电子元器件老化标准

电子元器件老化标准
电子元器件老化标准

一、外观质量检查

拿到一个电子元器件之后,应看其外观有无明显损坏。比如变压器,要看其所有引线有否折断,外表有无锈蚀,线包、骨架有无破损等。又如三极管,要看其外表有无破损,引脚有无折断或锈蚀,还要检查一下器件上的型号是否清晰可辨。对于电位器、可变电容器之类的可调元件,还要检查在调节范围内,其活动是否平滑、灵活,松紧是否合适,无机械噪声,手感好,并保证各触点接触良好。

各种不同的电子元器件都有自身的特点和要求,爱好者平时应多了解一些有关各元件的性能和参数、特点,积累经验。

二、电气性能的筛选

要保证试制的电子装置能够长期稳定地通电工作,并且经得起应用环境和其他可能因素的考验,这是对电子元器件的筛选必不可少的一道工序。所谓筛选,就是对电子元器件施加一种应力或多种应力试验,暴露元器件的固有缺陷而不破坏它的完整性。筛选的理论是:如果试验及应力等级选择适当,劣质品会失效,而优良品则会通过。人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件,在刚投入使用的时候,一般失效率较高,叫做早期失效,经过早期失效后,电子元器件便进入了正常的使用期阶段,一般来说,在这一阶段中,电子元器件的失效率会大大降低。过了正常使用阶段,电子元器件便进入了耗损老化期阶段,那将意味着寿终正寝。这个规律,恰似一条浴盆曲线,人们称它为电子元器件的效能曲线。

电子元器件失效,是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺措施不当而引起的。元器件的早期失效十分有害,但又不可避免。因此,人们只能人为地创造早期工作条件,从而在制成产品前就将劣质品剔除,让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段,减少失效,增加其可靠性。

在正规的电子工厂里,采用的老化筛选项目一般有:高温存储老化;高低温循环老化;高低温冲击老化和高温功率老化等。其中高温功率老化是给试验的电子元器件通电,模拟实际工作条件,再加上+80℃~+180℃的高温经历几个小时,它是一种对元器件多种潜在故障都有检验作用的有效措施,也是目前采用得最多的一种方法。对于业余爱好者来说,在单件电子制作过程中,是不太可能采取这些方法进行老化检测的,在大多数情况下,采用了自然老化的方式。例如使用前将元器件存放一段时间,让电子元器件自然地经历夏季高温和冬季低温的考验,然后再来检测它们的电性能,看是否符合使用要求,优存劣汰。对于一些急用的电子元器件,也可采用简易电老化方式,用一台输出电压可调的脉动直流电源,使加在电子元器件两端的电压略高于元件额定值的工作电压,调整流过元器件的电流强度,使其功

率为1.5~2倍额定功率,通电几分钟甚至更长时间,利用元器件自身的特性而发热升温,完成简易老化过程。

三、元器件的检测

经过外观检查以及老化处理后的电子元器件,还必须通过对其电气性能与技术参数的测量,以确定其优劣,剔除那些已经失效的元器件。当然,对于不同的电子元器件应有不同的测量仪器,但对于业余电子爱好者来说,一般不具备专用电子测量仪器的条件,但起码应有一块万用电表,利用万用电表可以对一些常用的电子元器件进行粗略检测。各种电子元器件涉及到的电性能参数很多,我们要根据业余制作牵涉到的必须要弄清楚的有关参数进行检测,而不必对该元器件的所有参数都一一检测。下面例举几种基本元器件的检测。

(1)电阻器

它是所有电子装置中应用最为广泛的一种元件,也是最便宜的电子元件之一。它是一种线性元件,在电路中的主要用途有限流、降压、分压、分流、匹配、负载、阻尼、取样等。

检测该元件时,主要看它的标称阻值与实际测量阻值的偏差程度。在大量的生产中,由于加工过程中各道工序对电阻器的作用,电阻器的实际值不可能做到与它的标称值完全一致,因此其阻值具有离散性,为了便于管理和组织生产,工程上按照使用的需要,给出了允许偏差值,如±5%、±10%、±20%。再加上万用电表检测电阻器时的误差,一般要求其误差不超过允许偏差的10%即认为合格。同时亦可通过外观检查综合判断其优劣。

(2)电容器

电容器也是电子装置中用得最多的电子元器件之一。它的质量好坏直接影响到整机的性能,同时也是容易失效的元件。在检查电容器时,如果电解电容器的贮存期超过了三年,可以认为该元件已经失效。有些电容器上没有出厂年限标志,外观则完好无损,肉眼很难判断出它的质量问题,因此就必须要对它进行检测。

电容器在电路中担任隔直、滤波、旁路、耦合、中和、退耦、调谐、振荡等。它的常见故障有击穿、漏电、失效(干涸)。用万用电表的欧姆档检查电容器是利用了电容器能够充放电原理进行的,这时应选用欧姆档的最高量程(R×1kΩ或R×10kΩ)来测量。当万用电表的两根表棒与电容器的两引脚相接时,表针先向顺时间方向偏转一个角度,此时称为电容器的充电,当充电到一定程度时,电容器又开始放电,此时万用电表的指针便返回到∞位置。在测量过程中,表针摆动的角度越大,说明所检测的电容器容量越大。表针返回后越接近∞处,说明所检测的电容器漏电越小,即所检测的电容器的质量越高。

测量电解电容器时,由于其引脚有正、负极之分,应将红表棒接电容器的负极,黑表棒

接电容器的正极,这样测量出来的漏电电阻才是正确的。反接时一般漏电电阻要比正接时小,利用这一点,还可判断出无极性标志的电解电容器的极性。如果电容器的容量太小,如在4700P以下,就只能检查它是否漏电或击穿,如果在测量中,表针摆动一下回不到∞处,而是停留在0~∞处的中间某一位置上,说明该电容器漏电严重。在万用电表与被测小电容器之间加装一只NPN型硅三极管,要求其β值大于100,集电极-发射极之间的耐压应大于25V,ICEO越小越好。被测电容器接到A、B两端。由于三极管VT的电流放大作用,较小容量的电容器也能引起表针较大幅度的摆动,然后返回到∞位置,如不能返回到∞处的,则可估测出漏电电阻。

对于可变电容器、拉线电容器,亦可用万用电表检测出它们有否碰片或漏电、短路等。

(3)电感器

电感器是一种非线性元件,可以储存磁能。由于通过电感的电流值不能突变,所以,电感对直流电流短路,对突变的电流呈高阻态。电感器在电路中的基本用途有:扼流、交流负载、振荡、陷波、调谐、补偿、偏转等。利用万用电表对其进行检测时,即只能判断出它的直流电阻值,如果已经标明了数值的电感器,只要其直流电阻值大致符合,即可视为合格。

