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电力电子技术试题20套及答案.docx
精品文档考试试卷(1)卷一、填空题（本题共8 小题，每空 1 分，共 20 分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在 PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________ ，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步 _________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量 ______相等而 __形状 _____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中，开关速度最快的是 __MOSFET_，单管输出功率最大的是 __GTO_，应用最为广泛的是 __IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用 V1,VD1,V2,VD2 表示 )。
(1)0~t1 时间段内，电流的通路为___VD1_____ ； (2) t1~t2 时间段内，电流的通路为 ___V1____ ；(3)t2~t3 时间段内，电流的通路为__VD2_____ ；(4) t3~t4 时间段内，电流的通路为 __V2_____ ；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____ ；.精品文档二、选择题（本题共10 小题，前 4 题每题 2 分，其余每题 1 分，共 14 分）1、单相桥式PWM 逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B）A、V1 与 V4 导通， V2 与 V3 关断B、 V1 常通， V2 常断， V3 与 V4 交替通断C、V1 与 V4 关断， V2 与 V3 导通D、 V1 常断， V2 常通， V3 与 V4 交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（C）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于 180 度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180 度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2 时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题(二)
电力电子技术 试题（A ）注：卷面85分，平时成绩15分一、 回答下列问题1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。
（8分）选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBTF.电力二极管G.MCT 。
2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×” 。
（6分） （1） 某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V ，反向重复峰值电压700V ，则该晶闸管的额定电压是700V 。
（ ）第 1 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：（2）对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。
（）（3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势”负载，已知60β= ，2100U V=，50E V=,电路处于可逆变状态。
（）3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。
（6分）第 2 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下，回答下列问题。
1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图（要标明反电势极性）。
（5分）3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ，Ω=5R ,当60α= 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流平均值dVT I 。
（5分）第 3 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：u u u 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α= 且负载电流连续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。
（5分）i 0三、H型单极同频模式PWM的功率转换电路如下图（a）所示。
它由四个大功率IGBT和四个续流二极管组成。
电力电子技术试卷及答案(2)
电力电子技术》试题(G)一、填空题 (每空 1 分，34分)1、实现有源逆变的条件为和2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。
3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经而不流经的电流。
为了减小环流，一般采用α β 状态。
4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。
5、给晶闸管阳极加上一定的电压；在门极加上电压，并形成足够的电流，晶闸管才能导通。
6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。
7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z ；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z ；这说明电路的纹波系数比电路要小。
8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。
9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。
10 、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于电流之前，如去掉脉冲，晶闸管又会关断。
、判断题：（每题 2 分,20 分）对√，错×。
1、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量送给用电器。
（）2、给晶闸管加上正向门极电压它就会导通。
（）3、在半控桥整流带大电感负载，不加续流二极管电路中，电路不正常时可能会出现失控现象。
（）4、三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，则 120o。
α的移相范围只有5、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。
（）6、三相半波可控整流电路也要采用双窄脉冲触发。
（）7、KP2—5表示的是额定电压 200V，额定电流 500A 的普通型晶闸管。
（）8、在单结晶体管触发电路中，稳压管削波的作用是为了扩大脉冲移相范围。
（）9、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定工作电压应取电源相电压U2。
（）10、在三相桥式全控整流电路中，采用双窄脉冲触发晶闸管元件时，电源相序还要满足触发电路相序要求时才能正常工作。
(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子复习姓名：***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术试题20套及答案
