低温共烧陶瓷基板1

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低温共烧陶瓷(LTCC)配套浆料和相关材料开发与应用方案(二)

低温共烧陶瓷(LTCC)配套浆料和相关材料开发与应用方案(二)

低温共烧陶瓷(LTCC)配套浆料和相关材料开发与应用方案一、实施背景随着科技的飞速发展,电子行业对高性能、高可靠性、小型化和低成本的要求越来越高。

低温共烧陶瓷(LTCC)技术作为一种先进的陶瓷基板制备技术,具有高性能、高可靠性、小型化等优点,已成为电子行业的重要发展方向。

然而,LTCC技术在实际应用中仍存在一些问题,如材料性能不稳定、制造成本高等,这限制了其广泛应用。

因此,开发与LTCC 技术配套的浆料和相关材料,对于提高LTCC产品的性能、降低制造成本、推动电子行业的发展具有重要意义。

二、工作原理低温共烧陶瓷(LTCC)技术是一种将陶瓷粉体、有机载体、添加剂等原料混合制备成LTCC浆料,然后通过印刷、叠层、烧结等工艺制备成高性能、高可靠性的陶瓷基板的技术。

其中,LTCC浆料的性能直接决定了最终产品的性能。

因此,开发与LTCC技术配套的浆料和相关材料是关键。

三、实施计划步骤1.调研市场:了解当前LTCC技术的市场需求和应用情况,收集相关企业和研究机构的资料,分析现有产品的优缺点。

2.确定研究方向:根据市场调研结果,确定LTCC配套浆料和相关材料的研究方向,包括材料成分、制备工艺、性能指标等方面。

3.制备样品:根据确定的研究方向,制备LTCC配套浆料和相关材料样品。

4.性能测试:对制备的样品进行性能测试,包括物理性能、化学性能、电学性能等,以验证其是否满足市场需求。

5.优化配方:根据性能测试结果,对LTCC配套浆料和相关材料的配方进行优化,以提高产品性能。

6.中试生产:在完成配方优化后,进行中试生产,以验证生产工艺的可行性和产品的稳定性。

7.推广应用:将中试生产的产品推广到市场中,与相关企业和研究机构合作,以推动LTCC技术的广泛应用。

四、适用范围本方案适用于电子行业中的陶瓷基板制备领域,特别是那些需要高性能、高可靠性、小型化且对成本敏感的应用领域,如通信、汽车电子、航空航天等。

五、创新要点1.材料创新:通过开发新型的陶瓷粉体、有机载体和添加剂等原料,优化LTCC浆料的配方,提高产品的性能。

低温共烧陶瓷基板ppt课件

低温共烧陶瓷基板ppt课件

几种主要基板材料
Al2O3氧化铝陶瓷 氧化铝陶瓷被广泛用于厚、薄膜电路和MCM的基板。氧化铝陶瓷的玻璃成分一般 由二氧化硅和其他氧化物组成。
氮化铝陶瓷
氮化铝突出的优良性能是具有和氧化铍一样的导热性,以及良好的电绝缘性能、 介电性能。氮化铝的价格比氧化铝要贵。
硅基板
硅是一种可作为几乎所有半导体器件和集成电路的基板材料。优点有其基板和硅IC 芯片完全匹配;热导率比氧化铝陶瓷高得多;易于用铝或其他金属进行金属化等。
LTCC 微波元件
LTCC 集成模块
天线的结构如图所示,可以看到LTCC 介 质被沿波损耗的目的。
图为将多个LTCC 频率合成器放置在基板上的LTCC 频率合成 器测试版。该组件包括了一个4×4 的开关矩阵,集成PIN 的二极管,单刀双掷开关IC 芯片和无源器件。为了检测整
LTCC 技术是1982 年美国休斯公司开发的一种新型材料技术。
该工艺就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带,作为电路基板材 料,在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要 的电路图形,并将多个无源元件埋入其中,然后叠压在一起,在一定温度下烧结, 制成三维电路网络的无源集成组件,也可制成内置无源元件的三维电路基板,在 其表面可以贴装 IC和有源器件,制成无源/有源集成的功能模块等等。
LTCC基板材料
目前已开发出多种LTCC 基板材料, 由于加入玻璃是实现LTCC 技术的重要措施, 因此 对适用的玻璃种类进行过大量研究, 如高硅玻璃, 硼硅酸玻璃, 堇青石玻璃等。
陶瓷粉料的比例是决定材料物理性能与电性能的关键因素。为获得低介电常数的 基板, 必须选择低介电常数的玻璃和陶瓷组合, 主要有硼硅酸玻璃/ 填充物质、玻 璃/ 氧化铝系、玻璃/莫来石系等, 要求填充物在烧结时能与玻璃形成较好的浸润。

