模块七 磁敏传感器及其应用

② 输入电阻Rin和输出电阻Rout。霍尔元件两个控制电 流极之间的电阻称为输入电阻，用Rin表示，两个输出 极之间的电阻称为输出电阻，用Rout表示，单位为Ω。 霍尔元件的输入电阻与输出电阻一般为几欧姆到几百 欧姆，通常输入电阻的阻值大于输出电阻，但相差不 多。
③ 不等位电势U0和不等位电阻R0。霍尔元件在额定控 制电流作用下，在无外加磁场时（B=0），霍尔电极间 的霍尔电势理想值应为零，但实际不为零，这时测得 的空载霍尔电势称为不等位电势，用U0表示。 产生不等位电势的原因很多，主要是由于两个电极没 有装配在同一等位面上所致，也与材料的电阻率不均 匀、基片的宽度和厚度不一致及电极与基片之间接触 的位置不对称或电接触不良有关。 不等位电势U0与额定控制电流Ic之比称为霍尔元件的不 等位电阻，一般用符号R0表示。实际应用中U0和R0越 小越好。
图7-12 控制电路结构框图
任务设计 ：
自动供水控制电路如图7-13所示。开关型霍尔传感器 CS3020为磁检测装置，555时基电路构成单稳延时电路， 为了得到单稳触发所需的低电平，由VT构成反相器； 开关控制电路是固态继电器；执行机构是不锈钢电磁 阀。 220V的交流电压经降压、整流、滤波，最后由稳压器 W7809输出9V直流电压作为控制电路直流电源向电路 供电。
阶段小结
本课题主要介绍了霍尔效应、霍尔传感器（包括霍尔元 件、集成霍尔传感器）及霍尔元件的主要特性参数，和 一个使用霍尔传感器的自动供水控制电路。 通过磁电效应，磁感应强度的变化可转变为电信号。磁 敏传感器就是把磁学物理量转换成电信号的传感器。 由于磁场对运动电荷具有洛伦兹力作用，通以电流的半 导体受到磁场作用会产生电势UH，此即霍尔效应现象。 霍尔电势UH=KHIBcosθ，其中KH 为霍尔常数，其大小与霍 尔片的材料和尺寸有关，θ 为磁场方向与霍尔片法向夹 角。以此为基础制造有霍尔元件和霍尔集成电路两种类 型的霍尔传感器。
自动供水控制电路
CS3020是三端器件，当磁铁S极距离CS3020较近时， 敏感区检测到磁感应强度较大，由磁电转换特性曲线 知其输出端输出低电平即“开”；当S极和CS3020间 的空气间隙有铁金属物质（取水牌）通过时，在通过 一瞬间，原来穿过传感器敏感区的磁感应线被铁物质 旁路，磁感应线回路不经过磁敏感区，导致传感器检 测到的磁感应强度很小，从而输出高电平即“关”； 铁物质通过后，传感器再次检测到强的磁感应强度而 输出低电平。可见，取水牌通过传感器一瞬间，传感 器输出高电平，其他时间传感器输出的都是低电平。 将传感器输出信号送入反相器，则仅取水牌投入到投 牌口后，才会产生一个短暂的低电平信号（单次负脉 冲）。
由图可知，当 其⑤、⑥脚间接 不同阻值的电阻 时，同一磁场强 度下，阻值越大， 输出越低，但线 性度越好。 UGN—3501K的 输出电压与磁感 应强度的关系曲 线与UGN—3501LI 在R5-6=0Ω时的关 系曲线相同。
图7-10 UGN—3501LI输出电压与磁感应强度的关系
差分输出电压 极性与磁场方向 有关。
通过以上分析，可以看出： ① 霍尔电压UH的大小与材料的性质有关。一般来说， 金属材料n较大，导致RH和KH变小，故不宜做霍尔元 件。霍尔元件一般采用N型半导体材料。 ② 霍尔电压UH与元件的尺寸有关。元件的厚度H越小， KH越大，UH也越大，所以霍尔元件的厚度都比较薄， 但太小，会使元件的输入、输出电阻增大，故也不宜 太薄。 ③ 当元件的材料和尺寸确定后，RH和KH保持常数，霍 尔电压UH仅和IB的乘积成正比。利用这一特性，在恒 定电流下，可用来测量磁感应强度B；反之，在恒定 的磁场下，也可以用来测量电流I。 当KH和B恒定时，I越大，UH越大，但电流不宜过大， 否则会烧坏霍尔元件。