1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
！(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题02昆明理工大学电力电子试卷
电力电子技术2011年7月23日星期六一、填空题1.造成晶闸管在工作时发热的原因是_______，决定发热的因素是流过该管的电流_______。
2.门极可关断晶闸管(GTO)，在导通后处于________状态。
为使它关断，所需加的反向门极电流要达到阳极电流的________。
3.在实际应用中，双向晶闸管常采用________和________两种触发方式。
4.单相全控桥整流电路，其输出电压的脉动频率是________，三相零式可控整流电路，其输出电压的脉动频率为________。
5.在单相半控桥整流电路中，两个晶闸管在加________时换流，而两个硅整流二极管在________时自然换流。
6.为了得到十二相电源，在三相变压器的副边绕组中，一组接成_______，另一组接成________。
7.常用的直流可逆拖动系统的工作方式有________和________。
8.变压器漏感L B的存在，使得可控整流输出的直流平均电压________，对有源逆变电路，它将使逆变输出电压________。
9.起重提升机在放下重物时的速度必须能够控制。
改变________的大小就可以改变重物下降的速度，当________时，重物下降速度减小。
10.在无源逆变器中，为使晶闸管可靠关断，常采用________和________两种。
11．晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的有螺栓式与。
12．晶闸管象二极管一样，具有可控特性。
13．为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的________电压。
14．选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大________倍，使其有一定的电压裕量。
15．选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以＿＿＿＿＿＿＿。
16．在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是________极。
17．单相半波可控整流电路，当电感性负载接续流二极管时，控制角的移相范围为________。
电力电子技术练习题库及参考答案
电力电子技术练习题库及参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.斩波电路中斩波开关不能用晶闸管来实现。
（×）A、正确B、错误正确答案：B2.GTO制成逆导型，能够承受反向电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B5.提高电力电子装置的工作频率，可以使电力电子装置的体积和重量减小。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.电力电子电路只能实现电能的变换，而不能实现电能的控制。
（）A、正确B、错误正确答案：B7.为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.直流变换电路多用于牵引调速。
（）A、正确B、错误正确答案：A9.变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。
（）A、正确B、错误正确答案：A10.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A12.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B13.当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流晶闸管都不会导通。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.降压斩波电路滤波电容C的容量足够大，则输出的电压Uo为常数。
（）A、正确B、错误正确答案：A15.有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
（）A、正确B、错误正确答案：A17.GTO的缺点是电流关断增益很小。
（）A、正确B、错误正确答案：A18.β反映基极电流对集电极电流的控制力。
（）A、正确B、错误正确答案：A19.降压斩波电路运行情况只有一种：电感电流连续模式。
电力电子技术试题(卷)20套与答案解析
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1)0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
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电力电子技术 试题（A ）注：卷面85分，平时成绩15分一、 回答下列问题1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。
（8分）选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBTF.电力二极管G.MCT 。
2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×” 。
（6分） （1） 某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V ，反向重复峰值电压700V ，则该晶闸管的额定电压是700V 。
（ ）第 1 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：（2）对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。
（）（3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势”负载，已知60β=，2100U V=，50E V=,电路处于可逆变状态。
（）3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。
（6分）第 2 页 （共 8 页）试 题： 电力电子技术 班号： 姓名：二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下，回答下列问题。
1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图（要标明反电势极性）。
（5分）u uu 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α=且负载电流连续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。
（5分）i VT103、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ，Ω=5R ,当60α=时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。
（5分）第 3 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：三、H 型单极同频模式PWM 的功率转换电路如下图（a ）所示。
它由四个大功率IGBT 和四个续流二极管组成。
当控制指令0i u >时，1V 和2V 工作在交替开关状态，3V 截止关断 ，4V 饱和导通。
设该电路工作在轻载情况下（a M U E ≈），1V 、2V 、3V 和4V 的栅极激励电压如图（b ）所示。
1、试画出电机电枢电压a u 和电枢电流a i 波形图（可直接画在图(b) 上）。
（7分）2、分析一个PWM 周期内直流电机的工作状态，并画出相应的等效电路图，标明电流方向。
图中，a L 为电机绕组电感，a R 为电枢电阻，M E 为直流电机反电势。
