中国微电子技术发展现状及发展趋势
微电子行业分析报告
微电子行业分析报告微电子行业是现代电子技术的重要组成部分，它涉及到微观尺度上的芯片设计、制造以及相关的设备和材料。
本报告旨在对微电子行业的发展状况进行分析，并探讨其未来的发展趋势。
一、行业概述微电子行业是指以硅基集成电路为核心的电子技术产业链，包括晶圆生产、芯片设计、封装测试以及相关设备和材料供应等环节。
当前，微电子行业已成为支撑信息技术产业和现代社会全面发展的重要基础，与人工智能、物联网、云计算等技术密切相关。
二、行业发展趋势1.技术进步与创新随着科技的不断进步和创新，微电子行业也在不断发展。
新一代的先进制程技术（如7纳米、5纳米工艺）以及三维芯片堆叠技术得到广泛应用，为微电子行业带来更高的集成度和性能提升。
2.多元化应用领域微电子技术在通信、计算机、消费电子、汽车、医疗等诸多领域都有广泛应用，尤其是人工智能、物联网、5G通信等新兴技术的快速发展，为微电子行业带来了新的增长点和市场需求。
3.产业链整合与创新在全球竞争加剧的背景下，微电子行业的产业链整合和创新成为行业发展的重要趋势。
从设计、制造到封装测试等环节，不同企业需要协同合作，提高效率和降低成本。
三、行业发展现状1.市场规模截止目前，全球微电子市场规模已超过1万亿美元。
亚太地区以及北美地区是微电子行业市场份额最大的地区，而中国则成为全球最大的电子制造和消费市场。
2.主要企业全球微电子行业的主要企业包括英特尔、台积电、三星电子、美光科技等。
这些企业在芯片设计、制造和相关领域都具有重要地位和领先技术优势。
四、行业面临的挑战1.技术瓶颈尽管微电子行业取得了很大的发展，但其面临的主要挑战之一是技术瓶颈。
随着芯片制程的不断提升，半导体器件逐渐接近物理极限，技术突破难度加大。
2.环境污染微电子行业的制造过程中涉及到大量的化学物质和能源消耗，对环境造成一定程度的污染。
解决环境污染问题成为行业可持续发展的重要议题。
五、未来发展趋势分析1.新一代芯片技术新一代芯片技术的研发和应用将成为微电子行业未来的发展重点。
微电子技术发展趋势及未来发展展望
微电子技术发展趋势及未来发展展望论文概要：本文介绍了穆尔定律及其相关内容，并阐述对微电子技术发展趋势的展望。
针对日前世界局势紧张，战争不断的状况，本文在最后浅析了微电子技术在未来轻兵器上的应用。
由于这是我第一次写正式论文，恳请老师及时指出文中的错误，以便我及时改正。
一．微电子技术发展趋势微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。
微电子技术的发展，大大推动了航天航空技术、遥测传感技术、通讯技术、计算机技术、网络技术及家用电器产业的迅猛发展。
微电子技术的发展和应用，几乎使现代战争成为信息战、电子战。
在我国，已经把电子信息产业列为国民经济的支拄性产业。
如今，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志。
集成电路(IC)是微电子技术的核心，是电子工业的“粮食”。
集成电路已发展到超大规模和甚大规模、深亚微米(0.25μm)精度和可集成数百万晶体管的水平，现在已把整个电子系统集成在一个芯片上。
人们认为：微电子技术的发展和应用使全球发生了第三次工业革命。
1965年，Intel公司创始人之一的董事长Gorden Moore在研究存贮器芯片上晶体管增长数的时间关系时发现，每过18～24个月，芯片集成度提高一倍。
这一关系被称为穆尔定律(Moores Law)，一直沿用至今。
穆尔定律受两个因素制约，首先是事业的限制(business Limitations)。
随着芯片集成度的提高，生产成本几乎呈指数增长。
其次是物理限制(Physical Limitations)。
当芯片设计及工艺进入到原子级时就会出现问题。
DRAM的生产设备每更新一代，投资费用将增加1.7倍，被称为V3法则。
