晶体材料加工与芯片制备技术
晶圆生产过程
晶圆生产过程晶圆生产是芯片制造的重要环节之一，是将硅基材料加工成在其表面加工电子元器件的基底。
晶圆生产包含多个工序，需要严格的工艺控制和质量检测。
晶圆生产包含以下主要的工艺流程：1.单晶生长：在高温高压的条件下，将液态硅材料逐渐冷却凝固成晶体，形成单晶硅。
2.切片：将单晶硅分为薄片，通过这种方法可以减小不同硅单晶处于同一晶圆上时的晶格不同所导致的影响。
3.清洗：将硅片表面的杂质和有机物去除。
4.研磨抛光：通过研磨与抛光技术，将硅片表面打造得极为精细，用于后续的工艺步骤。
5.漏斗除尘：将晶圆表面的灰尘、颗粒物去除，以保证晶圆表面无尘。
6.光刻：将芯片的电路图案通过光刻印刷在晶圆表面。
7.蚀刻：使用化学物质去除掉制定电路以外区域的硅片。
8.离子注入：通过离子的注入，修改硅片的电学性质，使其能发挥出更好的性能。
9.金属蒸镀：在晶圆表面蒸镀上金属材料，形成电路结构。
10.焊接：将芯片与封装材料焊接在一起。
二、晶圆生产中的主要材料1.硅片：晶圆生产的主要材料是硅片，它是硅基半导体器件的基底。
2.化学品：晶圆制造过程中常用的化学品包括蚀刻液、清洗液、研磨抛光液等，这些化学品都要求高纯度。
3.金属材料：晶圆制造中需要金属材料，如铝、铜等。
这些金属材料需要具有良好的导电性能、耐腐蚀性、机械强度等特点。
三、晶圆制造中的工艺控制晶圆生产是一个高精度的工艺过程，各个环节都需要精细的控制。
以下是几个重要的工艺控制：1.纯度控制：晶圆制造需要使用高纯度的原材料和化学品，以保证芯片性能达到最优。
2.厚度控制：晶圆表面形成的沉积层的厚度需要精准控制，误差会对芯片的性能造成影响。
3.温度控制：晶圆生产要求在高温高压的条件下进行，需要严格控制温度以保证单晶材料不受破坏。
4.精密控制：晶圆生产需要精密的工艺控制，在其表面形成的结构需要精确到数十纳米。
四、晶圆生产中的自动化技术随着科技的不断发展，晶圆生产中的自动化技术也在不断升级。
制造芯片的硅晶体的原理和过程方法
硅半导体晶体管。大约1953 年晶体管才开始用于计算机。 1958 年在美国得克萨斯仪器 公司工作的美国人杰克吉尔 比提出将两个晶体管放在一 片芯片上的设想，从而发明 了第一个集成电路。随着技 术进步，集成电路规模越来 越大，功能越来越强。 现在的计算机要靠硅芯片。 硅芯片所记录的信息是被描述上去的。硅芯片愈小，精确 地记录信息就愈难。但是，晶体芯片能够以容纳电荷的形 式容纳信息，并且能够更加有效地编排信息。 基克斯说，利用这种分子技术所生产的芯片体积小得
抗蚀剂）。将掩模放在圆片的上方，使紫外线照射在圆片上， 使没有掩模保护的光刻胶变硬。用酸腐蚀掉没有曝光部分的 光刻胶及其下面的二氧化硅薄层，裸露的硅区部分再做进一 步处理。 用离子植入法将掺杂物掺入硅中构成元件的n 型和 p型部分，在硅片上形成元件。
此时硅片上部是铝连接层，两层连接层之间被二氧化硅绝缘 层隔开。铝连接层由蒸发工艺生成， 有掩模确定它的走线。 当整个制造过程完成以后，使用电探针对每一个芯片进行检 验。将不合格的产品淘汰， 其它产品进行封装后在不同温度 及环境条件下的检验，最终成为出厂的芯片。
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利用硅藻研制的 三维计算机...
