电子级多晶硅生产技术浅谈
多晶硅工艺生产技术概述
多晶硅工艺生产技术概述摘要多晶硅是一种重要的材料，广泛用于半导体工业和太阳能电池等领域。
本文对多晶硅的工艺生产技术进行了概述，包括多晶硅材料的制备、熔炼和晶体生长等关键步骤。
同时介绍了多晶硅晶体的质量评估和后续加工工艺。
通过对多晶硅工艺生产技术的了解，可帮助读者更好地理解多晶硅的生产过程和相关技术。
引言多晶硅是由高纯度硅原料制备而成的硅单质，具有晶体结构的特点。
多晶硅作为一种重要的材料，在半导体工业和太阳能电池等领域有广泛应用。
多晶硅的制备过程包含多个关键步骤，包括材料制备、熔炼和晶体生长等。
多晶硅材料的制备多晶硅的制备主要通过化学气相沉积（CVD）法或者物理气相沉积（PVD）法来实现。
CVD法是指通过化学反应在基片表面沉积硅原子，形成多晶硅材料。
PVD 法则是指通过物理手段，如蒸发或溅射，将高纯度硅材料沉积在基片表面。
在材料制备的过程中，首先需要选择高纯度的硅原料。
通常使用的硅原料有气相、硅石和冶炼石英等。
其中气相硅原料的纯度最高，能够保证制备出高品质的多晶硅材料。
多晶硅的熔炼多晶硅的熔炼是制备多晶硅的关键步骤之一。
常用的熔炼方法有梯级熔炼法和等离子熔炼法。
梯级熔炼法是指将高纯度硅原料放入一系列熔炼炉中进行熔炼。
在炉中，硅原料逐渐熔化，并逐步减小杂质含量。
最后得到高纯度的多晶硅。
等离子熔炼法是指通过等离子体技术将硅原料加热至高温，使其熔化。
等离子熔炼法具有熔化速度快和杂质去除效果好的特点，是目前多晶硅熔炼的常用方法。
多晶硅的晶体生长多晶硅晶体生长是多晶硅制备的最后一步。
在晶体生长过程中，需要通过控制温度和各种气体流动来控制晶体的生长速率和晶格结构。
多晶硅晶体生长的方法有凝固生长法和气相损失生长法。
凝固生长法是指通过在熔融硅上方降温使其凝固成晶体。
气相损失生长法是指通过化学气相沉积法在晶体基片上沉积硅原子，形成多晶硅晶体。
多晶硅晶体的质量评估多晶硅晶体的质量评估是非常重要的。
常用的评估方法有晶体结构分析、杂质测量和电学性质测试等。
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解 决 方 案 。
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（来 源 ：新 华社 ）
（来 源 ：央 广 网）
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多晶硅的生产工艺及研究
多晶硅的生产工艺及研究多晶硅是一种重要的半导体材料，广泛用于太阳能电池、集成电路、纳米材料等领域。
其生产工艺包括多晶硅的制备和提纯两个主要环节。
本文就多晶硅的生产工艺和研究进展进行介绍。
多晶硅的制备工艺通常采用“气相法”和“熔体法”两种主要方法。
其中，气相法包括氯化硅还原法和化学气相沉积法（CVD法），熔体法主要包括熔化再冷却法和微扩散法。
氯化硅还原法是多晶硅制备的传统工艺，其步骤包括将氯化硅与还原剂（如氢气或硅烷）在高温下反应生成多晶硅，然后通过淬灭和粉碎处理获得多晶硅块。
这种方法工艺简单，但存在环境污染和资源浪费的问题。
化学气相沉积法（CVD法）是一种高温下生成多晶硅的工艺，在低压和高温的条件下，将硅单质在载气（如氮气）中变成硅烷化合物，再在基片表面上沉积生长为多晶硅。
该方法可以控制多晶硅的晶粒大小和结构，但设备复杂，生产成本较高。
熔体法是将硅原料（如硅石、硝酸硅等）熔化后再冷却成固体多晶硅。
熔化再冷却法是通过将硅原料加热至高温熔化为熔体，然后缓慢冷却使之结晶成多晶硅块。