目前建设一条月产5000万块16MDRAM的生产线，至少需要10亿美元。
据此，64M位的生产线就要17亿美元，256M位的生产线需要29亿美元，1G位生产线需要将近50亿美元。
至于物理限制，人们普遍认为，电路线宽达到0.05μm时，制作器件就会碰到严重问题。
微电子技术发展趋势及我国发展战略
陆剑侠王效平李正孝东北微电子研究所１引言微电子技术是当今世界发展最快的技术之一，是信息化产业的基础和核心技术。
９０年代以来，由于微电子技术的突破和微电子新产品的不断问世和广泛应用，使信息化产业以惊人的速度发展，信息化产业在国民生产总值（ＧＮＰ）中所占份额不断提高，已成为全球主流产业。
专家预测，不久的将来，以微电子技术及其产品为主导的信息化产业将超过钢铁工业，成为世界的支柱性产业。
现在，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志。
２国外微电子技术发展概况２．１集成电路（ＩＣ））技术现状与发展趋势集成电路（ＩＣ）出现于６０年代，根据摩尔定律，每经过１８～２４个月，ＩＣ的集成度增长一倍；人们也发现ＩＣ的特征尺寸每隔３年减小３０％，ＩＣ芯片面积增加１．５倍，Ｉｃ芯片的速度增加１．５倍，同时硅晶圆片的直径也逐渐增加，集成电路每代间隔三年。
１９９４年美国半导体工业协会（ｓＩＡ）根据美国半导体公司的主流生产线技术发展的情况，制定了美国半导体技术发展蓝图，１９９７年美国ＳＩＡ又根据情况变化制定了美国半导体公司先进水平生产线技术发展蓝图，如表１所示。
墨！羞垦主曼签夔莶垄垦壁圉年代１９９７１９９９２００１２００３２００６２００９２０１２最小特征尺寸（Ⅲ）２５０１８０１５０１３０１００７０５０臻篇赫ｃ）２５６Ｍ１Ｇ一４Ｇ１６Ｇ６４Ｇ２５６Ｇ舞蒜善曩瑟１１Ｍ２１Ｍ４０Ｍ７６Ｍ２００Ｍ５００Ｍ１４００Ｍ溜甚昌籀釜产７５０１２００１４００１６００２０００２５００３０００金属化最多层数６６．７７７．８８．９９９最低供电电压（ｖ）１．８．２．５１．５．１．８１．２．１．５１．２．１．５ｏ．９．１．２ｏ６．ｏ．９ｏ５．ｏ．６茎在勰尹片２００３００３００３００３００４５０４５０人们正在研究摩尔定律能沿用多久，实际上它受两个因素制约：首先是商业限制，随着芯片集成度的提高，特征尺寸的缩小，生产成本几乎呈指数增长；其次是物理限制，当芯片特征尺寸进到原子量级时就会遇到统计学的问题。
微电子技术发展现状与未来趋势分析
微电子技术发展现状与未来趋势分析随着科技的不断进步，微电子技术已经成为了现代社会中不可或缺的一部分。
从计算机到智能手机，从家电到汽车，微电子技术的应用无处不在。
本文将从微电子技术的发展现状以及未来趋势两方面进行分析。
首先，我们来看微电子技术的发展现状。
近年来，微电子技术在多个领域取得了巨大的进展。
在计算机领域，微电子技术的快速发展推动了计算机性能的大幅提升。
从最初的大型机到个人电脑，再到如今的云计算和人工智能，微电子技术的进步使得计算能力呈指数级增长。
在通信领域，微电子技术的应用使得信息传输更加快捷和稳定。
无线网络的发展以及5G技术的推动，都离不开微电子技术的支持。
此外，微电子技术在医疗、能源、航空航天等领域也有着广泛的应用，不断创造了各种奇迹。
然而，微电子技术的发展并不是一帆风顺的。
随着集成电路规模逐渐缩小，遇到了一系列的挑战。
首先是材料的选择。
传统的硅材料已经无法满足微电子技术对更高性能和更低功耗的需求，因此研究人员开始寻找新的替代材料，如石墨烯、硅基上部分极和氮化镓等。
其次是工艺的突破。
微电子器件的制造需要高精度的加工和控制技术，这对制造工艺提出了更高的要求。
再次是集成度的提升。
随着技术的进步，集成电路上的晶体管数量不断增加，但是其面积却有限。
如何在有限的空间内安置更多的晶体管成为了一个难题。
最后是功耗和散热问题。
随着晶体管数量的增加，功耗和散热都会变得更加复杂。