大脑细胞和 计算机芯片融合
年来 球电 年来， 球电 业 硅 实际 ， 昂贵。 昂贵。 决这 代 来 。 近， 近，科学家 经 功 电 大规 大规 其基 : 硅 产 真 可 果能够 果能够 硅 ，硅 硅 ， 导 问题， 问题，科学家们 电 。 概念
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硅晶体的提纯
正是由于低纯度的硅对芯片的功能和成品率有如此重 大的影响，所以工业生产就要求高纯硅，以满足器件质量 高纯硅， 高纯硅 的需求。在半导体材料的提纯工艺流程中，一般说来，化 化 学提纯在先， 物理提纯在后。原因是：一方面化学提纯 学提纯在先， 物理提纯在后 可以从低纯度的原料开始，而物理提纯必须使用具有较高 纯度的原料；另一方面是化学提纯难免引入化学试剂的污 染，而物理提纯则没有这些污染。 工业硅，一般指95%~ 99%纯度的硅 ，又称粗硅，或 称结晶硅。这种硅是石英砂在电炉中用碳还原方法冶炼而 成的，其反应式为：
集成电路制造的五个步骤
集成电路制造的五个步骤一、晶圆制备晶圆制备是集成电路制造的第一步，也是最基础的一步。
晶圆是以硅或其他半导体材料为基底的圆片，其表面经过一系列的加工和处理后，成为集成电路的基础。
晶圆制备包括以下几个步骤：1. 材料选择：选择合适的半导体材料，如硅、砷化镓等，并进行纯化处理，以确保材料的纯度达到要求。
2. 晶体生长：将纯化后的材料以一定的温度和压力条件下，通过化学气相沉积或其他方法生长成大尺寸的晶体。
3. 切割晶圆：将生长好的晶体切割成薄片，即晶圆，并对其进行抛光，以达到一定的表面光洁度。
4. 清洗处理：对切割好的晶圆进行酸洗、去胶等处理，以去除表面的杂质和污染物。
二、光罩制作光罩制作是指根据集成电路设计图纸制作光罩，光罩是将电路图案投射到晶圆上的工具。
光罩制作包括以下几个步骤：1. 设计电路图：根据集成电路的功能需求，设计电路图，包括电路结构、电路元件等。
2. 布图：将设计好的电路图进行布图，确定电路中各个元件的位置和连线方式。
3. 制作掩膜：根据布图结果，将电路图案绘制到光罩上，形成掩膜。
4. 检验和修复：对制作好的光罩进行检验，确保电路图案的准确性和完整性；如有问题，需要进行修复。
三、曝光和刻蚀曝光和刻蚀是将光罩上的电路图案投射到晶圆上的关键步骤，也是制造集成电路中最核心的步骤之一。
曝光和刻蚀包括以下几个步骤：1. 涂覆光刻胶：将晶圆表面涂覆一层光刻胶，以形成感光层。
2. 曝光：将光罩上的电路图案通过曝光机投射到涂覆有光刻胶的晶圆上，形成图案的暴露区域。
3. 显影：将曝光后的晶圆放入显影液中，使光刻胶在暴露区域溶解，形成图案。
4. 刻蚀：将显影后的晶圆放入刻蚀机中，去除暴露区域的材料，形成电路图案。
四、沉积和蚀刻沉积和蚀刻是集成电路制造中的关键步骤之一，用于在晶圆上沉积或去除特定材料，以形成电路的结构和连接。
沉积和蚀刻包括以下几个步骤：1. 沉积：通过化学气相沉积或物理气相沉积等方法，在晶圆表面沉积一层薄膜，如金属、氧化物等。
sic半导体芯片工艺流程
sic半导体芯片工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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半导体制造工艺流程简介
半导体制造工艺流程简介导言：一、晶圆加工晶圆加工是制造集成电路的第一步。
它包括以下过程：1.晶圆生长：通过化学气相沉积或金属有机化学气相沉积等方法，在硅片基底上生长单晶硅。
这个过程需要非常高的温度和压力。
2.剥离：将生长的单晶硅从基底上剥离下来，并校正其表面的缺陷。
3.磨削和抛光：使用机械研磨和化学力学抛光等方法，使晶圆的表面非常光滑。
二、晶圆清洗晶圆清洗是为了去除晶圆表面的杂质和污染物，以保证后续工艺的顺利进行。
清洗过程包括以下步骤：1.热酸洗：利用强酸（如硝酸和氢氟酸）将晶圆浸泡，以去除表面的金属杂质。
