材料的导电性
材料增加导电性的方法是

材料增加导电性的方法是材料增加导电性的方法有很多,下面将详细介绍几种常见的方法。
一、掺杂法掺杂是指在材料中引入少量的杂质,以改变材料的导电性能。
掺杂方法可以分为阳极和阴极两种。
阳极掺杂是通过引入少量阴离子或电子给体来增加材料的导电性能。
典型的阳极掺杂材料有金属硼化物、金属硅化物和金属氮化物等。
阴极掺杂是通过引入少量阳离子或空穴给体来提高导电性能。
常见的阴极掺杂材料有金属氧化物和金属碳化物等。
二、表面修饰法表面修饰是对材料表面进行处理,以提高材料的导电性能。
一种常用的表面修饰方法是金属化处理。
这种方法可以通过在材料表面涂覆一层金属膜,形成导电层来增强导电性能。
另外,还可以使用化学沉积、物理气相沉积等技术在材料表面进行金属修饰,进一步增强导电性能。
三、物理改性法物理改性是通过改变材料的结构和形貌来增加导电性能。
一种常见的物理改性方法是利用物理力学力作用于材料,使材料晶格发生变化。
例如,通过拉伸、压缩、旋转等力学力作用于材料,使其晶格形成导电通道,从而增加导电性能。
此外,还可以利用表面等离子体共振、纳米粒子等技术实现物理改性,达到提高导电性的目的。
四、纳米材料法纳米材料是指尺寸在纳米尺度范围内的材料。
由于其特殊的结构和性质,纳米材料具有优异的导电性能。
通过合成纳米材料,并将其复合到普通材料中,可以显著提高材料的导电性。
最常见的纳米材料是碳纳米管和金属纳米粒子等。
总之,材料增加导电性的方法有掺杂法、表面修饰法、物理改性法和纳米材料法。
这些方法可以单独使用,也可以相互结合,以达到最佳的导电性能提高效果。
在材料研究领域,人们还在不断探索新的方法和材料,以进一步提高导电性能,满足不同领域对导电材料的需求。
材料导电性能

材料导电性能
材料的导电性能是指材料在外加电场作用下,电子在材料内部的传输能力。
导
电性能是材料的重要物理性能之一,对于材料的应用具有重要的意义。
在现代科技领域中,导电材料被广泛应用于电子器件、光伏材料、电磁屏蔽材料等领域,因此对材料的导电性能进行研究具有重要意义。
材料的导电性能受多种因素的影响,其中包括材料的结构、成分、晶体结构等
因素。
导电材料通常分为金属导体和半导体两大类。
金属导体的导电性能主要取决于其自由电子的浓度和迁移率,而半导体材料的导电性能则受到杂质、缺陷、温度等因素的影响。
材料的导电性能可以通过电导率来表征。
电导率是描述材料导电性能的物理量,通常用σ表示,单位为(Ω·cm)^-1。
电导率越大,表明材料的导电性能越好。
金属材料通常具有较高的电导率,而半导体材料的电导率则介于金属和绝缘体之间。
在实际应用中,我们常常需要根据具体的要求来选择合适的导电材料。
例如,
在电子器件中,我们通常选择电导率较高的金属材料作为导线,以保证电子的顺畅传输;在光伏材料中,我们则需要选择能够有效转化光能的半导体材料。
除了常规的金属和半导体材料,近年来,碳纳米材料也成为了研究的热点之一。
碳纳米材料具有优异的导电性能和热导性能,因此被广泛应用于柔性电子器件、导电涂料、导电纤维等领域。
总的来说,材料的导电性能是材料科学研究中的重要内容之一。
随着科技的不
断发展,对导电材料的需求也在不断增加,因此对导电性能的研究也将会变得更加深入和广泛。
希望通过对导电性能的研究,能够为材料科学的发展和应用提供更多的可能性。
材料科学中的超级导电性材料

材料科学中的超级导电性材料超级导电性材料是指具有比铜更高导电性能的材料。
