低温共烧陶瓷学习资料
多层低温共烧陶瓷技术
多层低温共烧陶瓷技术介绍多层低温共烧陶瓷技术是一种先进的工艺，它能够在较低的温度下制造出高质量的陶瓷制品。
这项技术受到了广泛的关注和应用，因为它具有许多优势，包括节能、环保和提高生产效率等。
背景传统的陶瓷烧制工艺通常需要较高的温度，这不仅会消耗大量的能源，还会产生一些有害的气体和废物。
而多层低温共烧陶瓷技术的出现，可以有效地解决这些问题。
原理多层低温共烧陶瓷技术利用了新型的烧结材料和工艺，使陶瓷制品在较低的温度下完成烧制过程。
其原理是通过多层叠加陶瓷片，形成一个整体的结构，然后在较低的温度下进行共烧，从而实现高强度和高质量的陶瓷制品。
优势多层低温共烧陶瓷技术相比传统工艺有以下优势：1.节能：由于烧制温度较低，能够大幅度减少能源的消耗。
2.环保：较低的烧制温度减少了排放的有害气体和废物，对环境造成的负面影响较小。
3.资源利用率高：多层共烧技术可以充分利用原材料，减少废料的产生，提高了资源利用效率。
4.生产效率高：这种新型工艺可以在较短的时间内完成产品的生产，大大提高了生产效率和产量。
多层低温共烧陶瓷技术在各个领域都有广泛的应用，包括建筑材料、日用陶瓷、电子陶瓷等。
下面以建筑材料为例，介绍其在该领域的应用。
建筑材料多层低温共烧陶瓷技术在建筑材料领域的应用越来越广泛。
它可以制造出高强度、耐久性强的陶瓷制品，如砖瓦、地板砖等。
而且这些制品还具有良好的防水性能和隔热性能，能够满足不同建筑环境的需求。
优势多层低温共烧陶瓷技术在建筑材料领域的应用具有以下优势：1.高强度：多层共烧技术可以增加陶瓷制品的强度，使其能够承受较大的压力和重量。
2.耐久性强：由于采用了先进的工艺，制造出的陶瓷制品具有很高的抗磨损性和耐久性。
3.防水性能好：多层共烧技术可以使陶瓷制品具有良好的防水性能，能够有效阻止水分渗透。
4.隔热性能好：陶瓷是一种热传导性能较低的材料，多层共烧技术进一步提高了陶瓷制品的隔热性能，能够有效减少热量的传导。
低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic LTCC)共6页word资料
低温共烧陶瓷（Low Temperature Co-fired Ceramic LTCC）该技术是1982年开始发展起来的令人瞩目的整合组件技术，已经成为无源集成的主流技术[1]，成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。
LTCC技术是于1982年休斯公司开发的新型材料技术，是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个被动组件（如低容值电容、电阻、滤波器、阻抗转换器、耦合器等）埋入多层陶瓷基板中，然后叠压在一起，内外电极可分别使用银、铜、金等金属，在900℃下烧结，制成三维空间互不干扰的高密度电路，也可制成内置无源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块，可进一步将电路小型化与高密度化，特别适合用于高频通讯用组件。
[2]总之，利用这种技术可以成功地制造出各种高技术LTCC产品。
多个不同类型、不同性能的无源元件集成在一个封装内有多种方法，主要有低温共烧陶瓷(LTCC)技术、薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术等。
LTC C技术是无源集成的主流技术。
LTCC整合型组件包括各种基板承载或内埋各式主动或被动组件的产品，整合型组件产品项目包含零组件（components）、基板（substrates）与模块（modules ）。
[3]2技术优势对比优势与其它集成技术相比，LTCC有着众多优点：第一，陶瓷材料具有优良的高频、高速传输以及宽通带的特性。
