5-2晶体地电光效应与电光调制实验报告材料
近代物理实验报告指导教师： 得分：实验时间： 2010 年 03 月 24 日， 第 四 周， 周 三 ， 第 5-8 节实验者： 班级 材料0705 学号 200767025 姓名 童凌炜同组者： 班级 材料0705 学号 200767007 姓名 车宏龙实验地点： 综合楼501实验条件： 室内温度 ℃， 相对湿度 %， 室内气压实验题目： 晶体的电光效应与光电调制实验目的：1. 掌握电光调制的原理和实验方法2. 学习测量电光晶体半波电压和光电常数的试验方法3. 观察电光晶体的锥光干涉实验仪器：1. 晶体电光调制电源2. 调制器3. 接收放大器实验原理简述：某些晶体在外加电场的作用下，其折射率将随着外加电场的变化而变化，这种现象称为光电效应。
晶体外加电场后，如果折射率变化与外加电场的一次方成正比，则称为一次电光效应，如果折射率变化与外加电场的二次方成正比，则称为二次电光效应。
晶体的一次光电效应分为纵向电光效应和横向电光效应1. 一次电光效应和晶体的折射率椭球对于电光晶体，晶体在某一方向上的折射率为n0，外加电场后折射率为n ，实验表明 n=n0+aE0+bE02+…其中：a,b 为常数；n0为E0=0使的折射率。
由一次项引起的折射率变化的效应称为一次电光效应，也叫线性电光效应；由二次项引起的折射率变化的效应称为二次电光效应，也叫平方电光效应。
未加电场时晶体的折射率椭球方程为1232222212=++n z n y n x晶体的三个主晶轴为x,y,z 坐标轴，椭球的主轴与晶体主轴重合。
式中n1,n2,n3分别为晶体三个主轴方向上的主折射率。
如图5-2-1所示。
当晶体加上电场后，折射率椭球的形状，大小，方位都发生变化，椭球方程变成1222212213223233222222112=+++++n xy n xz n yz n z n y n x 此时，椭球主轴不在与x,y,z 轴重合。
由于晶体的各向异性，电场在x,y,z 各个方向上的分量对椭球方程的各个系数的影响是不同的，用以下形式表示z y x E r E r E r n n 1312112121111++=- z y x E r E r E r n n 2322212222211++=- z y x E r E r E r n n 3332312323311++=- z y x E r E r E r n 4342412231++= z y x E r E r E r n 5352512131++= z y x E r E r E r n 6362612121++= 晶体的一次电光效应的普遍表达式，其中，γij 叫做电光系数，共有18个，Ex,Ey,Ez 是电场在x,y,z 方向上的分量。
本实验用的铌酸锂晶体外加电场后，晶体的一次电光系数矩阵为⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡--=00000000002251613313221322r r r r r r r r r ij 带入基本式，得到铌酸锂晶体加电场后的椭球方程1222111225151233221322202132220=+++⎪⎪⎭⎫⎝⎛++⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+++⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-xy E r xz E r yz E r z E r n y E r E r n x E r E r n x x y Z e z y z y变化后得 E r n n n x 22300'21+=E r n n n y 22300'21-=即外加电压后， 铌酸锂晶体变为双轴晶体，其折射率椭球z 轴的方向和长度基本保持不变，而x,y 界面由半径为n 0的圆变为椭圆。