这些材料在材料科学中具有极大的价值,因为它们可以被用于高速电子设备、高温超导电性设备和磁场传感器等领域。
本文将详细介绍超级导电性材料的种类和应用。
一、金属材料金属是超级导电性材料的经典代表。
在室温下,铜的电导率为58.4×106 S/m,但银(Ag)和金(Au)等金属的导电率超过了铜,因此它们具有超导电性。
此外,在极低温度下,一些金属例如铝(Al)和铉(Ce)也具有超导电性。
金属材料的超导电性主要应用于高速电子设备。
例如,在微电子学中,金或银纳米线电极的电阻性能显著提高,因此使用金属材料作为导体材料具有出色的效果。
二、有机材料相比于金属材料,有机材料在制备和成本方面更有优势。
在有机材料中,聚苯乙烯(PS)具有显著的超导性能。
此外,通过在有机材料中掺杂化合物或添加其他材料,如碳纳米管(CNT)和石墨烯(Gn),也可以制备出具有超导性的有机材料。
基于有机材料的超导性,可以制备出柔性电路、电子纸和智能穿戴设备等领域的应用,这些领域对于综合性能的要求更高。
三、二维材料二维材料具有独特的电子结构,因此被认为是超级导电性材料的候选材料之一。
石墨烯是最具代表性的二维材料之一。
它在理论上具有无限高的电子迁移率和卓越的超导电性能,因此非常适合用于高速电子设备制备。
除了石墨烯,二硫化钼(MoS2)等其他二维材料也被发现具有超导性能。
这些材料的导电性能甚至比铜高出数倍。
因此,它们在微电子学及石墨烯电荷传输场效应晶体管等领域具有广泛应用。
四、复合材料未来的超级导电材料将基于各种综合性能,因此复合材料是一种有前途的超级导电性材料。
通过在金属或二现类材料中掺杂二硫化钼等二维材料,可以制备出表现出更高导电性能的复合材料。
复合材料的应用范围更为广泛。
例如,在高温超导电性设备中,可以使用复合材料以提高其高温超导性能;在磁测仪和磁场传感器中,复合材料可以制备出大面积高灵敏度传感器。
材料的导电性能与测试方法

材料的导电性能与测试方法材料的导电性能对于许多领域的应用具有重要意义,从电子学到能源领域都需要高效的导电材料。
本文将探讨材料的导电性能以及一些常用的测试方法。
一、导电性能的影响因素材料的导电性能受到多种因素的影响,以下是其中一些主要因素:1. 材料结构:材料的晶体结构以及晶格缺陷都会影响导电性能。
晶格缺陷包括点缺陷、线缺陷和面缺陷等。
2. 杂质:杂质可以影响材料的导电性能。
有些杂质可以增加导电性,而另一些杂质可能导致导电性能下降。
3. 温度:温度对于材料的导电性能也有很大的影响。
一般情况下,随着温度的升高,材料的导电性能会增强。
4. 应力:外加应力也可以改变材料的导电性能。
在某些情况下,应力可以使材料的导电性能增加,而在其他情况下则会减弱。
二、导电性能测试方法下面介绍几种常用的材料导电性能测试方法:1. 电阻率测试:电阻率是用来描述材料导电性能的一个重要参数。
可以通过四探针法或者两探针法来测量材料的电阻率。
四探针法可以消除接触电阻的影响,得到更准确的电阻率测试结果。
2. 导电性能测试:导电性能测试通常是通过测量材料的电导率来进行的。
电导率是电阻率的倒数。
可以使用四探针法或者两探针法来进行测量。
3. Hall效应测试:Hall效应测试是一种测量材料导电性能的方法,通过测量材料中的Hall电压和磁场之间的关系来确定电导率、载流子浓度和载流子类型。
