第三讲晶体三极管 模拟电子技术基础
自测题
2、选择正确答案填入空内。
（1）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小
（2）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到 22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。C
A. 3
B. 91
C. 100
自测题
（3）PN结加正向电压时，空间电荷区将__A__ 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
4 、电路如图P1.6所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常 温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正 弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？
解：二极管的直流电流 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA 其动态电阻
rD≈UT/ID＝10Ω 故动态电流有效值
Id＝Ui/rD≈1mA
(12 0.7)mA 5
2.26mA
临界饱和时的
iCmax 53
iB
1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导
通状态；
2. 已知T导通时的UBE＝0.7V，若uI=5V，则β在什么 范围内T处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态？
自测题
1、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断 结果填入空内。
iB
ICEO (1 )ICBO
集电结反向电流
三、三极管的共射输入特性和输出特性
IC IB
UCE UBE
实验线路
三、晶体管的共射输入特性和输出特性
1. 输入特性 iB f (uBE ) UCE
为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大曲线右移？ 为什么UCE增大到一定值曲 线右移就不明显了？
管号 上 中 下
管型 材料
T1 e b c PNP Si
T2 c b e NPN Si
T3 e b c NPN Si
T4 b e c PNP Ge
T5 c e b PNP Ge
T6 b e c NPN Ge
8、电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。 试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T的工作状态及输 出电压uO的值。
T (℃) ICEO
uBE不变时iB ，即iB不变时uBE
五、主要参数
•
直流参数：
、 、ICBO、 ICEO
IC
IE
iC iE 1
• 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率）
• 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO
最大集电 极电流
c-e间击穿电压
最大集电极耗散功 率，PCM＝iCuCE
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
即： IC=IB , 且 IC = IB
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0.3V
(3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
9
四、温度对晶体管特性的影响
解：（1）当VBB＝0时，T截止， uO＝12V。
（2）当VBB＝1V时，因为
I BQ
VBB
U BEQ Rb
60uA
ICQ IBQ 3mA
uO VCC ICQ RC 9V
所以T处于放大状态。
（3）当VBB＝3V时，因为
所以T处于饱和
I BQ
VBB
U BEQ Rb
460uA
ICQ IBQ 23mA
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将 其改型为P型半导体。（ ）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （）
（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运 动形成的。 （ ）
解：（1）√ （2）× （3）√ （4）×
对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线 可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
2. 输出特性 iC f (uCE ) IB
对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。
饱和区
为什么uCE较小时iC随uCE变 化很大？为什么进入放大状态 曲线几乎是横轴的平行线？
iC
iB
放大区
iC iB
§1.3 晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
电流分配： IE＝IB＋IC
IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流
直流电流 放大系数
穿透电流
IC
IB
iC 交流电流放大系数
5、二极管电路如图所示，设二极管导通电压为0.7V，判 断图中二极管处于导通还是截止状态，并确定各电路的 输出电压Vo。
7、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所 示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗 管。
7、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所 示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗 管。
UCE 常量
截止区
β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况 下 ?
晶体管的三个工作区域
状态 截止 放大 饱和
uBE ＜Uon ≥ Uon ≥ Uon
iC ICEO βiB ＜βiB
uCE VCC ≥ uBE ≤ uBE
晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC 几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回 路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。
安全工作区
讨论一
2.7
ΔiC
PCM iCuCE
uCE=1V时的iC就是ICM
iC iB
U CE
U（BR）CEO
由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。
讨论二
通过uBE是否大于Uon判 断管子是否导通。
iB
uI
U BE Rb
(5 0.7)mA 100
43μA
iCmax
VCC - UCE Rc
uO VCC ICQ RC 11V＜U BE
状态。
9、分别判断如图所示各电路中晶体管是否有可能工作在 放大状态。
（4）稳压管的稳压区是其工作在__C___。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
（5）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电 压应为__B___ 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏
自测题
3 、电路如图所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的 波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。
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《模拟电子技术》课件晶体三极管1-2.