根据配料的不同，LTCC材料的介电常数可以在很大范围内变动，配合使用高电导率的金属材料作为导体材料，有利于提高电路系统的品质因数，增加了电路设计的灵活性；第二，可以适应大电流及耐高温特性要求，并具备比普通PCB电路基板更优良的热传导性，极大地优化了电子设备的散热设计，可靠性高，可应用于恶劣环境，延长了其使用寿命；第三，可以制作层数很高的电路基板，并可将多个无源元件埋入其中，免除了封装组件的成本，在层数很高的三维电路基板上，实现无源和有源的集成，有利于提高电路的组装密度，进一步减小体积和重量；第四，与其他多层布线技术具有良好的兼容性，例如将LTCC与薄膜布线技术结合可实现更高组装密度和更好性能的混合多层基板和混合型多芯片组件；第五，非连续式的生产工艺，便于成品制成前对每一层布线和互连通孔进行质量检查，有利于提高多层基板的成品率和质量，缩短生产周期，降低成本。
TLCC低温共烧陶瓷技术
TLCC低温共烧陶瓷技术TLCC（Low Temperature Co-Fire Ceramic，低温共烧陶瓷）技术是一种新型的封装技术，能够在较低温度下将多种材料烧结成无机玻璃陶瓷材料，广泛应用于电子封装领域。
本文将详细介绍TLCC低温共烧陶瓷技术的原理、优势以及应用情况。
TLCC技术的原理是通过精细调控材料组分、颗粒粒径以及烧结工艺参数，使得多种材料在较低的温度下形成致密的陶瓷结构。
与传统的高温共烧陶瓷相比，TLCC技术所需的烧结温度通常在800℃至900℃之间，大大降低了生产成本，减少了能源消耗。
此外，TLCC技术还可以实现材料的精确控制和微结构优化，提高材料的性能和可靠性。
与传统封装材料相比，TLCC低温共烧陶瓷具有诸多优势。
首先，由于TLCC技术采用了较低的烧结温度，相较于传统材料，减少了对封装部件的热应力，因此可以避免由于温度差异导致的材料失效和封装失效的问题。
其次，TLCC材料具有较高的绝缘性能和良好的耐腐蚀性，可以有效防止电气短路和电子元器件的损坏。
此外，TLCC技术还具有良好的阻尼性能和耐高温性能，适应了封装材料在各种复杂环境下的应用需求。
在实际应用中，TLCC低温共烧陶瓷技术已经得到了广泛的应用。
在电子封装领域，TLCC材料可以用于制造高密度集成电路（HDI）、三维封装（3D Packaging）、电子陶瓷模块等等。
在航空、航天、汽车、通信等高可靠性领域，TLCC材料的低介电常数和低衰减特性使得其成为理想的射频和微波应用封装材料。
此外，由于TLCC材料具有良好的阻尼性能，可用于制作振动传感器和微机电系统（MEMS）等高度灵敏的传感器。
总之，TLCC低温共烧陶瓷技术作为一种新型的封装技术，在电子封装领域具有广阔的应用前景。
其具有烧结温度低、材料性能稳定、制造工艺简单、成本低等优点，可以满足高密度集成、高频射频和高可靠性等应用的需求。
随着科技的不断发展，TLCC技术将进一步改善和发展，为电子封装领域的创新和发展做出更大的贡献。
TLCC低温共烧陶瓷技术资料讲解
TLCC低温共烧陶瓷技术资料讲解TLCC（Transfer Low Co-fire Ceramic）低温共烧陶瓷技术是一种将不同材料（例如绝缘体、导体、磁体等）在低温下焙烧成一体的技术。
它具有结构复杂、加工精细、性能稳定等优点，被广泛应用于电子、通信、医疗、汽车、航空航天等领域。
下面将对TLCC低温共烧陶瓷技术进行详细讲解。
首先，TLCC低温共烧陶瓷技术的基本原理是将不同材料在低温下共同焙烧，使得它们相互粘结成一体。
这种技术主要应用于多层陶瓷电路板（MLCC）的制备过程中，能够同时在同一基片上实现多种性能的器件的集成制备。
其具体工艺流程主要包括导体制备、绝缘体制备、导体与绝缘体层间融合等步骤。
其次，TLCC低温共烧陶瓷技术相比于传统的烧结工艺具有很多优势。
首先是低烧结温度，一般在800-1100°C之间，远低于传统的烧结温度。
