S9014三极管参数 TO-92三极管S9014规格书
FOSAN富信电子 三极管 S9014-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S9014 SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点NPN General Purpose通用▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO50V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO45V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO5V Collector Current集电极电流I C100mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)200mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA625℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标S9014=J6ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S9014■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage 集电极基极击穿电压(I C =100uA ，I E =0)BV CBO50——VCollector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =1mA ，I B =0)BV CEO 45——VEmitter-Base Breakdown V oltage 发射极基极击穿电压(I E =100uA ，I C =0)BV EBO 5——VCollector-Base Leakage Current 集电极基极漏电流(V CB =50V ，I E =0)I CBO ——100nAEmitter-Base Leakage Current 发射极基极漏电流(V EB =5V ，I C =0)I EBO ——100nADC Current Gain 直流电流增益(V CE =5V ，I C =1mA)H FE 200—1000Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =100mA ，I B =5mA)V CE(sat)——0.3VBase-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =100mA ，I B =5mA)V BE(sat)——1V Transition Frequency 特征频率(V CE =5V ，I C =10mA)f T150——MH ZOutput Capacitance 输出电容(V CB =6V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—3—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S9014■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.S9014■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
SS9014中文资料
SS9014NPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings T a =25°C unless otherwise notedElectrical Characteristics T a =25°C unless otherwise notedh FE ClassificationSymbol ParameterRatings Units V CBO Collector-Base Voltage 50V V CEO Collector-Emitter Voltage 45V V EBO Emitter-Base Voltage 5V I C Collector Current100mA P C Collector Power Dissipation 450mW T J Junction Temperature 150°C T STGStorage Temperature-55 ~ 150°CSymbol ParameterTest Condition Min.Typ.Max.Units BV CBO Collector-Base Breakdown Voltage I C =100µA, I E =050V BV CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage I C =1mA, I B =045V BV EBO Emitter-Base Breakdown Voltage I E =100µA, I C =05V I CBO Collector Cut-off Current V CB =50V, I E =050nA I EBO Emitter Cut-off Current V EB =5V, I C =050nAh FE DC Current GainV CE =5V, I C =1mA 602801000V CE (sat)Collector-Base Saturation Voltage I C =100mA, I B =5mA 0.140.3V BE (sat)Base-Emitter Saturation Voltage I C =100mA, I B =5mA 0.84 1.0V V BE (on)Base-Emitter On Voltage V CE =5V, I C =2mA 0.580.630.7V C ob Output CapacitanceV CB =10V, I E =0f=1MHz2.23.5pF f T Current Gain Bandwidth Product V CE =5V, I C =10mA 150270MHz NFNoise FigureV CE =5V, I C =0.2mA f=1KHz, R S =2K Ω0.910dBClassificationA B C D h FE60 ~ 150100 ~ 300200 ~ 600400 ~ 10001. Emitter2. Base3. CollectorSS9014Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise•High total power dissipation. (P T =450mW)•High h FE and good linearity •Complementary to SS9015TO-921SS9014SS9014DISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:TRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body,or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsDatasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative or In Design This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.PreliminaryFirst ProductionThis datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.No Identification Needed Full ProductionThis datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.Obsolete Not In ProductionThis datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.STAR*POWER is used under licenseACEx™Bottomless™CoolFET™CROSSVOLT ™DenseTrench™DOME™EcoSPARK™E 2CMOS™EnSigna™FACT™FACT Quiet Series™FAST ®FASTr™FRFET™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™I 2C™ISOPLANAR™LittleFET™MicroFET™MicroPak™MICROWIRE™OPTOLOGIC™OPTOPLANAR™PACMAN™POP™Power247™PowerTrench ®QFET™QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™SLIENT SWITCHER ®SMART START™SPM™STAR*POWER™Stealth™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SyncFET™TinyLogic™TruTranslation™UHC™UltraFET ®VCX™。
9014,9013,8050三极管引脚图与管脚识别方法
s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极b基极c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP 型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K 挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
s9014中文资料_数据手册_参数
Typical Characterisitics
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
Static Characteristic
8
20uA
COMMON EMITTEA
14uA
4
12uA
10uA
8uA
2
6uA
4uA
IB=2uA
0
0
2
4
6
8
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
MARKING: J6
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
S9014 TRANSISTOR (NPN)
SOT-23
FEATURES z Complementary to S9015
1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR
f —— I
T
C
β=20
100
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (V)
TRANSITION FREQUENCY fT (MHz)
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
9011、9012、9013、9014、9015、9018、8055、8550三极管参数知识
一、概述s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图 1：e 2：b 3：c二、三极管管脚判断当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
三、三极管好坏判断在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
三极管的主要参数
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-908550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-1409011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
9012,9014,8050三极管引脚图与管脚识别方法
s9012s9013，s9014, s9015，，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9013,9014系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
9014,9013,8050三极管引脚图与管脚识别方法
s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极b基极c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP 型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K 挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
S9014 TRANSISTOR
(NPN)
FEATURES z High Total Power Dissipation.(P C =0.45W)
z High h FE and Good Linearity z Complementary to S9015
MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Test conditions
M in T yp Max Unit
Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO
I C =100μA, I E =0 50 V
Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C = 1mA, I B =
0 45 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =100μA, I C =
0 5 V Collector cut-off current I CBO V CB =50V, I E =
0 0.1 μA Collector cut-off current I CEO V CE =35V, I B =
0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB = 5V, I C =0 0.1 μA DC current gain
h FE
V CE =5V, I C = 1mA
60 1000 Collector-emitter saturation voltage V CE (sat) I C =100mA, I B = 5mA 0.3 V Base-emitter saturation voltage V BE (sat) I C =100mA, I B = 5mA
1
V
Transition frequency
f T
V CE =5V, I C = 10mA f=30MHz
150 MHz
CLASSIFICATION OF h FE(1) Rank A B C D Range
60-150 100-300 200-600 400-1000
TO-92
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
A,Apr,2011
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
100
1000
0200
400
600800
1000
1200
25
50
75
100
125
1
10
1
10
100
1000
8
7
5
43
2
61
0C O L L E C T O R C U R R E N T I C (m A )
Static Characteristic
5000
B A S E -E M M I T E R V O L T A G E V B E (m V )
B A S E -E M I T T E R S A T U R A T I O N V O L T A G E V B E s a t (m V )
AMBIENT TEMPERATURE Ta ()
℃S9014
Typical Characterisitics
T R A N S I T I O N F R E Q U E N C Y f T (M H z )
COLLECTOR CURRENT I C (mA)
60
I C
h FE —— A,Apr,2011
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Sponge strip
2000 pcs
Sponge strip The top gasket
Label on the Inner Box
Plastic bag
Label on the Outer Box
Inner Box: 333 mm ×162mm ×43mm
Outer Box: 350 mm × 340mm × 250mm
QA Label
Seal the box with the tape
Stamp “EMPTY” on the empty box
Inner Box: 240 mm ×165mm ×９５mm
Label on the Inner Box
Outer Box: 525 mm × 360mm × 262mm
Label on the Outer Box
QA Label
Seal the box with the tape
Stamp “EMPTY” on the empty box。