2. 电光调制原理 1) 横向光电调制 如图5-2-3入射光经过起偏器后变为振动方向平行于x 轴的线偏振光，他在晶体感应轴x ’,y ’上的投影的振幅和相位均相等，分别设为wt A e x cos 0'= wt A e y cos 0'=用复振幅表示，将位于晶体表面（z=0）的光波表示为A E x =)0(' A E y =)0(' 所以入射光的强度为 22'2'2)0()0(A E E E E I y x i =+=•∝当光通过长为l 的电光晶体后，x ’,y ’两分量之间产生相位差A l E x =)(' δi y Ae l E -=)('通过检偏器出射的光，是这两个分量在y 轴上的投影之和 ()1245cos )()('0-=︒=-δδi i y y eA e l E E其对应的输出光强I t 可写为 ()()[]2sin 2*22δAE E I y y t =•∝由以上可知光强透过率为2sin 2δ==i t I I T 相位差的表达式 ()dlVr n l n ny x 2230''22λπλπδ=-=当相位差为π时 ⎪⎭⎫ ⎝⎛=l d r n V n 22302λ由以上各式可将透过率改写为 ()wt V V V V VT m sin 2sin 2sin 022+==ππππ可以看出改变V0或Vm ，输出特性将相应变化。
2) 改变直流电压对输出特性的影响把V0=V π/2带入上式可得()⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=+==wt V V wt V V V V VT m m sin sin 121sin 2sin 2sin 022ππππππ 做近似计算得⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+≈wt V V T m sin 121ππ即T ∝Vmsinwt 时，调制器的输出波形和调制信号的波形频率相同，即线性调制如果Vm ＞V π，不满足小信号调制的要求，所以不能近似计算，此时展开为贝塞尔函数，即输出的光束中除了包含交流信号的基波外，还有含有奇次谐波。
由于调制信号幅度比较大，奇次波不能忽略，这时，虽然工作点在线性区域，但输出波形依然会失真。
图5-2-5当V0=0或π；Vm 《V π时，将V0=0带入到上式得()⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-≈wt V V T m2cos 1812ππ 即T ∝cos2wt ，可以看出输光是调制信号的二倍，即产生倍频失真。
当V0=V π，Vm 《V π时。
经过类似推到，可得()wt V V T m 2cos 18112-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-≈ππ 即依然看到的是倍频失真的波形。
3) 用λ/4波片来进行光学调制由上面的分析可知，在电光调制中，直流电压V0的作用是使晶体在x ’,y ’两偏振方向的光之间产生固定的相位差，从而使正弦调制工作在光强调制曲线图上的不同点。
在实验中V0的作用可以用λ/4波片来实现，实验中在晶体与检偏器之间加入λ/4波片，调整λ/4波片的快慢轴方向使之与晶体的x’,y’轴平行，转动波片，可以使电光晶体工作在不同的工作点上。
实验步骤简述：1.实验内容i.观察晶体的锥光干涉图ii.分别用极值法和调制法测定铌酸锂晶体的透过率曲线，求出半波电压iii.改变直流电压，选择不同工作点，观察正弦波电压的调制特性iv.用λ/4波片改变工作点，观察输出特性v.光通信演示2.实验步骤i.打开电源开关，将直流电压调到0，打开激光器ii.调节起偏器和检偏器正交，此时在晶体后的白屏上可以观察到一个暗‘十’字，光点在十字中间。
iii.紧靠晶体前端放一毛玻璃片，观察单轴晶体的锥光干涉图，如图5-2-8，记录干涉图样特点iv.调节‘偏压’旋钮，加上偏压，观察锥光干涉图样的变化情况，记下变化情况，想一想说明什么问题v.改变偏压的极性，记下观察到的现象vi.改变偏压的大小，记下观察到的现象，并解释为什么出现这样的现象vii.将两个偏振片由正交改变平行，记下观察到的现象viii.用极值法测T-V曲线，具体步骤如下1.将电压调到最小，两偏振片正交，使锥光符合（3）中的要求2.取出毛玻璃，接收器瞄准广电，在晶体上加直流电压3.逐渐增大直流电压，用万用表测量直流输出，适当旋转起偏器前的检光片，保证最大不超过量程4.