该方法操作简单，但存在杂质的问题。
微扩散法是在前一种方法的基础上，添加控制条件，如固相渗入、外部氧化剂等，来控制多晶硅的结构和纯净度，从而提高材料的质量。
多晶硅的提纯工艺包括区熔法和等离子体炼炉法两种主要方法。
区熔法是将多晶硅块在高温梯度下往返扫过，使杂质分布在梯度区域中，从而提高材料的纯度。
等离子体炼炉法则是利用高温等离子体炉将多晶硅块加热至高温，利用等离子体液体交互作用力使杂质从多晶硅中析出，从而提高材料的纯度。
多晶硅的研究主要集中在杂质控制、晶粒控制和能效提高等方面。
杂质控制是多晶硅研究的重点之一，因为杂质对多晶硅电子性能的影响十分显著。
目前的研究主要集中在减少杂质含量、改善杂质分布和控制杂质降解等方面。
晶粒控制是另一个重要的研究方向，因为晶粒尺寸对多晶硅的导电性能和光学性能有着重要的影响。
研究目标主要是通过改变制备工艺和添加控制条件来控制晶粒尺寸。
电子级多晶硅生产技术探讨
2018年11月电子级多晶硅生产技术探讨沈长丽张戈潘晓磊张晓丹赵静(河南硅烷科技发展股份有限公司,河南许昌461700)摘要：本文主要结合我公司目前所掌握的硅烷法多晶硅生产技术和国外先进技术，对电子级多晶硅生产关键改良技术进行了全面的分析和探究，进而为实现我国电子工业持久稳定发展，提高其生产效率和生产效益作为准确的参考依据。
关键词：电子级多晶硅；关进技术；探讨分析作为电子工业的基础原材料，近年来，多晶硅一直受到电子发展基金的高度重视，并多次安排相关项目给予支持，如：多晶硅生产技术研发、生产装备研发以及支持多晶硅检测平台建设等，这其中，尤以多晶硅生产技术研发最为重要，其对于我国电子工业的可持续发展有着很大的促进作用，因此，对电子级多晶硅生产技术进行深入的探究，很有必要。
1国内外相关领域技术发展水平和趋势目前，全球电子级多晶硅生产工艺线路主要以改良西门子工艺、硅烷法工艺、流化床工艺为主，这其中，由于流化床颗粒工艺无法全面控制产品杂质，所以也就不能生产出优质的电子级多晶硅，改良西门子工艺主要是采用三氯氢硅在还原炉中进行化学气相沉积实验来生产多晶硅，也是国内主流工艺，但是在这一过程中，多晶硅的产品质量始终未能得到有效改善，到目前为止我国还未能完全掌握改良西门子法生产电子级多晶硅的核心技术。
而硅烷生产工艺则主要适用于直拉单屏，和区熔单屏的制造，因其将高纯硅烷作生产原料，所产出的多晶硅最高可达11N ，因此硅烷法工艺是生产高端电子级多晶硅产品的首选。
在我国，电子级多晶硅生产的企业有很多，以河南硅烷科技发展股份有限公司为例，其在生产电子级多晶硅时，主要采用了以硅烷CVD 法工艺，该工艺生产的硅产品不仅质量高、产品低，而且还能满足国家所提偿的环保节能需求。
因为该工艺在实际运用时，通过采用低能耗的CVD 热解工艺，大大减少了多晶硅在生产过程中所产生的能源消耗现象，并且所利用的反应设备也是带有冷却夹套的最新型仪器，在多晶硅形成阶段，可以有效的控制炉内热场分布，避免无定形硅出现分解或夹带现象，进以最大化保障金属杂质含量可以与电子级多晶硅生产标准相吻合。
多晶硅的应用及生产技术
多晶硅的应用及生产技术多晶硅是一种重要的材料，具有广泛的应用领域和多样的生产技术。
下面将分别介绍多晶硅的应用和生产技术。
一、多晶硅的应用多晶硅广泛应用于光伏行业和半导体行业。
1. 光伏行业：多晶硅是太阳能光伏电池的主要材料。
在光伏电池中，多晶硅通过一系列工艺处理，如切割、刻蚀、钝化等，制成具有正负结的片状硅片。
这些硅片通过组装和连接，形成太阳能电池组件，用于太阳能发电。
多晶硅的应用使得太阳能光伏发电成为可持续发展的清洁能源，有助于减少对传统化石能源的依赖。