凸片
凸 片 距 发 射 极 引 线 4 5 °角
e
凸片
焊接片
凸 片 距 发 射 极 引 线 4 5°角
e
c b
c
接管壳
c
b e
e
e
以色点辨认集电极
b
c b
b
c
e
c
b
b e
以色点辨认集电极
e c 接管壳
图2.10 典型三极管的管脚排列图
图2.11 光电耦合器电路
(a) LED+光敏电阻；
(a)
(b)
(b) LED+光电二极管
(c) LED+光电三极管;
(d) LED+光电池
(c)
(d)
光电耦合器的工作原理
光电耦合器的工作原理是以光信号作为媒体将输入的电 信号传送给外加负载4 ,实现了电—光—电的传递与转换。 光电耦合器主要用作高压开关、信号隔离器、电平匹 配等电路中,起信号的传输和隔离作用。
饱和电流。温度升高时，ICBO 急剧增大，温度每升高
ICBO
c
uA b
-+
e
VCC
10℃，ICBO 增大一倍。选管时应选ICBO 小且ICBO 受 温度影响小的三极管。
Ie=0
(2) 集电极发射极间的反向饱和电流 ICEO 是指基
极开路时，集电极—发射极间的反向电流，也称集电结穿透电流。
它反映了三极管的稳定性，其值越小，受温度影响也越小，三极
. 0 U1 =0 --4 V
GND
AC1
+12 V
LP1 LAMP
2 20 V 5 0 Hz 1 2V 5A
D1
J1 IN4 0 07
模拟电子技术基础讲义晶体管PPT学习教案
第22页/共50页
黑表笔 1 2 3
红表笔 2 3 1 3 1 2
阻值 ∞ ∞ 4K 4K ∞ ∞
第23页/共50页
黑表笔接1，红表笔接3，接触2：100 K 黑表笔接3，红表笔接1，接触2：30 K
第24页/共50页
4、三极管的命名方式：
国产晶体管的命名方法： 日本半导体器件的命名方法： 美国晶体管型号命名方法： 欧洲晶体管型号命名方法： 韩国三星公司：
(1)发射结 正偏、 集电结 反偏； 工作在放 大区。
(2)发射结 正偏、 集电结 正偏； 工作在饱 和区。
(3)发射结 反偏； 工作在 截止区 。
第41页/共50页
测得PNP型、锗BJT的三个电极b、e、c的对 地电压 分别为 (1)Vb=-6.2V，Ve=-6V，VC=-9V (2) Vb=1V，Ve=1.2V，VC=1.5V (3) Vb=8V，Ve=7.8V，VC=7V 问：管子工作在输出特性曲线的什么 区？
第15页/共50页
(1) 三颠倒，找基极： 三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据
两个PN结连接方式不同，只要找出两个PN结的公 共极，即为三极管的基极。
第16页/共50页
具体方法是将万用表调至电阻挡的 R×100或 R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只管脚上，用 黑表笔去碰三极管的另两只管脚，如果两次全通，则 红表笔所放的管脚就是三极管的基极。如果一次没找 到，则红表笔换到三极管的另一个管脚，再测两次； 如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还 没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个管脚上，用 红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这 样最多测量12次，总可以找到基极。
PCM iCCE
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黑表笔 1 2 3
红表笔 2 3 1 3 1 2
阻值 ∞ ∞ 4K 4K ∞ ∞
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黑表笔接1，红表笔接3，接触2：100 K 黑表笔接3，红表笔接1，接触2：30 K
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4、三极管的命名方式：
国产晶体管的命名方法： 日本半导体器件的命名方法： 美国晶体管型号命名方法： 欧洲晶体管型号命名方法： 韩国三星公司：
(1)发射结 正偏、 集电结 反偏； 工作在放 大区。
(2)发射结 正偏、 集电结 正偏； 工作在饱 和区。
(3)发射结 反偏； 工作在 截止区 。
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测得PNP型、锗BJT的三个电极b、e、c的对 地电压 分别为 (1)Vb=-6.2V，Ve=-6V，VC=-9V (2) Vb=1V，Ve=1.2V，VC=1.5V (3) Vb=8V，Ve=7.8V，VC=7V 问：管子工作在输出特性曲线的什么 区？
