内存颗粒和模组编号知识
镁光ddr3内存颗粒编码规则
镁光ddr3内存颗粒编码规则
镁光DDR3内存颗粒编码规则是指在DDR3内存颗粒的生产过程中使用的一套编码规则，用于标识和管理内存颗粒的生产信息和特性。
这些编码规则通常由内存芯片制造商制定，以确保内存产品的质量和可追溯性。
首先，镁光DDR3内存颗粒的编码通常包括生产日期、批次号、生产厂家信息、规格型号等关键信息。
这些信息可以帮助制造商跟踪内存颗粒的生产过程和质量控制，以及在产品出现问题时进行追溯和召回。
其次，镁光DDR3内存颗粒编码规则也可能包括技术参数和性能指标，如内存颗粒的容量、频率、时序等信息。
这些信息对于内存模块的设计和生产非常重要，也有助于系统集成商和最终用户了解产品的性能特点。
此外，镁光DDR3内存颗粒编码规则还可能涉及到环境友好性标识，例如RoHS指令要求的有害物质限制符号等，以确保内存颗粒符合环保法规和标准。
总的来说，镁光DDR3内存颗粒编码规则是一套标准化的编码体系，旨在提供内存产品的生产信息、性能参数和环保标识，以确保内存产品的质量和可追溯性。
这些信息对于内存制造商、系统集成商和最终用户都具有重要意义，有助于保障产品质量和安全性。
主流DDR内存芯片与编号识别
我们关注哪些厂商在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号，最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。
在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。
所有相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。
这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。
但请注意，他们并不是真正的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再自己或找代工厂封装。
这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。
因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。
那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。
从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、冲电气（Oki，日本）。
这其中，除了力晶、冲电气以外都是我们所比较熟悉的厂商，但华邦则在经历战略调整，大众商用型DDR内存芯片已经不再开发新的产品，并将于2004年年底退出这一领域。
力晶半导体公司则也与之相似，在DDR内存开发上似乎并不上心，公司主页也非常简单。
内存颗粒的型号
内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits （兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
主流ddr4内存颗粒编码规则
主流ddr4内存颗粒编码规则
主流DDR4内存颗粒编码规则是一种用于存储和传输数据的内存技术。
DDR4内存是第四代双倍数据速率（Double Data Rate）动态随机存取内存（DDR SDRAM）。
每个DDR4内存芯片由许多内存颗粒组成，每个内存颗粒都有自己的编码规则。
DDR4内存颗粒编码规则通常遵循JEDEC标准（联合电子工程师会议）。
JEDEC标准定义了存储和提取数据所需的编码格式。
DDR4内存颗粒使用64位编码规则，这意味着每个颗粒可以同时传输或存储64位（8字节）的数据。
DDR4内存颗粒编码规则根据JEDEC标准将数据分为不同的组，每组由8位编码表示。
这些编码通常以16进制形式表示，使用0-9和A-F表示16个可能的值。
每个组的编码规则是固定的，这样计算机系统就可以准确地存储和提取数据。
除了数据之外，DDR4内存颗粒编码规则还包括一些附加的控制信号和错误检测纠正（ECC）码。
控制信号用于同步内存操作，并指示内存的读取和写入操作。
ECC码用于检测和纠正内存中的数据错误。
这些额外的编码规则确保数据的安全存储和传输。
总结来说，主流DDR4内存颗粒编码规则使用JEDEC标准定义了存储和传输数据所需的编码格式。
这些规则包括64位编码、16进制表示、控制信号和ECC
码等。
这些规则确保内存的正常操作，并保证数据的准确性和可靠性。
从内存条芯片编号看内存条的大小
从内存条芯片编号看内存条的大小(2009-11-22 08:12:39)转载▼标签：刷新速度tsop封装字段ddr266台湾itSDRAM 内存芯片的新编号HY XX X XX XX X X XX X X X-XX XA B C D E F G H I J K L MA字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。
57代表SDRAM内存。
C字段表示工作电压。
V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/ D字段表示密度与刷新速度。
