 。 当（a1 + a2）» 1时，两晶体三极管饱和导通， 即晶闸管由阻断 ® 导通。
导通后，由于正反馈作用，即便 无门极电流，依旧保持导通。
1.1.2 晶闸管的工作原理（小结）
Ø门极没有控制信号时，无论正偏、反偏， 均阻断。 Ø正偏时，门极信号可使其导通。一旦导 通，即使失去门极信号，仍然保持导通。 Ø反偏时，即使存在门极电流，也不能使其 导通。
Ø有效值电流与额定电流IT的关系：
ò ò I =
1 2p [i(wt)]2 dwt = 2p 0
1 2p
p 0
[
Im
sin
wt]2
dwt
=
Im 2
= p IT 2
= 1.57IT
i
i(wt)
Im
IT
p
2p wt
通态平均电流（额定电流）
Ø对于不一样的波形，其有效值应
£ 1.57IT
Ø其有效值也可定义为
K f Id
其中 ØKf为晶闸管电流有效值与负载电流平均值之比 ØId为负载电流平均值
一般，所选用元件的额定电流需要有2倍左右的储备。
例1.1
晶闸管通态平均电流IT＝100A，当 流过晶闸管的实际电流如图1.10所示 时，求允许平均电流Id的值（不考虑环 境温度与安全储备）。
i
p /2 p
图1.10
可控整流电路的一般结构
（3）通态电流临界上升率di/dt
如果刚一导通时，就通过很大的电
流，即di/dt太大，电流会集中在门
A
极附近很小的区域内，造成局部过
热。
ip
（4）断态电压临界上升率du/dt
Cj
Øpn结耗尽层相当于一个结电容
Ø如果正向电压du/dt很大，则会通
n
p
G
n
过电容对门极充电（类似于门极触
发电流的作用），使误导通。
Ø额定电压必须比使用时
的正常工作电压（峰值）
有2～3倍的储备。
-IA
1.1.3 晶闸管的主要参数
1）晶闸管阳极电压和电流参数 （1）通态平均电流IT
Ø也即额定电流 Ø在环境温度＋400C和规定的冷却条件下，元件在电 阻性负载的单相正弦半波电路中，导通角不小于 1700C，当结温稳定并不超过额定结温时所允许的最 大（通态）平均电流。
3）晶闸管的导通工作状态
正向偏置下
I A = IC1 + IC 2 + ICO = a1I A + a2 IK + ICO IK = IA + IG
a1 = IC1 / I A：VT1的共基极电流放大倍数；
a2 = IC2 / IK：VT2的共基极电流放大倍数；
I
：门极电流；
G
ICO：VT1、VT2的漏电流；
i
i (wt )
Im
IT
p
2p wt
通态平均电流（额定电流）
IT到底是什么意思？
Ø对于图示波形，晶闸管允许流过的平均电流为IT。 Ø平均电流与电流峰值的关系：
ò ò IT
=
1 2p
2p i(wt)dwt = 1
0
2p
p 0
Im
sin wtdwt
=
Im p
Ø问题：如果不是这样的波形呢？
Ø根据有效值相等的原则确定。
1.1.3 晶闸管特性
2）晶闸管的门极特性
Ø门极特性极限
1.1.3 晶闸管的主要参数
1）晶闸管阳极电压和电流参数
（1）额定电压
IA 正向 导通
Ø额定电压取UDRM（正向 重复峰值电压）和URRM （反向重复峰值电压）中
URBD URRM
较小的值（为峰值电压）
UFBO
O URSM
UDRM
UAK
UDSM
2p wt
1.1.3 晶闸管的主要参数
2）晶闸管门极参数 3）晶闸管动态参数 （1）开通时间ton 加上足够的触发信号后，晶闸管不会立即开通。 （2）关断时间toff 若在阳极电流为零后立即施加正向电压，仍可能 开通。因此，必须有一段恢复阻断能力的时间。
1.1.3 晶闸管的主要参数
3）晶闸管动态参数
螺栓型
平板型
模块型
1.1.2 晶闸管的工作原理
一种可控的单向导电开关 Ø反向始终能承受电压，具有反向阻断 特性。 Ø正向可以有两个稳定的工作状态：
u呈高阻抗的阻断工作状态（断态） u呈低阻抗的导通工作状态（通态）
下面分析为何会有上述特性。
p-n结（简单回顾）
Ø正向偏置时导通 Ø反向偏置时阻断，只有很小的漏电流
IC1、I A：VT1的集电极和发射极电流；
I C 2、I K：VT2的集电极和发射极电流。
a1、a2由晶闸管的制造工艺决定，并随I A、IK变化。
3）晶闸管的导通工作状态
IA
=
ICO + a2IG
1
-（a1
+a
）
2
当门极电流为零时
IA
=
ICO
1
-（a1
&#下，
（a1+a2）<< 1，则I A＝ICO，电路处于阻断状态。
与前面的分析结果一致。
3）晶闸管的导通工作状态
存在IG时。 IG注入 Þ IK -Þ IC2 - ； IC2 -Þ IA - 、IC1 - ； IC1 -Þ IB2 - 、IK - 。
反向偏置时，由于 晶体管VT1、VT2 反偏时的电流放大 系数很小，故而即 便有门极电流也不 导通。
小器件开通时间上的差异。
1.2.2 晶闸管器件的并联运行
Ø目的：多个器件并联来承担较大的电流。 Ø问题：SCR会分别因静态和动态特性参数的差 异而电流分配不均匀。SCR导通后的内阻极小是 并联时很难均流的根本原因。
措施： Ø串联电阻 Ø串联电感 Ø串联互感电抗器
I
I1
I2
其他一些需要说明的问题
Ø串并联数越多，可靠性越差。 Ø必须对各晶闸管同时施加强触发脉 冲，且有陡峭的前沿和足够的脉冲幅 度与宽度。 Ø先串后并
何谓“普通晶闸管”
晶闸管（thyristor）是具有可控开关特性 的半导体器件的总称。包括多类。
其中出现最早，应用最广泛的是普通晶闸 管，即可控硅，SCR（ Silicon Controlled Rectifier）
1.1.1 晶闸管结构
A
p
G
n j1 p j2
结构
n j3
电路符号
K
Ø管心由半导体材料构成p-n-p-n四层结构。 Ø三个p-n结：j1、j2、j3。 Ø三个引出端：
IA
晶闸管的串联均压电路
1. 静态均压措施
Ø选 用 参 数 和 特 性 尽 量 一 致 的 器
件；
IA
Ø采用电阻均压，Rp的阻值应比器
件阻断时的正、反向电阻小得多。
R RP VT1
2.动态均压措施
C uA
Ø选择动态参数和特性尽量一致的 器件；
R RP VT2
C
Ø用RC并联支路作动态均压；
Ø采用门极强脉冲触发可以显著减
电力二极管结构
电力二极管特性
典型应用
i2
u2
0
p
2p
wt
ud
0
p
2p
wt
1 晶闸管及其可控整流电路（AC/DC变换）
3类电力电子器件： Ø不可控器件 Ø半控型器件 Ø全控型器件
第1章 晶闸管及其可控整流电路
1.1 普通晶闸管
1.1.1 晶闸管结构 1.1.2 晶闸管的工作原理 1.1.3 晶闸管特性 1.1.4 晶闸管主要参数
l 两个功率引出端：阳极A（anode）；阴极K （cathode）
l 一个控制引出端：门极G（gate）
晶闸管的各种电路符号
A