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(1) 三颠倒，找基极： 三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据
两个PN结连接方式不同，只要找出两个PN结的公 共极，即为三极管的基极。
第16页/共50页
具体方法是将万用表调至电阻挡的 R×100或 R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只管脚上，用 黑表笔去碰三极管的另两只管脚，如果两次全通，则 红表笔所放的管脚就是三极管的基极。如果一次没找 到，则红表笔换到三极管的另一个管脚，再测两次； 如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还 没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个管脚上，用 红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这 样最多测量12次，总可以找到基极。
PCM iCCE
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高教社2024模拟电子技术教学课件4 三极管基础知识
（2）极间反向电流
集电极-基极间的反向电流ICBO：指发射极开路时，集电极—基极间的
反向电流，也称集电结反向饱和电流。当温度升高时， ICBO急剧增大，
温度每升高10℃， ICBO增大一倍。
集电极-发射极间的反向电流 ICEO：指基极开路时，集电极—发射极
间的反向电流，也称集电结穿透电流。它反映了三极管的稳定性，其
基极b、发射极e。P区靠背时构成NPN型，N区靠背时构成PNP型。
一、三极管结构
三极管的外形结构
常见三极管的外形结构
01
三极管结构
02
三极管特性
03
三极管参数
04
三极管分类
二、三极管的特性
1. 输入特性
输入特性是指当集电极与发射极之间的电压 为一
常数时，加在三极管基极与发射极之间的电压uBE
与基极电流iB之间的关系
三极管结构
02
三极管特性
03
三极管参数
04
三极管分类
三、三极管的参数
三极管常用参数：
（1）电流放大系数
直流电流放大系数 ：定义为三极管的集电极电流IC与基极电流IB之比，
即 =IC/IB。 有时用hFE表示。
交流电流放大系数β：定义为三极管的集电极电流ΔiC与基极电流ΔiB
之比，即β=ΔiC/ΔiB。β有时用hFE表示。
值越小，受温度影响也越小，三极管的工作就越稳定。
三、三极管的参数
三极管极限参数：
集电极最大允许电流ICM：集电极电流IC过大时，β将明显下降， ICM
为β下降到规定允许值（一般为额定值的1/2~2/3）时的集电极电流。
集电极最大允许功率损耗PCM ：管子工作时， UCE 的大部分降在集
集电极-基极间的反向电流ICBO：指发射极开路时，集电极—基极间的
反向电流，也称集电结反向饱和电流。当温度升高时， ICBO急剧增大，
温度每升高10℃， ICBO增大一倍。
集电极-发射极间的反向电流 ICEO：指基极开路时，集电极—发射极
间的反向电流，也称集电结穿透电流。它反映了三极管的稳定性，其
基极b、发射极e。P区靠背时构成NPN型，N区靠背时构成PNP型。
一、三极管结构
三极管的外形结构
常见三极管的外形结构
01
三极管结构
02
三极管特性
03
三极管参数
04
三极管分类
二、三极管的特性
1. 输入特性
输入特性是指当集电极与发射极之间的电压 为一
常数时，加在三极管基极与发射极之间的电压uBE
与基极电流iB之间的关系
三极管结构
02
三极管特性
03
三极管参数
04
三极管分类
三、三极管的参数
三极管常用参数：
（1）电流放大系数
直流电流放大系数 ：定义为三极管的集电极电流IC与基极电流IB之比，
即 =IC/IB。 有时用hFE表示。
交流电流放大系数β：定义为三极管的集电极电流ΔiC与基极电流ΔiB
之比，即β=ΔiC/ΔiB。β有时用hFE表示。
值越小，受温度影响也越小，三极管的工作就越稳定。
三、三极管的参数
三极管极限参数：
集电极最大允许电流ICM：集电极电流IC过大时，β将明显下降， ICM
为β下降到规定允许值（一般为额定值的1/2~2/3）时的集电极电流。
集电极最大允许功率损耗PCM ：管子工作时， UCE 的大部分降在集
《模拟电子技术》课件晶体三极管1-1.