LTCC基板缺陷分析及改善对策

LTCC基板缺陷分析及改善对策

LTCC基板缺陷分析及改善对策卓良明【摘要】针对低温共烧陶瓷(LTCC)基板生产过程中遇到的对位偏差缺陷问题,从材料、工艺、设备、环境条件等多个方面做了详细的分析和验证.排除了打孔误差、印刷误差、叠片误差等非关键性影响因素,确定了导致偏差的根本原因是生瓷片变形所致的开腔误差以及打孔机的累积误差.提出了通过控制环境温湿度、缩短加工周期来减小生瓷片变形量以及对错位区域进行补偿的措施,解决了产品的缺陷问题,提高了产品的合格率,产品一次合格率达到95%.【期刊名称】《电子元件与材料》【年(卷),期】2019(038)006【总页数】4页(P107-110)【关键词】LTCC基板;对位精度;缺陷分析;合格率【作者】卓良明【作者单位】中国电子科技集团公司第十研究所,四川成都 610036【正文语种】中文【中图分类】TN705低温共烧陶瓷(LTCC)基板作为一种先进的高密度电路封装基片,因介质的介电常数小、导体电阻低、易于实现多层化[1]等特点,具有良好的高频特性、工艺相容性以及可靠性[2],因此被大量应用于微波、毫米波TR组件中[3]。

目前国内使用较多的是Ferro公司的生瓷带,Ferro公司A6-M系列生瓷带虽然具有较好的电性能,但是其加工工艺难度也较其他生瓷带更大,其产品的合格率一般只能达到90%左右。

鉴于LTCC基板的材料成本及其产品价值高,使用量也比较大,因此提高其产品的合格率就具有非常重要的意义,国内各单位也都在这方面做了大量的工作。

例如陈晓勇等[4]对LTCC基板金层表面斑点缺陷问题的研究,岳帅旗等[5]对LTCC基板腔底平整度问题的研究,张孝其等[6]对LTCC基板打孔及填孔工艺过程中出现的不合格品分析及补救措施方面的研究,都对提高LTCC基板产品合格率具有重要意义,然而对于LTCC基板加工精度控制方面的研究报道还不是很多。

LTCC基板的生产制造工艺复杂,影响产品质量的因素众多[7],从生瓷流延到打孔、填孔、印刷、叠片、层压、烧结、划片等前后有十几道工序,每个工序的误差和错误都可能导致产品的不合格,由于其工艺流程长、烧结后的产品内部又较难检测,所以分析、定位产品缺陷问题原因难度非常大,很多时候无法找到问题的根本原因。

新型无机材料:低温共烧陶瓷技术及器件

新型无机材料:低温共烧陶瓷技术及器件

5.9
Ag,Au

中国大陆研究较少, BaO‐SiO2‐ZrO2 ‐SrO‐B2O3
Murata
43所950~是1000该领域领4.0 先者
7.9
Cu
45wB‐tS%i‐O+SSiiOO2 2和55NEwC t%硼硅9酸00 盐玻璃 1.9
3.9
Pd‐Ag
Glass+
850℃烧结: MgO‐Al2O3‐ SiO245%+BSG55
CoO
SrZnP2 O7
‐‐
900 44.3 850 80 675 4.2 900 9.5 950 7.06
Q×f
GHz
22000
τf
ppm/℃ 2
3000

