新型存储器
新式存储器
２１ ０ 第 ３期 （ 第 １ ２期 ） １年 总 ２
胜任这项技术 ，玻璃存储器将让博物馆和 “ 诸 如 国家 案 中心这 样 的机构 大 大受 益 ” 。 英 国科 学家 们 正 同立 陶宛 Ａｔｃｎ 公 ｌ ｈａ ｅ 司合作 ， 图将这 种 技术市 场化 。 试
新 型 Ｘ光 纳米 显 微镜
一
新 式 存 储 器
据英 国《 日电讯报》 每 报道 ， 国科学 盘存储器相 比， 英 玻璃存 储 器更 稳定 ， 耐 更 家首次研发出了玻璃存储器。这种存储器 用 。现 在 的硬 盘 存 储 器 的 寿命 仅 为 几 十 块头小 ， 存储能力强 ， 而且 ， 寿命长达几千 年 ， 且很 容 易 被 高 温 和 湿 气 破 坏 。 而 这 种 年， 大型 机 构 和 公 司 的海 量 信 息 今 后 可 以 玻璃存储器 能耐受 ９ ３摄 氏度 的高 温， ８ 即 长 时间安 全存 储 其 中 。相关 研 究 发表 在 最 使在水中也不会遭受任何 破坏 ， 息可 以 信 新一期《 应用物理学快报》 杂志上。 在里 面安 全存储 几千 年 。 英 国南安 普敦 大 学 的科 学 家使 用 激 光 这种玻 璃存 储器 可 同《 人》 超 系列 电影 让玻 璃 块 中 的原 子 重 新 排 列 ， 玻 璃 “ 让 变 中使 用 的“ 存储 晶体 ” 媲 美 ， 存 储 晶体 ” 相 “ 身” 为新 式 存 储 器 。他 们 首 先 让 一 束 激 光 包含 了超人父母保存 下来的视频 和数据 ， 聚焦 ， 随后将名为三维像素（ｏｅ ） ｖｘｌ 的小点 当把这种 晶体插人一个播 放器 中时 ， 中 ｓ 其 铭 刻进 纯 净 的石 英 玻 璃 内 ， 玻璃 变 得 有 的数 据会被 重放 出来 。 使 点模糊 ， 光通 过玻璃时会发生极 化。极 化 领导该研究的南安普敦大学光纤光 电 过程改 变 了光 通 过 玻 璃 的 方 式 ， 造 出 了 子激 光光学 研究 中心 的科 学 家 马蒂 纳 斯 ・ 制 极光漩 涡 ， 以此将信息记 录于玻璃 内。玻 伯瑞斯 纳 表 示 ， 块 比手 机 屏 幕 还 小 的 玻 一 璃存储 器 内 的信息 阅 读 方式 与 光纤 内数据 璃存储器可存储 ５ Ｇ ０ Ｂ的数据 ， 与一张蓝光 的 阅读 方式 一样 ， 而且 ， 中存 储 的数 据也 光盘 的存储 量相 当。 “ 且 ， 据 能被 永 远 其 而 数 可 以利 用激 光进 行清 除 、 写等 操作 。 重 地存储 在玻 璃 中 。玻 璃 存储 器 有 望 变 成 一 科学家们表示 ， 与现在广 泛使用 的硬 种非常稳定 、 安全的便携式存储方式。 ”
新型光电存储技术的创新与发展
新型光电存储技术的创新与发展随着信息技术的迅猛发展，大量数据的存储需求不断增长，而传统的存储技术已经无法满足人们的需求。
光电存储技术作为一种新型的存储技术，正得到越来越多的关注和研究。
本文将探讨新型光电存储技术的创新与发展，旨在了解光电存储技术的现状和未来发展趋势。
一、什么是光电存储技术？光电存储技术是指利用光子和电子之间的相互作用，将光能转化为电信号并以此进行存储的技术。
光电存储技术是一种新型存储技术，相比于传统的磁存储和半导体存储具有更高的存储容量和读写速度。
二、光电存储技术的创新随着光电存储技术的不断发展，越来越多的创新和应用被提出。
以下是一些典型的创新案例：1. 光子存储系统光子存储系统是基于利用光子进行数据存储的技术。
与传统存储方式相比，光子存储系统具有更快的读写速度和更大的存储容量。
同时，它也是一种非易失性存储技术，即使断电也能保留数据。
目前，光子存储系统已经被广泛应用于天气预报、卫星图像等领域。
2. 量子存储技术量子存储技术是一种基于量子态进行存储的技术。
量子存储技术具有非常高的存储密度和数据加密保护能力。
目前，许多研究和实验表明，量子存储技术将成为未来存储技术的一个重要方向。
3. 光控晶体存储器光控晶体存储器是一种基于光控晶体的新型存储器，它可以在纳秒级别的时间内进行存储和读取。