④ 灵敏度。灵敏度包括霍尔灵敏度KH和磁灵敏度SB。 霍尔灵敏度KH又称乘积灵敏度，也可用SH表示，它是 指霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度作用下 输出极开路时的霍尔电压，单位为V/（T· A）（磁感应 强度有两个单位，国际单位是特斯拉，符号为T，另 一个单位是高斯，符号为Gs，1T=104Gs）。 磁灵敏度SB是指霍尔元件在额定控制电流和单位磁感 应强度作用下，输出极开路时的霍尔电压，单位为 V/T。 磁灵敏度与霍尔灵敏度的区别在于前者是反映在规定 控制电流下，霍尔元件对磁感应强度的检测能力，它 仅与磁感应强度有关，而后者是霍尔元件本身所具有 的磁电转换能力的参量，一般来说SB>SH。
② 双端输出型。典型的双端输出型集成霍尔传感器主 要由稳压电路、霍尔信号发生器、差分放大器及差分 射极跟随器输出级等组成。
图7-9 双端输出型集成霍尔传感器原理图 UGN—3501K的引脚②、③为差动输出端，①脚接地，④脚为VCC；UGN—3501LI引 脚定义有所不同，①、⑧两脚为差动输出，②脚为内部电源输出，③脚为VCC，④ 脚接地，⑤、⑥、⑦三脚之间外接一电位器，主要用于对不等位电势进行补偿，还 可以改善线性，但灵敏度有所降低。
② 霍尔元件的结构。
霍尔元件的结构
2．集成霍尔传感器 集成霍尔传感器是利用霍尔效应与集成电路技术，将 霍尔元件、放大器、温度补偿电路、稳压电源及输出 电路等做在一个芯片上而制成的一个简化的和比较完 善的磁敏传感器，由于其外形与集成电路相同，故也 称为霍尔集成电路。按其输出信号的形式可分为开关 型和线性型两种。
霍尔效应的原理图
洛伦兹力fL使电子横向偏移运动，而霍尔电场建立之 后又对电子施加电场力fE，电场力的方向与洛伦兹力 相反，阻止电荷的积累，最终达到动态平衡，这时 fL=fE。
霍尔电压：
RH IB UH IB KH IB neH H
（7-5）
式中，记RH=1/(ne)，其大小取决 Nhomakorabea导体载流子密度， 它反映元件霍尔效应的强弱，称为霍尔系数； KH=RH/H，与霍尔系数成正比，与霍尔元件厚度成反 比，称为霍尔灵敏度。 霍尔效应的原理图
CS3020 内部结构框图
555是广泛应用的定时器，器件功能见表7-5。将脚6、 脚7连接到RC充电电路的电容一端，构成单稳触发电路， 其稳定状态是脚3输出低电平，不稳定状态是脚3输出 高电平，高电平持续时间即延时时间由RC充电电路决 定；触发条件是在脚2上输入单次负脉冲信号，所需脉 冲信号正好是取水牌投入后产生的。
一、磁敏传感器概述
在传感器中，有一类是对磁信号变化敏感的，称 为磁敏传感器。这类传感器主要包括霍尔传感器、 磁阻传感器、磁敏二极管、磁敏三极管、磁敏集 成电路及接近开关等。它们都是利用材料内部的 载流子在磁场作用下改变运动方向这一特性制成 的一种磁传感器。另外，还有利用电磁感应原理 制作的磁电感应传感器。 磁敏传感器的应用分为两大类，即直接应用和间 接应用。直接应用主要是磁量测量，包括测量磁 场强度的各种磁场计；间接应用主要是以磁场为 媒介检测非磁电量和非磁非电量，如电流、功率、 频率、相位等和厚度、位移、振动、转速、流量、 压力等。