(4)晶体二极管

晶体二极管是一种非线性器件,它的正、反两个方向的电阻值相差悬殊,这就是二极管的单向导电性。在电路中,利用这一特性,可以作整流、检波、箝位、限幅、阻尼、隔离等。

用万用电表测量二极管时,可选用欧姆档R×1kΩ。由于二极管具有单向导电性,它的正、反向电阻是不相等的,两者阻值相差越大越好。对于常用的小功率二极管,反向电阻应比正向电阻大数百倍以上。用红表棒接二极管的正极,黑表棒接它的负极,测得的是反向电阻。反之,红表棒接二极管的负极,黑表棒接它的正极,测得的是正向电阻。二极管的正向电阻一般在100Ω~1kΩ左右;硅二极管的正向电阻一般在几百欧至几千欧。如果测得它的正、反向电阻都是无穷大,说明该二极管内部已开路;如果它的正、反向电阻均为0,说明二极管内部已短路;如果它的正、反向电阻相差无几,说明二极管的性能变差失效。出现以上三种情况的二极管均不能使用。

(5)晶体三极管

三极管是电子装置中的重要元件,它的质量优劣直接关系到系统工作的可靠性和稳定性,因此,它是最需要进行老化筛选的器件之一。已知一个三极管的型号和管脚排列,可采用如下简易测试法来判断它的性能。应该注意的是:对一般小功率低压三极管,不宜采用R×10kΩ

档进行测试,以免表内的高电压损坏三极管。

可用万用表检查三极管的穿透电流大小。测量时注意PNP型和NPN型晶体管的接法。万用表的量程一般选用R×100或R×1kΩ档,要求测得的电阻值越大越好,对于中功率的锗管,此值应大于数千欧;对于硅管,此值应大于数百千欧。如果所测得的数值过小,说明管子的穿透电流大,管子的性能不好。如果测量时万用电表的表针摇摆不定,说明管子的稳定性很差。如果测得的阻值接近于零,说明管子内部已击穿短路,不能使用。

在检查三极管的放大性能β 值时,可以采用估测法。如果被测管是NPN型,可按此方法测试,如果被测管是PNP则按虚线方式连接。测量时表针应向右偏转,其偏转角度越大,说明管子的放大倍数β 越大。如果加上电阻R之后表针变化的角度不大或根本不变,则说明管子的放大作用很差或已经损坏。其R的阻值可在51~100kΩ范围内选取。也可能利用人手的电阻,用手捏住管子的c-b两极,但不要使它们短路,以手的皮肤电阻代替R。

对于结型场效应管,已知型号与管脚,如果用万用表测G(栅极)和S(源极)之间,G与D(漏极)之间没有PN结电阻,说明该管子已坏。用万用表的R×1kΩ档,表棒分别接在场效应管的S极和D极上,然后用手碰触管子的G极,若表针不动,说明管子不好;若表针有较大幅度的摆动,说明管子可用。以上所述的管子测量方法虽是粗略的,但一般都切实可行,如欲进行更严格的测量筛选,则宜使用专门的测试仪器。

(6)集成电路

集成电路的门类、品种很多,在业余条件下,电子爱好者似乎没有特别的测试方法,采用万用表进行测量时,只能对照已知的集成块引脚数据,用测得的数据与已知的数据进行对比,从而判断出被测集成块的好坏。也可以搭一个简单的试验电路,将集成块插入电路中进行试验,如能完成某些功能或符合某种逻辑关系便可用。如对音乐集成电路进行测试,可先制作一个简易电路,留出音乐集成电路的插脚(或用夹子),将音乐集成电路置于电路中,如果发声正常则可使用,否则不可使用。如果有时间也乐于动手的话,不妨自制一些常用的集成电路的简易试验仪器,可方便日后的电子电路制作。

(7)其他电子元器件

常用的各种开关、接插件、发光二极管、扬声器、耳机等,主要用万用表检测它们的通断情况。对于发光二极管和扬声器、耳机,也可用电池组来试验其发光或发声程序,以此来判断其优劣。

电子元器件仓库储存要求

电子元器件仓库储存要求 电子元器件仓库储存要求: (1) 1环境要求: (1) a.温度:-5~30 C; (1) b.相对湿度:20%~75% (1) c.仓库储存环境条件的优劣直接影响有限储存期的长短,参见附录。 1 2特殊要求: (1) 2.1、对静电敏感器件 (2) 2.2、对磁场敏感但本身无磁屏蔽的电子元器件, 2 2.3、油封的机电原件 (2) 3电子元器件有限储存期的确定: (2) 附录:电子元器件的有限储存期 (2) A1有限储存期起始日期的确定 (2) A2电子元器件的有限储存期 (2) 【表格】储存环境条件分类表 (2) 【表格】电子元器件的有限储存期 (2) 4防护 (3) 4.1电子仓防护要求 (3) 4.1.1 (3) 4.1.2 (3) 4.1.3 (3) 4.1.4 (3) 4.1.5 (3) 4.1.6 (3) 4.1.7 (3) 4.2原材料防护要求 (3) 4.2.1 (3) 4.2.2 (4) 4.2.3 (4) 4.2.4 (4) 1环境要求: 电子元器件必须储存在清洁、通风、无腐蚀性气体的仓库内,仓库应处于通道通畅状态,严禁吸烟, 禁止违章用火、用电并做好防火工作,消防标识明确。 除另有规定外,仓库的温度和相对湿度必须满足如下要求: a.温度:-5~30 C; b.相对湿度:20%~75%

2特殊要求:

2.1、对静电敏感器件 (如M0场效应晶体管、砷化镓场效应晶体管、CMO电路等),应存放在具有静电屏蔽作用的容器内。 2.2、对磁场敏感但本身无磁屏蔽的电子元器件, 应存放在具有磁屏蔽作用的容器内。 2.3、油封的机电原件 应保持油封的完整。 3电子元器件有限储存期的确定: 电子元器件的有限储存期按附录确定。 附录:电子元器件的有限储存期 A1有限储存期起始日期的确定 电子元器件有限储存期的起始日期按下列优先顺序确定: 星期a.电子元器件上打印的日期(或星期代号),凡仅有年月而无日期的,均按该月15日计算,如无 代号的则按星期四的日期计算; b.包装盒或包装袋上的检验日期货包装日期提前一个月计算。 A2电子元器件的有限储存期 电子元器件的有限储存期与储存的环境条件有关,仓库储存的环境条件可分为以下三类, 【表格】储存环境条件分类表

