模拟电子技术期中考试题及答案
模拟电子技术期中考试卷
模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。
选择正确答案填入空内。
（1）电路中D1和D2管的作用是消除 。
A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。
A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。
A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。
A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管 。
A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
《模拟电子技术(第2版)》试题库 模电期中试卷
《模拟电路》课程期中试卷班级姓名学号成绩一、选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（每小题2分、共30分）1. 在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变( )A.发射极电阻B. 基极电阻C. 集电极电阻D.三极管的值2.在三极管的基本组态电路中 ( )A.共发组态输出电阻最小B.共发组态输入电阻最小C.共基组态输出电阻最小D.共集组态输入电阻最大3. 若要稳定输出电流同时提高输入电阻，可加入下列负反馈()A.电流串联B.电压串联C.电流并联D.电压并联4. 为了稳定静态工作点，电路中应该引入()A.交流负反馈B.直流负反馈C.直流正反馈D.交流正反馈5. 差分放大器是一种直接耦合放大器，它( )A.只能放大直流信号B.只能放大交流信号C.不能放大交流信号D.可以抑制共模信号6. 直接耦合放大电路零点漂移产生的主要原因是( )A.输入信号较大B.环境温度C.各元件质量D.电压放大倍数7. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“TIME/DIV”的指示值是2μs，则所测正弦波的频率为（）A．500kHz B．250kHz C．125kHz D．100kHz8. 如上图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“mV/DIV”的指示值是50，则所测正弦波的最大值为（）A.230 mV B．80 mV C．115 mV D．100 mV9. 用万用表欧姆档辨别发光二极管的阴、阳极时，应该把欧姆档拨到（）A．R×100或R×1k档B．R×1档C．R×10档D．R×10k档10. 若反馈信号与输出电压信号成比例，则引入的反馈是( )A.电流负反馈B.电压负反馈C.并联负反馈D.串联负反馈11. 在深度负反馈下闭环放大倍数比较稳定的原因是( )A.改善了非线性失真B.输入电阻增大C.输出电阻减小D.反馈网络的稳定特性12. 集成运放为了克服温漂问题，输入级大多采用的电路为( )A.共射电路B.差分放大电路C. 共集电路D. 共基电路13. 要从函数信号发生器上输出峰峰值为50mV的信号，正确的衰减设置( )A.全部弹出B.仅20dB按钮按下C.仅40dB按钮按下D.全部按下14. 电压跟随器在电路中可能起的作用有( )A.放大电压信号B.放大电流信号C.减小电路的输入电阻D.缓冲数据15. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,后者的运放通常工作在（）A．深度负反馈状态 B. 放大状态 C. 开环或正反馈状态 D.线性工作状态二、填空题（每小题2分，共12分）1. PNP型三极管工作在放大状态，三点的电位关系为。
模拟电子技术试卷五套(含答案)
模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，V，则这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大Ri6．如图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。
模拟电子技术(期中考试)
·《模拟电子技术》课程(期中)第一题：填空题（每空2分，共32分）。
1、N型半导体是在本征半导体中掺入价元素；其多数载流子为。
2、二极管伏安特性方程,表达式为。
3、BJT放大电路静态工作点选得偏高，可能使放大器进入区，并使输出信号的波形产生失真。
4、场效应管的输出特性曲线可分为三个区域，分别是截止区、、。
5、画放大电路的直流通路时，应将隔直电容看作；直流电压源可看作。
6、理想放大器，两输入端电压差可认为0，这种现象被称为概念。
7、电压的国际单位是；电感的国际单位是。
8、某放大器开环放大倍数为A，反馈系数为F，引入负反馈后放大倍数为。
9、乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I C Q= ，静态时的电源功耗P D C=，但这种功放有失真。
10、长尾式差分放大器中电阻Re的作用是引入一个；所学过的基本放大电路中电压放大系数近似为1的是。
第二题：判断题（每题2分，共10分）。
1、场效应管是电压控制型器件。
( )2、运放在线性应用时，必需使它处于开环或正反馈状态。
( )3、乙类互补对称功放电路在输出功率最大时，管子的管耗最大。
( )4、长尾式差分放大电路中，Re越大，K CMR越小。
( )5、放大器的组态中，共射极具有电压倒相作用，而共集电极没有。
（）第三题：单选题（每题2分，共10分）。
1、硅稳压管在稳压电路中时，工作在（）状态。
A.正向导通状态B.反向齐纳击穿状态C.反向截止状态D.放大状态2、若三级放大电路中的各级电压增益Au1=40dB、Au2= Au3=20dB，则该放大电路的电压放大倍数为（）倍。