内部结构框图
② 开关型集成霍尔传感器的工作特性。图7-6（a）所 示为单极开关型集成霍尔传感器的特性曲线，从中可 以看出，其工作有一定的磁滞BH，使开关动作更可靠。
图7-6 开关型集成霍尔传感器的工作特性
（2）线性型集成霍尔传感器
线性集成霍尔传感器的输出为模拟电压信号，并且与外 加磁场呈线性关系。从输出形式来看，线性集成霍尔传 感器可分为单端输出型和双端输出（差分输出）型两种 电路。 ① 单端输出型。典型的单端输出型线性霍尔传感器由 稳压电路、霍尔电压发生器、线性放大器和射极跟随器 等组成，其简化结构框图如图7-7所示。
① 开关型集成霍尔传感器的内部结构。图7-5所示为 一种单极开关型集成霍尔传感器的结构框图，它主 要由稳压电路、霍尔电压发生器（霍尔元件）、差 分放大器、施密特触发器（整形电路）及集电极开 路的输出级五部分组成。
当有磁场作用在霍尔开关集成传感器上时，霍尔电压 发生器将磁信号转变成电压信号输出，该电压经差分 放大器放大后，送至施密特整形电路，当放大后的霍 尔电压大于“开启”阈值时，施密特整形电路翻转， 输出高电平，使三极管VT导通，具有灌电流（吸收负 载电流）的能力，整个电路处于“开”状态。当磁场 减弱时，霍尔元件输出的电压很小，经放大器放大后， 其值仍小于施密特整形电路的“关闭”阈值，施密特 整形电路再次翻转，输出低电平，使三极管VT截止， 电路处于“关”状态。这样，一次磁感应强度的变化 就使传感器完成了一次开关动作。
二、霍尔传感器
霍尔传感器包括分立的霍尔元件和集成的集成霍尔传 感器。 1．霍尔元件 （1）霍尔元件的工作原理 霍尔元件是利用霍尔效应制成的磁敏元件，图7-1所示 为霍尔效应的原理图。在一片半导体薄片两端面通以 控制电流I，并在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为 B的磁场，那么，在垂直于电流和磁场的方向上半导 体薄片两端将产生电势UH（称为霍尔电势或霍尔电 压），这种现象称为霍尔效应。 霍尔效应的产生是由于运动电荷在磁场中受到洛伦兹 力作用的结果。
模块七 磁敏传感器及其应用
课题一 霍尔元件的工作原理
任务：自动供水装置电路的设计 任务目标 ★ 熟悉霍尔效应的原理和霍尔电压的影响因素； ★ 了解霍尔元件的主要技术参数、材料及结构； ★ 掌握霍尔集成电路的功能特点，了解典型霍尔 集成电路的参数； ★ 选用霍尔集成电路设计一个投放铁制取水牌自 动供水的控制电路。
（2）霍尔元件的主要技术参数 ① 额定控制电流Ic及最大允许控制电流Icm。在磁感 应强度B=0时，霍尔元件在空气中产生10℃温升时 所对应的控制电流，称为额定控制电流，一般用Ic 表示。Ic的大小与霍尔芯片的尺寸有关，尺寸越小， Ic越小，一般为几毫安到几十毫安。由于霍尔元件 的输出电势随控制电流的增大而增大，所以在实际 使用中总希望选用较大的控制电流值。 最大允许控制电流是以霍尔元件允许的最高温升值 为限制所对应的控制电流，一般用Icm表示。改善霍 尔元件的散热条件，可以增大最大允许控制电流Icm 的值。
（3）霍尔元件的材料及结构 ① 霍尔元件的材料。霍尔元件的输出与灵敏度有关， KH越大，UH越大。而霍尔灵敏度又取决于元件的材料 性质和尺寸，可以证明霍尔系数等于霍尔元件材料的 电阻率ρ与电子迁移率μ 的乘积（RH= ρμ ）。只有半导 体材料，它既有很高的载流子迁移率，又具有电阻率 较大的特点，可以获得很大的霍尔系数，适合用于制 造霍尔元件。