16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。
E字段表示内存结构。
4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。
1代表2Bank；2代表4Bank。
G字段表示电气接口。
0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
H字段表示内存芯片的修正版本。
空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。
也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。
I字段表示功率消耗能力。
空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。
内存颗粒识别内存
内存颗粒编号与内存品牌知识介绍通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。
以下面几个内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
一、Samsung （三星）编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111213 1415具体含义解释：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit 的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
常用内存命名规则
常用内存命名规则常见内存芯片命名2010-06-08 21:13:23| 分类：个人日记| 标签：|字号大中小订阅三星（Samsung）内存具体含义解释：例：SAMSUNGK4S283232E-TC60 SDRAMK4H280838B-TCB0 DDRK4T51163QE-HCE6 DDR2K4B1G164E-HCE7 DDR3主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
9代表NAND FLASH第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C 为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。
解读内存颗粒编号含义
现代内存颗粒编号含义现代品牌的内存在国内的销售量一直名列前茅，不少消费者选购内存时都会考虑产品的规格参数。
其实，小编有一个方法可以让消费者简单直观的了解到内存的规格－－解读编号含义，现在我们以现代内存为例，图解说明让大家迅速学会解读编号。
现代内存颗粒的编号是由四段字母或数字组成，如下图一所示，下面，小编就给大家分别解释，主要对内存规格进行说明。
A部分标明的是生产此颗粒企业的名称－－Hynix。
B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。
第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。
如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。
C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。
由1-3位字母和数字共同组成。
其根据频率、延迟参数不同，分别可以用＂D5、D43、D4、J、M、K、H、L＂8个字母/数字组合来表示。
其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。
D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。
具体详细内容如图二所示。
D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写第1部分代表该颗粒的生产企业。
＂HY＂是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。
第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成。
＂5D＂表示为DDR内存，＂57＂表示为SDRAM内存。
第3部分代表工作电压，由一个字母组成。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
内存颗粒和模组编号知识老头儿的内存颗粒和模组编号知识60问（ ，李谦2009-04-24发表）在内存的颗粒和模组的编号中浓缩着内存的主要技术信息，但是，除了JEDEC对模组的标注方法有一个原则规定外，颗粒和模组的编号规则都是由各个生产厂自行设定的，编号方法很不一致。
因此，网上有关编号的问题的讨论也很多，我认为，有许多理解是不准确的。
为此，我花了一些时间到境外生产厂的英文官方网站去寻求答案。
力求收集得全面一些。
还真的有不少斩获。
现将它们整理出来，供网友们参考。