2. 半导体行业：多晶硅也被广泛用于半导体制造。
半导体是电子器件的基本材料，它具有导电性能介于导体和绝缘体之间。
多晶硅被用作半导体的基础材料，通过控制多晶硅中杂质元素的含量和分布，可以制备出具有特定电学性质的半导体材料，用于制造各种电子器件，如集成电路芯片、电子器件封装等。
多晶硅在半导体行业的应用推动了现代电子技术的发展，广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。
二、多晶硅的生产技术多晶硅的生产技术主要包括潜在载氧体法、克劳修斯法和Siemens法。
1. 潜在载氧体法：潜在载氧体法是一种通过化学反应来制备多晶硅的方法。
该方法首先将硅含氧化物与氢气或碳氢化合物在高温下反应，生成硅气体，然后将硅气体在低温下快速冷凝成多晶硅。
这种方法可以在大规模生产中获得高纯度的多晶硅，适用于太阳能光伏晶圆片的制备。
2. 克劳修斯法：克劳修斯法是一种进一步提高多晶硅纯度的方法。
该方法是通过控制硅气体中氧和杂质的含量，在低温下将硅气体再次凝结成固体硅。
克劳修斯法生产的多晶硅具有更高的晶格质量和更低的杂质含量，适用于半导体行业的生产。
3. Siemens法：Siemens法是一种通过炉管法制备多晶硅的方法。
该方法将氯化硅和氢气在炉管中进行反应，生成硅气体，然后在适当的条件下，将硅气体沉积在内壁上并快速凝结成多晶硅。
这种方法可以实现连续生产，适用于大规模工业化生产。
此外，随着科技进步和工艺改进，还出现了一些新的多晶硅生产技术，如溶液法、喷雾法等。
电子级多晶硅的生产工艺探讨
电子级多晶硅的生产工艺探讨
霍海洋;宗佰利
【期刊名称】《智能城市应用》
【年(卷),期】2024(7)2
【摘要】电子级多晶硅是半导体制造中至关重要的材料,其质量和纯度直接影响半导体器件的性能。
文章探讨了电子级多晶硅的生产工艺,着重分析了多晶硅技术的特殊性及我国在这一领域的差距,通过对电子级多晶硅生产工艺的详细讨论,包括还原技术、提纯技术、耦合生产技术和清洁生产技术等方面的分析,旨在为提高我国电子级多晶硅生产水平提供参考。
【总页数】3页(P120-122)
【作者】霍海洋;宗佰利
【作者单位】陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
【正文语种】中文
【中图分类】TQ426.95
【相关文献】
1.电子级多晶硅的生产工艺
2.电子级多晶硅生产技术探讨
3.电子级多晶硅金属杂质来源探讨
4.电子级多晶硅生产工艺的热力学分析
5.电子级多晶硅清洗工艺探讨
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多晶硅的生产工艺及研究
多晶硅的生产工艺及研究1.引言多晶硅是一种重要的半导体材料，广泛应用于太阳能电池、集成电路和微电子设备中。
它具有较高的电导率和热导率，因此在能源转换和电子器件方面具有巨大的应用潜力。
本文将介绍多晶硅的生产工艺及相关研究。
2.多晶硅的制备方法多晶硅的制备方法通常包括以下几个步骤：2.1原料制备：将硅砂经过粉碎、筛分和洗涤等处理，得到纯度较高的硅粉。
2.2单晶硅的生长：将硅粉在高温环境下进行还原反应，得到单晶硅块。
2.3多晶硅的制备：将单晶硅块经过熔化、晶化和切割等处理，得到多晶硅块。
2.4多晶硅片的制备：将多晶硅块经过切割、抛光和清洗等处理，得到多晶硅片。
3.多晶硅的电化学沉积法电化学沉积法是一种制备多晶硅的重要方法。
它利用电解质中的离子进行电极反应，沉积出多晶硅薄膜或纳米颗粒。
