半导体二极管分类(精)
半导体二极管(Diode)
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[解] 理想 恒压
VDD = 10 V IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA) UO = 10 0.7 = 9.3 (V) IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA)
折线 IO = (VDD-Vth)/ (R+rd) = (10-0.5 )/ (2+0.2) = 4.318 (mA)
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2.4
二极管基本电路及其分析方法
二极管是一种非线性器件，一般采用非线性电路
分析方法。主要介绍模型分析法。 2.4.1 2.4.2 二极管V-I特性的建模 模型分析法应用举例
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2.4.1 二极管V-I特性的建模
1. 理想模型(ideal model)
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2.3 半导体二极管（Diode）
二极管 ：一个PN结就是一个二极管。
半导体二极管的类型与结构
二极管的V-I特性
★二极管的参数
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2.3.1 半导体二极管的类型与结构
硅管
(1) 按使用的半导体材料不同分为
锗管 面结型(junction type) 点接触型(point contact type)
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2
限幅电路
用来让信号在预置的电平范围内，有选择地传输一部分。
例3：理想二极管电路中 vi= Vm sinωt V，求输出波形v0。
vi
Vm
VR
解： Vi> VR时，二极管导通，vo=vi。
半导体二极管(中文+英文)
半导体二极管半导体二极管是含有一个PN结的二端器件。
它是最简单的半导体器件。
P型材料一端称为正极，而N型材料一端称为负极。
二极管是只允许电流朝一个方向流动的半导体器件。
它能被用来把交流电转换成直流电。
二极管的两个引线被分为阳极和阴极。
当二极管的正极电位高于负极电位（其差值大于开启电压，对锗管近似为0.3V，对硅管近似为0.7V）时称二极管是正向偏置，这时二极管的内阻是很小的，有一个较大的电流流过二极管，流过电流的大小取决于外部电路的电阻。
当二极管的正极电压高于负极电位时称二极管反向偏置，这时二极管的内部电阻非常高，所以一个理想的二极管可以阻挡反向的电流而让正向的电流通过。
一个二极管的实际特性曲线并不是十分理想的，如图所示。
当理想二极管反向偏置时，电流不能通过，而实际二极管却有约10μA的电流通过（虽然很小，但仍不够理想）。
如果加上足够大的反向电压，PN结就会被击穿，让电流反向通过。
一般要选择二极管的反向击穿电压远大于电路中可能出现的电压，二极管才不会击穿。
齐纳二极管（稳压管）稳压管是一种特殊的二极管，在正偏的条件下，它与一般的二极管有相同的特性（可以流过一个大电流）。
但是，在反向偏置时，在外加电压低于稳压电压（UZ）时它不导通，在外加电压等于稳压电压（UZ）时稳压管反向导通，同时维持稳压管两端的电压为稳压值（如图）。
流过稳压管电流的大小由两个因子决定，一个为串联的（限流）电阻（RS），另一个为并联的负载电阻（RL）。
电阻RS由公式RS=URs/IZ确定，其中URs=Usource-UZ，在没有负载时，一个特定大小的电流（IZ=IRs）流过稳压二极管和RS，电压降URs加UZ等Usource，Usource至少要比UZ高1V。
当一个负载并连到稳压二极管，流过二极管的电流由于负载的分流而减小，所以通过RS的电流保持为常数（IZ=IRs-IRL）。
稳压管通过改变流过它的电流来维持稳压管两端的电压稳定。
(整理)半导体二极管的主要参数.