4. 微观结构分析:对于复杂的材料,如多组分合金或复合材料,可以通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)等技术来分析材料的微观结构和晶体结构,从而进一步理解材料的导电性能。
5. 有限元模拟:有限元模拟是一种通过数值计算方法来模拟材料的导电性能的技术。
通过建立材料的几何模型和物理模型,可以模拟材料在不同条件下的导电性能,为实验提供指导和验证。
总结:本文讨论了材料的导电性能与测试方法。
导电性能的影响因素包括结构、杂质、温度和应力等。
材料的导电性和导热性

材料的导电性和导热性材料的导电性和导热性是研究材料特性和应用领域的重要方面。
导电性指的是材料在外加电场作用下,电荷的自由移动能力。
而导热性则是材料对热的传导能力。
这两种特性的理解和研究对于电子器件以及工程中的热管理都具有重要意义。
从微观结构的角度来看,材料的导电性和导热性主要与其晶体结构和电子结构有关。
在导电性方面,金属由于其特殊的价电子排布形式而具有良好的导电性能。
金属中的电子形成了形如“电子海”的结构,电子能够自由跃迁,使得金属能够在外加电场下形成电流。
相反,绝缘体中的电子排布方式导致电子无法在外加电场下自由移动,因此绝缘体具有较差的导电性能。
导热性与导电性类似,也与材料的晶体结构和电子结构有关。
晶体中原子的排布方式决定了材料的热传导路径。
对于金属材料而言,其晶体结构通常是紧密堆积的,原子之间形成了较密实的结构。
因此金属的导热性能高,原子之间的振动能够有效传递热能。
绝缘体的晶体结构则相对疏松,导热性能较差。
然而,并非所有的金属都具有相同的导电性和导热性能。
同一种金属材料的导电性和导热性还与其他因素有关,例如晶体缺陷、杂质等。
晶体缺陷会影响电子的传输路径和碰撞频率,从而影响导电性和导热性。
杂质的存在可能会改变材料的电子能级分布,从而导致导电性和导热性发生变化。
除了金属和绝缘体,还存在一类介于两者之间的材料,即半导体。
半导体的导电性在一定程度上介于金属和绝缘体之间。
半导体材料中的电子能级结构存在“禁带”,需要外界能量激发才能使电子跃迁到传导带。
在一些特定条件下,半导体通过掺杂等手段可以实现改变其导电性能,从而被广泛应用于电子器件中。
在工程应用方面,材料的导电性和导热性是重要的考虑因素。
例如,在电子器件的设计中,导电性决定了电子的传输效率,因此需要选择具有良好导电性能的材料。
而在热管理的领域,导热性是一个关键问题。
高功率电子器件的散热是一个重要的挑战,有效地提高热传导能力,可以提高电子器件的效率和寿命。
金属材料的导电性和热传导性

金属材料的导电性和热传导性导电性和热传导性是金属材料的两个重要属性,它们在现代科技和工业中起到了至关重要的作用。
导电性指的是金属材料导电电流的能力,而热传导性则是指金属材料传递热量的能力。
本文将详细介绍金属材料的导电性和热传导性如何产生以及影响因素等内容。
首先,金属材料的导电性是由其特殊的电子结构决定的。
在金属中,原子之间通过共用电子构成了一个自由电子气体,这些自由电子可以在金属中自由运动。
当外加电场存在时,这些自由电子会被加速并形成电流。
所以,金属材料中导电的能力非常好。
相比之下,非金属材料因为没有自由电子,其导电性较差。
其次,金属材料的热传导性也与其电子结构有关。
在金属中,自由电子的运动不仅可以传导电流,还能够传递热量。
自由电子在受到高温区域的热激发后,会以高速度传递给周围的原子,使其也处于激动状态。