这使得TLCC技术可以在室温下组装敏感器件和半导体元件，避免了高温烧结对元器件的热损伤。
其次是高加工精度，通过采用微细粉体和高分辨率合模技术，可以实现器件的微观结构和复杂阵列的精确制备。
此外，由于TLCC技术的烧结温度低，使得各种不同材料的共烧成型成为可能，实现了多种性能器件的集成制备。
TLCC低温共烧陶瓷技术在电子、通信、医疗等领域有着广泛的应用。
在电子领域，TLCC技术可以用于制备高频电感器、滤波器、天线等器件，具有小尺寸、高品质因子、低损耗等优势。
在通信领域，TLCC技术可以用于制备微波集成电路、光通信器件等，具有高可靠性、低成本等优势。
在医疗领域，TLCC技术可以用于制备生化传感器、人工耳蜗等医疗器械，具有生物相容性好、稳定性高等优势。
总之，TLCC低温共烧陶瓷技术是一种将不同材料在低烧结温度下共同焙烧成一体的技术。
其具有结构复杂、加工精细、性能稳定等优点，并在电子、通信、医疗等领域有着广泛的应用。
随着技术的不断发展完善，TLCC技术将在更多领域发挥重要作用。
新型无机材料：低温共烧陶瓷技术及器件
5.9
Ag,Au
•
中国大陆研究较少, BaO‐SiO2‐ZrO2 ‐SrO‐B2O3
Murata
43所950~是1000该领域领4.0 先者
7.9
Cu
45wB‐tS%i‐O+SSiiOO2 2和55NEwC t%硼硅9酸00 盐玻璃 1.9
3.9
Pd‐Ag
Glass+
850℃烧结: MgO‐Al2O3‐ SiO245%+BSG55
CoO
SrZnP2 O7
‐‐
900 44.3 850 80 675 4.2 900 9.5 950 7.06
Q×f
GHz
22000
τf
ppm/℃ 2
3000
11
13027
10
78906 ‐94.5
52781
‐70
LTCC微波元器件材料：外加烧结助剂
陶瓷
烧结助剂
Ts/℃
TiO2
Li2O-Nb2O5-TiO2
堇青石具有膨胀系数低(1.2~1.9 ppm/℃)和介电常数低(5~5.5) 具有三种变体: 稳定的低温堇青石(β‐堇青石), 介稳的低温型(μ‐堇
青石)和稳定的高温堇青石(α‐堇青石) 堇青石烧结温度1000℃以上, α‐堇青石的CTE远远低于Si芯片的
CTE,热效应导致基板失效, 引入或生成玻璃相 IBM公司的堇青石基板材料: 过量的MgO降低玻璃的高温粘度，
1600
8000
收缩不匹配
7500
1200
3、器件设计：与材料脱节
7000
0
5
10
15
20
剪切速率r/s-1
0.97MgTiO3‐0.03CaTiO3 ceramics with 20wt%Li2O‐B2O3‐SiO2frit
低温共烧陶瓷基板
低温共烧陶瓷基板低温共烧陶瓷基板（LTCC）是一种先进的多层陶瓷基板材料。
它具有优良的电性能、热性能和机械性能，广泛应用于电子设备、通信设备和微波器件等领域。
本文将介绍LTCC的制备工艺、特性及其在各个领域的应用。
一、LTCC的制备工艺LTCC是通过与烧结过程相结合的方式制备的，主要包括以下几个步骤：1. 原料准备：选择合适的陶瓷粉体、玻璃粉、有机添加剂和溶剂等原料，并进行混合、粉碎和筛分等前处理工序。
2. 绿片成型：将经过前处理的材料与有机添加剂和溶剂混合，制备成糊状物料，然后通过印刷、模压或注射成型等方式，在基板上形成绿片。
3. 火烧绿片：将绿片在低温条件下进行预烧结，以去除有机添加剂和溶剂，并增强基板的机械强度。
4. 层积成型：将多个绿片叠加在一起，并通过模压或注射成型的方法，在层与层之间形成界面。
5. 共烧烧结：将层积成型的坯料在高温下进行共烧烧结，使各层之间形成致密的结合。
二、LTCC的特性1. 优良的电性能：LTCC具有低介电常数和低介电损耗，良好的绝缘性能和高频响应特性，能够满足高频率和高速率的信号传输需求。