常用电力电子器件特性测试

实验二:常用电力电子器件特性测试 (一)实验目的 (1)掌握几种常用电力电子器件(SCR、GTO、MOSFET、IGBT)的工作特性;(2)掌握各器件的参数设置方法,以及对触发信号的要求。 (二)实验原理 图1.MATLAB电力电子器件模型 MATLAB电力电子器件模型使用的是简化的宏模型,只要求器件的外特性与实际器件特性基本相符。MATLAB电力电子器件模型主要仿真了电力电子器件的开关特性,并且不同电力电子器件模型都具有类似的模型结构。 模型中的电阻Ron和直流电压源Vf分别用来反映电力电子器件的导通电阻和导通时的门槛电压。串联电感限制了器件开关过程中的电流升降速度,模拟器件导通或关断时的动态过程。MATLAB电力电子器件模型一般都没有考虑器件关断时的漏电流。 在MATLAB电力电子器件模型中已经并联了简单的RC串联缓冲电路,在参数表中设置,名称分别为Rs和Cs。更复杂的缓冲电路则需要另外建立。对于MOSFET模型还反并联了二极管,在使用中要注意,需要设置体内二极管的正向压降Vf和等效电阻Rd。对于GTO和IGBT需要设置电流下降时间Tf和电流拖尾时间Tt。 MATLAB的电力电子器件必须连接在电路中使用,也就是要有电流的回路,

但是器件的驱动仅仅是取决于门极信号的有无,没有电压型和电流型驱动的区别,也不需要形成驱动的回路。尽管模型与实际器件工作有差异,但使MATLAB电力电子器件模型与控制连接的时候很方便。MATLAB的电力电子器件模型中含有电感,因此具有电流源的性质,所以在模块参数中还包含了IC即初始电流项。此外也不能开路工作。 含电力电子模型的电路或系统仿真时,仿真算法一般采用刚性积分算法,如ode23tb、ode15s。电力电子器件的模块上,一般都带有一个测量输出端口,通过输出端m可以观测器件的电压和电流。本实验将电力电子器件和负载电阻串联后接至直流电源的两端,给器件提供触发信号,使器件触发导通。 (三)实验内容 (1)在MATLAB/Simulink中构建仿真电路,设置相关参数。 (2)改变器件和触发脉冲的参数设置,观察器件的导通情况及负载端电压、器件电流的变化情况。 (四)实验过程与结果分析 1.仿真系统 Matlab平台 2.仿真参数 (1)Thyristor参数设置: 直流源和电阻参数:

电路板老化标准

电路板老化标准 为了达到满意的合格率,几乎所有产品在出厂前都要先藉由老化。制造商如何才能够在不缩减老化时间的条 件下提高其效率?本文介绍在老化过程中进行功能测试的新方案,以降低和缩短老化过程所带来的成本和时间问题。 在半导体业界,器件的老化问题一直存在各种争论。像其它产品一样,半导体随时可能因为各种原因而出现故障,老化就是藉由让半导体进行超负荷工作而使缺陷在短时间内出现,避免在使用早期发生故障。如果不藉由老化,很多半导体成品由于器件和制造制程复杂性等原因在使用中会产生很多问题。 在开始使用后的几小时到几天之内出现的缺陷(取决于制造制程的成熟程度和器件总体结构)称为早期故障,老化之后的器件基本上要求100%消除由这段时间造成的故障。准确确定老化时间的唯一方法是参照以前收集到的老化故障及故障分析统计数据,而大多数生产厂商则希望减少或者取消老化。 老化制程必须要确保工厂的产品 满足用户对可靠性的要求,除此之外, 它还必须能提供工程数据以便用来改 进器件的性能。 一般来讲,老化制程藉由工作环 境和电气性能两方面对半导体器件进 行苛刻的试验使故障尽早出现,典型 的半导体寿命曲线如右图。由图可见, 主要故障都出现在器件寿命周期开始 和最后的十分之一阶段。老化就是加 快器件在其寿命前10%部份的运行过 程,迫使早期故障在更短的时间内出 现,通常是几小时而不用几月或几年。 不是所有的半导体生 产厂商对所有器 件都需要进行老化。普通器件制造由 于对生产制程比较了解,因此可以预先掌握藉由统计得出的失效预计值。如果实际故障率高于预期值,就需要再作老化,提高实际可靠性以满足用户的要求。 本文介绍的老化方法与 10 年前几乎一样,不同之处仅仅在于如何更好地利用老化时间。提高温度、增加动态信号输入以及把工作电压提高到正常值以上等等,这些都是加快故障出现的通常做法;但如果在老化过程中进行测试,则老化成本可以分摊一部份到功能测试上,而且藉由对故障点的监测还能收集到一些有用信息,从总体

电力电子自我测试题2

方多系曲尤<200/200学年第学期考试题(卷)宀 子 签 审 任 主 ) 系 ( 室 研 教 师教题命 记 标 何 任 作 准 不 内 以 线 订订 名 姓 装 一号 学 一、选择填空题:下列各题每题有一个最优答案,任选10题,并在空格中填入答案序号多做按错的计分(每小题6分,共60分)0 1.普通晶闸管是 A. B . C. D. 一二极四层结构的 一三极三层结构的 一三极四层结构的 一五极四层结构的 PN型器件,它具有单向导电性。 PNP型器件,它具有双向导电性。 PNPN型器件,它具有单向导电性。 PNPNP型器件,它不具有双向导电性。 2.三相整流电路,共阳极组与共阴极组接法晶闸管的触发控制角 A.不同,相位相差120° C.有点区别,但差别不大 B.相同 a计算的起 点 D.不同,相位相差180° 3.单向桥式全控整流电路电阻负载时,输出直流电压Ud的计算公式 A. B . C . D . U d U d U d U d O.225U2(1 O.45U2(1 O.225U2(1 O.225U2(1 COS ),此时晶闸管导通角为 COS ),此时晶闸管导通角为 COS ),此时晶闸管导通角为2 。 COS ),此时晶闸管导通角为 4.三相半波可控整流电路,电阻负载下 A. a > 30o后电流不连续,此 时 B . 60o后电流不连续,此时 C . > 90°后电流不连续,此 时 D . a > 60°后电流不连续,此 时 O.675U2[1 COS(- 6 ) ] O.765U2[1 COS(- 6 )] O.655U2[1 COS(- 6 )] O.675U2[1 COS(- ) ] U d U d U d U d