如何保持微电子器件的稳定运行成为了一项重要的研究领域。
接下来，让我们来探讨一下微电子技术未来的发展趋势。
首先是人工智能和物联网的大力推动。
随着人工智能和物联网的兴起，对计算能力的需求将进一步增大，这将推动微电子技术更加快速地发展。
其次是可穿戴设备的普及。
随着人们对健康的关注日益增加，可穿戴设备将会成为一个重要的市场。
微电子技术的发展将为可穿戴设备提供更高效、更稳定的性能。
再次是能源领域的突破。
微电子技术的应用将推动能源领域的创新，例如太阳能电池、燃料电池等。
微电子技术的发展和应用前景
微电子技术的发展和应用前景随着计算机的不断普及，人们对微电子技术的需求也越来越高。
微电子技术是目前最先进和应用最广泛的一种电子技术。
它的应用范围涵盖了电子信息、半导体、集成电路等多个领域，为人们的生活带来了极大的方便和进步。
本文将从三个方面探讨微电子技术的发展和应用前景。
一、微电子技术的发展历程微电子技术已经存在了几十年，并由此不断发展。
20世纪60年代至70年代末，大规模集成电路（LSI）技术得到迅猛发展。
80年代，计算机技术应用于社会生产和科学研究，精密型、高速型LIS逐渐发展出来。
90年代末至21世纪初，随着纳米技术、超大规模集成电路和直接砷化镓（GaAs）材料的发展，微电子技术得到了前所未有的提高。
二、微电子技术的应用前景1. 5G通信技术5G通信技术是现代化通信技术的重要标志。
5G技术运用有机半导体、量子点电荷输运效应、光纤通信、高效低功耗芯片技术等微电子技术，具有更高的传输速度、更快的响应时间和更低的功耗。
未来，基于5G通信技术的智能家居、自动驾驶、智慧医疗等应用将会成为人们工作和生活中的常态。
2. 物联网技术物联网技术是将人、物、事互相连接，进行智能综合管控和服务的技术，是微电子技术最为重要的一种应用。
物联网技术运用了计算机技术、通信技术、数据采集与处理技术，可以实现各种设备之间的联网，进行数据通信以及信息传输。
未来，物联网技术将应用于智慧城市、智能制造、智能医疗、智能家居等更多领域。
3. 人工智能技术人工智能技术是目前最受瞩目的技术之一。
人工智能技术运用了微电子技术的高精度芯片和高速计算能力，在图像、语音、自然语言处理、大数据分析等方面取得了不错的成绩。
未来，人工智能技术将应用于医疗保健、金融、安全等多个领域，为人们的生活带来更多便利和改变。
三、微电子技术的未来发展趋势随着物联网、5G、人工智能等新技术的不断发展，微电子技术的应用前景将更加广阔。
下一个五年，芯片技术将突破50纳米的晶体管制作工艺，集成度将达到数千万级别。
微电子发展趋势
微电子发展趋势微电子是指尺寸在纳米至微米级别的电子器件和系统。
在过去几十年中，微电子领域取得了巨大的发展，并且其发展趋势也在不断变化和演进。
以下是微电子发展的一些趋势：1. 小型化和集成化：微电子器件逐渐实现小型化和集成化的发展。
其尺寸不断缩小，功能不断增加。
例如，原本需要多个电子器件才能实现的功能现在可以集成到一个芯片中，减小了体积和功耗。
2. 低功耗和高性能：随着移动设备和物联网的发展，对微电子器件的功耗和性能要求也越来越高。
微电子技术不断提升功耗效率，同时提高性能和稳定性，以满足不同应用的需求。
3. 高集成度和3D技术：为了满足多功能和高性能的需求，微电子器件的集成度也越来越高。
通过3D技术，可以在三维空间中布置电子器件，提高了空间利用率，同时降低了电路布线的复杂性。
4. 新材料和制造工艺：微电子器件的发展还受益于新材料的引入和制造工艺的改进。
例如，石墨烯、碳纳米管等新材料的应用使得器件性能得到了提升。
同时，新的制造工艺也使得器件的制造成本和周期得到了降低。
5. 医疗和生物应用：微电子技术在医疗和生物领域的应用也越来越广泛。
例如，微机械系统（MEMS）可以用于制造微型传感器和生物芯片，用于监测人体健康状况和进行基因研究等。
