非晶硅太阳能电池工作原理及进展
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非晶硅太阳能电池工作原理及进展.txt生活是过出来的,不是想出来的。放得下的是曾经,放不下的是记忆。无论我在哪里,我离你都只有一转身的距离。本文由yy19880602贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。
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、非晶硅太阳能电池工作原理及进展、/
徐温元
(开大学电子科学系)南
自196年以来,晶硅基台金作为一种新型的电子材料,7非由于它的优异的光电特性,它在太阳能使电池及其他方面具有广泛的应用前景,而推动着人们对这羹材料特性进行深人研究。近几年国际上从有关这方面的研究工作发展迅速,已形成一个新技术产业部门.非晶硅太阳能电池的转换效率和电弛面积也都有明显的提高和增太.本文综述了非晶硅材料特性,电池工作原理及最近发展.一
、
非晶硅材料特性
移率虺
非晶硅基合金材料包括氢化非晶硅as:—i
了
H、非晶碳化硅aSxH、非晶氮化硅-iC:
s1i…N:H、非晶锗硅aSl—i…Ge:等一系列H
犍
材料.类台金均可在较低的温度下(3O)这<0℃以等离子化学气相沉积方法(CVPD)在较广泛的衬底材料(玻璃、属、高温塑料)生如金及上成大面积薄膜.1非晶硅舍金的带隐及悬挂键.
远程无序的.对理想晶态半导体来说,我们已
卷市崖(m ?ePc)
图l非晶态半导体态密宦分布示意图
带隙宽度.非晶硅的带隙宽度约等于17V,.e同.这种不同与非晶硅中含有1%以上的氢0
非晶硅与晶体硅不同之处是其原子排列是晶体硅的带隙宽度为1IV,二者有明显的不.c能用能带理论阐明其导电机理,即电子或空穴有关.再者,在非晶硅中掺人适量的锗(e、若G)可“由”运动于扩展的导带或价带之中,并碳(或氮O,可以形成不同的硅基合金即自地c)N)则具有较高的迁移率,而处于导带和价带之间的非晶锗硅合金禁带态密度为零.对非晶态半导体来说,由于aSl—i…C:Has—i一Gc:非晶碳硅台金H,或非晶氮硅台金asl—i…N:H.原子排列非长程有序,即材料中存在着各种不各种合金的带隙宽度随掺人量(的变化而变.)完整性(键长、角不相等和材料中存在空洞表1列出几种常见合金的带隙宽度.从迁移率如键或E,内分布的带尾的态密度近似以指向等)导致在描述非晶态导电机理时虽也有类似边E,于晶态的导带和价
带,但它分成扩展态和局域数规律降到~1“c? V的悬挂键态密度./me0态.在扩展态中,子和空穴的迁移率明显低所谓悬挂键是指非晶硅中的而电s原子未成共价i110/9
于晶态材料,只相当于晶态材料载流子迁移率键的电子态.由射频溅射或电子束蒸发方法制
的I%或更低.谓局域态即载流子不能在其中备的非晶硅膜,其悬挂键态密度可高达所输运的一种态,而且载流子是连续分布于导带ce由等离子体化学沉积法制备的非晶mV.或价带附近,故局域态又称为带尾,如图I所硅膜中含有大量的氢,可有效地与非晶硅中的示.带尾的宽窄与原子排列无序程度有关,即悬挂键结合形成s—键,使悬挂键态密度降iH无序程度愈高带尾分布愈宽.低.悬挂键分布在带隙的中部,并起复合中心图中E,E,迁移率边,占到占.间称的作用.悬挂键态密度越低,则材料的载流子称之
物理
655 ?
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表I几种非晶志半导体的帝隙宽度
可使此材料成为p型或n型的导电材料,其电导率可增至约l-( ? m)02Qc~.对于台有微晶
成分的非晶硅材料,电导率可更高.其
Cure(S(晶)!s≈CJ)多i
寿命越长.对于高质量的非晶硅材斟,其悬挂键态密度可低于l“c/me0V.
嚣
表l中各种非晶硅基合金()量从01分.逐渐增加时,带隙宽度也逐渐增大.其z戢流子的输运过程.
非晶硅材粒受光照或外电场注人时将产生菲平衡载流子,这些载流子在被复合之前在扩展态输运过程中,有一部分载流子将被带尾局域态所陷获,而被陷的载流子由于声子协助可重新激发回到扩展态.这种过程在载流子通过材料时可多次重复发生,直至载流子穿通材料
崔
波长^r)n
图2非晶硅基合金与晶体硅光吸收系敲的比较
达到另一电极.由于这种多次陷阱效应,导致3光吸收特性.了载流子迁移率的下降.对未掺杂的本征非晶导率为l-一1( ? m)Ot0Qc~.通过掺硼或磷
非晶硅基合金材料的光吸收特性与晶体硅由图2可以看出,非晶硅在可见光部分比晶
硅材料来说,是电子导电,般用i示,电材料差别很大,2给出几种材料的光吸收谱.这一表图
侣/钛
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B.ODIA
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图3()I玻璃为衬康的单结电}(为玻璃,TC为so镀面透明导电膜,a三【电GOnB为缓冲层,n为掺磷n型电于导电材料,p为掺礤P型空穴导电材料,,(,+’钼钍^ITi为背电敏,燕上1—2置的钍再蒸铝,)先00可得到较好的欧姆接触);【)b以不锈钢为衬雇的单结电}(为不镑钢衬雇,IO为氧化镏锡遗明导电膜)电sT;f)叠层电她(电他为。s:材料,电池为ISG ̄H材料)c上一iH下_i:
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茛pj善层,最后以硅有较高的光吸收系数,不同材料的较高光啵它是毒捩在不锈钢上沉积+
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收系数,对应的波长不同.所
电子束蒸发一层fo透明导电嗅.光从IOrT
膜射人n层,Pi电池相似,和n在n/界i面处产生的光生载流子通过i达到背电极构层
成电流回路.’
二、非晶硅电池的结构和工作原理
非晶硅电池一般可分为单结电池和叠层电池,单结电池又可分为以玻璃为衬底的pi而n电池和以不锈钢为衬底的ni电池,如图3p
所示.
~
关于非晶硅电池工作原理模型有不少文章讨论过,是从泊松方程出发列出电子和塑都
穴的连续方程,依据不同的边界条件推算在光照或暗态下电池的伏安特性.本文以圈3a()
pi电池结构为例扼要阐明电池的工作原理.n
1单结电油.图3a()是以玻璃为衬底的pn电池结构.i在玻璃上先敷着一层绒面SO:透明导电膜,n这种膜有减少反射光的作用,可使膜的透明度
图4a给出Pi电池短路杀件下的能带()n图.对于高转换效率的非晶硅电池,由于被陷
电荷和空间自由载流子电荷可以忽略,其i层提高.时这种膜