光控晶体存储器具有高速率和高存储密度的优点。
三、光电存储技术的发展趋势在未来的几年里，光电存储技术将呈现出以下几个发展趋势：1. 高速度的读写随着光电存储技术的不断发展，其读写速度将不断提高。
这将意味着更快的数据传输速度和更高的数据存储速度。
2. 更高的存储密度光电存储技术具有更高的存储密度，未来的发展将带来更高的存储容量和更小的存储空间。
3. 市场规模扩大光电存储技术的应用领域将逐渐扩大，包括云存储、机器学习、自动驾驶等领域。
光电存储技术的市场规模将随着需求而不断扩大。
4. 更加稳定的存储形式光电存储技术将成为一种非易失性存储技术，即使断电也能保留数据。
rram原理
RRAM基本原理RRAM（Resistive Random-Access Memory）是一种新型的非挥发性存储器技术，它具有高密度、低功耗和快速读写等优势，被视为下一代存储器的候选技术之一。
RRAM的工作原理基于一种称为电阻变化的效应，通过控制材料中的电阻状态来实现数据的存储和读取。
RRAM的结构RRAM的基本结构由两个电极和介质层组成，介质层中包含了具有电阻变化特性的材料。
其中，一个电极称为顶电极（top electrode），另一个电极称为底电极（bottom electrode）。
介质层通常是一种氧化物，如氧化铌（Nb2O5），氧化锆（ZrO2）或氧化钛（TiO2）等。
RRAM的工作原理RRAM的工作原理可以分为两个步骤：写入（programming）和读取（readout）。
写入（programming）在写入操作中，通过施加一个较高的电压，使得介质层中的电子受到电场的影响而迁移到顶电极，这样就改变了介质层的电阻状态。
具体来说，当施加一个较高的正电压时，电子会从底电极流向顶电极，形成一个导电通道，导致介质层的电阻减小，这种状态被称为“低电阻态”（LRS，Low Resistance State）。
相反，当施加一个较高的负电压时，电子会从顶电极流向底电极，导致导电通道断开，介质层的电阻增加，这种状态被称为“高电阻态”（HRS，High Resistance State）。
读取（readout）在读取操作中，通过施加一个较低的电压，测量介质层的电阻状态，以确定存储的数据。
具体来说，当施加一个较低的电压时，如果介质层处于LRS状态，电流会通过导电通道，导致读取电流较大；如果介质层处于HRS状态，导电通道断开，读取电流较小。
通过测量读取电流的大小，就可以确定介质层的电阻状态，进而读取存储的数据。
RRAM的工作机制RRAM的电阻变化效应可以归因于介质层中的离子迁移和电子迁移。
离子迁移在写入操作中，施加的电压会导致介质层中的离子发生迁移。
新型存储器件与电子器件技术
考生姓名：答题日期：得分：判卷人：
第一部分单选题（本题共15小题，每小题2分，共30分．在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.以下哪种存储器件不属于新型存储器件？（）
A.铁电随机存取存储器（FRAM）
B.硬盘驱动器（HDD）
C.相变随机存取存储器（PRAM）
C.铁电场效应晶体管（FeFET）
D.传统双极型晶体管
12.以下哪些新型存储器件具有较低的功耗特性？（）
A. STT-MRAM
B. PCM
C. ReRAM
D. NAND闪存
13.新型电子器件技术中，哪些技术可以用于实现3D集成电路？（）
A. 3D晶体管
B.纵向互连
C. 3D封装
D.横向互连
14.以下哪些因素影响了新型存储器件的读写速度？（）
3. A, B, C
4. A, B, C, D
5. A, B, C, D
6. A, B, C, D
7. A, B, C, D
8. A, B, C
9. A, B, C, D
10. A, B, C
11. A, B, C
12. A, B, C
13. A, B, C
14. A, B, C, D
15.材料性能
D.成本
10.以下哪些技术被用于改善新型存储器件的可靠性？（）
A.纳米层堆叠
B.误差校正码