当然，所涉及的内存种类主要是个人电脑用户接触到的UDIMM （Unbuffered non-ECC DIMM也称UBDIMM）内存和SO-DIMM(Small Outline DIMM )内存。
服务器内存和其他专用内存都没有涉及。
为了便于读者朋友查询，我编了一个内存颗粒编号速查表和内存模组编号速查表（见问题3问题4）。
当您要查询一个未知内存编号的含义时，可以首先跟这个速查表比对，了解了生产这种内存的厂商后，再根据本目录查询具体含义。
目录一.关于内存的编号1.目前的主要内存厂商有哪些？2.内存是怎样编号的？3.请给出常用内存颗粒编号速查表！4.请给出常用内存模组编号速查表！二.关于内存的编号方法5.颗粒编号中的术语有哪些？说明其含义。
6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思？7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度？8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度？9.如何根据颗粒的编号计算模组容量？10.怎样从内存编号中知道内存的速度？11.内存模组编号的术语有那些？说明其含义。
12.当表示模组结构时用256M×64是什么意思？13.什么是RANK?14.如何根据模组的编号计算模组的容量？15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数？16.JEDEC对内存编号内容是如何规定的？17.请解释JEDEC标准中有关内存名词及其含义18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数？19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系？20.内存标签上的2R×8就表明内存是双面8个颗粒吗？21.内存标签上的Warranty V oid是什么意思？22.内存标签上的UNB和SOD是什么意思？23.在内存标签上写的RoHS是什么意思？24.有害物质是指哪些？25.内存标签上的“0820”是什么意思？26.内存标签上的P/N和S/N是什么意思？27.我的内存是2GB的，为什么颗粒编号说是1GB的?三.几个主要内存厂商编号方法介绍28.三星内存的颗粒是怎样编号的？29.三星内存的模组是怎样编号的？30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的？31.海力士内存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号的？32.海力士SDRAM内存模组是怎样编号的？33.海力士DDR内存模组是怎样编号的？34.海力士DDR2内存模组是怎样编号的？35.海力士DDR3内存模组是怎样编号的？36.现代的乐金内存是怎样编号的？37.美光内存的颗粒是怎样编号的？38.美光内存的模组是怎样编号的？39.日立、日电和东芝旧内存颗粒是怎样编号的？40.尔必达内存的颗粒是怎样编号的？41.尔必达内存的模组是怎样编号的？42.英飞凌和奇梦达内存的颗粒是怎样编号的？43.英飞凌和奇梦达内存的模组是怎样编号的？44.南亚内存的颗粒是怎样编号的？45.南亚内存的模组是怎样编号的？46.易胜的颗粒是怎样编号的？47.易胜的模组是怎样编号的？48.力晶的内存是怎样编号的？49.茂矽和茂德的颗粒是如何编号的？50.茂矽和茂德的模组是如何编号的？51.金士顿Avardram内存是如何编号的?52.金士顿HyperX内存是如何编号的?53.世迈内存的模组是如何编号的？54.海盗船内存是怎样编号的？55.瑞士军刀内存模组是怎样编号的？56.胜创的内存是怎样编号的?57.威刚内存模组是怎样编号的？58.宇瞻内存模组是怎样编号的？59.金邦内存模组是怎样编号的？60.超胜内存是怎样编号的？一.关于内存的编号1.目前的主要内存厂商有哪些？答：内存生产厂商很多，颗粒的生产厂商主要是韩国的三星、海力士；日本的尔必达；美国的美光；德国的奇梦达和我国台湾的南亚、力晶和茂德等。
据报导，2006年，以上几个厂商生产的内存颗粒占世界总产量的98%以上。
因此，弄清楚这几个大厂颗粒编号规则就是十分重要的。
模组生产厂商，则要分散得多，著名的有金士顿、世迈、金邦、威刚、胜创、瑞士军刀等。
这些厂商大都是用以上颗粒厂生产的颗粒组装模组的，模组的编号基本上都符合JEDEC的规定，因此，认识这些模组生产厂的产品的主要参数和性能没有什么困难。
但是，因为这些厂大都有自己的模组编号方法，因此，我也尽可能地对模组编号进行了收集整理。
现将几个主要生产厂商的官方网站介绍如下：Samsung（三星，也用SEC的标志，韩国）：/global/Semiconductor/Products/dram。
Hynix(海力士，原HyunDai现代，后来又合并了乐金LGS，韩国）：ttp:///products/computing/。