这种由自由电子传递给原子的能量迅速传播,从而实现了金属材料的高热传导性。
金属材料的导电性和热传导性受多种因素的影响。
首先是金属的种类。
不同的金属具有不同的电子结构,因此其导电性和热传导性也不同。
常见的导电性较好的金属有铜、银和铝等,而热传导性较好的有铜、铝和铁等。
其次,金属的纯度也对其导电性和热传导性有影响。
纯度越高的金属材料,自由电子的数量越多,导电性和热传导性就越好。
此外,金属材料的晶体结构和晶界的存在都会对导电性和热传导性产生影响。
晶体结构的完整性和晶界的存在程度会影响自由电子的传输以及热量的传递。
在实际应用中,金属材料的导电性和热传导性的强弱是需要根据具体需求来选择的。
如果需要良好的导电性,例如在电线、电路板等电气设备中,选择导电性较好的金属材料是必要的。
而在需要优秀的热传导性能的场合,比如散热片、导热板等热管理领域,则需选用具有良好热传导性能的金属材料。
由于金属材料导电性和热传导性的特殊性质,它们在众多领域中都得到了广泛的应用。
在电子工业中,金属材料被广泛应用于电路板、导线和电子器件等领域。
金属材料特性

金属材料特性金属材料是一类拥有许多独特特性的材料,主要由金属元素组成,具有导电、导热、高延展性、高强度等特点。
以下是金属材料的主要特性:1. 导电性:金属材料是良好的导电体,电子在金属内部能够自由移动,形成电流。
这使得金属广泛应用于电线、电路板等导电部件的制造。
2. 导热性:金属材料具有良好的导热性能,能够迅速传导热量。
这使得金属成为散热器、发动机等需要快速散热的设备的重要材料。
3. 高延展性:金属材料可以经受较大的拉力而不破裂,能够被拉伸成细丝或薄膜。
这使得金属材料具有良好的延展性和可塑性,可以制造出各种形状的产品。
4. 高强度:金属材料具有较高的强度,能够承受较大的力,不易断裂。
这使得金属材料成为建筑、航空航天等领域常用的结构材料。
5. 良好的韧性:金属材料具有良好的韧性,能够在遭受撞击或挤压等外力时不易断裂。
这使得金属制品具有较高的耐久性和使用寿命。
6. 可融性:金属材料具有良好的可融性,可以在一定温度范围内熔化成液体。
这使得金属可以通过熔融工艺进行铸造、锻造等制造过程。
7. 耐腐蚀性:大多数金属具有一定的耐腐蚀性,能够抵抗氧化、腐蚀和酸碱等介质的侵蚀。
这使得金属在化工设备、海洋工程等恶劣环境中广泛应用。
8. 可回收性:金属材料具有良好的可回收性,可以通过熔炼和再加工等方法,重新制造新的金属制品。
这符合环保意识的提升,减少了资源的浪费。
9. 磁性:部分金属材料具有磁性,能够吸引铁磁物质。
这使得金属广泛用于磁性材料的制造和电磁设备的应用。
综上所述,金属材料具有导电导热、高延展性、高强度、韧性好、耐腐蚀、可融性、可回收等多种特性,使其在各个领域都有广泛的应用。
同时,这些特性也决定了金属材料的独特价值和重要性。
材料的导电性质

金属最大电阻率
max~500cm
可以看到上述三种不同的判断在量级上 是一致的
莫特判据有一个重要的推论,即:绝缘体和金属态之间在特定条 件下可以相互转换
§3.2 导体电阻率
电阻率源于传导电子的散射,固体因缺陷、杂质、晶格振动、库仑作用等,往往存在着多种散 射机制
在多种散射机制存在下,总的散射几率是:
k
利用半导体在温度升高、受光照射等条件下的 导电性能大大增强的特性,可研制出诸如热敏 电阻、光敏电阻等器件。
空带
h
满带
3、按阻温系数分类
(T)
导体
d0 还 是d0?