问题
1、如何根据三极管三个管脚的电位来判别 来判别管脚。（举例）
2、如何根据三极管流过三个管脚的电流来 判别来判别管脚。（举例）
3、如何用万用表来判别三极管的极性？
用数字万用表测量三极管 （1）用数字万用表的二极管档位测量三 极管的类型和基极b 判断时可将三极管看成是一个背靠背的PN结 ，按照判断二极管的方法，可以判断出其中一极为公共正极或公 共负极，此极即为基极b。对NPN型管，基极是公共正极；对PNP 型管则是公共负极。因此，判断出基极是公共正极还是公共负极 ，即可知道被测三极管是NPN或PNP型三极管。 （2）发射极e和 集电极c的判断 利用万用表测量β（HFE）值的档位，判断发射极e 和集电极c。将档位旋至HFE基极插入所对应类型的孔中，把其于 管脚分别插入c、e孔观察数据，再将c、e孔中的管脚对调再看数 据，数值大的说明管脚插对了。 （3）判别三极管的好坏 测试时 用万用表测二极管的档位分别测试三极管发射结、集电结的正、
2.1 BJT的结构简介
1、结构和符号
c
c
2、工作原理
b
b
由结构展开联想…
集电极
Collector c
基极 N
Base
bP
N
发射极
Emitter e
NPN e PNP e 3、实现条件
集电结(Jc)
外部条件 内部条件
Jc反偏
集电区ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
结构特点：
收集载流子(电子) 基区
复合部分电子 控制传送比例 发射区 发射载流子(电子)
掺杂浓度低于发射 区且面积大
掺杂浓度远低于发 射区且很薄
掺杂浓度最高
发射结(Je) Je正偏
c ICBO IB b
模拟电子技术-03.晶体三极管
晶体管的结构晶体管有三个极（发射极、基极、集电极）、三个区（发射区、基区、集电区）、两个PN结（发射结、集电结）。
以NPN型晶体管为例，发射区多子（自由电子）浓度高；基区多子（空穴）浓度低，且很薄；集电区面积大。
晶体管的放大原理放大条件：1.U BE>U on（发射结正向偏置）2.U CB≥ 0，即U CE≥U BE（集电结反向偏置）工作原理：基区->发射区：空穴的扩散运动，电流方向基区->发射区发射区->基区：自由电子扩散运动，电流方向基区->发射区在外电场作用下，扩散运动被加强。
基区很薄且多子浓度低，只有极少数来自发射区的自由电子与基区的空穴结合，难以形成空间电荷区，剩下的大部分自由电子向集电区移动。
基区->集电区：自由电子漂移运动（空穴的扩散运动被抑制），电流方向集电区->基区集电区->基区：空穴的漂移运动（自由电子的扩散运动被抑制），电流方向集电区->基区在外电场作用下，漂移运动被加强，自由电子从基区移动向集电区。
集电区面积较大，因而在容纳电子数目相同的情况下，自由电子的浓度更低，自由电子的扩散作用更弱。
从而在外加电场一定时，可以容纳更多的自由电子。
扩散运动形成发射极电流I E，复合运动形成基极电流I B，漂移运动形成集电极电流I C。
直流放大系数β=I C I B交流放大系数β=∆i CB穿透电流（基极开路时集电极与发射极之间的漏电电流）I CEO=(1+β )I CBOI CBO为集电结反向电流（发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流）晶体管的共射输入特性和输出特性输入特性：i B=f(u BE)|UCE类似于PN结的伏安特性。
U CE增大则曲线右移，增大到一定值时右移便开始不明显。
对于小功率晶体管，U CE大于1V时的一条输入特性曲线可以取代所有大于1V的输入特性曲线。
输出特性：i C=f(u CE)|IB对应于一个I B就有一条i C随u CE变化的曲线。
模拟电子技术第五版 第三章半导体三极管及放大电路基础(5.14)
3.1.4 BJT的主要参数 3. 极限参数
（1）集电极最大允许电流ICM