2. 强大的热性能：LTCC具有较低的热膨胀系数和良好的导热性能，能够有效地分散和传导电路板上产生的热量，并提供良好的热稳定性和热冲击耐性。
3. 优秀的机械性能：LTCC具有较高的硬度和抗弯强度，能够抵御外界的冲击和振动，从而确保电路板的稳定性和可靠性。
4. 多功能封装：LTCC基板可以进行三维立体封装设计，通过通过制备多层、多孔和互连结构，实现集成电路、电阻、电感和微波元件等的封装。
三、LTCC在各个领域的应用1. 无线通信：LTCC基板在射频模块、天线和滤波器等无线通信设备中得到广泛应用，具有优异的频率响应和噪声特性，使得无线信号传输更加稳定和可靠。
2. 光电子器件：LTCC基板能够实现光电转换和光电连接，并具有较好的光电性能，适用于微波光纤、光电耦合器、射频光子器件等光电子器件的制造。
LTCC低温共烧陶瓷
LTCC低温共烧陶瓷低温共烧陶瓷（Low Temperature Co-fired Ceramics，简称LTCC），是一种先进的多层陶瓷技术，广泛应用于电子器件、无线通信和微波模块等领域。
它采用低温烧结工艺，可以在相对较低的温度下实现多层陶瓷的烧结，从而大大提高了生产效率和陶瓷的成品率。
LTCC技术主要包括以下几个方面：材料选择、表面处理、电路设计、胶合、烧结和加工。
首先，材料选择是LTCC技术成功的关键。
通常使用的材料包括陶瓷粉末、玻璃或有机胶粘剂和金属粉末。
这些材料需要具有良好的烧结性能、热膨胀系数匹配性和电性能。
在材料选择之后，需要进行表面处理，以提高粘接强度和降低界面电阻。
常用的表面处理方法包括喷涂、切割和抛光。
接下来是电路设计，根据应用需求设计电路以及创建金属电极和通孔。
然后，使用胶粘剂将各层陶瓷粘接在一起，形成多层陶瓷片。
这一步骤需要精确的控制胶粘剂的粘度和粘接压力，以确保胶层的均匀性。
完成胶结后，将多层陶瓷片进行烧结。
LTCC烧结通常在1000°C以下的温度下进行，这是由于烧结温度过高会导致金属电极的熔化和引起陶瓷材料的烧损。
在烧结过程中，需要控制烧结速率和温度分布，以实现陶瓷的致密化和金属部分的固相扩散。
最后一步是加工，将烧结的陶瓷片进行切割、打磨和镀膜等处理，形成最终的LTCC产品。
这些加工步骤对于产品的精度和性能起着重要的影响。
通常使用的加工方法包括激光切割、机械加工和电镀。
LTCC技术具有以下几个优点：首先，由于采用低温烧结工艺，可以在相对较低的温度下完成烧结，从而减少能耗和环境污染。
其次，LTCC材料具有良好的机械性能、高的介电常数和低的损耗因子，适用于微波和射频应用。
此外，LTCC技术能够实现多层结构的紧凑布局，减少电路板的空间占用，提高器件的集成度。
综上所述，低温共烧陶瓷是一种先进的多层陶瓷技术，通过采用低温烧结工艺，实现了多层陶瓷的高效烧结。
它在电子器件、无线通信和微波模块等领域具有广泛的应用前景，为电子产品的小型化、高频化和高可靠性提供了重要的解决方案。
低温共烧陶瓷技术介绍
低温共烧陶瓷技术介绍陶瓷的多层LTCC技术是被广泛认可的制造微电子、传感器（如压力传感器、pH值检测、导电性及电阻测量）和执行机构（如压电致动器）的生产技术。
此项技术能制造三维的、大功率的电子电路，可被用于汽车和电信行业。
未烧结材料中的柔性箔片是LTCC技术的基础。
这些单个箔片能通过机械加工或激光烧蚀生成几何图形。
例如每个单箔表面上的电器元件能通过丝网印刷生成。
接下来，预制箔片在900℃的温度下被叠放、压平、烧结。
低温共烧陶瓷技术的一个缺点就是不够透明，导致很难用光学手段进行流程监控。
药学和生物学界的科学家正利用传感系统尝试光学监控加工流程。
通过安装透明的聚合物窗口，陶瓷感应系统将能通过光学监测内部加工过程。
复杂的微流体系统通常都不是通过LTCC技术制造的。
材料和制造技术使这种陶瓷元器件比同等级的聚合物元器件得到更广泛的应用。
尖端的技术工业制造通常采用不同的连接技术来接合聚合物和陶瓷部件，比如，粘接或机械连接技术。