1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3.最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4.最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6.最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
9.最大功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。
最大功率P为功率的最大值。
具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。
这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。
二极管的分类与特性参数(精)
二极管的分类与特性参数(精)二极管的分类与参数一、半导体二极管1.1二极管的结构半导体二极管简称二极管，由一个PN 结加上相应的电极引线和管壳构成，其基本结构和符号如图1所示。
图1 二极管的结构及符号1.2 二极管的分类1、根据所用的半导体材料不同，可分为锗二极管和硅二极管。
2、按照管芯结构不同，可分为： （1）点接触型二极管由于它的触丝与半导体接触面很小，只允许通过较小的电流（几十毫安以下），但在高频下工作性能很好，适用于收音机中对高频信号的检波和微弱交流电的整流，如国产的锗二极管2AP 系列、2AK 系列等。
（2）面接触型二极管面接触型二极管PN 结面积较大，并做成平面状，它可以通过较大了电流，适用于对电网的交流电进行整流。
如国产的2CP 系列、2CZ 系列的二极管都是面接触型的。
（3）平面型二极管它的特点是在PN 结表面被覆一层二氧化硅薄膜，避免PN 结表面被水分子、气体分子以及其他离子等沾污。
这种二极管的特性比较稳定可靠，多用于开关、脉冲及超高频电路中。
国产2CK 系列二极管就属于这种类型。
3、根据管子用途不同，可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、光电二极管及发光二极管等。
1.3 二极管的特性引外壳触丝基PN二极管的电路P N阳阴极点接面接1、正向特性二极管正向连接时的电路如图所示。
二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就处于导通状态（灯泡亮），如同一只接通的开关。
实际上，二极管导通后有一定的管压降（硅管0.6～0.7V，锗管0.2～0.3V）。
我们认为它是恒定的，且不随电流的变化而变化。
但是，当加在二极管两端的正向电压很小的时候，正向电流微弱，二极管呈现很大的电阻，这个区域成为二极管正向特性的“死区”，只有当正向电压达到一定数值（这个数值称为“门槛电压”，锗二极管约为0.2V，硅二极管约为0.6V）以后，二极管才真正导通。
此时，正向电流将随着正向电压的增加而急速增大，如不采取限流措施，过大的电流会使PN结发热，超过最高允许温度（锗管为90℃～100℃，硅管为125℃～200℃）时，二极管就会被烧坏。
各种二极管分类符号
各种二极管分类符号
二极管有多种分类方式，以下是几种常见的分类及对应的符号：
1. 按所用的半导体材料：
* 锗二极管（Ge管），用符号Ge表示。
* 硅二极管（Si管），用符号Si表示。
2. 按管芯结构：
* 点接触型二极管，用符号D表示。
* 面接触型二极管，用符号S表示。
* 平面型二极管，用符号F表示。
3. 根据不同用途：
* 检波二极管，用符号D表示。
* 整流二极管，用符号DZ或D表示（D是整流的英文缩写）。
* 稳压二极管，用符号DZ或D表示。
* 开关二极管，用符号D表示。
* 隔离二极管，用符号D表示。
* 肖特基二极管（Schottky Diode），用符号DB或D表示。
* 发光二极管（LED），用符号LED或D表示。
* 硅功率开关二极管，用符号K或SK表示。
* 旋转二极管，用符号D表示。
以上是各种二极管的分类及对应的符号，希望对解决您的问题有所帮助。
各种二极管的性能和应用
PN 结 在一块纯净的半导体晶片上，采用特殊的掺杂工艺，在两侧分别掺入三价元素和 五价元素。一侧形成P型半导体，另一侧形成N型半导体，如图6.2所示。 在结合面的两侧分别留下了不能移动的正负离子，呈现出一个空间电荷区。这个 空间电荷区就称为PN结。
PN结单向导电性－－正偏（P＋N－）导通，反偏（P－N＋）载止。
PN结
2/33
Diode
二极管 1： 二极管的分类。 LG二极管按功能分类： 1.整流二极管（Rectifier Diode） 2.开关二极管（Switching Diode）也叫快速恢复二极管 3.肖特基二极管（Schottky Diode） 3.稳压管（Zener Diode） 4.瞬态电压抑制二极管（TVS Diode） 5.发光二极管（Light-emitting Diode） 6.其他类型：红外二极管（LED的一种，遥控器）， 变容二极管（Varactor Diode，高频调谐，早期收音模块）， 光电二极管（Photo Diode，光信号转电信号，接收头一部分/SMPS PC901/激光头ABCD）， 二极管的结构如右图所示。