Ic增加时， 要下降。当值下降到线性放大区 值的70％时，所对应的 集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。
（2）集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所 产生的功耗，
PC= ICVCE
3.1.4 BJT的主要参数
共射极连接
3.1.3 BJT的V-I 特性曲线 2. 输出特性曲线 iC=f(vCE) iB=const
输出特性曲线的三个区域:
饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)， iC不受iB控制。此时，发射结正偏， 集电结正偏或反偏电压很小。 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0 的曲线的下方。此时， vBE小于死区 电压。此时，发射结和集电结均反 向偏置 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲 线基本平行等距，说明iC主要受iB控 制此时，发射结正偏，集电结反偏。
图示为没有设置合适静态工 作点电路，该电路在输入信号 vi≤Von ，三极管发射结不导通 ，无输出信号，输出失真。设置 合适的静态工作点，首先要解决 失真问题；但Q点几乎影响着所 有的动态参数。
没有设置合适的静态工作点
3.2.2 基本共射极放大电路的工作原理
3. 动态 输入正弦信号vs后，电路 将处在动态工作情况。此时， BJT各极电流及电压都将在 静态值的基础上随输入信号 作相应的变化。
3.1.5 温度对BJT参数及特性的影响
1. 温度对BJT参数的影响 (1) 温度对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBO约增加一倍。 (2) 温度对 的影响 温度每升高1℃， 值约增大0.5%~1%。 (3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 温度升高时，V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。 2. 温度对BJT特性曲线的影响 输入特性曲线：温度升高， iB不便的情况下vBE减小。 end
《模拟电子技术》第3章 晶体三极管及放大电路基础
• 放大器的静态：当输入的交流信号为零时，这时 三极管的基极、集电极和发射极中都只有直流电 流。
• 放大器的动态：当输入的交流信号不为零时，基 极、集电极和发射极中的电流既含有直流电流成 分又含有交流电流成分。
3.3 共射基本放大电路
3.3.1 电路结构和元器件的作用
3.3.2 共发射极放大电路的工作原理
3.1.5 三极管的工作状态
1.三极管的三种组态
2.共发射极放大电路的输入输出特性
三极管的工作状态说明
3.三极管截止和饱和时的等效电路
• 三极管的工作状态判断。
①当UBE<UTH时，IB=0，三极管截止，C、E间相当于开关断开， Ic=0；
②当iB>IBS时，三极管饱和，C、E间相当于开关闭合，iC=ICS；
第三章 晶体三极管及放大 电路基础
学习目标：
（１）了解三极管的电流放大作用。 （２）掌握万用管的三种组态特点。掌握共射电路的
基本结构。 （４）了解放大电路性能指标。掌握用万用表调试三
极管各参数的方法。 （5） 制作放大电路，把微弱的信号进行放大，如做
IE＝IC＋IB，在放大状态下，IC＝βIB。
本章回顾
(3)三极管的特性曲线和参数是用来描述三极管 性能，是选择三极管时的依据。选择三极管时 要考虑的主要参数是工作频率、耐压、放大倍 数。型号相同的三极管可以互换，型号不同， 但对于该电路来说关键参数相似也可以替换。
(4)放大器是三极管电路中最常见和最基本的电 路。放大器的基本任务就是放大信号。放大器 用一些性能指标来表征放大器性能：电压（电 流、功率）放大倍数、输入电阻、输出电阻是 最主要的三个。单级共射小信号放大器是最基 本的放大电路。