在工业生产中常常会用到粘合剂，来粘合不同的物体，最后能对缝合口起到很好的密合作用。
这项技术的缺点之一就是它额外采用了化学物质用作粘合材料，对最终系统的功能带来了不必要的影响，比如生物医学反应。
使用单芯片实验系统或生物医学系统的科学家对利用光学方式从外部监控内部状况很感兴趣，他们通常会用粘合剂在陶瓷体上安装一个透明窗口，以便观察内部情况。
长期来看，许多这样的粘合接口不够稳定和牢固，经常会发生窗体剥落或泄漏的情况。
机械连接一般用到螺丝钉、夹钳或类似的工具，为连接陶瓷和聚合物提供了另一种选择。
在这种情况下，像孔或卡口之类的地方需要同时考虑两个被连接部件，增加了工作量。
此外还需要配备密封垫圈，用来完成聚合物和陶瓷部件之间不漏液、不漏气的无缝装配。
激光焊接是另一种被业内认可的聚合物部件焊接工艺，需要熔接的两部分由相似的热塑性聚合物组成。
激光束能量穿越首个熔接部件后被第二个吸收，加之外在的压力，能让两个部件紧紧连在一起，形成有力的接点。
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低温共烧陶瓷（LTCC）材料简介及其应用电子科技大学微电子与固体电子学院张一鸣2012033040022一、简介所谓低温共烧陶瓷（Low-temperature cofired ceramics, LTCC ）技术，就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确且致密的生瓷带，作为电路基板材料，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源元件埋入其中，然后叠压在一起，在900C烧结，制成三维电路网络的无源集成组件，也可制成内置无源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块。
总之，利用这种技术可以成功制造出各种高技术LTCC产品。
多个不同类型、不同性能的无源元件集成在一个封装内有多种办法，主要有低温共烧陶瓷（LTCC ）技术、薄膜技术、硅半导体技术、多层电路板技术等。
目前LTCC技术是无源集成的主流技术。
LTCC整合型组件包括各种基板承载或内埋式主动或被动组件产品，整合型组件产品项目包含零组件、基板与模块。
、LTCC技术特点LTCC与其他多层基板技术相比较，具有以下特点：1•易于实现更多布线层数，提高组装密度；2•易于内埋置元器件，提高组装密度，实现多功能；3•便于基板烧成前对每一层布线和互联通孔进行质量检查，有利于提高多层基板的成品率和质量，缩短生产周期，降低成本；4•具有良好的高频特性和高速传输特性；5•易于形成多种结构的空腔，从而可实现性能优良的多功能微波MCM ；6•与薄膜多层布线技术具有良好的兼容性，二者结合可实现更高组装密度和更好性能的混合多层基板和混合型多芯片组件；7•易于实现多层布线与封装一体化结构，进一步减小体积和重量，提高可靠性；LTCC 工艺流程如图所示。
由此可知，采用 LTCC 工艺制作的多芯片组件具有可实现 IC 芯 片封装，内埋置无源元件及高密度电路组装的功能。
与其他集成技术相比，具有以下特点：1•根据配料的不同，LTCC 材料的介电常数可以在很大范围内变动，增加了电路设计的灵活性；2•陶瓷材料具有优良的高频、高 Q 和高速传输特性；3•使用电导率高的金属材料作为导体材料，有利于提高电路系统的品质因数；4•制作层数很高的电路基板，易于形成多种结构的空腔，内埋置元器件，免除了封装组件的成本，减少连接芯片导体的长度与接点数，可制作线宽 <50um 的细线结构电路，实现更多 布线层数，能集成的元件种类多，参量范围大，于实现多功能化和提高组装密度；5•可适应大电流和耐高温特性要求，具有良好的温度特性，如较小的热膨胀系数，较小的介电常数稳定系数。