大工14秋电力电子技术在线测试1答案

一、单选题(共 6 道试题,共 30 分。) V 1. 全控型器件在较高频率下工作,当器件关断时,因正向电流的迅速降低而由线路电感在器 件两端感应出的过电压称为()。 A. 操作过电压 B. 雷击过电压 C. 换相过电压 D. 关断过电压 满分:5 分 2. 电力电子器件采用的主要材料是()。 A. 铁 B. 钢 C. 银 D. 硅 满分:5 分 3. 使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取()V。 A. (-5)-(-15) B. 10-15 C. 15-20 D. 20-25 满分:5 分 4. ()是将电力MOSFET与晶闸管SCR组合而成的复合型器件。 A. MCT B. SIT C. SITH D. IGCT 满分:5 分 5. 电力二极管的最高工作结温通常在()℃之间。

A. 0-100 B. 50-125 C. 100-175 D. 125-175 满分:5 分 6. 电力场效应晶体管的英文表示为()。 A. GTO B. GTR C. 电力MOSFET D. IGBT 满分:5 分 二、多选题(共 6 道试题,共30 分。) V 1. GTR的主要特性是()。 A. 耐压低 B. 耐压高 C. 电流大 D. 电流小 满分:5 分 2. 下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求?() A. 触发脉冲有足够的幅值 B. 触发脉冲波形有一定的宽度 C. 触发脉冲功率足够 D. 触发电路有良好的抗干扰性能 满分:5 分 3. 下列属于晶闸管的派生器件的是()。 A. 快速晶闸管

B. 双向晶闸管 C. 逆导晶闸管 D. 光控晶闸管 满分:5 分 4. 晶闸管门极说法正确的是()。 A. 可以控制其导通 B. 可以控制其关断 C. 不能控制其导通 D. 不能控制其关断 满分:5 分 5. 下列是常用的过电流保护措施的是()。 A. 快速熔断器 B. 直流快速断路器 C. 过电流继电器 D. 以上都不正确 满分:5 分 6. 下列不是电力电子器件并联均流措施的是()。 A. 尽量采用特性一致的元器件进行并联 B. 尽量采用特性不一致的元器件进行并联 C. 安装时尽量使各并联器件具有对称的位置 D. 安装时不能使各并联器件具有对称的位置 满分:5 分 三、判断 1~8 ABBAABBB

电子元器件存放通用规范

电子元器件存放通用规范

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电子元器件存放通用规范 (第一版) 编制: 审核: 批准:

1、文件修订变更记录表 文件标题电子元器件存放通用规范文件编号 文件类别 修订变更情况记录 修订变更内容拟定部门拟定人修订日期 工艺文件第一版研发部白浪2013-07 2、文件审核 2013-07发布 2013-07执行批准:审核:会签:拟制:白浪

一、目的 规范电子器件的存储,保证电子器件的质量,降低由电子器件引起的产品故障率。 二、使用范围 本规范适用于电子元器件的存储和管理。 三、使用范围 本规范适用于电子仓库的管理人员。 四、具体规范内容 4.1贮存 ●贮存要求 立体式货架仓库,通风、干燥、无腐蚀性气体。仓库保持通风、通光、通气、 通道通畅状态,严禁吸烟,禁止违章用火、用电并做好防火工作,消防标识明 确。 ●贮存条件和期限 (1)无特殊要求的物品(合格原材料、半成品) ?存储条件:遮阳、常温、保持通风,干燥。 (2)储存期限 ?电子元器件的有效储存期为12个月; ?塑胶件的有效储存期为12个月; ?五金件的有效储存期6个月; ?包装材料的有效储存期为12个月; ?成品的有效储存期为12个月。

●特殊要求的物品 针对特殊要求的物料根据存储要求存放(如下表)。 物料类别存储相对温度存储相对湿度存储高度及容器贮存期限 锡膏、胶水类2-10℃无特殊要求冰箱、冰柜根据保质期规定 电子元器件20±5℃40%~70% 电子仓,标准包装 12个月 4.2 防护 ●电子仓防护要求 ?电子仓要求有防静电地板,人员必须按照防静电的要求,着装防静电服,佩戴防静电手环。 ?要求按物品的类别分区存放,易燃易爆品要求有适当的隔离措施,针对特殊要求的物品应有 显著的警示标识或安全标识。 ?物料摆放整齐,存料卡出、入库内容规范,做到帐、物、卡相符。 ?物品不可直接落地存放,需有托盘或货架防护。 ?物料叠放要求上小下大,上轻下重,一个托盘只能放置同一种物料,堆放高度有特殊要求的依据特殊要求堆放,但最高不得超过160cm。 ?对有防静电要求的物品必须根据实际情况选择装入防静电袋和防静电周转箱存放。 ●原材料防护要求 ?主要针对产品元器件、PCB板、五金件、塑胶件、包材等的防护。 ?电子元器件应充分考虑防尘和防潮等方面的要求。 原材料具体防护见下表

电子元器件老化标准

一、外观质量检查 拿到一个电子元器件之后,应看其外观有无明显损坏。比如变压器,要看其所有引线有否折断,外表有无锈蚀,线包、骨架有无破损等。又如三极管,要看其外表有无破损,引脚有无折断或锈蚀,还要检查一下器件上的型号是否清晰可辨。对于电位器、可变电容器之类的可调元件,还要检查在调节范围内,其活动是否平滑、灵活,松紧是否合适,无机械噪声,手感好,并保证各触点接触良好。 各种不同的电子元器件都有自身的特点和要求,爱好者平时应多了解一些有关各元件的性能和参数、特点,积累经验。 二、电气性能的筛选 要保证试制的电子装置能够长期稳定地通电工作,并且经得起应用环境和其他可能因素的考验,这是对电子元器件的筛选必不可少的一道工序。所谓筛选,就是对电子元器件施加一种应力或多种应力试验,暴露元器件的固有缺陷而不破坏它的完整性。筛选的理论是:如果试验及应力等级选择适当,劣质品会失效,而优良品则会通过。人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件,在刚投入使用的时候,一般失效率较高,叫做早期失效,经过早期失效后,电子元器件便进入了正常的使用期阶段,一般来说,在这一阶段中,电子元器件的失效率会大大降低。过了正常使用阶段,电子元器件便进入了耗损老化期阶段,那将意味着寿终正寝。这个规律,恰似一条浴盆曲线,人们称它为电子元器件的效能曲线。 电子元器件失效,是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺措施不当而引起的。元器件的早期失效十分有害,但又不可避免。因此,人们只能人为地创造早期工作条件,从而在制成产品前就将劣质品剔除,让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段,减少失效,增加其可靠性。 在正规的电子工厂里,采用的老化筛选项目一般有:高温存储老化;高低温循环老化;高低温冲击老化和高温功率老化等。其中高温功率老化是给试验的电子元器件通电,模拟实际工作条件,再加上+80℃~+180℃的高温经历几个小时,它是一种对元器件多种潜在故障都有检验作用的有效措施,也是目前采用得最多的一种方法。对于业余爱好者来说,在单件电子制作过程中,是不太可能采取这些方法进行老化检测的,在大多数情况下,采用了自然老化的方式。例如使用前将元器件存放一段时间,让电子元器件自然地经历夏季高温和冬季低温的考验,然后再来检测它们的电性能,看是否符合使用要求,优存劣汰。对于一些急用的电子元器件,也可采用简易电老化方式,用一台输出电压可调的脉动直流电源,使加在电子元器件两端的电压略高于元件额定值的工作电压,调整流过元器件的电流强度,使其功

