wafer_术语
半导体mfg生产制造中常用的英文单词
在半导体制造（Semiconductor Manufacturing）行业中，有许多专业术语和英文单词频繁出现，以下是一些常见的：1. Wafer - 晶圆，硅片2. Die - 芯片裸片3. Photolithography - 光刻技术4. Etching - 刻蚀5. Deposition - 沉积，包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）6. Ion Implantation - 离子注入7. Cleaning - 清洗8. Thermal Oxidation - 热氧化9. Diffusion - 扩散工艺10. Thin Film Transistor (TFT) - 薄膜晶体管11. Mask - 防护层、光罩12. Doping - 掺杂13. CMP (Chemical Mechanical Polishing) - 化学机械平坦化14. Sputtering - 溅射15. Bonding - 封装时的绑定过程16. Probe - 测试探针17. Final Test - 最终测试18. Packaging - 封装19. Silicon Wafer Fab - 晶圆厂20. Yield - 产出率，良率此外，还有许多与质量管理、设备维护、生产控制相关的词汇，例如：- Process Control - 工艺控制- Defect Inspection - 缺陷检测- Metrology - 测量科学- End-of-Line (EOL) Testing - 生产线末尾测试- Quality Assurance (QA) - 质量保证- Failure Analysis (FA) - 失效分析这些词汇共同构成了半导体制造行业的语言基础。
半导体行业的英单词和术语
半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。
3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。
4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。
5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。
7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。
8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。
9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。
10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。
11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。
12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。
13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。
14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。
15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。
16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。
17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。
半导体行业专业知识-wafer知识
28. Spacer的主要功能?
答:①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域;
②作为Contact Etch时栅极的保护层。
8. 工厂中硅片(wafer)的制造过程可分哪几个工艺过程(module)?
答:主要有四个部分:DIFF(扩散)、TF(薄膜)、PHOTO(光刻)、ETCH(刻蚀)。其中DIFF 又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF 包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过程(module)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好。
⑥Poly的Re-oxidation(二次氧化)。
22. Poly(多晶硅)栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地方?
答:①Poly 的CD(尺寸大小控制;
②避免Gate oxie 被蚀刻掉,造成基材(substrate)受损.
23. 何谓 Gate oxide (栅极氧化层)?
答:用来当器件的介电层,利用不同厚度的 gate oxide ,可调节栅极电压对不同器件进行开关
答:Poly CD(多晶硅尺寸)、Gate oxide Thk(栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度、Vt imp.条件、LDD imp.条件、N+/P+ imp. 条件。
38. 什幺是Vt? Vt 代表什幺意义?
答:阈值电压(Threshold Voltage),就是产生强反转所需的最小电压。当栅极电压Vg<Vt 时, MOS处于关的状态,而Vg〉=Vt时,源/漏之间便产生导电沟道,MOS处于开的状态。
fab晶圆厂常用半导体术语
fab晶圆厂常用半导体术语【最新版】目录1.晶圆厂与半导体的关系2.常用半导体术语概述3.详细解释常用半导体术语正文晶圆厂是半导体制造中的一个重要环节，它负责将设计好的半导体芯片生产出来。
半导体行业有很多专业术语，对于非专业人士来说可能比较难以理解。
这里，我们将详细介绍一些常用的半导体术语，以便大家更好地了解半导体制造过程。
首先，让我们了解一下晶圆厂与半导体的关系。
晶圆厂的主要任务是将半导体材料制成芯片，而半导体材料具有特殊的电导率特性，可以实现电子器件的微型化。
因此，半导体是晶圆厂生产的芯片的主要成分。
在半导体制造过程中，有很多专业术语，下面我们将详细解释一些常用的半导体术语。
1.晶圆（Wafer）：晶圆是半导体制造的基本单位，通常由硅单晶制成。
晶圆的表面被清洗干净，以便在上面制造半导体器件。
晶圆在半导体制造过程中具有非常重要的地位，因为所有的半导体器件都是在晶圆上制造的。
2.光刻（Lithography）：光刻是半导体制造中的一种重要工艺，它通过将光敏树脂涂在晶圆上，然后将其暴露在特定波长的光下，从而在晶圆上形成所需的图案。
这个过程可以重复多次，以制造出复杂的半导体结构。
3.刻蚀（Etching）：刻蚀是半导体制造中另一种重要的工艺，它通过化学或物理方法将晶圆表面的材料去除，以形成所需的形状和结构。
刻蚀通常与光刻结合使用，以制造出复杂的半导体器件。
4.掺杂（Doping）：掺杂是半导体制造中的一种工艺，通过向半导体材料中添加特定的杂质元素，可以改变半导体的电导率。
掺杂分为 n 型掺杂和 p 型掺杂，分别用于制造 n 型半导体和 p 型半导体。
5.氧化（Oxidation）：氧化是半导体制造中的一种工艺，通过在半导体表面形成一层氧化物，可以提高半导体的稳定性和可靠性。
氧化层通常用于制造 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）等半导体器件。
6.金属化（Metallization）：金属化是半导体制造中的一种工艺，通过在半导体表面形成一层金属导电层，可以实现半导体器件的电连接。
半导体专业术语英语..