2.高温氧化：在高温下将晶圆暴露在氧气中，通过热氧化去除有机杂质和表面缺陷。
3.金属清洗：使用氢氟酸和硝酸等强酸，去除金属杂质和有机污染物。
4.DI水清洗：用去离子水清洗晶圆，以去除化学清洗剂的残留。
三、晶圆制备晶圆制备是将晶圆上的材料和元件结构形成的过程。
它包括以下过程：1.掩膜制作：将光敏材料涂覆在晶圆表面，通过光刻技术进行曝光和显影，形成图案化的光刻胶掩膜。
2.沉积：通过物理气相沉积或化学气相沉积等方法，在晶圆上沉积材料层，如金属、氧化物、硅等。
3.腐蚀：采用湿法或干法腐蚀等技术，去除晶圆上不需要的材料，形成所需的结构。
4.清洗：再次进行一系列清洗步骤，以去除腐蚀产物和掩膜残留物，保证材料层的质量。
四、材料获取材料获取是指在晶圆上制造晶体管、电阻器、电容器等器件结构的过程。
它包括以下步骤：1.掺杂：通过离子注入或扩散等方法，在晶圆上引入有选择性的杂质，以改变材料的导电性或断电性能。
2.退火：通过高温热处理，消除杂质引入过程中的晶格缺陷，并使掺杂的材料达到稳定状态。
3.金属-绝缘体-金属（MIM）沉积：在晶圆上沉积金属、绝缘体和金属三层结构，用于制造电容器。
4.金属-绝缘体（MIS）沉积：在晶圆上沉积金属和绝缘体两层结构，用于制造晶体管的栅极。
五、封装和测试封装是将晶圆上制造的芯片放在封装底座上，并封装成可插入其他设备的集成电路。
集成电路制造工艺流程
集成电路制造工艺流程概述集成电路（Integrated Circuit, IC）是由几千个甚至是数十亿个离散电子元件，如晶体管、电容、电阻等构成的电路，在特定的芯片上进行集成制造。
IC制造工艺流程主要包括晶圆制备、晶圆加工、芯片制造、封装测试等几个环节，是一个非常严谨、复杂的过程。
晶圆制备晶圆制备是IC制造的第一步。
晶圆是用硅单晶或其他半导体材料制成的薄片，作为IC芯片的基础材料。
以下是晶圆制备的流程：1.单晶生长：使用气态物质的沉积和结晶方法，使单晶硅的原料在加热、冷却的过程中逐渐成为一整块的单晶硅材料。
2.切片：将生长好的单晶硅棒利用切割机械进行切片，制成形状规整的圆片，称为晶圆。
3.抛光：将晶圆表面进行机械研磨和高温氧化处理，使表面达到极高的光滑度。
4.清洗：用去离子水等高纯度溶剂进行清洗，清除晶圆表面的污染物，确保晶圆的纯度和光洁度。
晶圆加工晶圆加工是IC制造的关键环节之一，也是最为复杂的过程。
在晶圆加工过程中，需要通过一系列的步骤将原始的晶圆加工为完成的IC芯片。
以下为晶圆加工的流程：1.光刻：通过光刻机将芯片图案转移到光刻胶上，然后使用酸洗、去除光刻胶，暴露出芯片的表面。
2.蚀刻：利用化学蚀刻技术，在IC芯片表面形成电路图案。
3.离子注入：向芯片进行掺杂，改变材料的电学性质。
4.热处理：对芯片进行高温、低温处理，使其达到设计要求的电学性能。
5.金属沉积：在芯片表面沉积一层金属，用于连接芯片各个元件。
芯片制造芯片制造是最为核心的IC制造环节，主要将晶圆加工后的芯片进行裁剪、测试、绑定等操作，使其具备实际的电学性能。
以下是IC芯片制造的流程：1.芯片测试：对芯片的性能进行测试，找出不合格的芯片并予以淘汰。
2.芯片切割：将晶圆上的芯片根据需求进行切割。
3.接线：在芯片表面安装金线，用于连接各个器件。
4.包装：将芯片放入封装盒中，并与引线焊接，形成成品IC芯片。
封装测试封装测试是IC制造的最后一步。
硅做芯片的原理
硅做芯片的原理
硅做芯片的原理是基于硅材料的半导体特性和微电子工艺技术。
硅是一种半导体材料，具有导电性能，但其导电性能比金属差很多。
通过控制硅材料的掺杂和加工工艺，可以在硅片上制造出各种微小的电子器件，如晶体管、电容、电阻等。
硅做芯片的过程主要包括晶圆制备、光刻、蚀刻、沉积、离子注入等步骤。
在晶圆制备阶段，通过高温、高压等工艺将硅材料晶化成晶圆，然后进行掺杂和化学处理，使其具有特定的电学性质。
在光刻和蚀刻阶段，利用光学技术将芯片上的图形和电路图案形成，并利用蚀刻技术将多余的硅材料去除。