A.100B.80C.1000D.100003、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A.NPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管4、在图中，能够构成复合管的是( ) 。
5、放大器引入串联负反馈后，闭环输入电阻（）。
模拟电子技术期中考试题1[1页]
![模拟电子技术期中考试题1[1页]](https://img.taocdn.com/s3/m/982bc62fb5daa58da0116c175f0e7cd184251859.png)
模拟电子技术期中考试题1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分）（1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是 放大电路；输入电阻最小的是 放大电路；输出电压与输入电压反相的是 放大电路；电压放大倍数最大的是 和 放大电路；电压放大倍数最小的是 放大电路；输出电阻最小的是 放大电路；电流放大倍数最大的是 放大电路；既有电流放大又有电压放大的是 放大电路。
（2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有 结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成 型半导体，其多子是 ，少子是 ，不能移动的离子带 电；掺入微量的五价杂质元素，可获得 型半导体，其多子是 ，少子是 ，不能移动的离子带 电。
（3）二极管的伏安特性曲线上可分为 区、 区、 区和 区四个区。
双极型三极管的输出特性曲线上可分为 区、 区和 区三个区。
（4）双极型管主要是通过改变 极小电流来改变 极大电流的，所以是一个 控制型器件；场效应管主要是通过改变 间电压来改变 电流的，所以是一个 控制型器件。
（5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结 偏、集电结 偏。
（6）放大电路的基本分析法有 分析法和 分析法；其中 分析法的微变等效电路法只能用于分析 信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用 法和 法。
（7）多级放大电路的耦合方式通常有 耦合、 耦合和 耦合三种方式；集成电路中一般采用 耦合方式。
（8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为 失真；频率失真称为 失真。
2.简答题：（每小题10分，也可任意选作）（1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz 时，周期档位如何选择？（2）函数信号发生器在电子线路的测量中能做什么？（3）电子线路的测量中，为什么要使用电子毫伏表而不用普通电压表测量电压？电子毫伏表的读数是所测电压的有效值还是最大值？还是峰-峰值？3.计算题：（可任选一题，其中第1题作对可得40分，第2题作对可得60分）（1）图示分压式偏置放大电路中，已知R C ＝3k Ω，R B1＝80k Ω，R B2＝20k Ω，R E ＝1k Ω，β=80，①画出直流通道，进行静态分析（设U BE =0.7V ）；②画出微变等效电路，进行动态分析（设r bb’=300Ω）。
宁夏大学物理电气信息学院模拟电子技术
模拟电子技术期中试卷（一）一、选择题。
（每题3分，共36分）1.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于_______。
A.掺杂工艺B.温度C.杂质浓度D.晶体缺陷2.在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，已量出由此可知对应电极①是______。
A.发射B.基极C.集电D.不定3.晶体三极管用来放大时,应使发射结处于_______偏置,集电结处于_______偏置.A.正向,反向B.反向,正向C.反向,反向D.不定4.如果在电路中测出某NPN管三个电极对地电位分别为:则该管工作在______区。
A.放大B.饱和C.截止D.击穿5.PNP型晶体三极管处于放大状态时,各级电位关系正确的是______。
A.<<B.<<C.>>D.<<6.在图示电路中,设C1、C2对交流信号的影响可以忽略不计,当输入f=1KHz的正弦电压信号后,用示波器观察和,则二者的相位关系为_______。
A.相差90oB.相差45oC.相同D.相差180o7.为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用。
A．共射电路 B.差动放大电路C．OCL电路（互补对称电路）D.共集电路8.在放大器中引入直流负反馈,说法正确的是______。
A.稳定输出电压B.稳定输出电流C.性能不变D.静态工作点稳定性变好9．射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（）A.电压放大倍数近似为1B.r i很大C.r O很小10.PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，______。
A．其反向电流增大B．其反向电流减小C．其反向电流基本不变11.由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压为_______。
A.-12VB.+6VC.-6VD.+12V12.在甲乙类互补对称功放电路中，为了改善交越失真，应_______。