该方法具有简单、可控性强和成本低等优点，广泛应用于太阳能电池和微电子器件中。
4.多晶硅的激光熔化法激光熔化法是一种利用激光高能量密度对硅材料进行局部熔化和凝固的方法。
该方法可以获得高纯度、低缺陷的多晶硅薄膜，并具有较高的结晶度和电学性能。
该方法广泛应用于太阳能电池的制备中。
5.多晶硅的晶体生长技术多晶硅的晶体生长技术是一种通过控制晶界生长来提高多晶硅的结晶质量和电学性能的方法。
该技术包括定向凝固法、温度梯度法和溶液热法等。
这些方法通过调节温度梯度和晶体生长速度等参数，可以获得较大晶界能量和较高的晶界能垂直度，从而提高多晶硅的结晶质量和电学性能。
6.多晶硅的表面处理技术多晶硅的表面处理技术是一种通过改变表面形貌和化学性质来改善多晶硅的光吸收性能和光电转换效率的方法。
常用的表面处理技术包括湿法刻蚀、化学气相沉积和表面涂覆等。
这些技术可以形成纳米结构、提高表面反射率和降低表面缺陷密度，从而提高多晶硅的光吸收性能和光电转换效率。
7.多晶硅的尺寸效应研究多晶硅的尺寸效应研究是一种通过调控多晶硅的尺寸和形貌来改善其电学性能和光电转换效率的方法。
电子级多晶硅的生产工艺
电子级多晶硅的生产工艺目录摘要........................................................1. 1引言. (1)2 多晶硅技术的特殊性及我国的差距 (1)2.1 多晶硅技术的特殊性 (1)3 主要的多晶硅生产技术选择 (2)3.1 SiCl4法 (2)3.2 SiH2Cl2法 (3)3.3 SiH4法 (3)3.4 SiHCl3法 (4)4 电子级多晶硅流程 (5)4.1 第一代SiHCl3的生产流程 (5)4.2 第二代多晶硅的生产流程 (7)4.3 第三代多晶硅生产流程 (8)5 流床反应器和自由空间反应器 (10)6 结论 (11)7致谢 (11)参考文献 (12)电子级多晶硅的生产工艺摘要:就建设1000t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。
对三氯氢硅法、四氯化硅法、二氯二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比;对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了比较。
介绍了用三氯氢硅钟罩式反应器法生产多晶硅三代流程。
第三代多晶硅流程适于1000t/a级的电子级多晶硅生产。
关键词多晶硅;三氯氢硅法;硅烷法;流程;生产1.引言：根据电子级多晶硅的需求,世界及中国电子级多晶硅的生产能力,市场竞争形势,多晶硅的体纯度和表面纯度以及生产成本。
提出了占领市场必须具备的质量标准,能源消耗和材料消耗指标以及最终生产成本。
本文将进一步讨论目前电子级多晶硅的各种关键技术和这些技术对比,从而提出在建设我国1000t电子级多晶硅工厂的技术建议。
2 多晶硅技术的特殊性及我国的差距2.1 多晶硅技术的特殊性电子级多晶硅的发展经历了将近50年的历程。
各国都在十分保密的情况下发展各自的技术。
国外有人说参观一个多晶硅工厂甚至比参观一个核工厂还要难,可见其保密性之严。
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电子级多晶硅生产技术浅谈
摘要：在工业生产中，对于电子级多晶硅的需求量是非常大的，其质量对
电子产品的电路级功能、二极管功能等有着重要的影响。
所以，想要保证工业生
产中电子产品的质量，就需要确保电子级多晶硅产品的质量。