在沉积阶段，通过化学反应等方法在芯片表面上沉积特定的材料，用于制造电容、电阻等器件。
在离子注入阶段，通过注入特定的离子，改变芯片的电学性质，从而制造出晶体管等器件。
硅做芯片的原理涉及到多个学科，如物理学、化学、材料科学和微电子工艺学等。
随着技术的不断发展，微电子器件的尺寸越来越小，制造工艺也越来越复杂，对材料和工艺的要求也越来越高。
因此，硅做芯片的原理和技术一直是微电子领域的研究热点。
- 1 -。
半导体物理器件与工艺
半导体物理器件与工艺
半导体物理器件是指半导体材料制成的各种电子器件，如二极管、晶体管、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、集成电路等。
半导体物理器件的工艺是指制造这些器件所需要的各种工艺流程和技术。
半导体物理器件制造的工艺一般包括以下几个主要步骤：
1. 半导体材料的制备：制备各种半导体材料，如硅(Si)、砷化镓(GaAs)等，通过材料的选择和加工使其具备特定的电性能。
2. 晶体生长：将高纯度的半导体材料溶解在溶液中，通过控制温度和其它参数，使溶液中的半导体逐渐结晶，生长成大块的单晶体。
3. 材料的纯化和掺杂：通过化学和物理的方法，对半导体材料进行纯化，去除杂质和不纯物质，并注入适量的杂质原子，以改变材料的电性能。
4. 芯片加工：将单晶材料切割成适当的形状和尺寸，并对其进行表面处理和多次层刻蚀，形成器件的结构和特征。
5. 金属电极的沉积和连接：在器件表面沉积一层薄金属，用于连接电路和提供电流和电压，通过蒸镀或者化学气相沉积的方法进行。
6. 寄生元件的制备：在器件的制造过程中，可能会在器件结构
中引入一些与电路功能无关的电阻、电容等寄生元件，需要进行相应的工艺处理。
7. 打薄和封装：通过薄化原件和封装，保护器件表面，防止氧化和损坏，并为器件提供连接和安装的接口。
通过以上的工艺步骤，可以制造出各种性能优良的半导体器件，如高速、低功耗和高集成度的集成电路，用于智能手机、计算机和通信设备等各种电子产品中。
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晶片的加工过程
生长单晶 外径滚磨
切割
倒角
研磨 腐蚀
抛光
激光检测
取向外延
晶片抛光—— 化学机械抛光（CMP）
Chemical mechanical polishing 一种界面反应抛光，是目前在半导
体、微电子元器件加工中应用最广泛，抛光质量和效率较高，技术比 较成熟的一种抛光方法。
摩尔定律：芯片的集成度每18个 月至2年提高一倍，即加工线宽缩 小一半。
以集成电路为核心的电子信息产业超过了以汽车、石油、钢铁为 代表的传统工业成为第一大产业，成为改造和拉动传统产业迈向 数字时代的强大引擎和雄厚基石。
经济发展的数据表明,每l2元的集成电路产值,带动了10元左右电 子工业产值的形成,进而带动了100元GDP的增长。
等
薄膜生长法
晶体生长——直拉法
1950‘s，涉及熔融态物质的再结晶过程。 加热方法：
电阻加热； 高频感应加热； 光学或红外成象 加热； 电子束加热； 等离子体加热。
晶体生长
晶体生长——直拉法
以超过98％的电子元件材料使用的单晶硅为例（原材料包括：多晶硅 和化学蚀刻的籽晶（约0.5cm,10cm长） ） 。加工工艺： 加料 → 熔化 → 缩颈生长 → 放肩生长 → 等径生长 → 尾部生长
我国集成电路设计与制造水平
20世纪80年代中期我国集成电路的加工水平为5m，其
后，经历了3、1、0.8、0.5、0.35 m的发展。目前达
到了0.18m的水平。
当前国际水平为65nm，实验室45nm
我国与之相差约为2-3代。
（在成套工艺方面，“６５纳米成套产品工艺”整体研发完成并进入批量生产，使我国集成电路制造首次达到 国际先进水平。在装备整机方面，多台１２英寸关键整机产品及关键零部件实现突破，改变了长期被国外企 业垄断的被动局面：我国自主研制的１２英寸６５纳米介质刻蚀机产品已获得国内外批量订单２０台，１２