dT
dT
绝缘体或半导体
Resistivity
金属 绝缘体
0
Temperature
4、按电阻率分类
Mooij判据
固体电阻率变化范围
niqii i
j niqivi
i
i表示第i种载流子
三、材料基本导电类型
电子导电(包括空穴导电、极化子导电)
离子导电(包括空位导电)
离子导电指输运电荷中的载流子是离子 电解质溶液(如KCl溶液)的导电就是离子导电
具有离子导电性的固态物质常被称为固体电解质 这些物质或因其晶体中的点缺陷或因其特殊结构而为离子提供快速迁移的通道,在某些 温度下具有高的电导率(1~106西门子/厘米),故又称为快离子导体。
max~200cm
大量的实验数据分析表明,对电阻率大于80100cm时,
不再保持,这和上面根据阻温系数给出的经验判断在量级
d/dT 0 上是相一致的
5、莫特判据
n 为载流子的临界密度, a 为局 域c电子中心的特征轨道半径H
nc1/3aH~0.250.38
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二、量子自由电子理论 海森堡(Heisenberg)测不准原理:电子的运动是 不能同时测准其位置和动量的,只能用电子出现的几率 来表示电子的位置。
波粒二相性原理:自由电子的运动既可以用质量、速度、 动能来描述,又可用波长、频率来描述,自由电子的能 量必须符合量子化的不连续性。费密—荻拉克 (Fermi-Dirace)分布。 EF:费密能量,电子能级的最高能级能量。 在T=0K , E EF, F几率=1; E>EF,, f=0; T>0K, E>EF,, f<0.5. 说明:只有少数电子才能达到EF,发生迁移。量子力学电 导公式: n有效 e 2 1 t 2m n有效:真正参与导电的有效电子数; t :电子波受相邻两次散射的间隔时间。
三、淬火钢的回火
淬火后组织为 亚稳态的M体和残 余A氏体,回火时 要分解析出碳化物 为两相组织,这个 转变引起电阻率降 低。如图2-33。 P61
四、高速钢回火时的特殊碳化物析出
高速钢淬火后经过多次560 0 C 回火,产生二次硬化, 是因为除了残余A氏体转变外,还析出了大量弥散特殊碳 化物(M2C,MC),这些碳化物在一定的温度区间是稳定 0 的,若超过670 C 时,又会重新溶解,所以有必要用电阻 分析法来研究碳化物的析出情况。 如图2-34,P61。回火温度升高,相对电阻降低程度 0 小,是由于碳化物析出少的原因,在 520~560 C 回 火, 较低,碳化物量多且细小,因而对于钢的红硬性 有利。
三、电位差计法 见图2-25 P57 测量前,K接通标准一侧,调R1,使G中I为零,此 时在RN上的压降为EN,即EN=IRN。因为反接,两者抵 消。这个电流I为工作标准比电流,在K接入Ex 一侧时, I不变,调节 R Rx ,使G无电流,测得Ex:
EN Ex Rx RN
第五节
一、研究合金的时效过程 图2-27 P58。
电阻分析应用
如
如 Al-Cu 合 金 的 时 效 , 在20度自然时效时,因温 度低,Cu原子只能达到一 定的偏聚,故 略增高并 趋于不变。在225度时效时, ' 快速析出,并向 转变, 同时 相很快聚集长大, 故 开始急剧下降。
二、测定溶解度
因为固溶体的 随溶质元素量的增加呈线形增加。 如图2-30。P59 用电阻法测定溶解度:将一系列成分 不同的试样加热到略低于共晶转变温度t0保温。淬火得 到过饱和固溶体,把淬火后的一组组试样在加热到t0的 各个温度,保温长时间使达到组织平衡,然后再淬火测 各个试样的 ,做 -B%曲线,找出转变点对应的浓度, 即B为A在其中的溶解度,将各个温度下的浓度连线,得 到固溶度曲线。