6. 量子计算和量子通信：微电子领域还涌现出了量子计算和量子通信等新兴技术。
量子计算利用量子叠加和量子纠缠等性质，可以进行超快速计算，并且具有极高的安全性。
量子通信则利用量子纠缠实现了绝对安全的通信。
7. 人工智能和边缘计算：随着人工智能的兴起，微电子领域也在努力满足人工智能的需求。
边缘计算技术可以在网络边缘进行数据处理和决策，减少了数据传输的延迟和压力。
微电子器件和系统的发展将进一步推动人工智能的应用。
总之，微电子领域的发展趋势是小型化、集成化、功耗和性能的提升、新材料和制造工艺的引入、医疗和生物应用的拓展、量子技术的发展以及与人工智能的结合等。
这些趋势将不断推动微电子技术的创新和应用，为我们的生活和工作带来更多的便利和可能性。
微电子产业发展趋势
微电子产业发展趋势题目：微电子产业发展趋势摘要：本文将探讨微电子产业的发展趋势。
首先，介绍了微电子产业的定义和背景。
然后，分析了当前微电子产业面临的挑战和机遇。
接着，详细分析了五个主要的微电子产业发展趋势，包括物联网、人工智能、封装和尺寸缩小、新型材料和能源独立型微电子器件。
最后，提出了相关的政策建议，以促进微电子产业的可持续发展。
第一部分：介绍1. 微电子产业的定义微电子是指电子技术在微细结构中的应用，包括半导体材料的制备和加工、微电子元器件的设计、制造和封装等。
2. 微电子产业的背景微电子技术的发展，已经深刻改变了人们的生活方式和工作方式。
从传统的电子设备到智能手机、智能家居、智能医疗等各个领域，微电子的应用不断拓宽。
第二部分：挑战和机遇1. 挑战（1）能源和环境问题：微电子设备的能耗问题面临日益严重的挑战；（2）尺寸和集成度问题：微电子设备的尺寸和集成度要求越来越高；（3）可靠性和安全性问题：微电子设备的可靠性和安全性是发展微电子产业的重要挑战。
2. 机遇（1）物联网：物联网的发展为微电子产业带来了巨大的机遇；（2）人工智能：人工智能的快速发展也为微电子产业提供了广阔的发展空间；（3）传感器技术：随着智能手机、智能家居等智能设备的普及，对传感器的需求将进一步增加。
第三部分：微电子产业的发展趋势1. 物联网（1）概念与应用：物联网是指通过互联网将物理世界和数字世界连接起来的概念。
物联网的应用涵盖了生活、工业、医疗等多个领域。
（2）技术需求：物联网对微电子设备的需求主要体现在传感器、通信模块、封装等方面。
（3）发展趋势：物联网的发展趋势包括更低功耗、更高集成度、更大带宽等。
2. 人工智能（1）概念与应用：人工智能是指通过模仿人类智能的方法和技术，实现机器能够自动学习和推理的能力。
人工智能的应用涵盖了图像识别、语音识别、自动驾驶等多个领域。
（2）技术需求：人工智能对微电子设备的需求主要体现在计算能力、存储能力、能效等方面。
微电子技术的发展趋势与应用场景
微电子技术的发展趋势与应用场景随着科技的不断进步和发展，微电子技术也得到了极大的发展和应用。
微电子技术是指利用微小的半导体器件来实现某种功能，是半导体技术的重要分支之一。
目前，微电子技术已经应用于各种各样的领域，例如计算机、通讯、医疗、军事等等，对许多领域都产生了深远的影响。
本文将从微电子技术的发展趋势和应用场景两个方面进行阐述。
一、微电子技术的发展趋势1. 微电子器件的尺寸不断缩小随着现代半导体工艺的不断改进，微电子器件的尺寸也越来越小。
在过去的几十年里，集成电路芯片的晶体管数量每隔18个月就会翻一倍，这是由于微电子器件尺寸的不断缩小所导致的。
在未来，微电子器件的尺寸还会进一步缩小，这将有助于提高半导体器件的性能，从而开发出更加高效的微电子设备。
2. 系统集成的发展随着微电子技术的发展，人们对微电子设备的要求愈发苛刻。
尽管性能，如功耗和集成度得到不断提高，但除此之外，人们还在寻求更加高效的设备，以及不断增加的功能。
因此，系统集成依然是微电子技术发展的重要方向。