A.适当提高电源电压B.适当增加负载电阻的阻值C.适当减小功放管静态参数D.适当增大功放管静态参数二、填空题。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
2013－2014学年第(2)学期期中考试答案
课程代码 0471003/3122200 课程名称 模拟电子技术A/模拟电子技术
:（共52分，每空2分）
1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。
C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A ．40 ，
， C ．400）。
V U D 7.0=），=1O U 1.3V ，=2O U 。
a ）所示电路的幅频响应特性如图（
b ）所示。
影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小
的因素是 A 。
（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）
H
L
V CC
( a )
( b )
f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9）
f ＝ f L 时，o U 与i
U 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。
5V ；接入2k 负载后，输出电压降为
0.5K。
班 级 学 号 姓 名
R L
12E
48
2610
5．为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。
（1）．电压放大倍数
u
A >10，并具有较大的电流放大能力的电路是 A 。
（2）．电压放大倍数
u
A >10，并且输出电压与输入电压同相的电路是 C 。
（3）．电压放大倍数
u
A ≈1，输入电阻
i
R>100kΩ的电路是 B 。
L
( a )
L
( b )
L
( c )
6．放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示，直流负载线和Q点也标在图上（设U BEQ＝0.7V）。
（1）电源电压V CC= 12 V，
c
R= 2 Ω
k，
b
R= 377 Ω
k；最大不失真输出电压幅值=
om
U 4.5 V；；
为获得更大的不失真输出电压，
b
R应减小（增大、减小）
（2）若Ω
=K
R6
L
，画出交流负载线，要标出关键点的数值；(2分)
7. 欲将方波电压转换成三角波电压，应选用哪种运算电路 B 。
A.比例运算电路
B.积分运算电路
C.微分运算电路
D.加减运算电路
8．定性判断图中各电路是否具备正常放大能力，若不具备，则修改电路，使之具备正常放大能力的条件。
修改时只能改变元器件的位置和连接关系，不能改变元器件的类型和增减元器件数量。
( a )CC
V ( b )
DD
V
答：(a) 不能 (能正常放大、不能正常放大)，修改： R 3改接在栅极与V DD 的正端之间。
(b) 不能 (能正常放大、不能正常放大)，修改： R 1改接到基极与V CC 的正端之间，C 1极性反向。
二． 分析计算题:（共48分）
1．(18分) 图示电路中场效应管的转移特性可表达为：()2
off GS GS DSS D 1⎪
⎪⎭⎫ ⎝
⎛-=U U I I ，其中DSS I ＝4mA ，GS(off)U ＝－4V ，电容对交流信号可视为短路。
（1）要求静态电流DQ I ＝1mA ，求S1R 的值；（4分） （2）画出微变等效电路图；（5分）
（3）求电压放大倍数u
A 和输出电阻o R ；（6分） （4）为保证管子在恒流区工作，S2R 最大值是多少？（3分）
R L Ω
解:(1)．由 ()2
off GS GSQ DSS DQ
1⎪
⎪⎭⎫ ⎝
⎛-=U U I I 解出 V 2GSQ -=U Ω=-=k 2DQ GSQ s1I U R
(2)．
L
(3)．()
mS 12DQ DSS off GS m =-
=⋅I I U g
2.21)//(s1m L d m -≈+=R g R R g A u
d o R R ≈
(4)．恒流区条件是()V 2off GS GSQ DSQ =->U U U
⎪⎭⎫ ⎝⎛++-=s2s1d
DQ DD DSQ R R R I V U 解得：
()Ω=k 6max s2R
2.(14分) 图示为放大电路，已知集成运算放大器具有理想特性。
(1)．试求输出电压u O 与输入电压u I 间的近似关系式。
(6分)
(2)．若集成运放的最大输出电压为±10V ，R5＝0.5Ωk ，问允许输入电压u I 的最大变化范围是多少？(5分)
(3)．为使u O ＝0，则输入电压u I ＝?(3分)
O
1.8k U Z
解:(1) 1．I I Z I 12Z 12O 2V 3231u u U u R R U R R u -=-=-⎪⎪⎭⎫ ⎝
⎛+=' )23(38)1()1('
5
42'2454I o Z o o u u R R R U u R R R R u -=+≈-++
=
(2)．已知V 10O ±=u
2
338O
I --=u u ()V 6315.0~3685.1I ≈u (3)．当V 5.1I =u 时， V 0O =u
3. (16分)恒流源式的差分放大电路如图所示。
试就下列问题选择正确答案填空（答案：A ．增大， B ．减小，C ．不变或基本不变）。
设VT3构成理想电流源。
(1)．当电源电压由±12V 变为±6V 时，静态电流I C1、I C2 ，静态电压U CE1、U CE2 ，U CE3 ，差模电压放大倍数
A
(2)．当电阻R e 减小时，静态电流I C1、I C2 ，静态电压U CE1、U CE2 ，差模电压放大倍数
A 差模输入电阻R id . 解:(1)．C ，
B ，B ，
C (2)．A ，B ，A ，B。