3.4 三种基本组态放大电路的比较
• 放大器的动态：当输入的交流信号不为零时，基 极、集电极和发射极中的电流既含有直流电流成 分又含有交流电流成分。
3.3 共射基本放大电路
3.3.1 电路结构和元器件的作用
3.3.2 共发射极放大电路的工作原理
3.1.5 三极管的工作状态
1.三极管的三种组态
2.共发射极放大电路的输入输出特性
三极管的工作状态说明
3.三极管截止和饱和时的等效电路
• 三极管的工作状态判断。
①当UBE<UTH时，IB=0，三极管截止，C、E间相当于开关断开， Ic=0；
②当iB>IBS时，三极管饱和，C、E间相当于开关闭合，iC=ICS；
第三章 晶体三极管及放大 电路基础
学习目标：
（１）了解三极管的电流放大作用。 （２）掌握万用管的三种组态特点。掌握共射电路的
基本结构。 （４）了解放大电路性能指标。掌握用万用表调试三
极管各参数的方法。 （5） 制作放大电路，把微弱的信号进行放大，如做
IE＝IC＋IB，在放大状态下，IC＝βIB。
本章回顾
(3)三极管的特性曲线和参数是用来描述三极管 性能，是选择三极管时的依据。选择三极管时 要考虑的主要参数是工作频率、耐压、放大倍 数。型号相同的三极管可以互换，型号不同， 但对于该电路来说关键参数相似也可以替换。
(4)放大器是三极管电路中最常见和最基本的电 路。放大器的基本任务就是放大信号。放大器 用一些性能指标来表征放大器性能：电压（电 流、功率）放大倍数、输入电阻、输出电阻是 最主要的三个。单级共射小信号放大器是最基 本的放大电路。
3.4 三种基本组态放大电路的比较
模拟电子技术1.3晶体三极管.ppt
大部分电子收集到集电区。若继续增大uCE ，ic也不可能 明显增大，即iB基本不变。
∴输入特性曲线不再明显右移
而基本重合。 对于小功率管，可用的任何 一条UCE>1曲线来近似UCE>1 的所有曲线。
共射接法输入特性曲线
2、输出特性曲线
iC f (uCE ) iB常数
①UCE增大 集电结电场增强，收集基区非平衡少子的能力增强， 电流iC随UCE增大而增大。
③U(BR)CEO：基极开路时集、射间的击穿电压。
几个击穿电压在大小上有如下关系：
U(BR)CBO＞U(BR)CEO＞U(BR) EBO
例1：在一个单管放大电路中，电源电压为30V，已知三只管子的 参数如下表，请选用一只管子，并简述理由。
晶体管参数
T1
T2
T3
ICBO/μA
0.01
0.1
0.05
UCEO/V
IC
IB
输入交流信号时，共射交流电流放大系数β
在近似分析中，
iC
iB
共基直流电流放大系数
I CN
IE
共基交流电流放大系数α
ic
iE
在近似分析中，
例：现测得放大电路中两只管子的两个电极的电流如下图所 示，分别求出另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈 中画出管子，且分别求出电流放大系数β。
VBB 1V , Rb 500 ,T工作在何种状态？
IB 0.6mA, IC 30mA,UCE 18V U B
从外部看： I E I B IC IE发射极电流最大
C IC B
IB E IE
NPN型三极管
C
B
IC
IB E IE
PNP型三极管
∴输入特性曲线不再明显右移
而基本重合。 对于小功率管，可用的任何 一条UCE>1曲线来近似UCE>1 的所有曲线。
共射接法输入特性曲线
2、输出特性曲线
iC f (uCE ) iB常数
①UCE增大 集电结电场增强，收集基区非平衡少子的能力增强， 电流iC随UCE增大而增大。
③U(BR)CEO：基极开路时集、射间的击穿电压。
几个击穿电压在大小上有如下关系：
U(BR)CBO＞U(BR)CEO＞U(BR) EBO
例1：在一个单管放大电路中，电源电压为30V，已知三只管子的 参数如下表，请选用一只管子，并简述理由。