半导体专业术语英语半导体是当今最重要的技术领域之一。
随着半导体技术的不断发展，半导体专业术语英语越来越重要。
在本文中，我们将介绍一些常见的半导体专业术语英语，帮助读者更好地理解和掌握半导体技术。
基本概念1.Semiconductor：半导体2.Doping：掺杂3.Carrier：载流子4.Hole：空穴5.Electron：电子6.Bandgap：能隙7.Mobility：迁移率8.Resistivity：电阻率9.Conductivity：电导率10.PN Junction：PN结11.Schottky Junction：肖特基结半导体晶体结构1.Crystal：晶体ttice：晶格3.Unit Cell：单元胞4.Wafer：晶片5.Silicon Wafer：硅晶片6.Epitaxy：外延7.Deposition：沉积8.Etch：蚀刻9.Annealing：退火典型器件1.Transistor：晶体管2.Diode：二极管3.Capacitor：电容器4.Resistor：电阻器5.Inductor：电感器6.MOSFET：MOS场效应晶体管7.BJT：双极性晶体管8.LED：发光二极管9.IGBT：绝缘栅双极晶体管10.SCR：可控硅制程工艺1.Lithography：光刻2.Ion Implantation：离子注入3.Chemical Vapor Deposition (CVD)：化学气相沉积4.Physical Vapor Deposition (PVD)：物理气相沉积5.Wet Etch：湿法蚀刻6.Dry Etch：干法蚀刻7.Annealing：退火8.Configurations：构型9.Metrology：计量学10.Yield：良率11.Process Integration：制程集成半导体技术对现代社会的影响越来越大，而英语是半导体专业中的重要工具之一。
学习和掌握半导体专业术语英语，有助于提高在半导体行业的各种交流和合作能力。
半导体行业专业知识-wafer知识
PIE1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。
2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer 工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。
未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。
当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。
wafer
LED back end什么意思浏览次数：488次悬赏分：10 |解决时间：2010-9-24 15:52 |提问者：firelifespy请明白人费心详细解答：LED中的术语back end是什么意思？问题补充：在一份LED产业报告中提及，其中把back end列为LED主要成本构成之一最佳答案同意“构装、测试制程为后段（Back End）制程”上海升美——点亮你的生活！一、半导体元件制造过程1、前段（Front End）制程1）晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称Wafer Fab）晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最后进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。
2）晶圆针测制程（Wafer Probe）经过Wafer Fab之制程后，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（Ink Dot），此程序即称之为晶圆针测制程（Wafer Probe）。
然后晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒。
2、后段（Back End）制程1）封装（Packaging）测试制程（Initial Test and Final Test）利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路目的：是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。
半导体行业专业知识-wafer知识
PIE1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。
2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer 工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。
未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。
当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。
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硅片行业术语大全(中英文对照I-Z)Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut.晶锭- 由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。
Laser Light-Scattering Event - A signal pulse that locates surface imperfections on a wafer.激光散射- 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。
Lay - The main direction of surface texture on a wafer.层- 晶圆片表面结构的主要方向。
Light Point Defect (LPD) (Not preferred; see localized light-scatterer)光点缺陷(LPD) （不推荐使用，参见“局部光散射”）Lithography - The process used to transfer patterns onto wafers.光刻- 从掩膜到圆片转移的过程。
Localized Light-Scatterer - One feature on the surface of a wafer, such as a pit or a scratch that scatters light. It is also called a light point defect.局部光散射- 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。
Lot - Wafers of similar sizes and characteristics placed together in a shipment.批次- 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。
Majority Carrier - A carrier, either a hole or an electron that is dominant in a specific region, such as electrons in an N-Type area.多数载流子- 一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子，例如在N型中是电子。
Mechanical Test Wafer - A silicon wafer used for testing purposes.机械测试晶圆片- 用于测试的晶圆片。