C.电压调控
D.热管理
11.新型电子器件中的场效应晶体管（FET）包括以下哪些类型？（）
A.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
B.碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）
7.在新型电子器件中，自组装技术主要用于生产大规模的纳米结构。（）
新型高密度1S1R结构阻变存储器件概述
新型高密度1S1R结构阻变存储器件概述随着现代半导体工艺的技术进步， Flash 存储器开始遇到技术瓶颈，新型存储器应运而生。
与其他几种新型的非易失性存储器相比，阻变存储器（ RRAM 或 ReRAM）因其具有结构简单、访问速度快等优势，成为下一代非易失性存储器的有力竞争者之一。
基于阻变存储器的交叉阵列是阻变存储器实现高密度存储最简单、最有效的方法。
而仅由阻变存储单元构成的交叉阵列由于漏电通道而存在误读现象。
为了解决误读现象，通常需要在每个存储单元上串联一个选择器构成1S1R结构。
对由阻变存储单元和选择器构成的1S1R结构的研究进展进行综述分析是一项有意义的工作，因此本论文主要对1S1R结构的阻变存储器件的研究进展进行概述。
关键词：阻变存储器，交叉阵列，选择器，1S1R目录中文摘要.......................................... 错误!未定义书签。
英文摘要.......................................... 错误!未定义书签。
第一章绪论 (1)1.1 阻变存储器 (1)1.1.1 RRAM基本结构 (1)1.1.2 RRAM技术回顾 (1)1.2 交叉阵列汇中的串扰问题 (3)1.3 本论文的研究意义及内容 (3)1.3.1 研究意义 (3)1.3.2 研究内容 (3)第二章 RRAM的集成选择器的集成方式 (5)2.1 有源阵列 (5)2.2 无源阵列 (5)第三章 RRAM的集成选择器的类型 (6)3.1 1T1R (6)3.2 1D1R (6)3.3 1S1R (8)3.4 back to back结构 (10)3.5 具有自整流特性的1R结构 (11)第四章 1S1R结构阻变存储器件研究进展 (13)第五章总结与展望 (14)5.1 论文总结 (14)5.2 未来工作展望 (14)第一章绪论1.1 阻变存储器1.1.1 RRAM基本结构阻变存储器（Resistive Random Access Memory,RRAM）和相变存储器的原理有点相似，在电激励条件下，利用薄膜材料，薄膜电阻在高阻态和低阻态间相互转换，这样子就能实现数据存储[1-2]。
相变存储器的原理和发展
相变存储器的原理和发展相变存储器，作为一种新型存储器，正在逐渐成为人们关注的热门话题。
相比于传统的存储器技术，相变存储器由于具有高密度、高可靠性、低功耗等特点，正在逐渐走向成熟。
在这篇文章中，我们将会探讨相变存储器的原理和发展。
一、相变存储器的原理相变存储器（Phase Change Memory，PCM）是一种通过将物质的状态从一个相转变到另一个相来实现存储和擦除信息的存储器。
它具有非易失性、快速读写、高密度、低功耗等优点，而且不会受到电磁干扰的影响。
相变存储器的基本原理是利用材料的相变来存储信息。
在相变存储器中，通过在材料中通入电流，可以将材料由非晶态（amorphous）转变为结晶态（crystalline），或者由结晶态转变为非晶态，从而实现信息的存储和擦除。
相变存储器由一个导电介质薄膜和一层相变材料薄膜组成。
当通入电流时，相变薄膜的温度会上升，从而引起相变。
相变后，材料的导电性和抗电性会发生明显变化，这种变化被采集和存储在导电介质薄膜中。
从而实现了信息的存储。
相变存储器的最大特点是它可以在非常短的时间内进行快速的写和读操作。
相变薄膜的相变速度很快，写入时间只需要几十纳秒，读取时间也只需要几纳秒。
同时，相变存储器还具有非常高的可靠性，因为相变材料可以进行无限次的相变。