LTCC 基板材料的热导率是有机叠层板的20倍，故可简化热设计，明显提高电路的寿命和可靠性； 6•与薄膜多层布线技术具有良好的兼容性，二者结合实现更高组装密度和更好性能的混合多层基板和混合型多芯片组件； 7•易于实现多层布线与封装一体化结构，进一步减小体积和重量，提高可靠性、耐高温、高湿、冲振，可以应用于恶劣环境；8•非连续式的生产工艺，便于基板烧成前对每一层布线和互连通孔进行质量检查，有利于提 高多层基板的成品率和质量，缩短生产周期，降低成本。
三、LTCC 基板、封装材料目前已开发的LTCC 基板材料很多，大致可分为三大类：1•陶瓷-玻璃系（微晶玻璃）：烧结过程中，玻璃晶化成低损耗相，使材料具有低介电损耗, 这种工艺适用于制作 20-30GHZ 器件；2•玻璃加陶瓷填充料复合系：玻璃作为粘结剂使陶瓷颗粒粘结在一起，玻璃和陶瓷间不发生 反应并要求填充物在烧结时与玻璃形成较好的浸润。
填充物主要是用来改善陶瓷的抗弯强 度，热导率等，此时玻璃不仅作为粘结剂，而且在烧结过程中玻璃和填充料反应形成高值晶体，材料的性能由烧结工艺条件控制，如烧结升温速率，烧结温度，保温时间等； 3.非晶玻璃系，国内DT BP .■心MF 迥h/m HU whb SiScrwn-priTit gro.nthtt to >n t fan 川:*1* Mit by tcroen Ut cwidiictprW«> 仪［仏 呻皿1弊号 一 9" 3«&vHitt 曲tdcn f i 1 l«r inapoe I9)A>a»bl»ooapooM ■ 8)Plu> "Bun out Ni/Au * orAwnit* * ud cafire 6)Re tin tajidiMLnatai外研究集中在“微晶玻璃”系和“玻璃+ 陶瓷”系，但扔存在“微晶玻璃”系材料烧结温度难于低于900 C和“玻璃+陶瓷材料难于高致密化而使材料介电常数比较大，介电损耗过大等问题，还不能完全满足多层电路性能的要求。
3.1 玻璃-陶瓷体系玻璃一陶瓷体系一般是由硼和硅构成基本的玻璃网状组织，这些玻璃的构成物加上单价或双价碱性的难以还原的氧化物类元素可以重建玻璃的网状组织。
该玻璃材料在烧结前是玻璃相，在烧结过程中，经过成核与结晶化过程成为具有结晶相的陶瓷材料。
掌握玻璃的成核和析晶规律，有效地控制成核和析晶是得到所需性能玻璃陶瓷的关键。
控制晶化依赖于有效地成核。
不同的热处理过程可以得到不同粗细的晶粒，如果成核温度过高或过低、成核时间过短，则玻璃体中晶核浓度过低，在后期将可能长成粗达几十微米的晶粒；如果晶体生长期保温时间过短，则不能长成必要的晶相百分比；只有在恰当的成核温度和成核时间，才能获得足够的晶核浓度，有利于成长足够的细小晶粒和必要的结晶率．晶体生长温度和时间也很关键，温度过高则可能使晶核重新溶入或使试样变形；温度太低或保温时间过短则使晶粒成长不足，结晶率过低．因此，确定适当的热处理制度是决定最后材料性能的关键之一．一般这种玻璃一陶瓷材料以堇青石(2MgO-2A1203・5Si02)系玻璃一陶瓷、钙硅石(CaO. Si02) 玻璃一陶瓷及锂辉石(Li20 • A1203 • 4S102)等最为著名115j。
另外，也有钙长石系里的钙长石玻璃.陶瓷.以上都采用硅酸盐类的玻璃一陶瓷材料，添加P205、Li20 、B203、Zr02、ZnO Ti02、Sn02中1, --,3种添加物组成，其烧结温度均在850 —1050。
C之间，介电常数及热膨胀系数均小. Ca-B —Si —O体系材料作为封装材料得到了广泛的研究，几年才开始被作为低介高频陶瓷材料研究•其离子具有较低的极化强度，在850。
C烧结时经致密化成硼酸钙，其复合介电常数为6。
3.2 玻璃+陶瓷玻璃加各种难溶陶瓷填充相系统是目前最常用的LTCC材料。