电力电子器件特性和驱动实验一

实验三 常用电力电子器件的特性和驱动实验 一、实验目的 (1) 掌握常用电力电子器件的工作特性。 (2) 掌握常用器件对触发MOSFET 、信号的要求。 (3) 理解各种自关断器件对驱动电路的要求。 (4) 掌握各种自关断器件驱动电路的结构及特点。 (5) 掌握由自关断器件构成的PWM 直流斩波电路原理与方法。 二、预习内容 (1) 了解SCR 、GTO 、GTR 、MOSFET 、IGBT 的结构和工作原理。 (2) 了解SCR 、GTO 、GTR 、MOSFET 、IGBT 有哪些主要参数。 (3) 了解SCR 、GTO 、GTR 、MOSFET 、IGBT 的静态和动态特性。 (4)阅读实验指导书关于GTO 、GTR 、MOSFET 、IGBT 的驱动原理。 三、实验所需设备及挂件 四、实验电路原理图 1、SCR 、GTO 、MOSFET 、GTR 、IGBT 五种特性实验原理电路如下图X-1所示: 图 X-1特性实验原理电路图 X-2虚框中五种器件的1、2、3标号连接示意图 三相电网电压

2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电路框图如下图X-3所示: 图X-3 GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电路框图 3、GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验的流程框图如图X-4 图X-4 GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验的流程框图 五、实验内容 1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 五种器件特性的测试 2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT驱动电路的研究。 六、注意事项 (1)注意示波器使用的共地问题。 (2)每种器件的实验开始前,必须先加上器件的控制电压,然后再加主回路的电源;实验结束时,必须先切断主回路电源,然后再切断控制电源。 (3)驱动实验中,连接驱动电路时必须注意各器件不同的接地方式。 (4)不同的器件驱动电路需接不同的控制电压,接线时应注意正确选择。 七、实验方法与步骤 1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 五种器件特性的测试 1)关闭总电源,按图X-5的框图接主电路 图X-5实验接线框图

老化测试老化试验

老化测试老化试验 老化检测是可靠性检测的一部分,是模拟产品在现实使用条件中涉及到的各种因素对产品产生老化的情况进行相应条件加强实验的过程。 主要通过使用各种环境试验设备模拟气候环境中的高温、低温、高温高湿以及温度变化等情况,加速激发产品在使用环境中可能发生的失效,来验证其是否达到在研发、设计、制造中的预期的质量目标,从而对产品整体进行评估,以确定产品可靠性寿命。老化检测正是可靠性测试的重要部分。 一、主要的测试范围包括: 材料寿命推算 冷热冲击 盐雾测试 快速温变 老化检测气候老化(自然气候暴晒试验,人工气候老化) 紫外老化检测 臭氧老化检测 老化试验湿热老化检测 氙灯老化检测 碳弧灯老化检测 二、重点检测项目 1、紫外老化检测 采用荧光紫外灯为光源(有UVA,UVB不同型号灯源),通过模拟自然阳光中的紫外辐射和冷凝,对材料进行加速耐气候性试验,以获得材料耐候性的结果。 紫外老化测试,可以再现阳光、雨水和露水所产生的破坏。设备通过将待测材料曝晒放在经过控制的阳光和湿气的交互循环中,同时提高温度的方式来进行试验。试验设备采用紫外线荧光灯模拟阳光,同时还可以通过冷凝或

喷淋的方式模拟湿气影响。用来评估材料在颜色变化、光泽、裂纹、起泡、催化、氧化等方面的变化。 紫外老化试验机并不模拟全光谱太阳光,但是却模拟太阳光的破坏作用。通过把荧光灯管的主要辐射控制在太阳光谱的紫外波段来实现。这种方式是有效的,因为短波紫外线是造成户外材料老化的最主要因素。 2、盐雾老化检测 盐雾试验是一种主要利用盐雾试验设备所创造的人工模拟盐雾环境条件来考核产品或金属材料耐腐蚀性能的环境试验。 盐雾试验分为:天然环境暴露试验;人工加速模拟盐雾环境试验。 人工模拟盐雾试验: 包括中性盐雾试验、醋酸盐雾试验、铜盐加速醋酸盐雾试验、交变盐雾试验。 3、臭氧老化检测 臭氧老化就是将试样暴露于密闭无光照的含有恒定臭氧浓度的空气和恒温的试验箱中,按预定时间对试样进行检测,从试样表面发生的龟裂或其它性能的变化程度,以评定试样的耐臭氧老化性能。 臭氧老化分为静态拉伸测试和动态拉伸测试,在这个测试中臭氧浓度、温度、试样定伸比是非常重要的三个参数。 4、湿热老化检测 湿热老化检测适用于可能在温暖潮湿的环境中使用的产品,湿度试验、恒定湿热、交变湿热,是可靠性测试的一种。 试验的目的:检验产品对温暖潮湿的环境的适应能力。对塑性材料、PCB、PCBA多孔性材料或成品等而言,各种不同材料对温度与湿气有不同形态之物理反应,温度所产生效应多为塑性变形或产品过温或低温启动不良等等,多孔性材料在湿度环境下会应毛细孔效应而出现表面湿气吸附,渗入、凝结等情形,在低湿环境中会因静电荷累积效应诱发产品出现失效。 常见湿度效应:物理强度的丧失、化学性能的改变、绝缘材料性能的退化、电性短路、金属材料氧化腐蚀、塑性的丧失、加速化学反应、电子组件的退化等现象。

电力电子模拟测试试卷(附答案)