二、相变存储器的发展相变存储器的历史可以追溯到上世纪60年代，但要真正进入实用化的阶段还有很长的路要走。
在过去的几十年中，相变存储器的研究一直处于实验室阶段。
直到近年来，随着存储技术的进一步发展，相变存储器才开始逐渐受到人们的关注。
在过去的几年中，相变存储器已经从实验室阶段进入了产品研发阶段。
英特尔公司已经推出了一款基于相变存储器的高速固态硬盘（SSD），号称可以提供比传统硬盘更快的读写速度和更高的可靠性。
同时，三星、东芝、半导体制造商Micron等公司也在积极推进相变存储器技术的研发。
相比于传统的NAND闪存存储器，相变存储器具有更高的存储密度和更快的访问速度。
2024年铁电存储器市场发展现状
2024年铁电存储器市场发展现状引言随着现代科技的快速发展，存储器技术也在不断演进。
铁电存储器作为一种新型非挥发性存储器技术，具备低功耗、高速度、高密度等优势，在市场中逐渐显示出巨大的潜力。
本文将对铁电存储器市场的发展现状进行分析和综述。
1. 铁电存储器概述铁电存储器是一种基于铁电材料特性的非挥发性存储器技术。
相对于传统存储器技术，它具备以下几个显著优势：•低功耗：铁电存储器无需持续电流维持信息的存储，因此功耗较低。
•高速度：铁电存储器读写速度远高于传统存储器技术，使其在大数据处理和实时应用中具备竞争力。
•高密度：铁电存储器可以实现高密度集成和高存储容量，有望满足不断增长的存储需求。
•非易失性：铁电存储器在断电后仍然能够保持存储的数据，不易丢失。
2. 铁电存储器市场现状铁电存储器市场在过去几年取得了稳步增长，并有望在未来继续呈现良好的发展态势。
以下是铁电存储器市场现状的主要特点和趋势：2.1 技术发展情况铁电存储器技术在过去几年取得了显著进展。
新的铁电材料的研发与应用不断涌现，为铁电存储器的性能提升提供了坚实的基础。
同时，制造工艺的改良和优化也促进了铁电存储器的商业化进程。
2.2 主要应用领域目前，铁电存储器主要在以下几个应用领域得到广泛应用：•智能手机和平板电脑：铁电存储器具备较高的读写速度和存储容量，使其成为智能手机和平板电脑等移动设备的理想储存解决方案。
•物联网：随着物联网技术的迅猛发展，铁电存储器的低功耗特性使其成为物联网设备中的重要组成部分。
•工业自动化：铁电存储器具有非易失性和高可靠性，在工业自动化领域具备广阔的应用前景。
•航空航天：铁电存储器的高抗辐射能力使其在航空航天领域有着重要的应用价值。
2.3 市场前景与挑战铁电存储器市场在未来有望迎来更广阔的发展前景，但同时也面临一些挑战：•成本问题：铁电存储器的制造成本相对较高，亟需降低成本以提高竞争力。
•标准化与规模化生产：铁电存储器技术需要进一步标准化，以适应大规模生产和广泛应用。
相变存储器的工作原理
相变存储器的工作原理相变存储器是一种新型的非易失性存储器，具有电阻式随机存取存储器（Resistive Random-Access Memory，RRAM）或相变存储（Phase-Change Memory，PCM）的别名。
相较于传统的存储器，它具有更高的存储密度、更快的读写速度和更低的功耗，被广泛认为是未来存储器的发展方向之一。
本文将详细介绍相变存储器的工作原理，并从相变材料、电阻调制和读取操作三个方面进行阐述。
一、相变材料相变存储器采用了特定的相变材料，最常见的是硫化锌（ZnS）和掺硅锗（Ge2Sb2Te5）。
这类材料是一种非晶态和结晶态之间可逆转变的物质，能够在电流的刺激下发生相变。
相变材料的特殊结构和成分决定了存储器的工作性能。
二、电阻调制相变存储器的工作原理基于相变材料在不同电阻状态下的相变特性，通过改变相变材料的电阻来实现数据的写入和存储。
具体来说，当相变材料处于非晶态时，其电阻较高，表示存储位为逻辑“0”；而当相变材料转变为结晶态时，其电阻较低，表示存储位为逻辑“1”。
这种电阻的调制过程是可逆的，能够实现多次读写操作。
三、读取操作相变存储器的读取操作是通过测量存储位的电阻来实现的。
一般来说，读取操作是非破坏性的，即不会改变存储位的状态。
通过在相变存储器上施加一定的电压，可以测量存储位的电阻大小，从而确定其状态。