11
13027
10
78906 ‐94.5
52781
‐70
LTCC微波元器件材料:外加烧结助剂
陶瓷
烧结助剂
Ts/℃
TiO2
Li2O-Nb2O5-TiO2
堇青石具有膨胀系数低(1.2~1.9 ppm/℃)和介电常数低(5~5.5) 具有三种变体: 稳定的低温堇青石(β‐堇青石), 介稳的低温型(μ‐堇
青石)和稳定的高温堇青石(α‐堇青石) 堇青石烧结温度1000℃以上, α‐堇青石的CTE远远低于Si芯片的
CTE,热效应导致基板失效, 引入或生成玻璃相 IBM公司的堇青石基板材料: 过量的MgO降低玻璃的高温粘度,
1600
8000
收缩不匹配
7500
1200
3、器件设计:与材料脱节
7000
0
5
10
15
20
剪切速率r/s-1
0.97MgTiO3‐0.03CaTiO3 ceramics with 20wt%Li2O‐B2O3‐SiO2frit

LTCC工艺加工

LTCC工艺加工

低温共烧陶瓷(LTCC)基板电路加工技术1LTCC基板电路概述低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)技术是20世纪80年代中期美国首先推出的集互联、无源元件和封装于一体的多层陶瓷制造技术[1]。

随着科学技术的不断进步,目前电子产品外形可变得更小型和更薄但功能却更强大。

以一个移动电话的无线通信产业为例[2],手机的尺寸减少,早期的移动电话的功能是从最简单的音频传输的数据开始,目前已经发展到掌上网络电脑。

若能将部分无源元件集成到基板中,则不仅有利于系统的小型化,提高电路的组装密度,还有利于提高系统的可靠性。

目前的集成封装技术主要有薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术以及LTCC技术。

LTCC技术是一种低成本封装的解决方法,具有研制周期短的特点。

低温共烧陶瓷技术可满足后者轻,薄,短,小的需求。

然而,低温共烧陶瓷基板具有高硬度和易碎的特性。

因此,当切割机切割硬基板,在基板和切割刀片之间会产生一个较大的摩擦力,该摩擦产生的应力转移到切割刀片。

这会导致以LTCC为基板的电子产品合格率和产量的下降。

因此,当陶瓷基板被切割加工时如何提高产品的得率是一个重要的课题。

图1为典型的LTCC基板示意图[3],由此可知,采用LTCC 工艺制作的基板具有可实现集成电路芯片封装、内埋置无源元件及高密度电路组装的功能。

2LTCC基板加工工艺图2为LTCC基板制造的工艺流程图[4],主要有混料、流延、打孔、填孔、丝网印刷、叠片、等静压、排胶烧结等主要工序,下面简单介绍各个工序工艺。

混料与流延:将有机物(主要由聚合物粘结剂和溶解于溶液的增塑剂组成)和无机物(由陶瓷和玻璃组成)成分按一定比例混合,用球磨的方法进行碾磨和均匀化,然后浇注在一个移动的载带上(通常为聚酯膜),通过一个干燥区,去除所有的溶剂,通过控制刮刀间隙,流延成所需要的厚度。

此工艺的一般厚度容差是±6%。

低温共烧陶瓷

低温共烧陶瓷

低温共烧陶瓷(LTCC)材料简介及其应用电子科技大学微电子与固体电子学院张一鸣 22一、简介所谓低温共烧陶瓷(Low-temperature cofired ceramics, LTCC)技术,就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确且致密的生瓷带,作为电路基板材料,在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形,并将多个无源元件埋入其中,然后叠压在一起,在900℃烧结,制成三维电路网络的无源集成组件,也可制成内置无源元件的三维电路基板,在其表面可以贴装IC和有源器件,制成无源/有源集成的功能模块。

总之,利用这种技术可以成功制造出各种高技术LTCC产品。

多个不同类型、不同性能的无源元件集成在一个封装内有多种办法,主要有低温共烧陶瓷(LTCC)技术、薄膜技术、硅半导体技术、多层电路板技术等。

目前LTCC技术是无源集成的主流技术。

LTCC整合型组件包括各种基板承载或内埋式主动或被动组件产品,整合型组件产品项目包含零组件、基板与模块。

二、LTCC技术特点LTCC与其他多层基板技术相比较,具有以下特点:1.易于实现更多布线层数,提高组装密度;2.易于内埋置元器件,提高组装密度,实现多功能;3.便于基板烧成前对每一层布线和互联通孔进行质量检查,有利于提高多层基板的成品率和质量,缩短生产周期,降低成本;4.具有良好的高频特性和高速传输特性;5.易于形成多种结构的空腔,从而可实现性能优良的多功能微波MCM;6.与薄膜多层布线技术具有良好的兼容性,二者结合可实现更高组装密度和更好性能的混合多层基板和混合型多芯片组件;7.易于实现多层布线与封装一体化结构,进一步减小体积和重量,提高可靠性;LTCC工艺流程如图所示。