一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分) 1、电子技术包括_信息电子技术__和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在―开关 _______ 状态。当器件的工作频率较高时,__ 开关______损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为___________ 载波比__________ ,当它为常数时的调制方式称 为—同步________ 调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之 比为桓定的调制方式称为_______ 分段同步_________ 调制。 4、面积等效原理指的是,—冲量________ 相等而—形状—不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相 同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是___________ M OSFET________ ,单管输出功 率最大的是___ GTO _______________ 应用最为广泛的是_______ IGBT __________ 。 6设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即—■' ■亠 ____________ ,其承受的最大正向电压为: I _ ■ 7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为________ 有源____ 逆变,如果接到负载,则称为_______ 无源—逆变。 &如下图,指岀单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2 表示)。 (1) 0~t1时间段内,电流的通路为—VD1 __________ ; (2) t1~t2时间段内,电流的通路为—V1 _________ ; (3) t2~t3时间段内,电流的通路为—VD2 _________ ; (4) t3~t4时间段内,电流的通路为—V2 _________ ; (5) t4~t5 时间段内,电流的通路为—VD1 ________ ;

电力电子技术期末复习考试题及其答案

第一章复习题 1.使晶闸管导通的条件是什么? 答:当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。 2.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:(1)维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 (2)若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 3.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:(1)GTO在设计时,a2较大,这样晶体管v2控制灵敏,易于GTO关断; (2)GTO导通时a1+a2的更接近于1,普通晶闸管a1+a2≥1.5,而GTO则为约等于1.05,GTO的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制提供了有利条件; (3)多元集成结构每个GTO元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得p2极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 4.如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏? 答:(1)一般在不用时将其三个电极短接; (2)装配时人体,工作台,电烙铁必须接地,测试时所有仪器外壳必须接地; (3)电路中,栅,源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高。 (4)漏,源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。 5.IGBT,GTR,GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点? 答:IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT 的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。 GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。 6.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。 答:全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压,du/dt或过电流和di/dt,

电子元器件可靠性试验规范

德信诚培训网 更多免费资料下载请进:https://www.360docs.net/doc/3d10793798.html, 好好学习社区 电子元器件可靠性试验规范 目 录 4.1 高温反向偏压试验 ------------------------------------ 第4页 4.2 压力蒸煮试验 ------------------------------------ 第6页 4.3 正向工作寿命试验 ------------------------------------ 第7页 4.4 高温储存试验 ------------------------------------ 第8页 4.5 低温储存试验 ------------------------------------ 第9页 4.6 温度循环试验 ------------------------------------ 第10页 4.7 温度冲击试验 ------------------------------------ 第11页 4.8 耐焊接热试验 ------------------------------------ 第12页 4.9 可焊性度试验 ------------------------------------ 第13页 4.10 拉力试验 ------------------------------------ 第14页 4.11 弯曲试验 ------------------------------------ 第15页 4.12 稳态湿热试验 ------------------------------------ 第18页 4.13 变温变湿试验 ------------------------------------ 第20页 4.14 正向冲击电流(浪涌电流)试验 -------------------------- 第23页

电子元器件 半导体器件长期贮存 第1部分总则 编制说明

国家标准报批资料 国家标准《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分:总则》(征求意见稿)编制说明 一、工作简况 1、任务来源 《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分:总则》标准制定是2018年国家标准委下达的国家标准计划项目,计划号:20182268-T-339。由中华人民共和国工业和信息化部提出,全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会(SAC/TC 78/SC2)归口,中国电子科技集团公司第十三研究所负责标准的制定,项目周期为2年。 2、主要工作过程 2.1 2018.12 成立了编制组,编制组成员包括检验试验管理人员、从事半导体器件长期贮存的技术研究人员,以及具有多年标准编制经验的标准化专家。 2.2 2019.01~2019.04 编制组成员广泛收集资料,对等同采用的IEC标准进行翻译、研究、分析和比较,对国内相关单位展开深入调研和部分试验验证。 2.3 2019.05~2019.06编制工作组讨论稿,编制组内部讨论,对工作组讨论稿进行修改、完善,形成征求意见稿,并完成编制说明。 3 标准编制的主要成员单位及其所做的工作 本标准承办单位为中国电子科技集团公司第十三研究所。在标准编制过程中,主要负责标准的翻译、制定、试验及验证工作。 二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题 1、编制原则 本标准为电子元器件半导体器件长期贮存系列标准的第1部分,属于基础标准。为保证半导体器件试验方法与国际标准一致,实现半导体器件检验方法、可靠性评价、质量水平与国际接轨,本标准等同采用IEC 62435-1:2016《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分:总则》。 2、确定主要内容的依据 除编辑性修改外,本标准的结构和内容与IEC 62435-1:2016保持一致,标准编写符合GB/T 1.1—2009《标准化工作导则第1部分:标准结构和编写》、部分:采用国际标准》的规定。2第《标准化工作指南GB/T 20000.2-2001 国家标准报批资料 本标准为制定半导体器件长期贮存方案提供了指导,主要论述了在长期贮存过程中对元器件的管理、定期检查及其它注意事项。本部分与本系列标准其它部分一起使用,用于贮存时间可能超过12个月的长期贮存器件。 三、主要试验情况分析][或验证从长期贮存设施中取出10只晶体管进行周期性检验,按照本标准规定的要求对产品进行了目检、电特性测试、可焊性试验、

常用电力电子元器件的测试和判断

部分电子器件的测试和判断方法 1、二极管和桥堆 二极管的检测是用万用表的二极管档测PN结的压降,二极管的正极是PN结的正端,负极是PN结的负端。PN结的正向压降约为0.3—0.8V,反向为∞。桥堆的检测和二极管一样,分别测四个二极管的好坏,若其中有一个坏的,则桥堆是坏的。 2、三极管 三极管有NPN型和PNP型,用万用表的二极管档测两个PN结的压降,可粗略判断三极管的好坏,PN结的正向压降约为0.2—0.7V,反向为∞。也可以测三极管的放大倍数,数值为0或∞的管子一般是坏的。三极管的损坏形式一般是b-e结击穿,严重时连c-b结也击穿。 3、MOS管 场效应管(常用MOS管)有N沟道型和P沟道型,测试时用万用表的二极管档,栅极(G)对源极(S)和漏极(D)是双向绝缘的(数值为∞);S对D相当于一个PN结(P沟道型为D对S),测试时可参照PN结的测试。MOS管的损坏形式一般是D-S结击穿,严重时连G-S绝缘也击穿。 4、IGBT IGBT模块可通过测量G-E间的结电容来判断,模块的G-E结电容与它的耐流值有关,一般好的100A以下模块G-E结电容在4~20nF间,100A以上模块的G-E结电容可能超过20nF。我们也可以通过测量模块G-E、G-C、C-E的电阻来判断,常见模块的损坏形式是G-E击穿或C-E击穿。 5、变压器 变压器的损坏一般是匝间短路或开路。开路的情况可以用万用表测量;对于短路情况,我们可以在它的高压端加交流市电,然后测它的空载损耗和或副边电压来判断它的好坏。对于小变压器而言,损坏较多的情况还是原边开路。 6、电容 温度升高而形成恶性循环,继而膨胀、失效。有些损坏的电容可从外观上来判断, 膨胀、变形或出现漏液的电容一般是坏的。电容也可以万用表来测量,对于容值较小的,可 以用万用表的电容档测其容值,偏差不大的电容是好的;对于容值较大的电容,可用万用表