例如，当读取操作的电压小于设定阈值时，可将存储位判定为逻辑“0”；反之，当读取操作的电压大于设定阈值时，可将存储位判定为逻辑“1”。
四、应用前景相变存储器具有许多优点，使其在未来的存储器应用中具有广阔的前景。
首先，相变存储器的存储密度非常高，可以将更多的存储单元集成在一个芯片上，提高存储器的容量。
其次，相变存储器的读写速度快，可以实现更快的数据传输和处理。
再次，相变存储器的功耗低，比传统存储器更加节能环保。
此外，相变存储器还具备较长的存储寿命和较高的工作温度范围，适用于各种场景的应用。
基于磁性材料的新型存储技术
基于磁性材料的新型存储技术在信息时代，数据的价值愈加凸显，而信息的存储便面临着越来越大的挑战。
传统的存储技术，如硬盘、光盘等，都存在着容量限制、寿命短、读写速度慢等问题，而这些问题也都是基于磁性材料的存储技术所能克服的。
基于磁性材料的新型存储技术，正在成为存储领域的新宠儿。
一、磁性材料的特性磁性材料是指那些能被磁场所影响的材料。
磁性材料的磁性是由其内部的磁性离子或原子的磁矩所产生的。
在外部磁场的作用下，这些磁矩会受到一定的力矩而发生方向的变化，从而产生磁性。
二、基于磁性材料的新型存储技术1. 磁性存储器磁性存储器是一种利用磁性材料来存储数据的存储设备。
目前，硬盘、软盘、磁带等存储设备就是磁性存储器的代表。
与传统的存储器相比，磁性存储器的密度更高、读写速度更快、寿命更长、价格更低。
因此，磁性存储器已成为现代电子设备不可或缺的核心组成部分。
2. 磁性随机访问存储器磁性随机访问存储器（MRAM）是一种利用磁场控制磁性材料内的电阻变化来存储数据的存储技术。
MRAM技术于20世纪80年代开始研究，但直到近年来，MRAM在存储器领域才得到广泛应用。
MRAM具有高密度、低功耗、高速度、非易失性的特点，在未来的智能手机、笔记本电脑等电子设备中将有着广泛的应用前景。
3. 磁性随机存储器磁性随机存储器（MFRAM）是一种利用自旋极化来存储数据的存储技术。
MFRAM技术的特点是具有快速的速度、高密度、低耗电和非易失性等，能够大大提高计算机的性能和效率。
未来，MFRAM技术有望在超级计算机、人工智能等领域得到广泛应用。
三、基于磁性材料的新型存储技术的优势基于磁性材料的新型存储技术相比于传统的存储技术，具有以下优势：1. 高密度：磁性材料本身具有较高的密度，因此基于磁性材料的存储技术可以实现更大容量的存储器。
2. 非易失性：基于磁性材料的存储技术存储数据的方式是通过改变磁场的方向，因此即使断电也不会丢失数据，提供更高的可靠性。
相变存储器的研究及其应用前景
相变存储器的研究及其应用前景近年来，随着信息技术的不断发展，人们对存储器的需求也越来越高。
在传统存储器中，闪存的使用从逐步普及到广泛应用，成为最主要的非挥发性存储器。
但是，随着技术的进步，存储器的需求越来越高，业界出现了一种新型存储器——相变存储器。
相变存储器（PCM）是一种新型的非挥发性存储器，由Chikoos等人于2003年发明并推广。
它利用物质的相变和热电源作用实现信息的存储和逻辑运算，具有存储密度高、读写速度快、功耗小等特点，被认为是未来存储领域的一项重要技术。
相变存储器的研究和发展起步较早，但由于技术较为复杂，以及市场需求未成反响，一直处于较为低迷的状态。
直到近年来，随着数据量的急剧增长，相变存储器逐渐走向了大众视野。
PCM已经成为存储器领域一个热门领域，许多企业和研究机构加大了对这一领域的研究力度。
相变存储器的优点主要在于存储密度、读写速度和功耗等方面。
相比于传统的存储器，相变存储器的存储密度更高，可以实现 Tb/平方厘米级别的存储容量，远高于当前主流的NAND和DRAM存储器。
同时，它也可以实现十分快速的读写速度，相当于随机存储器速度，达到CD-DRIVE的传输速率。
此外，相变存储器使用的功耗也比传统存储器低得多，可以在不需要电源的情况下进行数据存储，因此具有较长的使用寿命。
除了以上的优点，相变存储器还有许多其他优势。