3. 无源元件趋于完美无源元件的发展也是微电子技术发展的重要方向之一。
微电子器件大部分都属于无源元件，例如晶体管、电容、电感等等。
无源元件越来越趋于完美，这将会为微电子技术的进一步发展打下坚实的基础。
二、微电子技术的应用场景1. 智能家居随着物联网技术的不断发展和成熟，智能家居已经成为当今人们日常生活中的不可或缺。
智能家居通过收集各种生活数据，来实现对家庭能源的管理和家电的自动化控制，以及需要根据生活条件来自动调整气氛、温度和湿度等等。
微电子技术的发展使得物联网设备的集成度不断提高，从而可以为智能家居提供更加便利的功能和服务。
2. 医疗健康微电子技术的应用还涉及到医疗健康领域。
微电子技术可以被用于制造各种医疗设备，例如人工耳蜗、心脏起搏器、生命体征监测器等等。
这些器械都是采用微电子技术制造的，它们可以实时对人体的健康状况进行检测和管理，大大提高了医疗保障的效率。
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中国微电子技术发展现状及发展趋势论文概要：介绍了中国微电子技术的发展现状，并阐述对微电子技术发展趋势的展望。
针对日前世界局势紧张，战争不断的状况，本文在最后浅析了微电子技术在未来轻兵器上的应用。
【关键词】：微电子技术生产微电子产品技术发展政策微电子产业统计指标体系发展与应用制造企业数据采集高技术产业政策研究一．我国微电子技术发展状况1956年7月，国务院科学专业化规划委员会正式成立，组织数百各科学家和技术专家编制了十二年（1965—1967年）科学技术远景规划，这个著名的《十二年规划》中，明确地把发展计算机技术、半导体技术、无线电电子学、自动化和遥感技术放到战略的重点上，我国半导体晶体管是1957年研制成功的，1960年开始形成生产；集成电路始于1962年，于1968年形成生产；大规模集成电路始于70年代初，80年代初形成生产。
但是，同世界先进水平相比较，我们还存在较大的差距。
在生产规模上，目前我国集成电路工业还没有实现高技术、低价格的工业化大生产，而国外的发展却很快，美国IBM公司在日本的野洲工厂生产64K动态存贮器，1983年秋正式投产后，每日处理硅片几万片，月产量为上百万块电路，生产设备投资约8000万美元。
日本三菱电机公司于1981年2月开始动土兴建工厂，1984年投产，计划生产64K动态存贮器，月产300万块，总投资约为1.2亿美元。
此外，在美国和日本，把半导体研究成果形成工业化生产的周期也比较短。
在美国和日本，出现晶体观后，形成工业生产能力是3年；出现集成电路后形成工业生产能力是1—3年；出现大规模集成电路后形成工业生产能力是1—2年；出现超大规模集成电路后形成工业生产能力是4年。
我国半导体集成电路工业长期以来也是停留在手工业和实验室的生产方式上。
近几年引进了一些生产线，个别单位才开始有些改观，但与国外的差距还是相当大的。
从产品的产值和产量方面来看，目前，全世界半导体与微电子市场为美国和日本所垄断。
这两国集成电路的产量约占体世界产量的百分之九十，早期是美国独占市场，而日本后起直追。
1975年美国的半导体与集成电路的产值是66亿美元，分离器件产量为110多亿只，集成路为50多亿块；日本的半导体与集成电路的产值是30亿美元，分离器件产量为122亿只，集成电路为17亿块。
1982年美国的半导体与集成电路的产值为75美元，分离器件产量为260多亿只，集成电路为90多亿块；日本的半导体与集成电路的产值为38亿美元，分离器件产量300多亿只，集成电路40多亿块。
我国集成电路自1976年至1982年，产量一直在1200万块至3000万块之间波动，没有大幅度的提高，1982年我国半导体与集成电路的产值是0.75亿美元，产量为1313万块，相当于美国1965年和日本1968年的水平。
（1965年美国的半导体与集成电路的产值是0.79亿美元，产量为950万块；1968年日本的半导体与集成电路的产值为0.47亿美元，产量为1988万块）。