填充相主要有A1203、Si02、堇青石、莫来石等，玻璃主要是各种晶化玻璃.该系统主要包括结晶化玻璃.氧化铝复合系和结晶化玻璃一其他陶瓷复合系.结晶化玻璃和其他陶瓷的复合系主要包括蓝晶石(A1203 • Si02)、锂辉石(Li20 • A1203 • 4Si02)、硅灰石(CaO • Si02)、硅酸镁(MgO- Si02)、四硼酸锂等与Li20 . K20—Na20 一A120a—B203一Si02玻璃的混合体，其烧结温度在900C 左右。
这种方法不仅工艺简化，成分易控制，而且烧结时的密度快速增长移向较高温度，有利于烧尽来自生片和浆料的有机物和降低基板的高温变形。
此类低温共烧陶瓷介质材料具有较低的介电常数、较小的温度系数、较高的电阻率和化学反应稳定性等特性。
3.3 单相陶瓷商用LTCC生片多以高性能的玻璃陶瓷体系作为基板材料为主，材料中各组分较多，组成复杂，共烧时要求各组成间的烧结特性匹配和化学性能兼容．多相系统的存在增加了与导体材料相互作用的可能性，降低了材料的可靠性•因此需要开发新的材料系统，减少LTCC生片材料组分．因此无玻璃组分的单相陶瓷材料引起人们的重视．此类材料，已开发的主要品种为硼酸锡钡陶瓷(BaSn(B03)2)和硼酸锆钡陶瓷BaZr(B03)2，烧结范围都在900C —1000C烧成。
这些系统的结晶度较高，从而高温高湿度状态下也并不引起Ag 布线的迁移。
Matjaz valant 等研究了锗酸钙、硅酸钙和碲酸钙三种单相低烧结温度材料的烧结性能、介电性能以及与Ag 导体间的作用。
实验结果表明碲酸钙材料烧结温度最低，但介电常数较大，并与Ag 导体发生反应．硅酸钙具有较低的介电常数和损耗，但烧结温度较高．锗酸钙具有较低的介电常数和损耗，且烧成温度适当，是最具有发展潜力的LTCC材料，通过进一步细化粉体或添加少量烧结助剂，使烧结温度降低至900 C以下。
3.4LTCC微波元器件材料采用LTCC技术将多种元器件复合或集成在多层陶瓷基板中已经成为当今电子电路研究发展的主流技术．对于不同介电常数和组成的两种材料的共烧匹配性以及如何减少相互间的反应活性等是研究的重点．若两者烧结无法匹配或兼容，烧结之后将会出现界面层分裂的现象；如果两种材料发生高温反应，其生成的反应层又将影响原来各自材料的特性。
应用LTCC技术的陶瓷材料应具备以下几个要求：（1）烧结温度一般应低于950。
C,以便和Ag、Cu等导体共烧；（2）介电常数和介电损耗适当，一般要求Q值越大越好；（3）谐振频率的温度系数矸应小；（4）陶瓷与内电极材料等无界面反应，扩散小，相互之间共烧要匹配；（5）粉体特性应利于浆料配制和流延成型等国际上微波介质材料与器件行业一方面为了缩小器件的体积而开发高介电常数的材料体系。
四、LTCC 布线材料对金属材料有如下要求：1）金属粉的物理性质适于丝网漏印细线和填满通孔；2）浆料与基板生片粘合剂的有机体系兼容；3）金属粉末的烧结行为与基板生料的烧结行为匹配，控制收缩达到好的面间整体性，烧结时的收缩差异不能造成基板变形；4）烧结后的导带有高的电导率.LTCC通常使用的导体材料有铜、银、金和银/钯、金/钯•其中铜系统是研究的热点，是较为理想的导体材料，具有电导率高、成本低、抗电迁移性良好等特点。
五、发展现状国内LTCC产品的开发比国外发达国家至少落后5年。
这主要是由于电子终端产品发展滞后造成的。
LTCC功能组件和模块组要用于CSM CDMA和PHS手机、无绳电话、WLAN和蓝牙等通信产品，除40 多兆的无绳电话外，这几类产品是国内近4 年才发展起来的。
深圳南玻电子有限公司引进了目前世界上最先进的设备，建成了国内第一条LTCC生产线，开发了多种LTCC产品并已投产，如片式LC滤波器系列、片式蓝牙天线、片式定向耦合器、片式平衡-不平衡转换器、低通滤波器阵列等，性能已达到国外同类产品水平，并已进入市场。
目前，南玻电子正在开发LTCC多层基板和无线传输用的多种功能模块。
国内目前尚不能生产LTCC专用工艺设备。