每隔20V测一次输出光强，在接近极大极小值时，每隔10V测一次，记录数据5.改变偏压极性，重复上述操作，再测一组数据，利用两组数据做图表，曲线上两极大值之间的电压为半波电压的2倍ix.用调制法重新测量半波电压，具体操作如下1.将电源前面板的调制信号输出接到示波器的CH1，经放大后的调制器输出信号借到CH22.选择调制信号为正弦信号3.将检偏器旋转90°，缓慢增加晶体上的直流电压，同时观察示波器，当输出信号出现倍频失真时，记下此时直流电压4.改变直流电压极性，重复上述操作5.两点呀绝对值的平均值即为晶体的半波电压6.重复五次取平均值7.实验中主义观察随着工作点的改变，正线电压的调制特性x.根据测得的半波电压的大小，分别画出半波电压为0，Vπ/2，Vπ时的输入波形和调制后的波形xi.用λ/4波片改变工作点，观察输出特性，操作如下1.将直流电压关闭，将λ/4波片放在晶体和偏振片之间2.绕光轴缓慢旋转波片，观察示波器中输出波形的变化3.记下输出光的线性调制和倍频失真时波片快慢轴与晶体x,y轴及感应轴x’,y’的关系xii.光通信演示1.按电源面板上信号选择开关的音乐键，输出音乐片段，输出信号通过放大器上的扬声器播放2.改变工作点，分辨音质变化注意事项：1.广电三极管应避免强光照射，以免烧坏，实验时光强应该由弱到强，缓慢变化2.电源开关打开前，所有旋钮应该逆时针旋到头，所有旋钮应逆时针旋到头，关闭时旋到头后再关电源3.晶体容易折断，操作时晶体上面的电极不能压得太紧原始数据、数据处理及误差计算：实验数据整理：直流法测半波电压数据：负极性交流法测半波电压数据：（单位V）1. 在直流法测半波电压的实验中，可以观察到，随着加载在晶体上的电压越来越大，光斑（传感器传出的电压信号）强度有周期性的变化。
原因如下：当未加载电压时，电光晶体呈现各向同性，对入射光没有分光作用，此时只有两个相互垂直的偏振片起作用，所以消光程度最大。
当晶体上加载的电压逐渐增大时，晶体的双折射效应越来越明显，则入射的偏振光的xy分量相位分离的越来越大，合成的偏振光由原先的线偏振光慢慢变成椭圆偏振光再变成圆偏振光，因而透过检偏器以后的剩余亮度越来越大，而当电压继续升高时， xy分量错开更大，此时有慢慢变回线偏振光，因而透过检偏器之后的亮度又逐渐减低。
因此在电压不断升高的过程中，接收器收到的光信号强弱呈周期性变化。
直流法测半波电压的T-V曲线由上图（正负极性的情况画在同一张图中）可以看出，正半周期的最大信号电压出现在Vc=180V时，而最小值出现在Vc=10V时，可以计算出正极性周期的半波电压Vπ=95V而负半周期的半波电压则为Vπ’=-90V综上，可以取平均值认为半波电压是Vπavg=92.5V2. 在交流法测半波电压的过程中，可以看到，当外加的直流电压达到TV曲线上的极值点时，输出曲线为交流信号的倍频市政。
电光调制实验实验报告
电光调制实验实验报告【实验目的】1、掌握晶体电光调制的原理和实验方法2、学会利用实验装置测量晶体的半波电压，计算晶体的电光系数3、观察晶体电光效应引起的晶体会聚偏振光的干涉现象【实验仪器】铌酸锂晶体，电光调制电源，半导体激光器，偏振器，四分之一波片，接收放大器，双踪示波器【实验内容及步骤】一、调整光路系统1、调节三角导轨底角螺丝，使其稳定于调节台上。
在导轨上放置好半导体光源部分滑块，将小孔光栏置于导轨上，在整个导轨上拉动滑块，近场远场都保证整个光路基本处于一条直线，即使光束通过小孔。
放上起偏振器，使其表面与激光束垂直，且使光束在元件中心穿过。
再放上检偏器，使其表面也与激光束垂直，转动检偏器，使其与起偏器正交，即，使检偏器的主截面与起偏器的主截面垂直，这时光点消失，即所谓的消光状态。
2、将铌酸锂晶体置于导轨上，调节晶体使其x轴在铅直方向，使其通光表面垂直于激光束（这时晶体的光轴与入射方向平行，呈正入射），这时观察晶体前后表面查看光束是否在晶体中心，若没有，则精细调节晶体的二维调整架，保证使光束都通过晶体，且从晶体出来的反射像与半导体的出射光束重合。
3、拿掉四分之一波片，在晶体盒前端插入毛玻璃片，检偏器后放上像屏。
光强调到最大，此时晶体偏压为零。