由此可知,采用LTCC工艺制作的多芯片组件具有可实现IC芯片封装,内埋置无源元件及高密度电路组装的功能。

与其他集成技术相比,具有以下特点:1.根据配料的不同,LTCC材料的介电常数可以在很大范围内变动,增加了电路设计的灵活性;2.陶瓷材料具有优良的高频、高Q和高速传输特性;3.使用电导率高的金属材料作为导体材料,有利于提高电路系统的品质因数;4.制作层数很高的电路基板,易于形成多种结构的空腔,内埋置元器件,免除了封装组件的成本,减少连接芯片导体的长度与接点数,可制作线宽<50um的细线结构电路,实现更多布线层数,能集成的元件种类多,参量范围大,于实现多功能化和提高组装密度;5.可适应大电流和耐高温特性要求,具有良好的温度特性,如较小的热膨胀系数,较小的介电常数稳定系数。

低温共烧陶瓷技术发展现状及趋势

低温共烧陶瓷技术发展现状及趋势

低温共烧陶瓷技术发展现状及趋势周琪(南京电子技术研究所.江苏南京210013)摘要:低温共烧陶瓷(LTcc)技术是近年发展起来的令人瞩目的电路封装技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新型电子元器件产业的经济增长点。

本文论述了LTCC技术特点、LTCC材料和器件的研究现状以及未来发展趋势。

关键词:低温共烧陶瓷技术(LTCC);电路封装;无源集成;发展现状;趋势1概述低温共烧陶瓷技术(LowTemperatureCo-fired∞ramie.LTCC)是美国休斯公司于1982年开发的新型电子封装技术,该技术是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而凡致密的生料带.在.生料带J:利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形,并将多个无源元件(如低容值电容、电阻、滤波器、阻抗转换器、耦合器等)埋人多层陶瓷基板中,然后叠压在一起.内外电极可分别使用银、铜、金等金属,在900℃下烧结,制成i维空间互不干扰的高密度电路。

也可制成内置无源元件的j维电路基板.在其表面可以贴装Ic和有源器件。

制成无源/有源集成的功能模块,可进一步将电路小型化与高密度化。

LTCC技术具有如下优点:陶瓷材料具有优良的高频高Q特性,使用频率可高达几十GHz;使用电导率高的金属材料作为导体材料,有利于提高电路系统的品质闪子;可以制作线宽小于50IS,m的细线结构电路;可适应大电流及耐高温特性要求,并具备比普通PCB电路基板更优良的热传导性;具有较好的温度特性,如较小的热膨胀系数、较小的介电常数温度系数;可以制作层数很高的电路基板.并可将多个无源元件埋入其中,有利于提高电路的组装密度;能集成的元件种类多、参虽范围大。

除电感器/电阻器/电容器外,还可以将敏感元件、EIVll抑制元件、电路保护元件等集成在一起;可以在层数很高的i维电路基板上,用多种方式键连Ic和各种有源器件.实现元源/有源集成;可靠性高,耐高温、高湿、冲振,可应用于恶劣环境;非连续式的生产工艺,允许对生坯基板进行检查,从而提高成品率,降低生产成本。

电子封装用陶瓷基板材料及其制备工艺

电子封装用陶瓷基板材料及其制备工艺

泛。

陶瓷基片主要包括氧化铍(BeO)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)。

与其他陶瓷材料相比,Si3N4陶瓷基片具有很高的电绝缘性能和化学稳定性,热稳定性好,机械强度大,可用于制造高集成度大规模集成电路板。

几种陶瓷基片材料性能比较从结构与制造工艺而言,陶瓷基板又可分为HTCC、LTCC、TFC、DBC、DPC等。

高温共烧多层陶瓷基板(HTCC)HTCC,又称高温共烧多层陶瓷基板。

制备过程中先将陶瓷粉(Al2O3或AlN)加入有机黏结剂,混合均匀后成为膏状浆料,接着利用刮刀将浆料刮成片状,再通过干燥工艺使片状浆料形成生坯;然后依据各层的设计钻导通孔,采用丝网印刷金属浆料进行布线和填孔,最后将各生坯层叠加,置于高温炉(1600℃)中烧结而成。