电子元器件老化标准审批稿

电子元器件老化标准 YKK standardization office【 YKK5AB- YKK08- YKK2C- YKK18】

一、外观质量检查 拿到一个电子元器件之后,应看其外观有无明显损坏。比如变压器,要看其所有引线有否折断,外表有无锈蚀,线包、骨架有无破损等。又如三极管,要看其外表有无破损,引脚有无折断或锈蚀,还要检查一下器件上的型号是否清晰可辨。对于电位器、可变电容器之类的可调元件,还要检查在调节范围内,其活动是否平滑、灵活,松紧是否合适,无机械噪声,手感好,并保证各触点接触良好。 各种不同的电子元器件都有自身的特点和要求,爱好者平时应多了解一些有关各元件的性能和参数、特点,积累经验。 二、电气性能的筛选 要保证试制的电子装置能够长期稳定地通电工作,并且经得起应用环境和其他可能因素的考验,这是对电子元器件的筛选必不可少的一道工序。所谓筛选,就是对电子元器件施加一种应力或多种应力试验,暴露元器件的固有缺陷而不破坏它的完整性。筛选的理论是:如果试验及应力等级选择适当,劣质品会失效,而优良品则会通过。人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件,在刚投入使用的时候,一般失效率较高,叫做早期失效,经过早期失效后,电子元器件便进入了正常的使用期阶段,一般来说,在这一阶段中,电子元器件的失效率会大大降低。过了正常使用阶段,电子元器件便进入了耗损老化期阶段,那将意味着寿终正寝。这个规律,恰似一条浴盆曲线,人们称它为电子元器件的效能曲线。 电子元器件失效,是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺措施不当而引起的。元器件的早期失效十分有害,但又不可避免。因此,人们只能人为地创造早期工作条件,从而在制成产品前就将劣质品剔除,让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段,减少失效,增加其可靠性。 在正规的电子工厂里,采用的老化筛选项目一般有:高温存储老化;高低温循环老化;高低温冲击老化和高温功率老化等。其中高温功率老化是给试验的电子元器件通电,模拟实际工作条件,再加上+80℃~+180℃的高温经历几个小时,它是一种对元器件多种潜在故障都有检验作用的有效措施,也是目前采用得最多的一种方法。对于业余爱好者来说,在单件电子制作过程中,是不

电子元件储存条件

电子元件储存条件 LG GROUP system office room 【LGA16H-LGYY-LGUA8Q8-LGA162】

电子元器件的储存方法及保管条件? 匿名|浏览 8749 次| 我有更好的答案 推荐于2018-03-01 13:54:09 最佳答案 场所:立体式货架仓库:通风、干燥、无腐蚀性气体。仓库保持通风、通光、通气、通道通畅状态,,禁止违章用火、用电并做好防火工作,消防标识明确。 贮存条件和期限 (1)无特殊要求的物品(合格原材料、半成品) 存储条件:遮阳、常温、保持通风,干燥。 (2)储存期限 ①电子元器件的有效储存期为12个月; ②塑胶件的有效储存期为12个月; ③五金件的有效储存期6个月; ④包装材料的有效储存期为12个月; ⑤成品的有效储存期为12个月。 (3)特殊要求的物品 针对特殊要求的物料根据存储要求存放。 物料类别存贮相对温度贮存相对 湿度存贮高度、 容器贮存期限 锡膏、胶水类2-10℃无特殊要求冰箱、冰柜根据保质期规定 电子元器件20±5℃40%~70% 电子仓,标准包装 12个月 防护 电子仓防护要求 ,人员必须按照防静电的要求,着装,佩戴防静电手环。 要求有适当的隔离措施,针对特殊要求的物品应有显着的警示标识或。

和存放等。 原材料防护要求 、五金件、塑胶件、包材等的防护。 和引脚直接暴露在空气中,以防止产品氧化。 防护作业过程防护设施或设备防护要点责任部门 元器件库房、工位架、、防静电箱静电防护物流部库房、工位架、、防静电箱静电防护物流部 五金件库房、工位架、纸箱、胶筐磕碰、划伤物流部 塑胶件库房、工位架、纸箱、胶筐挤压、磕碰、划伤物流部包材库房、栈板防雨防潮物流部 附件及配件 磁铁库房、工位架、栈板、纸箱 纸箱、胶筐 防雨防潮 与其他五金件隔离物流部 物流部 成品仓防护要求

份测验电力电子技术第一次作业

份测验电力电子技术第一次作业

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2014年9月份考试电力电子技术第一次作业 一、单项选择题(本大题共100分,共 40 小题,每小题 2.5 分) 1. 晶闸管从阻断转为导通,必须同时具备的两个条件是()。 A. A、阳极正向电压和门极反向电流 B.阳极反向电压和门极反向电流 C. C、阳极反向电压和门极正向电流 D、阳极正向电压和门极正向电流 2. 利用附加的换流电路对晶闸管施加反向电压或反向电流的换流方式,称为()。 A.电网换流 B.强迫换流 C.负载换流 D.器件换流 3. 无源逆变指的是()。 A. 将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能,送给负载 B. 将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能,送给电网 C. 将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能,送给负载 D. 将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能,送给电网 4. 晶闸管的额定电流是用一定条件下流过的最大工频正弦半波()来确定。 A. 电流有效值 B. 电流峰值 C. 电流瞬时值 D. 电流平均值 5. 晶闸管工作过程中,管子本身的损耗等于管子两端的电压乘以()。 A. 阳极电流 B. 门极电流 C. 阳极电流与门极电流之差 D. 阳极电流与门极电流之和 6. 晶闸管导通后,要使晶闸管关断,必须() A. 在门极施加负脉冲信号 B. 使控制角应该大于90度 C. 使阳极电流小于维持电流 D. 使控制角小于90度 7. 单相桥式全控整流电路带反电势负载,串联电感L,工作在有源逆变状态,的工作范围 是() A. B. C. D. 8. 三相半波带电阻性负载时, 为()度时,可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。 A. 0 B. 60 C. 30 D. 120 9. 逆变角β值的大小等于()。 A. B. C. D. 10. 题目:以下正确的叙述是()。 A. A、晶闸管只存在动态损耗,而不存在静态损耗 B. B、晶闸管只存在静态损耗,而不存在动态损耗 C. C、晶闸管既不存在动态损耗,也不存在静态损耗 D. D、晶闸管既存在动态损耗,也存在静态损耗 11. 三相半波可控整流电路的自然换相点是( )。 A. 交流相电压的过零点 B. 本相相电压与相邻相电压正半周的交点处 C. 比三相不控整流电路的自然换相点超前30° D. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°