30 C′
R
1 A′ 00
C
A 0.2 0.4 5 - 0.6 0.8 5 （μA ）
uv/V
D D′
图1.7 二极管伏安特性曲线
这个电流愈小二极管的单向导电性愈好。温升时，IRM增大。
2/33
Diode
3.二极管级间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。
Zener Diode （稳压二极管）
TVS Diode （瞬态抑制电压二 极管）
二极管的分类
半导体二极管的分类（一）按使用的半导体材料分类二极管按其使用的半导体材料可分为锗(Ge)二极管、硅二极管和砷化镓（GaAs）二极管、磷化镓（GaP）二极管等。
（二）按结构分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。
因为构造简单，所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。
多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。
在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小，适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。
因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。
最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。
初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此，又把这种台面型称为扩散台面型。
半导体二极管分类
半导体二极管整流管：整流管因为其正向工作电流较大，工艺上多采用面结型结构，结电容大，因此整流二极管工作频率一般小于3KHZ .例：2CZ31 反向工作电压： 50-800V 正向电流：>1A正向压降：<0.8V 反向电流：<5 UA 瞬时电流：> 20A 最高温度：>150C例：2CZ56 反向工作电压： 100-2000V 正向电流：3A正向压降：<0.8V 反向电流：<20 UA 瞬时电流：>65A 最高温度：>140C注：桥式整流器以此此类推。
彩电用高频高压硅整流堆：例：2DGL20 反向工作电压：>20KV正向电流：> 5MA正向压降：<40V 反向电流：<2 UA 反向恢复时间：<1.2us 检波二极管：一般检波二极管采用锗材料点接触型结构，要求正向压降小，检波效率高，结电容小，频率特性好，其外形一般采用玻璃封装EA结构。
例：2AP9 反向工作电压：> 10V 正向电流：>8MA 反向峰值击穿电压：>20V 最大整流电流：>5MA截止频率：〉100MHZ 零偏压电容：《1PF检波效率：》65% 反向电流：《200 UA例：2AP30C 反向工作电压：〉10V 正向电流：〉2M A反向峰值击穿电压：〉20V 最大整流电流：〉5MA 截止频率：〉400MHZ零偏压电容：《0.6PF 反向电流：》50 UA开关二极管：二极管从截止到导通称为开通时间，从开通到截止称为反向恢复时间，两者之和称为开关时间。
开通时间较短，一般可以忽略，反向恢复时间较长，他反应了二极管的特性好坏，trr 定义为从加反向偏压开始到反向电流下降到初始值的1/10所用的时间。
2AK系列为点接触锗金键开关二极管，适于中速开关电路，2CK系列为平面硅二极管，适于高速开关电路。
例：2CK70E(IN4148) 反向工作电压：> 60V 反向击穿电压：>90V正向电流：>10MA 正向压降：<0.8V 零偏压电容：《4PF 反向恢复时间：〈3ns 额定功率：30mwFR151-158常用于高频整流，升压，有些厂阻尼二极管：主要应用于电视机行扫描中做阻尼和升压整流用，要求其承受较高的反向工作电压和峰值电流，且要求正向压降越小越好，因此他是一种特殊的高频高压整流二极管，也可看作是高反压开关二极管的一种。
(重点)二极管的种类及应用
检波二极管的应用电路
• 1．收音机检波电路 • 作用：将465kHz中频调幅信号还原为音频信号
• 2．来复式收音机中的检波电路 • 其中VD1和VD2组成倍压检波电路，C3为高频滤波电容器。检波后得 到的低频信号再加到VT1的输出端，再作一次低频放大，然后送给耳 机。
变容二极管
• 变容二极管的作用：又称压控变容器，是根据所提供的电压变化而改 变结电容的半导体，工作在反向偏压状态。 • 变容二极管的主要参数：零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、 中心反向偏压、标称电容、电容变化范围（以皮法为单位）以及截止 频率等。 • 变容二级管的应用：在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。 有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二 极管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管等，用 于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。 变容二极管的封装：中小功率的变容二极管采用玻封、塑封或表面封 装，而功率较大的变容二极管多采用金封。