此制备过程因为烧结温度较高,导致金属导体材料的选择受限(主要为熔点较高但导电性较差的钨、钼、锰等金属),制作成本高,热导率一般在20~200W/(m·℃)。

低温共烧陶瓷基板(LTCC)LTCC,又称低温共烧陶瓷基板,其制备工艺与HTCC类似,只是在Al2O3粉中混入质量分数30%~50%的低熔点玻璃料,使烧结温度降低至850~900℃,因此可以采用导电率较好的金、银作为电极材料和布线材料。

因为LTCC采用丝网印刷技术制作金属线路,有可能因张网问题造成对位误差;而且多层陶瓷叠压烧结时还存在收缩比例差异问题,影响成品率。

为了提高LTCC导热性能,可在贴片区增加导热孔或导电孔,但成本增加。

厚膜陶瓷基板(TFC)相对于LTCC和HTCC,TFC为一种后烧陶瓷基板。

采用丝网印刷技术将金属浆料涂覆在陶瓷基片表面,经过干燥、高温烧结(700~800℃)后制备。

金属浆料一般由金属粉末、有机树脂和玻璃等组分。

经高温烧结,树脂粘合剂被燃烧掉,剩下的几乎都是纯金属,由于玻璃质粘合作用在陶瓷基板表面。

烧结后的金属层厚度为10~20μm,最小线宽为0.3mm。

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LED封装的陶瓷材料和PPA性能对比见下表。 相对于传统PPA封装材料而言,陶瓷散热基板在散热效果、匹配度、热膨胀系数、抗腐蚀和 黄化、气密性及耐高温等方面具有良好特性,因而成为LED封装的首选材料。
LED封装的陶瓷材料和PPA材料性能比较
常见的陶瓷封装基板有LTCC基板、高温共烧陶瓷(HTCC)基板、直接键合铜 (DBC)基板和直接镀铜(DPC)基板,四种陶瓷基板比较见下表。
LTCC基板制造工艺
用于LED封装的LTCC陶瓷基板制作工艺主要包括打孔、微孔填充、电路图印刷、 叠片、涂覆反射膜、层压、热切和高温烧结等。工艺流程如图所示。
LTCC基板热电分离结构
在散热设计方面,LTCC基板采用热电分离技术,导热通孔与导电通孔分别热电分离,导热 通孔及导热电极起散热作用,无电流导通,导电通孔仅起电学导通作用。下图所示为用于 LED封装的LTCC基板结构图,LED芯片直接焊接在LTCC基板上导热银柱上方,利用导热通孔 阵列来散热。
2016
低温共烧陶瓷(L TC C )基板 介绍
张德龙 16722137
主目录
CONTENTS
LTC C 基板
2
1
基板介绍
文献阅读
3
1
基板介绍
基板的作用
基板是实现元器件功能化、组件化的一个平台,是微电子封装的重要 环节。 基板主要有一下几个功能:
(1)互连和安装裸芯片或封装芯片的支撑作用。 (2)作为导体图形的绝缘介质。 (3)将热从芯片上传导出去的导热媒体。 (4)控制高速电路中的特性阻抗、串扰以及信号延迟。
LTCC 微波元件
LTCC 集成模块
图为将多个LTCC 频率合成器放置在基板上的LTCC 频率合成 器测试版。该组件包括了一个4×4 的开关矩阵,集成PIN 的二极管,单刀双掷开关IC 芯片和无源器件。为了检测整 个系统的工作状态,在该模块中增加了数字控制器、功率 检测器、温度传感器等模块。
天线的结构如图所示,可以看到LTCC 介 质被沿贴片天线的辐射边成条状挖去, 阻止表面波传播从而达到减小天线表面 波损耗的目的。
对于不同的封装芯片和封装尺寸,需分别对腔体 和散热通孔设计、导热通孔的热力学设计和分析 是LTCC陶瓷封装基板设计的重点。
1-LED芯片;2-LTCC陶瓷封装基板;3-键合线;4-导电金属柱; 5-导热金属柱;6-散热层;7-电极层
用于LED封装的LTCC基板结构图
金属导热通孔的散热效果。热流 通孔散热如图所示,低热导率的 LTCC陶瓷可看作热绝缘体,金属 通孔中传递的热量沿一维方向向 下传导到散热电极,这种一维的 散热模式实现快速高效导热性能。