例如，相比于闪存，相变存储器的写入和擦除速度非常快，可以在数纳秒内完成。
它还继承了闪存的持久性、低功耗、结构简单、制作工艺成熟的特点，同时又没有闪存的局限性。
相变存储器的写入电量比闪存小多了，有望取代闪存成为移动设备的主要存储器。
在应用方面，相变存储器的前景十分广泛。
学者已经预测过，相变存储器未来的应用潜力是非常高的，尤其在高性能计算和数据中心等领域将会得到广泛的应用。
此外，相变存储器还具有很好的自适应特性，在机器学习、人工智能等领域也具有很大的应用前景。
相变存储器的出现将大大改变传统存储器的面貌，为存储器领域的发展带来了新希望。
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既然我们要探讨新型存储器，首先就要知道，常见的传统存储
器、存储技术。
存储器发展：
汞延迟线→磁带→磁鼓→磁芯→磁盘→光盘
技术层面：磁存储、光存储、半导体存储（还在不断发展）
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新型存储器------陈艺荣、徐浩、姜仁捷
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2、常见存储器
我们用的电脑中的硬盘、软盘
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13
3、新型存储器发展方向
闪存：基于半导体存储技术，始于1980年， 有cf闪存卡、sm闪存卡、sd闪存卡、xd闪 存卡等。 可以说，因为闪存技术的出现，我们的 SD卡才会越来越便宜，容量越来越大。
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1、存储器原理与定义
为了接下来能对传统存储器和新型存储器作出区分，我们有必要了解存
储器的主要技术指标：
1、存储容量
2、存储速度
3、可靠性
4、性能／价格比（综合指标）
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2、常见存储器
今天，我们都是说某手机内存有几G。
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4、我们的想法
为云存储铺路是我们新一代硬件工程师 的使命。在未来，存储器的性能将直接 影响到各个行业。
最简单的例子：我们学校最近新装了很
多摄像头，对这些录像能高清永久地保 存，那是最好的。然而，事实上，现在
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3、新型存储器发展方向
光存储：传统光存储产品有光盘、 磁光盘、驱动机，而新型的光存储， 则会涉及超高密度光存储技术。包 括：体全息存储、双光子吸收光存
储、近场光学存储、光谱烧孔存储、
多波长多层多阶存储等。
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3、新型存储器发展方向
多维存储：这个词语我觉得比较难 理解，事实上，多维存储中的多维 既可以指实体存储器件被多维利用， 从各个方向可以读取不同信息，也
新型存储器探讨
主讲：陈艺荣
制作：陈艺荣、徐浩、姜仁捷
2018/1/11
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1
导读
1、存储器原理与定义 2、常见存储器 3、新型存储器发展方向 4、我们的想法
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2
1、存储器原理与定义
存储原理：在计算机中采用只有两个数码“0”
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3、新型存储器发展方向
量子存储：在处理量子信
息和通信时,与处理量子信
息的量子逻辑门一起,被认 为是储藏、变换、及控制 量子信息的核心技术.