点接触锗二极管－1N60P,1N34A（检波二极管） • 点接触锗二极管（DO-7玻璃封 装） 1N60P（2-1K60）VR：40V，Cj： 1pF； 1N60（1K60）VR：40V，Cj： 1pF； 1N34A（1K34A）VR：40V，Cj： 1pF。 主要用于：计算器，收音机，电视 机等检波电路。
不同直径的发光二极管
光敏二极管 CL-5M3B 5mm
肖特基二极管
• 应用场合：SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用 作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段） 用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD • 与普通二极管的区别：SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形 成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导 体结原理制作的。
1.2 半导体二极管
面接触型管子的特点是，PN 结的结面积大，能通过较大电流，但结电容也大，适用于低频较低整流电路。
半导体二极管半导体二极管是由一个PN 结构成的二端元件。
其端钮有确定的命名，即一端叫阳极a ，一端叫阴极k 。
1.2 半导体二极管1.2.1 半导体二极管结构和类型（1）点接触型二极管（2）面接触型二极管（3）平面型二极管点接触型管子的特点是，PN 结的结面积小，因而结电容小，主要用于高频检波和开关电路。
既不能通过较大电流，也不能承受高的反向电压。
平面型管子的特点是，PN 结的结面积大时，能通过较大电流，适用于大功率整流电路；结面积较小时，结电容较小，工作频率较高，适用于开关电路。
1.结构2. 分类普通二极管特殊二极管变容二极管发光二极管光电二极管激光二极管二极管稳压二极管稳压光电转换调谐按材料的不同，常用的二极管有硅管和锗管两种；按其用途二极管分为普通二极管和特殊二极管两大类：整流、滤波、限幅、钳位、检波及开关等。
忽略正向导通压降和电阻，二极管相当短路；二极管反向截止时忽略反向饱和电流，反向电阻无穷大，二极管相当开路路。
I S uiU R 二极管是一种非线性元件，其特性就是PN 结的特性，而电流i D 与两端的电压u D 的关系近似为：1.2.2 二极管的伏安特性普通二极管是应用PN 结的饱和区、死区和导通区的特性制成的二端元件。
电路符号为：（1）伏安关系（2）理想二极管）（1-=T D V u S D e I i I S —反向饱和电流；V T —温度的电压当量，当常温（T=300K ）时，V T =26mV 。
在正常工作范围内，当电源电压远大于二极管正向导通压降时，可将二极管当作理想二极管处理，其伏安特性如图示。
k a D最大整流电流又称为额定正向平均电流，是指二极管长时间使用时，允许通过的最大正向平均电流。
此值取决于PN 结的面积、材料和散热情况。
1.2.3 二极管的主要电参数1）最大整流电流I F2）最高反向工作电压U R3）最大反向电流I RM I F I RM ui U R 最大反向电流是指二极管加上最高反向工作电压时的反向电流值。
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半导体二极管
整流管：整流管因为其正向工作电流较大，工艺上多采用面结型结构，结电容大，因此整流二极管工作频率一般小于3KHZ .
例：2CZ31 反向工作电压： 50-800V 正向电流：>1A
正向压降：<0.8V 反向电流：<5 UA 瞬时电流：>20A 最高温度：> 150C
例：2CZ56 反向工作电压： 100-2000V 正向电流：3A
正向压降：<0.8V 反向电流：<20 UA 瞬时电流：>65A 最高温度：> 140C
注：桥式整流器以此此类推。
彩电用高频高压硅整流堆：
例：2DGL20 反向工作电压：>20KV正向电流：>5MA
正向压降：<40V 反向电流：<2 UA 反向恢复时间：<1.2us 检波二极管：
一般检波二极管采用锗材料点接触型结构，要求正向压降小，检波效率高，结电容小，频率特性好，其外形一般采用玻璃封装EA结构。
例：2AP9 反向工作电压：> 10V 正向电流：>8MA
反向峰值击穿电压：>20V 最大整流电流：>5MA
截止频率：〉100MHZ 零偏压电容：《1 PF
检波效率：》65% 反向电流：《200 UA
例：2AP30C 反向工作电压：〉10V 正向电流：〉2MA