Micron（美光，又称镁光、麦康，迈克龙，美国）：ttp:///products/modules/或/SDRAMElpida(尔必达,是NEC和日立合组的专业DRAM生产厂，日本)：/en/products/Qimonda(奇曼达，是从英飞凌和西门子分离出来的，德国)：/computing-dramPowerchip（力晶PSC，台湾）：Mosel（茂矽及茂德,台湾）:和KingMax（胜创,台湾）：/productsNanya(南亚,台湾)：Elixir（南亚易胜,台湾）：http://www. Kingston(金士顿，台湾)：SMART(世迈，美国)：/productAdata(威刚,台湾)：Apacer(宇瞻，台湾):Corsair（海盗船，美国）/products/Leadmax（超胜,香港）Geil(金邦,中国) 2.内存是怎样编号的？答：内存的主要参数都可以从编号上得到答案。
厂家对内存编号的方法有两类，第一类是对颗粒的编号；第二类是对内存模组的编号。
在一个内存模组上，这两类编号是同时存在的，而且是密切相关的。
另外，JEDEC（电子元件工业联合会，Joint Electron Device Engineering Council）也规定了一个编号方法，在近年出厂的内存标签上也都有这个编号。
其实，这是对模组的简单明了的编号。
以上几种编号的样式见下图。
颗粒的编号都是刻嵌在内存颗粒上面的，例如，上图中三星内存颗粒上的编号是“K4T1G084QD-ZCF7”（未全部显示出来）。
模组的编号是用纸贴在内存颗粒上的，如上图的“M378T5663DZ3-CF7”就是；JEDEC的编号则是写在模组标签的上方，如图中的“2GB 2R×8 PC2-6400U-666-12-E3”就是。
搞清这些编号的含义是十分重要的，因为在这些编号中包含了内存的结构和使用信息。
3.请给出各种内存颗粒编号速查表！答：因为各种内存的编号方法很不统一，样式也太多，为了使读者查阅方便，我把主要内存厂商的内存编号各择其一两个样子，以便迅速查出该内存是哪个厂商生产的。
欲知详细，还要查阅后面的分厂介绍。
4.请给出内存模组编号速查表！答：下表中的编号只是举例，供检索生产厂用。
欲查清您手头的内存编号的含义，还需参看下面的有关问答题。
二.关于内存的编号方法5.颗粒编号中的术语有哪些？说明其含义。
答：内存颗粒编号所表达的内容较多，但是，主要是关于内存结构的内容。
在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。
对内存的访问，一次只能是一个L-Bank工作，而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个“存储单元”的容量。
在某些厂商的表述中，将L-Bank中的存储单元称为Word（此处代表位的集合而不是字节的集合）。
作为一般用户，不可能把内存结构的物理作用了解得很透彻。
为了使“菜鸟”网友大概了解一下内存结构的名称及其含义，首先让我用一个比喻作介绍：假如，有32张方格纸，每张方格纸上有1200个小方格。
把这32张完全相同的方格纸分成四摞放到一张桌子上，因此，每摞就有8张方格纸了。
好了，我们就可以用这些条件来说明什么是单元、什么是位宽、什么是L-BANK了。
见下表：说明：1.一个逻辑Bank的颗粒深度已知的有1M、2M、4M、8M、16M和32M等。
目前的DDR2内存，大都是8M、16M和32M的；2.一个颗粒的位宽有过4bit、8bit、16bit和32bit的。
目前，内存的位宽大都是8b和16b的；3.一个颗粒中的BANK数有4、8和16个的，DDR内存的位宽多是4BANK的；目前DDR2和DDR3内存大都是采用8个Bank的;4.BANK的深度与BANK的乘积称为颗粒深度（Chip depth）,也称颗粒长度或地址空间。
5.颗粒密度有64Mb、128Mb、256Mb、512Mb、1Gb和2Gb多种。
DDR内存的颗粒密度最大为512Mb;目前DDR3内存的颗粒密度可以达到4Gb。
6.颗粒密度除以8b/B才是以字节表示的每个颗粒的容量(Capacity)。
6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思？答：在电脑业界，经常把颗的结构用M×W来表示。
M就是颗粒深度；W就是颗粒位宽。
例如，当用128M×8表示，这个128M就是颗粒深度，单位为1；8是颗粒位宽，单位为bit。
二者的乘积就是颗粒密度。
颗粒密度的单位是Mb或Gb。
7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度？答：因为在颗粒编号中给出的参数都有颗粒密度、BANK数和位宽，而颗粒密度=BANK深度×BANK数×颗粒位宽所以，BANK深度=颗粒密度÷BANK数÷位宽例如，当三星的颗粒编号是K4T1G084QD时，我们知道颗粒密度=1G=1024Mb;BANK数是8个；颗粒位宽是8bit,因此，就有BANK深度=1024Mb÷8÷8b=16M8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度？答：颗粒深度又称颗粒长度，因为在颗粒编号中给出的有颗粒密度、BANK数和位宽，而颗粒密度=颗粒深度×颗粒位宽所以，颗粒深度=颗粒密度÷颗粒位宽例如，当三星的颗粒编号是K4T1G084QD时，我们知道颗粒密度=1G=1024Mb;颗粒位宽是8bit,因此，就有颗粒深度=1024Mb÷8b=128M9.如何根据颗粒的编号计算模组容量？答：把颗粒密度乘以颗粒数就可以得到以Mb表示的内存的容量了。