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3、新型存储器发展方向
生物存储：蛋白质存储、DNA存 储——利用碱基对
的摄像记录都有一个生存期——因为内
存不够。
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4、我们的想法
各种新型存储技术之间不是割裂的， 而是相互影响，相互渗透的。比如， 我们所说的光存储，与三维存储等存
储技术之间有着密切的关系！
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2、光存储
4、多维存储 6、阻变存储 8、生物存储 10、系统存储
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4、我们的想法
存储器的发展是智能化的基础，特别 是AR、VR、智能时代的到来，使得 未来电子方面对存储器的要求更高。 容量分分钟以TB计算。十多年前，
我们的手机内存都是以MB计算的，
3、新型存储器发展方向
系统存储：未来的存储或许
将会是RAM与ROM一体化， 这种一体化将实现存储容量 更大，存储速度更快。 这是我们基于系统芯片这一
概念对存储器作出的猜想。
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3、新型存储器发展方向
总结：
1、闪存
3、多维存储 5、相变存储 7、量子存储 9、云存储
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谢谢观看！
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2、常见存储器
光盘
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2、常见存储器
我们日常见到的内存卡
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新型存储器--见存储器
离不开的U盘
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2、常见存储器
我们分分钟都离不开却又不太常见的服务器
可以指信息在存储时就是多维形式，
与传统二进制将有所不同。
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3、新型存储器发展方向
相变存储（PCM、PRAM）：利用材料相位可变
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3、新型存储器发展方向
阻变存储（RRAM）：电阻在高低间转换，实现0-1转换
可编程的PROM（只可写入 一次）
可擦除可编程 ROM 光擦除的EPROM 电擦除的E2PROM
2018/1/11
新型存储器------陈艺荣、徐浩、姜仁捷
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1、存储器原理与定义
外存常使用磁介质或光介质存储器，如 硬盘、软盘和光盘等。
我们小时候用的录音带、现在还在用的
光碟、分分钟需要用来拷贝作业的U盘 等均可称之为外存。
2018/1/11
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3、新型存储器发展方向
云存储：我们日常生活中已经经 常接触到云这个概念，包括：百 度云盘、360云盘等云盘。而在未
来，高度智能化的时代，云更是
无处不在。 个人解读：云存储并非新技术，
而是存储的一种应用或者一种服
务。
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是因为ROM小？
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RAM
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1、存储器原理与定义
双极型 随机读写存储器 （RAM） 静态RAM （SRAM） MOS型 动态RAM （DRAM） 掩膜式的ROM（不可 写入） 只读存储器 （ROM）
内存常用半导体存储器，半导体存储 器 可以按照右图分类
和“1”的二进制来表示数据。记忆元件的两
种稳定状态分别表示为“0”和“1”。
个人解读：因此，从原理上说，可以产生两种
相反状态的材料或器件均可以用于制作存储器， 这也是存储器不停地向前发展的原因吧。
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1、存储器原理与定义
存储器：存放程序和数据的器件。 常见分类： 1、按存取速度和用途可把存储器分为两大类：内存和外存； 2、从应用角度可将半导体存储器分为两大类：随机读写存储器RAM (Random Access Memory) 和只读存储器ROM (Read Only Memory) 思考：我们常常说手机很卡，不能同时运行多个软件，是因为RAM小还