反向峰值击穿电压：〉20V 最大整流电流：〉5MA
截止频率：〉400MHZ
零偏压电容：《0.6PF 反向电流：》5 0 UA
开关二极管：
二极管从截止到导通称为开通时间，从开通到截止称为反向恢复时间，两者之和称为开关时间。
开通时间较短，一般可以忽略，反向恢复时间较长，他反应了二极管的特性好坏，trr定义为从加反向偏压开始到反向电流下降到初始值的1/10所用的时间。
2AK系列为点接触锗金键开关二极管，适于中速开关电路，2CK系列为平面硅二极管，适于高速开关电路。
例：2CK70E(IN4148) 反向工作电压：> 60V 反向击穿电压：>90 V正向电流：>10MA 正向压降：<0.8V 零偏压电容：《4PF 反向恢复时间：〈3ns 额定功率：30mw
FR151-158常用于高频整流，升压，有些厂家叫做快速恢复二极管。
反向工作电压：100-1000V正向电流：>1.5A
正向压降：<0.65V反向恢复时间：〈0.7ns 反向电流：5ua 阻尼二极管：
主要应用于电视机行扫描中做阻尼和升压整流用，要求其承受较高的反向工作电压和峰值电流，且要求正向压降越小越好，因此他是一种特殊的高频高压整流二极管，也可看作是高反压开关二极管的一种。
2CN2最高反向工作电压：400-800V正向电流：>2A
正向压降：<1V反向恢复时间：〈2ns 浪涌电流：50A
最高结温：175C 反向电流：5 ua
FR100-107最高反向工作电压：25-1000V 正向电流：>1A
正向压降：<1.3V反向恢复时间：〈0.85 ns 浪涌电流：50A
最高结温：175C反向电流：5ua
稳压二极管：
稳压二极管的正向曲线与普通二极管相仿，但反向曲线比普通二极管低的多。
其击穿点处，曲线弯折特别尖锐，反向电流剧增，但电压几乎保持不便，只要在外电路中设置限流措施，使稳压管始终保持在允许功耗内，就不会损坏管子，稳压管的反向击穿是可逆的，而普通二极管的击穿是不可逆的。
稳压二极管多采用硅材料制成。
由于稳压二极管的击穿机理上的区别，一般认为稳压管在5V以下属于齐纳击穿，7V以上属于雪崩击穿，5-6V两者兼而有之。
小于5伏时，具有负温度系数，大于7伏时，具有正温度系数，在5-6伏时，温度系数则接近0。
2CW76功率：<0.25W工作电流：<20ma 结温：<150C
漏电流：0.1u电压：11.5-12.5V 动态电阻18ohm(5ma)
压降：<1V温度系数：9*10（-4/C
2DW60功率：<1W工作电流：<6ma 结温：<150C
漏电流：0.5u电压135-155V 动态电阻700ohm(3ma)
压降<1V温度系数：12*10（-4/C 瞬变电压抑制二极管：
瞬变电压抑制二极管简称为TVP管（tran sient-voltage-suppressor）他是在稳压管的工艺基础上发展起来的，主要应用于对电压的快速过压保护，TVP管按照其峰值脉冲功率可以分为四类：500W，1000W, 1500W,5000W。
每类按照其标称电压分为3 5种，最小击穿电压为8.2V，最大为200V.
TVP管在瞬间高能量冲击时，能以极高的速度从高阻改变为低阻，从而吸收一个极大的电流，将管子的电压钳位在一个预定的数值上，钳位时间仅仅10（-12）秒。
例：TVP500-534,峰值功率：500W 击穿电压：8.2-200V 测试电流：1ma 最大钳位电压：12.5-287V最大峰值脉冲电流：4 0A 反向变位电压：6.63-162.0V 反向电流：200-5ua 温度系数： 0.065-0.108% /C
注：反向变位电压的含义为：TVP管在不击穿的条件下所能承受的最大反向电压，即当TVP管加上该电压后，反向漏电流不大于其允许值。
变容二极管：
变容二极管是利用PN结电容随外加反向偏压变化的特性制成。
在零偏压时，结电容最大，临近击穿时，结电容最小。
两者之比则为其结电容变化比。
从导通曲线可以看出，结电容变化呈现非线性。
变容二极管一般总是接在谐振回路使用，以取代传统的可变电容，因此必须要有足够的Q值，显然，随着频率的升高，Q降低，因此定义为Q=1时为截止频率。
使用时必须低于截止频率。
常用变容二极管因其结构的独特性，参数离散性较大，使用应逐个挑选。
例：2CC120 最高反向工作电压：30V反向电流：0.1ua
给定偏压下的结电容3v,18-20pf 10v,7-8.5pf
电容比>6 击穿电压35v 优值Q>120 串联电阻1.5ohm
电容温度系数<5*10(-4) 最高结温：125C 双基极二极管：
双基极二极管是具有两个基极和一个发射极的三端负阻半导体器件。
他只有一个PN 结，所以又称为单结晶体管。
双基极二极管主要应用于各种张驰震荡器，定时电压读出电路，具有频率易调，温度特性好的优点。
分压比：当发射极开路时，基极B1,B2之间相当于一个电阻,其值为RB1,RB2之和，若加一个电压，则俩电阻间相当于一个分压器。
例：BT33A 分压比：0.3-0.55 基极间电阻：3-6kohm
E-B间反向电流：<1ua饱和压降：<5v 峰点电流：<2UA
谷点电流：<1.5UA 谷点电压： <3.5V
调制电流：8-40ma
耗屏功率： 400mw 最高结温：150C。