这时可观察到晶体的单轴锥光干涉图，即一个清楚的暗字线，它将整个光场分成均匀的四瓣，如果不均匀可调节晶体上的调整架。
如图四所示4、旋转起偏器和检偏器，使其两个相互平行，此时所出现的单轴锥光图与偏振片垂直时是互补的。
如图五所示图四图五6、晶体加上偏压时呈现双轴锥光干涉图，说明单轴晶体在电场作用下变成双轴晶体，即电致双折射。
如图六所示7、改变晶体所加偏压极性，锥光图旋转90度。
如图七所示图六图七8 只改变偏压大小时，干涉图形不旋转，只是双曲线分开的距离发生变化。
这一现象说明，外加电场只改变感应主轴方向的主折射率的大小、折射率椭球旋转的角度和电场大小无关。
二、依据晶体的透过率曲线(即T-V曲线)，选择工作点。
晶体电光调制实验报告数据处理
实验一电光调制一、实验目的：1.了解电光调制的工作原理及相关特性；2.掌握电光晶体性能参数的测量方法；二、实验原理简介：某些光学介质受到外电场作用时，它的折射率将随着外电场变化，介电系数和折射率都与方向有关，在光学性质上变为各向异性，这就是电光效应。
电光效应有两种，一种是折射率的变化量与外电场强度的一次方成比例，称为泡克耳斯（Pockels）效应；另一种是折射率的变化量与外电场强度的二次方成比例，称为克尔（Kerr）效应。
利用克尔效应制成的调制器，称为克尔盒，其中的光学介质为具有电光效应的液体有机化合物。
利用泡克耳斯效应制成的调制器，称为泡克耳斯盒，其中的光学介质为非中心对称的压电晶体。
泡克耳斯盒又有纵向调制器和横向调制器两种，图1是几种电光调制器的基本结构形式。
图1：几种电光调制器的基本结构形式a) 克尔盒 b) 纵调的泡克耳斯盒 c) 横调的泡克耳斯盒当不给克尔盒加电压时，盒中的介质是透明的，各向同性的非偏振光经过P后变为振动方向平行P光轴的平面偏振光。
通过克尔盒时不改变振动方向。
到达Q时，因光的振动方向垂直于Q光轴而被阻挡（P、Q分别为起偏器和检偏器，安装时，它们的光轴彼此垂直。
），所以Q没有光输出；给克尔盒加以电压时，盒中的介质则因有外电场的作用而具有单轴晶体的光学性质，光轴的方向平行于电场。
这时，通过它的平面偏振光则改变其振动方向。
所以，经过起偏器P产生的平面偏振光，通过克尔盒后，振动方向就不再与Q光轴垂直，而是在Q光轴方向上有光振动的分量，所以，此时Q就有光输出了。
Q的光输出强弱，与盒中的介质性质、几何尺寸、外加电压大小等因素有关。
对于结构已确定的克尔盒来说，如果外加电压是周期性变化的，则Q的光输出必然也是周期性变化的。
由此即实现了对光的调制。
泡克耳斯盒里所装的是具有泡克耳斯效应的电光晶体，它的自然状态就有单轴晶体的光学性质，安装时，使晶体的光轴平行于入射光线。
因此，纵向调制的泡克耳斯盒，电场平行于光轴，横向调制的泡克耳斯盒，电场垂直于光轴。
电光调制实验
电光调制实验电光调制实验是一种基于光及电的实验，主要是利用外加电场对光的介质介电常数及折射率发生变化的特性，从而实现对光的调制，达到信息传输的目的。
本文将对电光调制实验的原理、实验过程、实验结果以及应用进行详细介绍。
一、实验原理电光调制实验的基本原理是电-光双向转换。
光通过透明的介质之后会导致光的相位差，从而产生偏振旋转。
当外加电场时，通过电光效应，电场可以改变介质的折射率和吸收系数，从而影响光的速度和偏振方向。
在调制过程中，可以控制电场的强度和方向，从而实现光信号的编码、传输和解码。
二、实验材料实验材料主要包括：1.激光器2.半波片3.光偏振器4.电光晶体5.电源6.光探测器三、实验过程在实验开始前，首先将激光器打开并调节其输出功率，以保证激光器的正常工作。
2.半波片和光偏振器的使用。
将半波片和光偏振器连接在激光器的输出端上，并根据需要调整偏振方向和入射角度。
将电光晶体固定在一个平台上，将光束通过电光晶体，并调整电光晶体的入射角度以使其与光束共面。
4.电源的使用。
将电源连接到电光晶体上，并根据需要调整电场的强度和方向。
将光探测器放置在光束的另一端，并记录光信号的强度、频率和相位。
四、实验结果通过电光调制实验，研究者可以获得以下结果：1.光信号的编码和解码。
通过电光调制实验，可以将信息编码成光的信号并传输，然后通过解码技术将信息从光信号中提取出来。
2.光调制的幅度、相位和频率。