Microroughness - Surface roughness with spacing between the impurities with a measurement of less than 100 μm.微粗糙- 小于100微米的表面粗糙部分。
Miller Indices, of a Crystallographic Plane - A system that utilizes three numbers to identify plan orientation in a crystal.Miller索指数- 三个整数，用于确定某个并行面。
这些整数是来自相同系统的基本向量。
Minimal Conditions or Dimensions - The allowable conditions for determining whether or not a wafer is considered acceptable.最小条件或方向- 确定晶圆片是否合格的允许条件。
Minority Carrier - A carrier, either a hole or an electron that is not dominant in a specific region,such as electrons in a P-Type area.少数载流子- 在半导体材料中不起支配作用的移动电荷，在P型中是电子，在N型中是空穴。
Mound - A raised defect on the surface of a wafer measuring more than 0.25 mm.堆垛- 晶圆片表面超过0.25毫米的缺陷。
Notch - An indent on the edge of a wafer used for orientation purposes.凹槽- 晶圆片边缘上用于晶向定位的小凹槽。
Orange Peel - A roughened surface that is visible to the unaided eye.桔皮- 可以用肉眼看到的粗糙表面Orthogonal Misorientation -直角定向误差-Particle - A small piece of material found on a wafer that is not connected with it.颗粒- 晶圆片上的细小物质。
Particle Counting - Wafers that are used to test tools for particle contamination.颗粒计算- 用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具。
Particulate Contamination - Particles found on the surface of a wafer. They appear as bright points when a collineated light is shined on the wafer.颗粒污染- 晶圆片表面的颗粒。
Pit - A non-removable imperfection found on the surface of a wafer.深坑- 一种晶圆片表面无法消除的缺陷。
Point Defect - A crystal defect that is an impurity, such as a lattice vacancy or an interstitial atom. 点缺陷- 不纯净的晶缺陷，例如格子空缺或原子空隙。
Preferential Etch -优先蚀刻-Premium Wafer - A wafer that can be used for particle counting, measuring pattern resolution in the photolithography process, and metal contamination monitoring. This wafer has very strict specifications for a specific usage, but looser specifications than the prime wafer.测试晶圆片- 影印过程中用于颗粒计算、测量溶解度和检测金属污染的晶圆片。
对于具体应用该晶圆片有严格的要求，但是要比主晶圆片要求宽松些。
Primary Orientation Flat - The longest flat found on the wafer.主定位边- 晶圆片上最长的定位边。
Process Test Wafer - A wafer that can be used for processes as well as area cleanliness.加工测试晶圆片- 用于区域清洁过程中的晶圆片。
Profilometer - A tool that is used for measuring surface topography.表面形貌剂- 一种用来测量晶圆片表面形貌的工具。
Resistivity (Electrical) - The amount of difficulty that charged carriers have in moving throughoutmaterial.电阻率（电学方面）- 材料反抗或对抗电荷在其中通过的一种物理特性。
Required - The minimum specifications needed by the customer when ordering wafers.必需- 订购晶圆片时客户必须达到的最小规格。
Roughness - The texture found on the surface of the wafer that is spaced very closely together.粗糙度- 晶圆片表面间隙很小的纹理。
Saw Marks - Surface irregularities锯痕- 表面不规则。
Scan Direction - In the flatness calculation, the direction of the subsites.扫描方向- 平整度测量中，局部平面的方向。
Scanner Site Flatness -局部平整度扫描仪-Scratch - A mark that is found on the wafer surface.擦伤- 晶圆片表面的痕迹。
Secondary Flat - A flat that is smaller than the primary orientation flat. The position of this flat determines what type the wafer is, and also the orientation of the wafer.第二定位边- 比主定位边小的定位边，它的位置决定了晶圆片的类型和晶向。
Shape -形状-Site - An area on the front surface of the wafer that has sides parallel and perpendicular to the primary orientation flat. (This area is rectangular in shape)局部表面- 晶圆片前面上平行或垂直于主定位边方向的区域。
Site Array - a neighboring set of sites局部表面系列- 一系列的相关局部表面。
Site Flatness -局部平整-Slip - A defect pattern of small ridges found on the surface of the wafer.划伤- 晶圆片表面上的小皱造成的缺陷。