电子元器件仓库储存要求

电子元器件仓库储存要 求 WTD standardization office【WTD 5AB- WTDK 08- WTD 2C】

电子元器件仓库储存要求 1环境要求: 电子元器件必须储存在清洁、通风、无腐蚀性气体的仓库内,仓库应处于通道通畅状态,严禁吸烟,禁止违章用火、用电并做好防火工作,消防标识明确。 除另有规定外,仓库的温度和相对湿度必须满足如下要求:

a.温度:-5~30℃; b.相对湿度:20%~75%; c.仓库储存环境条件的优劣直接影响有限储存期的长短,参见附录。 2特殊要求: 、对静电敏感器件 (如MOS场效应晶体管、砷化镓场效应晶体管、CMOS电路等),应存放在具有静电屏蔽作用的容器内。 、对磁场敏感但本身无磁屏蔽的电子元器件, 应存放在具有磁屏蔽作用的容器内。 、油封的机电原件 应保持油封的完整。 3电子元器件有限储存期的确定: 电子元器件的有限储存期按附录确定。 附录:电子元器件的有限储存期 A1有限储存期起始日期的确定 电子元器件有限储存期的起始日期按下列优先顺序确定: a.电子元器件上打印的日期(或星期代号),凡仅有年月而无日期的,均按该月15日计算,如无星期代号的则按星期四的日期计算; b.包装盒或包装袋上的检验日期货包装日期提前一个月计算。 A2电子元器件的有限储存期 电子元器件的有限储存期与储存的环境条件有关,仓库储存的环境条件可分为以下三类, 【表格】储存环境条件分类表

【表格】电子元器件的有限储存期 4防护 电子仓防护要求 电子仓要求有防静电地板,人员必须按照防静电的要求,着装防静电服,佩戴防静电手环。 要求按物品的类别分区存放,易燃易爆品要求有适当的隔离措施,针对特殊要求的物品应有显着的警示标识或安全标识。 物料摆放整齐,存料卡出、入库内容规范,做到帐、物、卡相符。 物品不可直接落地存放,需有托盘或货架防护。

《电力电子技术》第一阶段在线作业(自测)

试题 1.第1题单选题普通晶闸管是一种单向导电器件,它在电压阻断能力方面的特点是:____。 A、仅具有正向阻断能力 B、仅具有反向阻断能力 C、正、反向电压阻断能力都具备 D、接入反并联二极管时,正、反向电压阻断能力才都具备 标准答案:C 您的答案:C 题目分数:4 此题得分:4.0 批注: 2.第2题单选题单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是____。 A、0°-180° B、0°-15° C、0°-120° D、0°-90° 标准答案:A 您的答案:A 题目分数:4 此题得分:4.0 批注: 3.第3题单选题为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作,应在电路中接入____。 A、三极管

B、续流二极管 C、保险丝 D、电力场效应晶体管 标准答案:B 您的答案:B 题目分数:3 此题得分:3.0 批注: 4.第4题单选题三相全控桥式整流电路带电阻负载,当触发角α=0o时,输出的负载电压平均值为____。 A、0.45U2 B、0.9U2 C、1.17U2 D、2.34U2 标准答案:D 您的答案:D 题目分数:4 此题得分:4.0 批注: 5.第5题单选题单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值应该等于整流前交流电压的____倍。 A、1 B、0.5 C、0.45 D、0.9 标准答案:D 您的答案:D 题目分数:3

此题得分:3.0 批注: 6.第6题单选题对于可控整流电路,其换流重叠角大小的影响因素,主要包括:____。 A、变压器等效漏感LB B、直流侧电流Id C、A、B两个方面都有影响 D、Ud代表的平均值电压的增加量 标准答案:C 您的答案:C 题目分数:4 此题得分:4.0 批注: 7.第7题多选题晶闸管的工作状态有____状态。 A、正向导通 B、正向阻断 C、反向导通 D、反向阻断 标准答案:A,B,D 您的答案:A,B,D 题目分数:6 此题得分:6.0 批注: 8.第8题多选题有源逆变的条件包括____。 A、与晶闸管的导通方向一致的直流电动势 B、与晶闸管导通方向不一致的直流电动势 C、

电子元器件防潮柜-电子元件器防潮柜在不同湿度的储存要求

电子元器件防潮柜-电子元件器防潮 柜在不同湿度的储存要求 爱酷防潮科技 很多需要用到电子元件器防潮柜的用户都了解,电子元件器防潮柜有两项指标是我们在购买之前必须要了解的,一个是容积大小,一个是我们的产品需要的储存湿度范围。 电子元件器防潮柜的容积大小很容易解决,但是具体需要多少的湿度范围来存放看难倒了不少用户。下面就来为大家详细解说下关于IC等湿敏元器件在电子元件器防潮柜的储存湿度要求。 IC封装的等级和大气中容许暴露时间,防漏包装开封后的IC封装大气中容许暴露时间按下述等级进行分类: 建议将防漏包装开封后的IC封装放在湿度为5%RH或10%RH以下的电子元器件防潮柜中进行管理,以免吸附大气中的水分。 湿度为5%RH以下的管理,大气中容许暴露时间无限制,湿度为10%RH以下的管理,根据下述说明(一例) 大气中容许暴露时间的复位(等级2~4) 从防漏包装中取出來的等级为2~4的IC封装应放在湿度为10%RH以下的电子元件器防潮柜中进行管理。 从防漏包装中取出來的IC封装在大气条件为30℃、60%RH以下的环境中放置時,应以放置时间5倍的时间保管在湿度為10%RH左右的电子元件器防潮柜中,可以使大气中容许暴露时间复位。(但在等级为4的情況下,放置时间限定在12小時以內) 大气中容许暴露时间的复位(等級5~5A) 等级5~5A的IC封装应放在湿度为5%RH以下的电子元件器防潮柜中进行管理,从防漏包装中取出來的IC封装在大气条件为30℃、60%RH以下的环境中放置時,应以放置时间10倍的时间保管在湿度为5%RH以下的电子元件器防潮柜中,可以使大气中容许暴露时间复位。(但放置时间限定在8小時以內) 防漏包装须按规定标识下述标签、大气中容许暴露时间以及开封后的管理湿度等。 防漏包装标签(3点卡)

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