在价格、成本、劳动生产率、成品率等方面，差距比几十倍还大得多，并且我国小规模集成电路的成品率比国外低1—3倍；中规模集成电路的成品率比国外低3—7倍。
目前中、小规模集成电路成品率比日本1969年的水平还低。
从经济效益和原材料消耗方面考虑，国外一般认为，进入工业生产的中、小规模集成电路成品率不应低于50%，大规模集成电路成品率不应低于30%。
我国集成电路成品率的进一步提高，已迫在眉睫，这是使我国集成电路降低成本，进入工业化大生产、提高企业经济效益带有根本性的一环。
从价格上来看，集成电路价格是当前我国集成电路工业中的重大问题，产品优质价廉，市场才有立足之地。
我国半导体集成电路价格，长期以来，降价较缓慢，近两三年来，集成电路的平均价格为每块10元左右，这种价格水平均相当于美国和日本1965年—1967年的水平。
近几年，我国微电子工业得到了进一步发展。
国务院批准了《关于我国电子和信息产业发展战略的报告》，明确提出以集成电路、计算机、通信和软件为电了信息产业发展的重点，要求电子与信息产业，在“七五”期间实现两个转变：第一是服务重点转到为发展国民经济、四化建设和整个社会生活服务的轨道上来；第二是电子工业的发展要转移到以微电子技术为基础、以计算机和通信装备为主体的轨道上来。
这些重大措施正推动着我国微电子学的研究和微电子技术的发展。
二．微电子技术发展趋势微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。
微电子技术的发展，大大推动了航天航空技术、遥测传感技术、通讯技术、计算机技术、网络技术及家用电器产业的迅猛发展。
微电子技术的发展和应用，几乎使现代战争成为信息战、电子战。
在我国，已经把电子信息产业列为国民经济的支拄性产业。
如今，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志。
集成电路(IC)是微电子技术的核心，是电子工业的“粮食”。
集成电路已发展到超大规模和甚大规模、深亚微米(0.25μm)精度和可集成数百万晶体管的水平，现在已把整个电子系统集成在一个芯片上。
人们认为：微电子技术的发展和应用使全球发生了第三次工业革命。
1965年，Intel公司创始人之一的董事长Gorden Moore在研究存贮器芯片上晶体管增长数的时间关系时发现，每过18～24个月，芯片集成度提高一倍。
这一关系被称为穆尔定律(Moores Law)，一直沿用至今。
穆尔定律受两个因素制约，首先是事业的限制(business Limitations)。
随着芯片集成度的提高，生产成本几乎呈指数增长。
其次是物理限制(Physical Limitations)。
当芯片设计及工艺进入到原子级时就会出现问题。
DRAM的生产设备每更新一代，投资费用将增加1.7倍，被称为V3法则。
目前建设一条月产5000万块16MDRAM的生产线，至少需要10亿美元。
据此，64M 位的生产线就要17亿美元，256M位的生产线需要29亿美元，1G位生产线需要将近50亿美元。
至于物理限制，人们普遍认为，电路线宽达到0.05μm时，制作器件就会碰到严重问题。
从集成电路的发展看，每前进一步，线宽将乘上一个0.7的常数。
即：如果把0.25μm看作下一代技术,那么几年后又一代新产品将达到0.18μm(0.25μm×0.7)，再过几年则会达到0.13μm。
依次类推，这样再经过两三代，集成电路即将到达0.05μm。
每一代大约需要经过3年左右。
三. 微电子技术的发展几十年来集成电路(IC)技术一直以极高的速度发展。
如前文中提到的，著名的穆尔(Moore)定则指出，IC的集成度(每个微电子芯片上集成的器件数)，每3年左右为一代，每代翻两番。
对应于IC制作工艺中的特征线宽则每代缩小30％。