而且LTCC制造工艺的发展趋势是小孔,细线和高布线密度; 另外,LTCC材料的发展方向是开发成本更低、性能更高的新型生瓷带系统,以 及零收缩生瓷带和用于高频的低损耗生瓷带。 近年来,LTCC基板发展很快,在高性能封装、高速MCM封装,以及BGA、CSP等 高密度封装中应用越来越多。
3
文献阅读
LED的LTCC封装基板研究
几种基板的性能比较
应用领域
LTCC 作为电子封装技术的一种,是为满足不同微电子应用特性而采取对半导体线 路进行联接、通电、保护和冷却等的多项工艺措施。
LTCC 器件按其所包含的元件数量和在电路中的作用,大体可分为LTCC 元件、LTCC 功能器件、LTCC 封装基板和LTCC 集成模块。 LTCC 属于高新科技的前沿产品,广泛应用于微电子工业的各个领域,具有十分广 阔的应用市场和发展前景。其主要应用技术领域集中在高密度集成技术、大功率 模块和微波/毫米波组件三大方向,另外在MEMS、光电、汽车、LED 等领域应用 增长十分显著。
封装基板的分类
在微电子封装中主要按照基板的基体材料来分,可以分为三类: (1)有机基板:包括纸基板、玻璃布基板、复合 材料基板、环氧树脂类、聚酯树 脂类、耐热塑性基板和多层基板等; (2) 无机基板:包括金属类基板、陶瓷类基板、玻璃类基板、硅基板和金刚石基 板等; (3) 复合基板:包括功能复合基板、结构复合基板和材料复合基板等。
LED封装材料经历树脂(PPA)材料到陶瓷材料的过程,合适封装材料的选择对 LED芯片发光效率、稳定性、散热性和可靠性影响重大。 伴随着LED芯片的芯片功率和转化效率的提高,对尺寸越来越小芯片的可靠性和 稳定性的要求越来越高,LED芯片的散热问题成为LED封装面临的一个主要问题。 芯片产生的热量如不能及时导出,则会导致PN结结温升高和芯片热应力的分布不 均,造成芯片发光效率和荧光粉激射效率下降。
四种陶瓷材料主要工艺特性
LTCC的主要成分是Al2O3陶瓷和约质量分30%~50%的玻璃材料加上有机黏合剂构成的陶 瓷-玻璃复合体系,相对于HTCC和DBC而言,LTCC的烧结温度较低,低烧结温度可使低熔 点、低电阻的金属与生瓷片共烧且材料膨胀系数与LED芯片极为接近,LTCC基板能为LED 芯片提供良好散热方案,因而在LED封装中得到广泛应用。
LTCC 技术是1982 年美国休斯公司开发的一种新型材料技术。 该工艺就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带,作为电路基板材 料,在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要 的电路图形,并将多个无源元件埋入其中,然后叠压在一起,在一定温度下烧结, 制成三维电路网络的无源集成组件,也可制成内置无源元件的三维电路基板,在 其表面可以贴装 IC和有源器件,制成无源/有源集成的功能模块等等。
2温共烧陶瓷技术(low temperature cofired ceramic ) 是陶瓷封装基板的一个分支, 是近年来兴起的一种相当令人瞩目的多学科交叉的整合组件技术,以其优异的电 子、机械、热力特性成为未来电子元件集成化、模组化的首选方式,广泛用于基 板、封装及微波器件等领域。 传统基板材料(Al2O3 , SiC 等) 和烧结技术(高温烧结陶瓷(HTCC)),不仅烧结温度高 (>1 500 ℃), 只能与高熔点、高电阻的金属(Mo , W 等) 共烧, 而且不利于降低生产 成本。为此人们开发出新型的低温共烧陶瓷技术 :低烧结温度可使金属良导体(Cu, Ag 等)同生坯片共烧, 提高厚膜电路的导电性能。
几种主要基板材料