通过电光调制实验，可以通过调节电场的强度和方向来改变光的幅度、相位和频率，从而实现对光信号的调制。
3.光传输的性能。
通过电光调制实验，可以研究光传输的性能，包括传输距离、传输带宽、光损耗等特性。
这些研究能够指导光通讯技术的应用和发展。
五、应用电光调制实验的应用非常广泛。
一些典型的应用包括：1.光通讯。
2.光储存。
在光储存中，电光调制技术也是非常重要的。
通过电光调制实验，可以实现将信息储存在光中，然后可以随时读取出来。
3.光计算。
晶体电光调制实验
晶体电光调制实验【实验目的】1. 掌握晶体电光调制的原理和实验方法。
2. 学会用简单的实验装置测量晶体半波电压、电光常数的实验方法。
3. 观察电光效应所引起的晶体光学特性的变化和会聚偏振光的干涉现象。
【实验仪器】晶体电光调制电源、铌酸锂(LiNbO 3)电光晶体、He-Ne 激光器及可调电源、可旋转偏振片、格兰棱镜、光电接收器、有源音响【实验原理】1．一次电光效应和晶体的折射率椭球当给晶体或液体加上电场后，该晶体或液体的折射率发生变化，这种现象成为电光效应。
电光效应在工程技术和科学研究中有许多重要应用，它有很短的响应时间（可以跟上频率为1010Hz 的电场变化），可以在高速摄影中作快门或在光速测量中作光束斩波器等。
在激光出现以后，电光效应的研究和应用得到迅速的发展，电光器件被广泛应用在激光通讯、激光测距、激光显示和光学数据处理等方面。
光在各向异性晶体中传播时，因光的传播方向不同或者是电矢量的振动方向不同，光的折射率也不同。
在主轴坐标中，折射率椭球及其方程为1232222212=++n z n y n x （1）式中n1、n2、n3为椭球三个主轴方向上的折射率，称为主折射率。
当晶体加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球方程变成1222212213223233222222112=+++++n xy n xz n yz n z n y n x（2）晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。
纵向电光效应是加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播的方向平行时产生的电光效应；横向电光效应是加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应，本实验研究铌酸锂晶体的一次电光效应。
铌酸锂晶体属于三角晶系，3m 晶类，主轴z 方向有一个三次旋转轴，光轴与z 轴重合，是单轴晶体，折射率椭球是旋转椭球，其表达式为1222022=++e n z n y x （3）式中n0和ne 分别为晶体的寻常光和非常光的折射率。
晶体的电光效应实验报告
晶体的电光效应五、数据处理1.研究LN单轴晶体的干涉：（1）单轴锥光干涉图样：调节好实验设备，当LN晶体不加横向电压时，可以观察到如图现象，这是典型的汇聚偏振光穿过单轴晶体后形成的干涉图样。
（2）晶体双轴干涉图样：打开晶体驱动电压，将状态开关打在直流状态，顺时针旋转电压调整旋钮，调整驱动电压，将会观察到图案由一个中心分裂为两个，这是典型的汇聚偏振光穿过双轴晶体后形成的干涉图样，它说明单轴晶体在电场的作用下变成了双轴晶体2.动态法观察调制器性能：（1）实验现象：当V1=143V时，出现第一次倍频失真：当V2=486V时，信号波形失真最小，振幅最大（线性调制）：当V 3=832V 时，出现第二次倍频失真：（2）调制法测定LN 晶体的半波电压：晶体基本物理量dlλ22γ0n5mm30mm632.8nm-126.810/m V ⨯2.286第一次倍频失真对应的电压V 1=143V ，第二次倍频失真对应的电压V 3=832V 。
故31832143689V V V V V V π=-=-=。
由3022()2d V n lπλγ=得：122230() 6.41102dn V l πλγ-==⨯3.电光调制器T-V 工作曲线的测量： （1）原始数据：依据数据作出电光调制器P-V工作曲线：（2）极值法测定LN晶体的半波电压：从图中可以看到，V在100~150V时取最小值，在800~850V时取最大值。