接触电势差的决定因素:
(1)、电子逸出功:取决于自由电子的最高能态, 即与材质有关。逸出功越小,电子越容易跑出金属表面。
(2)、有效电子密度:即也与材质有关,密度高 者成为正电位,否则为负电位。 温度越高,自由电子可以获得更高的能量,电子越容易 逸出。
A,B金属回路的电势:
E AB
K NA (T1 T2 ) ln e NB
第四节
电阻的测量
一、单电桥法 见图2-23。 P55 当调节R1,R2,使G中无电流通过,此时VAB=VCD R1 Rx Rx 则 R2 该法因为有接触电阻,误差较大。 二、双电桥法 见图2-24。P56 不同:附加了R3,R4大电阻回路,使I1,I2很小,I3很大, 就克服了接触电阻的影响。 缺点:在较高温度下接触电阻的影响不能完全克服。
当一根金属导 线两端存在温差时, 通以电流后,则在 该段导线中产生吸 热或者放热现象。 此为Thomson效 应。 三种效应可以同时 存在于回路中。应 用最多的是 Seeback效应。
超导电性
1911年荷兰科学家昂尼斯在研究低温下水银的电阻实验中惊奇地发现,当温度在 低于4.2K附近时.水银的电阻率突然降低到仪器无法测出的极小值(小
超导体的性能
1 完全的导电性 昂尼斯等人曾进行过下列实验,如图252示。先 将超导体做成的环放入磁场中,此时T>Tc,环中 无电流,然后再将环冷却至Tc以下,使环变成超导 态,此时环中仍无电流;若突然去掉磁场,则环内 将有感应电流产生。这是由于电磁感应作用的结果, 按楞次定律,该电流应沿反抗磁通变化的方向流动。 如果此环的电阻确实为零,那么这个电流就应长期 无损地流下去。事实上经过长达几年的观察,没发 现电流有任何衰减,这就有力地证明了超导体的电 阻确实为零,是完全导电性的。同时也说明了超导 体是等电位的,即超导体内没有电场。
超导态完全抗磁性的解释:
这是由于外磁场在试样表面感应产生一个感应 电流,此电流由于所经路径电阻为零;故它所产生的附加磁场总 是与外磁场大小相等,方向相反,因而使超导体内的合成磁场为 零。由于此感应电流能将外磁场从超导体内挤出,故称抗磁感应 电流,又因其能起着屏蔽磁场的作用, 又称屏蔽电流。
超导电往的影响因素 及临界参数
三、合金化
一般固溶体:形成固溶体使畸变增加, 增加,见图2-13。 有序固溶体:使点阵规律性增强,减少了散射, 降低,如图 2-17。P49 m,n点是有序化成分点,所以可以通过电阻率的 测量来得到有序化成分点。
3、不均匀固溶体的成分反常 反常态:(1)、淬火后在某一温度区间具有反常高, 如图2-19。 P52; ( 2)、淬火后的 比退火后的 低,回火 后 反而升高 ; (3)、退火态经过冷变形后 降低,回火后 升高。 主要原因:固溶体中存在原子的偏聚区,其成分 不同。如铝合金中的G,P区。 4、 中间相 其导电性比其组元的导电性低。由于金属键部分 地为共价键或离子键所代替,减少了有效电子数。
2 完全的抗磁性
迈斯纳等人由实验分析了 超导体在外磁场中的特 性.如图入52示。先将超 导体冷却至超导态( T< Tc ).然后加磁场,发现 磁场不能进入超导体内。 若在常温下将超导体先放 入磁场内,则有磁力线穿 过超导体;然后再将超导 体冷却至Tc以下,发现磁 场从超导体内被排出,即 超导体内无磁场,磁感应 强度B为零。这一现象说明 了超导体具有完全的抗磁 性,又称迈斯纳效应。
超导态除了决定于温度 外,还与外磁场有关, 纵使处于T<Tc下,但如 果磁场强度超过某Hc(T) 值时,超导态便转变为 正常态(普通态)。Hc (T)称为温度为T时的 临界磁场, Hc(T)与T的关系为:
两类超导体