由此，论文先对电
子级多晶硅生产工艺做了简要分析，进而深入研究与分析了现阶段电子级多晶硅
的生产技术，以供借鉴。
关键词：电子级多晶硅；还原炉；生产技术；精馏；分析
前言
随着现代科学技术的快速发展，电子工业生产中对于电子级多晶硅的需求不
断增大，但现阶段的电子级多晶硅生产技术还存在一定的缺陷问题，如提纯效率
不高、污染大及生产成本高等。
为了更好地满足当前社会发展对于产品质量和数
量等方面的实际需要，还需要进一步加大对电子级多晶硅生产技术的研究与探索，不断提升其生产技术水平，促进产品质量和效率的提升，从而更好地满足实际需要。
一、电子级多晶硅生产工艺
就目前来看，许多制造企业在生产多晶硅时大多选用改良西门子法和流化床
颗粒硅法实现的。
流化床颗粒硅法在实际生产过程中对于产品杂质的控制存在一
定的难度，这与电子级多晶硅的生产不相符。
电子级多晶硅生产中所采用的改良
西门子法主要包含了两种不同的工艺，一种是三氯氢硅生产工艺，一种是硅烷生
产工艺。
其中前者主要以直拉单晶和区熔单晶作为高纯硅料实现生产的，其所生
产的产品具有较高的纯度，也因此该生产工艺受到许多企业的青睐，尽管如此，
但这种工艺在实际生产过程中会产生对环境污染较大的有害物质，且生产成本较高。
硅烷生产工艺则是以石英钟罩内的硅烷化学气相沉积来实现生产的，尽管这
种工艺在生产过程中能耗较低，但存在其他额外的损耗，整体生产成本也比较高，再加上硅烷生产具有较高的危险性，也因此使得该工艺的应用受到一定的制约。
由上述可知，现阶段的电子级多晶硅生产工艺仍然存在一定的缺陷问题，所以，
制造企业需要结合自身生产的实际需求和生产环境的实际情况，具有针对性的选
择与之相符合的生产工艺，同时加以改进和优化，以确保电子级多晶硅的生产质
量和效率。
二、电子级多晶硅生产技术分析
在电子级多晶硅生产过程中，产品纯度的控制和产品生产的稳定性两个方面
有着至关重要的影响。
鉴于现阶段电子级多晶硅生产中传统生产工艺存在的缺陷
问题，制造企业在实际生产过程中应当积极引进现代先进的生产工艺技术，以确
保电子级多晶硅生产得以持续与稳定开展，有效提升产品生产质量和效率，最大
限度地降低生产过程中对环境造成的污染。
（一）还原技术
还原是电子级多晶硅生产过程中一项基础性的生产环节，其主要生产设备是
还原炉，在实际生产过程中需要确保所使用的生产设备具有一定的质量和性能，
只有这样才能保证电子级多晶硅生产得以正常进行。
在以往传统的电子级多晶硅
生产中通常需要24和36对棒还原炉来实现产品的生产，在实际生产时通常需要
消耗较大的电能和成本，再加上想要对这种还原炉的生产参数进行控制往往存在
较大的困难，极易因产品质量不合格而需要做进一步的改进与优化。
鉴于这种情况，企业可以结合自身实际情况将现有的还原炉转换成12棒的，通过对还原炉
流场和温场的改进与优化，使硅极有排布、进出气口等的位置更加合理化。
另外，因12棒还原炉所使用材料为银钢复合板，这对于还原炉生产参数的控制是十分
有利的，也因此可以极大地提高产品生产质量和效率。
（二）提纯技术
精馏工艺是以往传统电子级多晶硅生产中一种极为重要的提纯工艺，但因受
当前检测技术的制约而使得其难以实现对三氯氢硅原料中的杂质进行精准高效地
检测，只能通过小检验炉生产硅棒的方法展开试验，以实现对三氯氢硅质量参数
进行确定，并在此基础上对其所含杂质展开分析。
但这种试验方法所获取的精准
度并不高，想要保证产品质量和效率是十分困难的。
可见，在电子级多晶硅生产
过程中，提纯技术是十分重要的，需要确保提纯系统得以生产的稳定性，使其得