Al2O3氧化铝陶瓷 氧化铝陶瓷被广泛用于厚、薄膜电路和MCM的基板。氧化铝陶瓷的玻璃成分一般 由二氧化硅和其他氧化物组成。 氮化铝陶瓷 氮化铝突出的优良性能是具有和氧化铍一样的导热性,以及良好的电绝缘性能、 介电性能。氮化铝的价格比氧化铝要贵。 硅基板 硅是一种可作为几乎所有半导体器件和集成电路的基板材料。优点有其基板和硅IC 芯片完全匹配;热导率比氧化铝陶瓷高得多;易于用铝或其他金属进行金属化等。 金刚石 金刚石是一种适合于大多数高性能微电路的理想材料,它具有最高的热导率、低的 介电常数、高的热辐射阻值和优良的钝化性能。它也是巳知材料中最硬的和化学稳 定性最好的材料。
典型的LTCC 组件结构
LTCC的特点
LTCC 技术的显著高集成度特征,是今后电子元件制造的发展趋势。与其他集成 技术相比,LTCC 具有以下特点: (1)陶瓷材料具有优良的高频Q特性,使用频率可高达几十GHz; (2)使用电导率高的金属材料作为导体材料,有利于提高电路系统的品质因子; (3)可以制作线宽小于50µm的精细结构电路; (4)可适应大电流及耐高温特性要求,并具备比普通PCB电路基板更优良的热 传导性; (5)具有较好的温度特性,如较小的热膨胀系数,较小的介电常数和温度系数; (6)可以制作层数很高的电路基板,并可将多个无源元件埋入其中,有利于提 高电路的组装密度;等等
LTCC介质材料主要由玻璃/陶瓷组成,与有机粘合剂、增塑剂和有机溶剂等有机 载体充分混合后,流延成厚度精确而且致密的生瓷片,在生瓷片上利用激光打 孔或机械钻孔后填充厚膜导体浆料,作为层与层之间的互连的通路,在每一层 上印刷厚膜金属化图形,多层之间对准后热压或包封液压,在经排胶烧结,形 成具有独立结构的多层基板。
辐射边开空气腔LTCC 天线阵(a)交叉导带之间开空腔 (b)平行导带之间开空腔 LTCC频率合成器测试板
LTCC 封装基板 自从20 世纪90 年代以来,几乎所有的大型高性能系统、超级计算机都用到了 LTCC 基板。 目前,在美国、日本等发达国家,LTCC 多层基板的微组装技术己经可靠地应用于 航空、空间技术和军事领域。 在国内,电子43 所和14 所研制的低温共烧多层基板已用于制造机载T/R 组件、星 载合成孔径雷达,舰载T/R 组件等高密度、高可靠性电路中。
类型1热流通孔散热示意图
结论
LTCC基板的设计随着LED的线路设计、尺寸和发光效率等条件的不同而不同。 LTCC封装基板因结合LTCC工艺特点获得高导热性,为高功率LED封装提供散热解 决方案,在LED封装领域获得新的应用。 封装过程中,LTCC基板与LED芯片衬底晶格结构相似,晶格失配常数小,热膨胀 系数匹配,化学性能稳定,可为LED封装提供良好散热方案,因而成为近年LED采 用先进封装主流技术和重点发展技术。 基于LED封装应用中LTCC基板性能的提高涉及LTCC材料体系、工艺过程、散热结 构和封装工艺等多方面的因素,未来仍需要从陶瓷材料、印刷和填充材料、LTCC 制造工艺、热学设计和LED封装工艺等方面加以研究。
Research of LTCC/Cu, Ag multilayer substrate in microelectronic packaging
现今的封装技术需要高效率,低介电常数,低热膨胀系数的共烧陶瓷基板以及高 电导率的多层导体材料。 目前已开发出LTCC基板与Cu,Ag等共烧的材料,LTCC拥有上述的优点,但是其热 导率低,因此设计出导热通道可以解决这个问题。 在电子封装中,铜厚膜材料可广泛用于信号电路里。由于其具有高电导率,低成 本和好的可焊性等优点,优于其他传统电路材料如Ag/Pd、W、Mo/Mn等。 此外,铜浆料的烧结温度为800-900℃,与低温共烧系统相符。 本文主要讲了LTCC基板与Cu,Ag等导体的共烧。
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