切削刃口：内径，镀粒度为270 -325目金刚石颗粒，厚度为0.2 - 0.32 mm。
晶体切割——内圆切割机床
按主轴安装的方式分为：立式和卧式。
日本Toyo 公司、日本旭日金 刚石工业公司联合研发T-SM300内圆切片机代表内圆切割 的机床水平。 国内主要生产商是电子45所， 包括从Ф 50到Ф 200mm晶片的 系列切割机床。
– X射线（110KeV的光子。接近式。分辨率：30nm左右）
晶片抛光——CMP存在的问题
抛光参数对平面度的影响； 抛光垫-抛光液-晶片之间的相互作用； 抛光液的化学性质对各种参数的影响； 在线检测。
芯片制备
我国集成电路设计与制造水平 集成电路设计与制造的主要流程框架 图形转换
集成电路的集成度和产品性能每 18 个月增 加一倍 ——摩尔定律 据专家预测 , 今后 20 年左右 , 集成电路技术 及其产品仍将遵循这一规律发展。
晶片抛光——CMP原理
以下作用的复合去除材料: 溶液的腐蚀作用在工件表面形成化学反应薄层； 磨粒微粒与加工面的接触部分化学反应； 磨粒的机械摩擦作用去除反应层。
运动方向
反应层仅几十个纳米以下的微 小单位去除的表面加工，加工 表面的损伤极小。
微小反应区 软质磨粒
工件（硬质晶体）
晶片抛光——CMP原理
晶体材料加工与芯片制备技术
机电工程学院 魏昕
系 统 需 求
设计
掩膜版
芯片制备（关键：光刻）
芯片制造 过程
单晶、外 延材料
晶体材料加工
芯片检测
封装
测试
晶体材料加工技术
晶体材料及其应用 晶体生长 晶体切割 内圆切割 线切割 晶片抛光－化学机械抛光
晶体材料
半导体材料(硅、锗等) 基片晶体材料(蓝宝石、碳化硅等) 压电材料(水晶、铌酸锂、钽酸锂等) 磁光晶体(钇铁石榴石等)
掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的 位置上，形成晶体管、接触等
制膜：制作各种材料的薄膜
图形转换：光刻
电阻集成电路的制造工艺
利用光学光刻传递图形所需步骤
图形转换：光刻
图形转换：光刻
在主流微电子制造过程中，光刻是最复杂、昂贵和关键的工艺。
圆片光学曝光简单系统：顶上的光源发出通过掩膜的光。圆 片表面涂上一薄层光刻胶（光敏材料）。
CMP加工硅晶片常用工艺参数如下：
抛光剂：烘制石英（SiO2） （5～7nm）悬胶弥散于含水氢氧化 钾（ PH≈10.3 ） 颗粒含量：SiO2占20％（质量分数）。 流量：50mL/min，粘度：108Pa· s 晶片尺寸：200mm；压力：27～76kPa 衬垫转速：20r/min；保持架转速：50r/min 衬垫材料：聚氨酯的聚酯 衬垫的修整：转动衬垫修整器清除衬垫上已用过的抛光液,并露 出衬垫的纤维以供下一次加工。 加工表面粗糙度：Ra1.3～1.9nm。
和有机溶剂等混合而成的胶状液体。
– 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发
生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。
光刻胶可分为：正胶、负胶。
图形转换：光刻
光刻胶可分为：正胶、负胶。
正胶：由光产生分解，曝光后可溶； 负胶：由光产生交联，曝光后不可溶。
正胶：分辨率高，在超大规模 集成电路工艺中，一般只采用 正胶。 负胶：分辨率差，适于加工线 宽≥3m的线条。
缺点：
1) 一般要用坩埚做容器，导致熔体有不同程度的污染。 2) 当熔体中含有易挥发物时，则存在控制组分的困难。 3) 不适于生长冷却过程中存在固态相变的材料。
晶片的加工过程
生长单晶 外径滚磨
切割
倒角
研磨 腐蚀 抛光
激光检测
取向外延
晶体切割方法
生长的晶锭经过滚圆达到所要求的直径后，切割成厚度为0.2mm - 0.9mm的晶片。