晶体管参数
T1
T2
T3
ICBO/μA
0.01
0.1
0.05
UCEO/V
IC
IB
输入交流信号时，共射交流电流放大系数β
在近似分析中，
iC
iB
共基直流电流放大系数
I CN
IE
共基交流电流放大系数α
ic
iE
在近似分析中，
例：现测得放大电路中两只管子的两个电极的电流如下图所 示，分别求出另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈 中画出管子，且分别求出电流放大系数β。
VBB 1V , Rb 500 ,T工作在何种状态？
IB 0.6mA, IC 30mA,UCE 18V U B
从外部看： I E I B IC IE发射极电流最大
C IC B
IB E IE
NPN型三极管
C
B
IC
IB E IE
PNP型三极管
《模拟电子技术基础》第3章 双极型晶体管及其基本放大电路
3.2 双极型晶体管
3.2.4 晶体管的共射特性曲线
2.输出特性曲线—— iC=f(uCE) IB=const
以IB为参变量的一族特性曲线
(1)当UCE=0V时，因集电极无收集
作用，IC=0；
(2)随着uCE 的增大，集电区收集电
子的能力逐渐增强，iC 随着uCE 增加而
增加；
(3)当uCE 增加到使集电结反偏电压
电压，集电结应加反向偏置电压。
3.2 双极型晶体管
3.2.3 晶体管的电流放大作用
1. 晶体管内部载流子的传输
如何保证注入的载流
子尽可能地到达集电区？
P
N
IE=IEN + IEP
IEN >> IEP
IC= ICN +ICBO
ICN= IEN – IBN
IEN>> IBN
ICN>>IBN
N
IEP
IE
3. 晶体管的电流放大系数
(1) 共基极直流电流放大系数
通常把被集电区收集的电子所形成的电流ICN 与发射极电流
IE之比称为共基电极直流电流放大系数。
ത
I CN
IE
由于IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN，且ICN>> IBN，ICN>>IEP。通常ത
的值小于1，但≈1，一般
ത
为0.9-0.99。
ത
3.2 双极型晶体管
3.2.3 晶体管的电流放大作用
3. 晶体管的电流放大系数
(2) 共射极直流电流放大系数
I C I CN I CBO I E I CBO ( I C I B ) I CBO
模拟电子技术基础晶体三极管
3.1.3 三极管的放大作用
在实际应用中利用三极管放大电路放大微弱信号，其原理
电路如图3-5a所示，实际电路中常取，于是有图3-5b所示习惯
画法的共射极放大电路图。
Rs
+ u-s
i c + C2
C1
ib T +
+
uCE
Rb
u i 300 k
uBE +
-
-
U -
BB
+
RC
2k u o
+ -
U
CC
-
Rs
• 3.1.1 晶体三极管的分类及结构
晶体三极管通常简称为三极管，也称为晶体管和
半导体三极管。
采用光刻、扩散等工艺在同一块半导体硅(锗)片上 掺杂形成三个区、两个PN结，并引出三个电极。由两个 N区夹一个P区结构的三极管称为NPN型晶体管；由两个 P区夹一个N区结构的三极管称为PNP型晶体管。
1/1/2021
• 三极管有三个电极，可视为一个二端口网络，其中 两个电极构成输入端口、两个电极构成输出端口， 输入、输出端口公用某一个电极。根据公共电极的 不同，三极管组成的放大电路有3种连接方式，通常 称为放大电路的三种组态，即共基极、共发射极和 共集电极电路组态，如图3-4所示。
1/1/2021
图3-4 晶体三极管的三种组态 (a)共基极接法 (b)共发射极接法 (c)共集电极接法
1/1/2021
3.1.2三极管的工作原理
IC c
1. 三极管放大交流信号的外部 条件
ICN I CBO
N Rc
IB b
要使三极管正常放大交流，要求：
I BN
P
发射结外加正向电压（正偏），集电