以与三氯氢硅原料的生产需要相符合，才能保证后续所生产出的产品完全达到相
关标准和要求。
对于提纯技术方面的问题，企业可以借助多级精馏与吸附的有效
融合生产来实现，这一过程的吸附需要借助吸附剂来完成，通常可以选用经活化
处理的树脂作为吸附剂，其主要是针对精馏处理前的原料和半成品进行吸附，可
以有效清除三氯氢硅中的硼、磷等杂质，与此同时，吸附作业还可以有效规避原
料出现过大的变化，有效保证产品生产质量。
（三）耦合生产技术
通常在企业制造过程中大多使用热氢化装置来实现氢化处理，但这种装置存
在一定的缺陷问题，进而使得电子级多晶硅的生产难以实现闭合循环，同时，需
要生产人员定期加入原料，这在一定程度上增加了产生产成本。
针对这一问题，
可以引进现代先进的耦合生产技术使电子级多晶硅生产与光伏级多晶硅生产得以
有效结合起来，使电子级多晶生产过程中所生成的氯化氢副产物被有效传送至光
伏级多晶硅生产中的冷氢化装置中，进而有效去除电子级多晶硅生产中的杂质，
同时，借助冷氢化装置中氯化氢与硅发生放热反应而产生一定的热量，为生产提
供能量，有效减少能耗。
另外，应用耦合生产技术还可以有效将多晶硅生产过程
中所产生的三氯氢硅传送到电子级多晶硅生产系统中来，并为该生产提供必要的
原料，进而开成闭合循环系统，真正实现节约成本。
在应用耦合生产技术系统时，需要及时补充适当的硅粉和氢气，有效降低生产过程对环境的破坏，真正实现绿
色生产。
（四）清洁生产技术
在应用耦合生产技术实现减少环境污染的过程中，还需要在后处理工序与设
备生产环境中应用一定的清洁生产技术，进而有效减少电子级多晶硅生产过程对
环境造成的污染，真正实现清洁生产，这与国家节能减排的基本要求相符合。
在
以往传统生产工艺的后处理过程中，极易引入杂质而使得产品质量受到影响，而
应用现代化后处理工序的自动化设计和拆棒系统及自动库存管理系统等能够使后
处理工序得以实现自动化作业。
如拆棒系统能够有效拆除还原炉中的硅极低，并
通过AGV小车将硅棒运送到自动库存管理系统并实现存储。
另外，还可以借助现
代自动化设备使硅棒酸洗、脉冲破碎等作业能够实现自动化作业，从而使自动化
后处理过程中与硅棒材料有接触的器具均实现洁净作业，真正达到清洁生产的标
准和要求。
在电子级多晶硅清洁生产过程中还存在一定的设备、管道等作业环境，在以往传统的生产中还会有换热器、传输管道、储罐等装置的全用，这些装置在
长期使用中难免会产生杂质而对产品质量造成影响。
所以，企业还需要尽可能保
证生产环境的清洁，科学有效地对装置中与原料相接触的部位做全面的洁净处理，确实保证清洁生产，有效减少杂质对生产造成的影响。
三、结束语
总而言之，在以往传统的电子级多晶硅生产过程中还存在许多缺陷问题。
因此，想要确实有效地提高电子级多晶硅的质量，还需要对其生产技术加以研究和
创新。
积极吸收和借鉴现代先进的生产经验、设备和工艺技术等，确实从根本上
提高产品质量和产量，提高企业经济效益和社会效益，进而有效推进我国经济的
持续与稳定运行。
参考文献：
[1]张鹏远,杜俊平. 结合多晶硅国家标准浅析电子级多晶硅生产控制要点[J]. 中国有色冶金,2021,50(2):59-63.
[2]李有斌,俞朝,陈叮琳,等. 电子级多晶硅生产还原尾气中无定型硅去除工
艺研究[J]. 化工设计通讯,2021,47(1):38-39.
[3]江苏鑫华半导体材料科技有限公司. 一种电子级多晶硅生产用氢气提纯
的方法:CN202110748209.6[P]. 2021-08-10.
[4]马咸会. 电子级多晶硅项目管道施工方案研究[J]. 智能城
市,2018,4(12):116-117.。