分别在这两个区域内每隔5V 测量一次，原始数据如下：比较数据可以得出，极小值大致出现在1110V V ≈，极大值大致出现在3805V V ≈，由此可得31805110695V V V V V V π=-=-=由3022()2d V n lπλγ=得：122230() 6.35102dn V l πλγ-==⨯ 4.测量值与理论值比较：算出理论值3022()649.22dV V n lπλγ==。
与理论值相比，调制法测量结果相对误差约6.1%，极值法测量结果误差约7.1%，实验值与理论值符合较好。
电光调制实实验讲义
电光调制实验实验讲义一、实验背景电光效应在工程技术和科学研究中有许多重要应用。
尤其是激光出现以后，电光效应的研究和应用得到了迅速发展，电光器件被广泛应用在激光通信、激光测距、激光显示和光学数据处理等方面。
晶体电光调制实验可以模拟电光效应在激光通信中的应用，验证激光通信传输速度快，抗干扰能力强，保密性好等优点。
通过该实验可以加深对偏振光干涉、双折射、非线性光学等知识的理解，培养学生的动手能力，提高学生的工程意识。
实验系统结构简单，易于操作，实验效果理想。
二、实验目的1. 观察电光效应引起的晶体光学性质的变化（单轴晶体、双轴晶体的偏振干涉图）。
2. 观察直流偏压对输出特性的影响，记录数据并绘制输出特性曲线。
3 观察铌酸锂晶体交流调制输出特性。
4. 模拟光通信。
三、实验仪器图1 实验仪器实物图（双踪示波器自备） 1.半导体激光器及四维可调支架 2.起偏器 3.铌酸锂晶体 4.检偏器（及1/4波片) 5.光屏 6.导轨 7.电光调制电源箱 8.接受放大器四、实验原理晶体分各向同性晶体与各向异性晶体。
其中各向异性晶体会发生双折射，而各向同性晶体只会发生普通折射。
光束入射到各向异性的晶体，分解为o 光和e 光。
如果光束沿着光轴的方向传播不会发生双折射现象。
这里光轴并非指一条直线，而是一个特殊的方向。
晶体中o 光与光轴构成的平面叫o 光主平面，e 光与光轴构成的平面叫e 光主平面。
o 光振动方向垂直于o 光主平面，e 光的振动方向平行于e 光主截面。
一般情况下，o 光主平面与e 光主平面不重合，但是理论与实践均表明，当入射线在晶体主平面时o 光主平面与e 光主平面重合。
实用中一般均取入射线在晶体主截面内的情况。
各向异性晶体中o 光与e 光的传播速度一般不同。
速度e o v v >的晶体称为正晶体，e o v v <的晶体称为负晶体。
铌酸锂晶体是各向异性负晶体。
由于双折射现象，当入射光不沿光轴方向入射时，产生的o 光与e 光对应不同的折射率o n 与e n 。
晶体的电光效应-基础物理研究性实验报告
【基础物理实验研究性实验报告】晶体的电光效应目录一、摘要 (3)Abstract (3)二、实验原理 (4)2.1电光晶体和泡克耳斯效应 (4)2.2电光调制原理 (5)三、仪器介绍 (8)四、实验内容 (8)4.1调节光路 (8)4.2电光调制器T-V工作曲线的测量 (8)4.3动态法观察调制性能 (8)五、数据处理 (9)5.1研究LN单轴晶体的干涉 (9)5.2电光调制器T-V工作曲线的测量 (10)5.3动态法观察调制性能 (11)5.4测量值与标准值比较 (11)5.5四分之一波片改变工作点的实验 (12)六、实验改进......... . (12)6.1实验装置存在的问题 (12)6.2改进方案... . (13)6.3实验改进后光路的调整 (13)七、实验思考题. (14)八、感想与总结 (14)参考文献 (15)一、摘要部分摘要：本研究性实验报告以“晶体的电光效应”为研究对象，针对实验的原理、仪器、步骤进行了简要地介绍，对实验的数据进行了适当的处理，报告针对实验装置存在的问题提出了对实验装置的改进，还提供了具体的光路调整方法，使光路的调整变得简单准确易调，提高了测量准确性。