（8分）本题得分图（a ）第 4 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：第 5 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：四、由两只反并联晶闸管组成的交流调压电路如下图（a ）所示，负载为阻感性负载（阻抗角为φ），当输入信号u 1为图(b)所示信号时，在图(d)和(e)中画出交流调压电路中0u 和0i 的波形图。
（10分）图（a ）本题得分第 6 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：五、回答下列问题1、换流方式有哪几种？各有什么特点？（3分）2、无源逆变电路和有源逆变电路有何不同？（3分）图（b ）图（c-1）图（d ）图（e ）φ 图（c-2）3、逆变电路多重化的目的是什么？如何实现？串联多重和并联多重逆变电路各用于什么场合？（4分）六、解答下列问题1、什么是异步调制?什么是同步调制？二者各有何特点？（5分）2、什么是SPWM 的自然采样法和规则采样法？设正弦调制信号波为t a u r r ωsin =，10≤≤a ，r ω为正弦信号波角频率。
根据下图利用规则采样法求出脉冲宽度δ和脉冲两边的间隙宽度δ＇。
图中c T 为采样周期，三角载波c u 幅值为1。
（10分）第 7 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：本题得分（注：卷面80分，平时成绩20分）1、电力电子学是由、和交叉而形成的边缘学科。
2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类；1) 的电力电子器件被称为半控型器件，这类器件主要是指及其大部分派生器件。
2) 的电力电子器件被称为全控型器件，这类器件品种很多，目前常用的有和。
3) 的电力电子器件被称为不可控器件，如。
3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义，在空格处填写该参数的名称。
4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，在中小功率领域应用最为广泛的是___________。
5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节，一般采用光隔离，例如；或磁隔离，例如。
6、缓冲电路又称为吸收电路，缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
其中缓冲电路又称为du／dt抑制电路，用于吸收器件的过电压。
缓冲电路又称为di／dt抑制电路，用于抑制器件时的电流过冲和di／dt，减小器件的损耗。
7、单相半波可控整流电路、单相桥式全控整流电路、三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路，当负载分别为电阻负载和电感负载时，晶闸管的控制角移相范围分别是多少（用角度表示，如0°～180°）？8、在单相全控桥式电阻-反电动势负载电路中，当控制角α大于停止导电角δ时，晶闸管的导通角θ=_____________。
当控制角α小于停止导电角δ时，且采用宽脉冲触发，则晶闸管的导通角θ=_____________。
9、由于器件关断过程比开通过程复杂得多，因此研究换流方式主要是研究器件的关断方法。
换流方式可分以下四种：，，，。
10、正弦脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，改变_可改变逆变器输出电压幅值；改变 _ _可改变逆变器输出电压频率；改变_ _可改变开关管的工作频率。
11、在SPWM控制电路中，根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制可分为与_______ _两种类型，采用_______ _调制可以综合二者的优点。
二、选择题（5 小题，每空0.5分，共3分）1、晶闸管稳定导通的条件（）A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压700V，则该晶闸管的额定电压是（）A 500VB 600VC 700VD1200V3、（）存在二次击穿问题。
A. SCRB. GTOC. GTRD. P.MOSFETE. IGBT4、下图所示的是（）的理想驱动信号波形。
A. SCRB. GTOC. GTRD. P.MOSFETE. IGBT5、IGBT综合了（）和（）的优点，因而具有良好的特性。
A. SCRB. GTOC. GTRD. P.MOSFETF. 电力二极管三、计算题（4 小题，共20分）本题得分1、单相桥式全控整流电路，U2=200V，负载中R=2Ω，L值极大，反电势E=120V。
已知控制角的变化范围是：0°~30°,考虑安全裕量(按1.5倍计算)，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
（4分）2、单相全控桥式变流电路工作在有源逆变状态下，已知U2=200V，电动机反电势E=120V，负载中R=2Ω，L极大。
回答下列问题。
(6分)（1）画出变流电路的电路图，并在图中标出在有源逆变初期电动机反电势的极性和变流电路输出直流电压的极性。
（2）逆变角β应限制在什么范围内？画出β＝60°时的d u 和d i 的波形。
3、三相桥式全控整流电路，U 2=100V ，带阻感负载，R=5Ω，L 值极大，当 α =60°时，回答下列问题。
（4分）（注：后面有提示）（1）变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波？其中主要的是哪几次？（2）求电路的输入功率因数。
（提示：有关电流波形及其傅立叶级数）4、降压斩波电路中，已知电源电压E=16V，要求输出负载电压平均值Uo=12V，回答下列问题：(6分)（1）画出用IGBT构成的降压斩波器的主电路原理图，并推导出理想情况下输入、输出电压的关系表达式。
2）若采用脉冲宽度调制方式，设斩波周期T=1ms，求开通时间T on？3）若采用脉冲频率调制方式，设开通时间T on=1ms，求斩波周期T？四、作图题（4 小题，共28分）本题得分1、对于三相全控桥式整流电路，阻感负载，L极大，回答下列问题：（6分）1）画出该电路带阻感负载时的电路图。
2）当α=π/3时，在下图中画出整流输出电压u d一个周期的波形（用阴影线表示），并在波头上方标出其余5个线电压的名称；若整流电路采用双窄脉冲触发，在图中波形上方的对应位置画出触发脉冲，并标明所对应的器件号。
2、由IGBT构成的桥式可逆斩波电路，负载为直流电动机。
电源电压E=200V, 电机为正向电动状态，反电势EM＝100V，电机电枢电阻R=5Ω,电枢电流平直连续，平均值为2A，IGBT的开关频率为10KHz。
完成下题：（9分）1）画出该桥式可逆斩波电路的电路图。
2）采用单极同频控制方式时，计算此时的控制占空比，器件的开关周期，及每个开关周期内导通的时间。
3）根据前面计算得出的控制时间画出V1～V4驱动信号的波形，负载上电压和电流的波形；3、下图所示为一个三相桥式电压型逆变电路。
当该电路采用输出为方波的180°导电方式时，试画出V1－V6上驱动电压的波形及 U UN＇、 U VN＇和U WN＇的波形。
（6分）4、图1所示的单相全桥逆变电路工作于双极性PWM模式。
设载波比N=9要求：(7分)1）在图2中画出1个调制信号波周期内的开关控制信号波形和输出电压u O的波形。
2）分析为什么载波比N选择为奇数而不是偶数。
图1图2五、简答题（共 2 小题，共7分） 1、交交变频电路的最高输出频率是多少？制约输出频率提高的因素是什么？2、交流调压电路和交流调功电路有什么区别？二者各适用于什么样的负载？本题得分（注：卷面80分，平时成绩20分）一、填空题（4小题，每空1分，共 4 分）1.晶闸管单相桥式整流电路，交流电源为工频220V （有效值），考虑2倍的安全裕量，则晶闸管的额定电压应不小于 V 。
2.设GTO 的电流关断增益为5, 如果该器件要关断直流500A 的电流，关断时门极负脉冲电流的峰值应不小于 A 。
3.IGBT 的开启电压一般为 V 。
4.驱动电路要实现控制电路与主电路之间的电气隔离，其中光隔离一般通常采用的元件是 。
二、选择题（3 小题，每空1分，共6分）1.在电力电子器件中属于电压驱动的是 , 属于双极型的是 , 在可控的器件中，容量最大的是 ,A. SCRB. GTOC. GTRD. P.MOSFETE. IGBTF. 电力二极管 2.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为 。