在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么应力将使得晶棒出现 位错与滑移线。 长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。
目前硅晶锭的直径可达400mm ，长度有1~2m。
优点：
1) 便于精密控制生长条件，较快速度获得优质单晶。 2) 选择不同取向的籽晶可以得到不同取向的单晶体。 3) 可以方便的采用“回熔”和“缩颈”工艺，降低晶体中的 位错密度，减小嵌镶结构，提高晶体的完整性。 4) 可直接观察晶体生长过程，为控制晶体外形提供了有利条 件。 5) 减小功率，降低拉速，可以使晶体的直径加大，反之则会 使晶体直径减小。
衬底上的曝光方法，目前工业应用最多。
接触式
三 种 曝 光 方 式
接近式
投影式
间隙
图形转换：光刻
超细线条光刻技术
– 深远紫外线(EUV：13－14nm) 所有材料对EUV波段的光波有很强的吸收性。
为了减少对EUV的吸收，在EUV光学体统的路上必须维持真空环境。
可实现22nm的工艺结点的光刻，经改进，可实现10nm得图形光刻。
光学晶体(宝石、铌酸锂、钽酸锂等) 激光晶体 电光晶体等(铌酸锂、钽酸锂、砷化镓等)
晶体材料应用
广泛应用于电子、通信、计算机、激光、航空航天等技术领域。
硅片、玻璃片、光学纤维、蓝 宝石片、石英片
锗 半 导 体 基 片
晶体材料应用
蓝宝石半导体基片
光学窗口
硅基片上加工的集成电路
晶片的加工过程
分辨率——可以曝光 出来的最小特征尺寸
图形转换：光刻
几种常见的光刻中的曝光方法
– 接触式曝光：曝光时掩膜压在涂覆光刻胶的圆片上。分辨
率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。
– 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙
(10～25m)，可以大大减小掩膜版的损伤。分辨率较低。
– 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到
目前晶体切割的主要方法： 外圆切割 内圆切割
线切割
外圆切割主要用于加工端面和 晶向偏转大的长晶体定向切割。
晶体切割——内圆切割
刀片外径和机床主轴连接； 刀片内径做为切削刃； 刀片随主轴高速旋转，并且 向下运动； 工件做轴向进给运动，完成 晶片的切割。
晶体切割——内圆切割刀片
刀片基体：通常为不锈钢。 刀片厚度：通常为0.1 - 0.15mm。
晶体生长——直拉法
放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与向上提拉籽晶杆速度，使
得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。
等径生长：长完细颈和肩部之后，即进入等径生长阶段。
借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分 即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。
尾部生长：将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。
英寸６５纳米栅刻蚀机通过全部工艺验证。 ）
集成电路设计与制造的主要流程框架
系 统 需 求
设计
掩膜版
主要流程为薄膜制备、 光刻和刻蚀
芯片制造 过程
单晶、外 延材料
芯片检测
封装
测试
SiliconEtchHIGH.wmv SiliconLithographyHIGH.wmv
packagingbonding.wmv
芯片制造过程
硅片 芯片制造
由氧化、淀积、离子注入或蒸发形成新的 薄膜或膜层
用掩膜版 重复 20-30次
曝 光
刻 蚀
测试和封装
集成电路芯片的显微照片
Vss
polyቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ栅
Vdd