关键词：电光效应、电光调制、锥光干涉、半波电压、倍频失真Abstract:This report to "crystal electro-optic effect" as the research object, introduces briefly the experimental principle, apparatus, procedure, the experimental data are properly,report and propose the improvement of the experimental device for theexperimental device of the existing problems, the optical path adjustment methodsare also provided, the light path adjustment become simple and accurate and easyto adjust, improve the measurement accuracy.Keywords: electro-optic effect, electro-optic modulation, horoscopic interference, Half-wave voltage, harmonic distortion二、实验原理2.1 电光晶体和泡克耳斯效应晶体在外电场作用下折射率会发生变化，这种现象称为电光效应[1]。
晶体的电光效应研究性报告
研究性物理实验报告对于晶体的电光效应的探讨院系:材料科学与工程学号:13005050第一作者:李雪韬目录一，摘要部分 (2)摘要： (2)关键词： (2)Abstract (2)Keywords (2)二、实验原理 (3)2.1电光晶体和泡克耳斯效应 (3)2.2 电光调制原理 (4)三、仪器介绍 (7)四、实验内容 (8)4.1调节光路 (8)4.2电光调制器T-V工作曲线的测量 (8)4.3动态法观察调制性能 (9)五、数据处理 (9)5.1 研究LN单轴晶体的干涉 (10)5.2 极值法测半波电压 (11)5.4 ¼波片对调制性能的影响 (12)六、实验思考题 (14)七.晶体的电光效应的应用 (15)八、感想与总结 (17)九,实验数据 (18)一，摘要部分摘要：本研究性实验报告以“晶体的电光效应”为研究对象，针对实验的原理、仪器、步骤进行了简要地介绍，对实验的数据进行了适当的处理,针对实验中的一些问题提出建议.关键词：电光效应、电光调制、半波电压、倍频失真Abstract: This research lab report by "crystal electro-optic effect" as the research object, according to the experiment, the principle of the instrument, the steps are briefly introduced, and experimental data for the proper handling, aiming at some problems in the experiment are also proposed.Keywords: crystal electro-optic effect experiment instrument二、实验原理2.1 电光晶体和泡克耳斯效应晶体在外电场作用下折射率会发生变化，这种现象称为电光效应[1]。
晶体的电光效应【范本模板】
对晶体的电光效应的原理及应用的探究 摘要：本文对晶体的电光效应实验的原理、步骤、仪器进行了简要的介绍，并对实验数据进行处理以及误差估算。
通过分析实验室条件下误差产生的原因并进行精确计算，对比探究了极值法测半波电压和调制法测半波电压,并做出分析,深入理解实验,在讨论中谈到了实验的收获并从中吸取的经验教训，并说明实验的收获与感想。
一、实验目的：1.掌握晶体电光调制的原理和实验方法；2.学习一种测量晶体半波电压和电光常数的实验方法;3。
观察电光效应引起的晶体光学性质的变化和会聚偏振光的干涉现象。
二、实验原理:1．晶体的折射率椭球根据光的电磁理论知道，光波是一种电磁波。
在各向异性介质中,光波中的电场强度矢量E与电位移矢量D 的方向是不同的。