根据按比例缩小原理(Scaling Down Principle)，特征线条越窄，IC的工作速度越快，单元功能消耗的功率越低。
所以，IC的每一代发展不仅使集成度提高，同时也使其性能(速度、功耗、可靠性等)大大改善。
与IC加工精度提高的同时，加工的硅圆片的尺寸却在不断增大，生产硅片的批量也不断提高。
以上这些导致了微电子产品发展的一种奇妙景观：在集成度一代代提高的同时，芯片的性能、功能不断增强，而价格却不断下跌。
这一现象的深远意义在于，随着微电子芯片技术的快速发展，一切微电子产品(计算机、通信及消费类产品等)也加速更新、换代；不仅新一代产品性能、功能大大超过前一代，而且价格的越来越便宜又为电子信息技术的不断推进及其迅速推广应用到各个领域创造了条件，导致了人类信息化社会的到来。
由于集成电路栅长度的减小和集成度的增大，因此必须发展相应的制造技术，即光刻技术、氧化和扩散技术、多层布线技术和电容器材料技术。
① 光刻技术利用波长436nm光线，形成亚微米尺寸图形，制造出集成度1M位和4M位的DRAM。
i射线(波长365nm)曝光设备问世后，可形成半微米尺寸和深亚微米尺寸的图形，制造出16M位和64M位的DRAM。
目前，采用KrF准分子激光器的光刻设备已经投入实用，可以形成四分之一微米尺寸的图形，制造出64M位DRAM。
采用波长更短的ArF激光器的光刻设备，有可能在21世纪初投入实用。
当然，为了实现这一目标，必须开发出适用的掩膜形成技术和光刻胶材料。
X射线光刻设备的研制开发工作，已经进行了相当的时间，电子束曝光技术和3nm真空紫外线曝光技术，也在积极开发之中，哪一种技术将会率先投入实用并成为下一阶段的主流技术，现在还难以预料。
② 蚀刻技术在高密度集成电路制造过程中，氧化膜、多晶硅与布线金属的蚀刻技术，随着特征尺寸的不断缩小将变得越来越困难。
显然，如果能够研制出一种可以产生均匀的平面状高密度等离子源的技术，就会获得更为理想的蚀刻效果。
利用CER(电子回旋共振)等离子源或ICP(电感耦合等离子)高密度等离子源，并同特殊气体(如HBr等)及静电卡盘(用于精密温度控制)技术相结合，就可以满足上述电路蚀刻工艺的要求。
③ 扩散氧化技术要想以低成本保证晶体的良好质量，必须采用外延生长技术。
其理由是，同在晶体制作上下工夫保证质量所需要花费的成本相比，外延生长技术的成本低得多。
离子注入的技术水平已经有很大提高，可以将MeV(兆电子伏特)的高能量离子注入到晶体内部达几微米深度。
迄今采用的气体扩散法，需要在高温中长时间地扩散杂质才能形成扩散层。
而现在，利用离子注入技术，可以分别地将杂质注入到任意位置，再经一次低温热处理，就可以获得同样的结果。
同时，低能量离子注入技术也取得很大进展，可以形成深度小于0.1μm的浅扩散层，而且精度相当高。
另外，斜方向离子注入技术也大有进展，可以在任何位置注入杂质，从而可以在低温条件下按照设计要求，完成决定晶体管性能的杂质扩散工序作业。
用固相扩散法制造源漏极浅结极为有效，已经获得35nm的浅结。
④ 多层布线技术把电阻小于铝的铜，作为下一代布线材料正在引起人们的关注。
美国半导体工业协会(SIA)已经将“以铜代替铝”列入其发展规划，并制定出相应的目标和技术标准。
铜布线采用镶嵌方法制作，并利用CMP(化学机械抛光)技术进行研磨，布线形成则使用半导体级电镀技术。
铜容易在绝缘膜中扩散，所以，在采用铜布线时，需要同时采用能够防止铜扩散的势垒金属技术。
用离子束喷射法替代常用的真空溅射法，将金属喷射到硅圆片表面，这种方法使硅圆片不需要金属化的一侧带负电荷，然后让金属离子带正电荷，在负电荷吸引下，金属粒子沉积在硅圆片表面，形成十分均匀的金属薄膜。
预计离子喷射法三年后可达到实用。
在高速电路的布线中，必须同时形成低介电系数的层间膜。
氧化膜的介电系数为4.0，添加氟(F)的氧化膜，其介电系数现在可以达到3.6，利用高密度等离子CVD(化学气相淀积)技术可制作含氟的氧化膜。