第一类超导:B=0,ρ=0。 第二类超导体: B≠0,ρ=0 。 第一类超导体的临界磁场Hc 小,往往比7.96 X104A/m还 小;第二类超导体的Hc2可 达很高,有的高达 7.96X106A/m。零电阻的超 导电流可以在环绕磁通线周 围的超导区中流动,由于在 相当高的磁场下仍有超导电 性,仍能负载无损耗电流, 故第二类超导体在建造强磁 场电磁铁方面有重要的实际 意义。
在定向迁移过程中,因不断与正离子发生碰撞,而使电 子的迁移受阻,将其定为电阻。根据电子碰撞及自由 程的概念。得到: 2 ne L L :自由程; 2m v v:电子迁移运动速度 2m v m :电子质量; 2 L ne e:电子电荷; n:电子数量。 公式表明:单位体积金属中的自由电子数目越多,导电 性越好。 问题:(1)、不能解释一价金属比二价金属导电 性好的原因; (2)、不能阐明电阻率与温度间的关系。
二、冷变形 点阵畸变、晶体缺陷、原子间距的改变使电子散 射增大, 增加 A P
A,p为常数, 为加工度。 回复可以降低点缺陷浓度, 降低; 再结晶可以消除点缺陷及畸变, 降低; 淬火保留了高温时的点缺陷, 增大; 静压力: P 0 (1 p) p:静压力, :电阻压力系数。 在高温下,原子间距缩小,费密能和能带结构均发 生变化,在极限压力下,可以使S,P,锗、硒、金刚 石等由半导体、绝缘体变为导体。
K:玻尔兹曼常数; e:电子电荷; NA,NB:两种金属的有效电子密度。 式中表明:热电势与温度,有效电子密度有关。
二、玻尔贴(Peltier)效应——第二热电效应
当电流通过A,B两种金属组成的接触点时,除了产生 焦耳热外,
还会在接触点产生吸热和放热反应。此为Peltier效应。
三、汤姆逊 (Thomson)效 应——第三热电 效应
材料的热电性
在金属导线组成的回路中,存在温差或者通以电流时, 会产生热与电的转换效应,成为热电性。 由于热电势是组织敏感的物理量,可以通过热电势 的变化来研究金属内部的变化。 第一节 三种热电效应 一、塞贝克(Seeback)效应—第一热电效应。 由 温 差 而 产 生 的 热 电 现 象 为 Seeback 效 应 。 若 T2 T1 ,回路出现电流,称其为热电流。该效应 实质是:两种金属接触时会产生接触电势差。A金属 和B金属在接触处彼此发生电子的迁移,因为A,B性质 不同,故进入对方金属中的电子数量不等,使形成了 接触电势差。 除A,B材质不同外,两个接触端的温度不同时,两者的 接触电势差在回路中形成热电流。
第二章 材料的电学性能
材料的电学性能大致上包含有导电性、超导电性、 介电性、磁电性、热电性、接触电性、热释电性和压电 性、光电性等等。 材料的电阻率具有组织敏感性,所以可以通过电阻分析来 研究金属的相变。 第一节 导电性的基本量
L 改写后: R S
的倒数为电导率:
L R S
1
电阻率与温度的关系(不发生相变时):
t 0 (1 t )
0 :0C0时的电阻率;
:电阻温度系数。
材料导电能力的分类:
导
体: 10 ~ 10 cm
6 2
半导体:
1010 ~ 1020 绝缘体:
9 01 ~
3 01
第二节 金属的导电理论
三个重要阶段:经典、量子、能带理论。 一、经典电子理论 在金属晶体中,原子失去价电子成为正离子,正离 子构成了晶体点阵,价电子成为公有化的自由电子, 或称电子气。 正离子形成的场是均匀的; 自由电子运动规律遵循经典力学气体分子运动规律; 自由电子与正离子的相互作用类似于机械碰撞。 所以:在没有外电场时,自由电子在各个方向的运动几 率相同,故不产生电流。 有外电场时,自由电子得到附加速度,发生向外电 场方向的定向迁移,从而形成电流。