对于任意一种晶体,我们总可以找到一个直角坐标系（x,y,z ）,在此坐标系中有i o ri i D E εε=(i = x ，y,z ）。
这样的坐标系（x ，y,z)叫做主轴坐标系。
光波在晶体中的传播性质可以用一个折射率椭球来描述,在晶体的主轴坐标系中，折射率椭球的表达式写为：其中i ri n ε=(i =x ，y ，z ）, 是晶体的主折射率。
对于单轴晶体2222221x y zx y z n n n ++=（如本实验所用的LN 晶体)有n x = n y = n o ， n z = n e ，于是单轴晶体折射率椭球方程为：222221o ex y z n n ++= 由此看出，单轴晶体的折射率椭球是一个旋转对称的椭球。
2．LN 晶体的线性电光效应以上讨论的是没有外界影响时的折射率椭球，也就是晶体的自然双折射。
当晶体处在一个外加电场中时.晶体的折射率会发生变化，改变量的表达式为：22220111()E pE n n n γ∆=-=++其中n 是受外场作用时晶体的折射率，n 0是自然状态下晶体的折射率，E是外加电场强度，γ和p 是与物质有关的常数。
上式右边第一项表示的是线性电光效应,又称为普克尔效应，因此γ叫做线性电光系数;第二项表示的是二次电光效应,又称为克尔效应，因此p 也叫做二次电光系数。
晶体的电光效应
基础物理实验报告一、实验目的1、掌握晶体电光调制的原理和实验方法2、了解电光效应引起的晶体光学性质的变化和观察汇聚偏振光的干涉现象3、学习测量晶体半波电压和电光常数的实验方法二、实验原理电光效应电场施加在晶体上，会使晶体的折射率发生变化，这种现象称之为电光效应。
通常将电场引起的折射率变化由下式表示：式中a和b为与E0无关的常数，n0为E0=0时的折射率。
由一次项aE0引起的折射率变化称为一次电光效应，也称为线性电光效应或Pokells 效应；由二次项aE20引起的折射率变化称为二次电光效应，也称为平方电光效应或Kerr 效应。
一次效应只存在于不具有对称中心的晶体中，二次电光效应则可能存在于任何物质中，通常一次效应比二次效应显著。
晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应。
纵向电光效应是加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播方向平行时产生的电光效应；横向电光效应是加在晶体上的电场方向与光在晶体里的传播方向垂直时产生的电光效应。
观察纵向电光效应最常用的晶体是KDP，而观察横向电光效应则常用铌酸锂（LiNbO3）类型的晶体。
本实验主要研究铌酸锂（LiNbO3）的一次电光效应。
在未加电场前，铌酸锂是单轴晶体。
当线偏振光沿光轴方向通过晶体时，不会产生双折射。
但如在铌酸锂晶体的X轴施加电场，晶体将由单轴晶体变为双轴晶体。
这时沿Z轴传播的偏振光应按特定的晶体感应轴X’和Y’进行分解，因为光沿这两个方向偏振的折射率不同。
类似于双折射中o光和e光的偏振态的讨论，由于沿X’和Y’的偏振分量存在相位差，出射光一般将成为椭圆偏振光。
由晶体光学可以证明，这两个方向的折射率：，电光调制原理当光经过起偏器P后变成振动方向为OP的线偏振光，进入晶体 (z = 0) 后被分解为沿x′和y′轴的两个分量，因为OP与x’轴、y’轴的夹角都是45º，所以位相和振幅都相等。
即AOEOEyx=='')()(，于是入射光的强度为：222*2)()(AOEOEEEIyx=+=⋅∝''当光经过长为l的LN晶体后，x′和y′分量之间就产生位相差ϕ，即：⎪⎩⎪⎨⎧==-ϕiyxAelEAlE)()(''（13）从检偏器A（它只允许OA方向上振动的光通过）出射的光为)('lEx和)('lEy在OA轴上的投影之和()(1)iy oE A eϕ-=-（14）于是对应的输出光强为：2*22()()()[(1)(1)]2sin /22i i o y oy o A I E E e e A ϕϕϕ-∝=--= （15）将输出光强与输入光强比较，再考虑（11）式和（12）式，最后得到：22sin sin ()22o i I V I V πϕπ== （16） i I I /0为透射率，它与外加电压V 之间的关系曲线就是光强调制特性曲线，见图3。