CMOS集成电路制造工艺流程
cmos制造工艺中的基本步骤
cmos制造工艺中的基本步骤CMOS制造工艺的基本步骤CMOS（互补金属氧化物半导体）制造工艺是现代集成电路制造中最常用的工艺之一。
它具有低功耗、高集成度和稳定性好等优点，广泛应用于各种电子设备中。
下面将介绍CMOS制造工艺的基本步骤。
1. 基底制备CMOS制造的第一步是基底制备。
基底是指承载整个电子元件的硅衬底，通常采用单晶硅材料。
制备基底时，需要选择高纯度的硅材料，并通过特殊处理使其表面光洁度达到要求。
接下来，通过离子注入等方法，控制基底材料的电性能。
2. 电荷耦合器的制备在CMOS工艺中，电荷耦合器是非常重要的元件。
电荷耦合器的制备包括多道工艺和金属间隔工艺。
多道工艺是指在基底上通过氧化、掺杂、扩散等步骤，形成不同的区域。
而金属间隔工艺是指通过在基底上加热，使金属在氧化层上融化，形成金属间隔。
3. 掺杂掺杂是CMOS工艺中的重要步骤之一。
通过在基底上注入特定的杂质，可以改变材料的导电性能。
掺杂通常使用离子注入的方法进行，通过控制注入的能量和剂量，可以实现不同区域的电性能调控。
掺杂后，需要进行退火处理，使注入的杂质均匀分布在基底中。
4. 金属电极的制备在CMOS工艺中，金属电极用于连接不同的电子元件。
金属电极的制备包括金属沉积、光刻和蚀刻等步骤。
首先，在基底上通过物理气相沉积或化学气相沉积等方法，将金属沉积在表面。
然后，使用光刻技术，将需要的电极形状转移到光刻胶上。
最后，通过蚀刻，将多余的金属去除，只留下所需的电极。
5. 金属间隔的制备金属间隔用于隔离不同的电子元件，以防止它们之间的干扰。
金属间隔的制备包括氧化、掺杂和退火等步骤。
首先，在基底表面形成一层氧化层，然后通过掺杂和退火处理，使氧化层中的杂质向基底扩散，形成金属间隔。
6. 电学特性测试在CMOS制造的最后阶段，需要对制造的电子元件进行电学特性测试。
通过测试，可以验证元件的性能是否符合要求。
常用的测试方法包括静态特性测试和动态特性测试。
CMOS集成电路制造工艺流程
陕西国防工业职业技术学院课程报告课程微电子产品开发与应用论文题目CMOS集成电路制造工艺流程班级电子3141姓名及学号王京（24#）任课教师张喜凤目录摘要 (2)引言 (2)关键词 (2)1. CMOS器件 (2)1.1分类 (2)2.CMOS集成技术发展 (3)3.CMOS基本的制备工艺过程 (3)3.1衬底材料的制备 (3)4.主要工艺技术 (3)5.光刻 (4)6. 刻蚀 (4)6.1湿法刻蚀 (4)6.2干法刻蚀 (4)7.CMOS工艺的应用 (4)举例 (5)CMOS集成电路制造工艺流程摘要：本文介绍了CMOS集成电路的制造工艺流程，主要制造工艺及各工艺步骤中的核心要素，及CMOS器件的应用。
引言：集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。
硅双极工艺面世后约3年时间，于1962年又开发出硅平面MOS工艺技术，并制成了MOS集成电路。
与双极集成电路相比，MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度和成品率高，但工作速度较慢。
由于它们各具优劣势，且各自有适合的应用场合，双极集成工艺和MOS集成工艺便齐头平行发展。
关键词：工艺技术，CMOS制造工艺流程1.CMOS器件CMOS器件，是NMOS和PMOS晶体管形成的互补结构，电流小，功耗低，早期的CMOS电路速度较慢，后来不断得到改进，现已大大提高了速度。
1.1分类CMOS器件也有不同的结构，如铝栅和硅栅CMOS、以及p阱、n阱和双阱CMOS。
铝栅CMOS和硅栅CMOS的主要差别，是器件的栅极结构所用材料的不同。
P阱CMOS，则是在n型硅衬底上制造p沟管，在p阱中制造n沟管，其阱可采用外延法、扩散法或离子注入方法形成。
该工艺应用得最早，也是应用得最广的工艺，适用于标准CMOS电路及CMOS与双极npn兼容的电路。
N阱CMOS，是在p型硅衬底上制造n沟晶体管，在n阱中制造p沟晶体管，其阱一般采用离子注入方法形成。
该工艺可使NMOS晶体管的性能最优化，适用于制造以NMOS为主的CMOS以及E/D－NMOS和p沟MOS兼容的CMOS电路。
CMOS集成电路工艺流程
CMOS集成电路工艺流程1.设计阶段：在CMOS集成电路的设计阶段，首先需要确定电路的功能和性能需求。
然后，设计师使用电子设计自动化（EDA）工具完成电路的原理图和电路布局设计。
原理图设计是根据电路功能需求，根据逻辑门电路和电路功能模块的特点，完成电路的逻辑设计和连接。
布局设计是将原理图中的电路元件如晶体管、电容器、电阻器等准确地放置在芯片上，并确定各元件之间的相对位置。
2.半导体材料制备：制造CMOS集成电路的第一步是准备半导体材料。
通常使用硅（Si）作为集成电路的材料，因为硅具有良好的电学和热学性能。
在杂质控制方面，要求半导体材料具有高纯度。
半导体材料可以通过单晶生长、多晶生长或金属有机化学气相沉积等方法制备。
3.沉积和腐蚀：在制造CMOS集成电路的过程中，需要对硅片进行一系列的沉积和腐蚀处理。
首先，使用物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）方法在硅片上沉积一层二氧化硅（SiO2）薄膜作为绝缘层。
接下来，在绝缘层上沉积一层多晶硅（poly-Si）薄膜，作为电路中的晶体管的控制电极。
然后，使用光刻技术将薄膜上涂覆的光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶图形。
接着，用水化学腐蚀剂将未覆盖光刻胶的硅薄膜去除，形成硅薄膜的图形。
4.掺杂和扩散：接下来是对硅片进行离子注入掺杂，以调整材料的电学特性。
特定的离子通过离子注入设备被注入到硅片上。
注入完成后，用退火处理使离子扩散到材料中，形成掺杂层。
这些掺杂层会影响晶体管的电学性能。
5.电路互连：在CMOS集成电路的制造过程中，还需要进行电路的互连。
使用多层金属导线将晶体管和其他电子元件进行连接。
在不同金属层之间使用绝缘层，以避免导线之间的短路。
电路的互连是通过物理蒸镀、化学蒸镀和电镀等方法进行的。
6.测试和封装：在CMOS集成电路的制造过程中，还需要进行功能测试和性能测试，以确保电路的质量和性能。
测试完成后，将芯片进行封装。
芯片封装是将芯片的导线与外部封装引脚进行连接，并且使用外壳封装以保护芯片。
cmos集成电路的基本制造工艺
cmos集成电路的基本制造工艺CMOS集成电路的基本制造工艺CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）集成电路是一种在电子设备中广泛使用的技术。
它使用了CMOS制造工艺来制造集成电路的核心部件。
本文将介绍CMOS集成电路的基本制造工艺。
1. 硅片制备CMOS集成电路的制造过程始于硅片的制备。
硅片是一个纯净的硅晶体，它通常具有圆形或方形的形状。
制备硅片的主要步骤包括：清洗硅片表面、沉积氧化层、扩散掺杂、增厚氧化层等。
这些步骤的目的是为了获得一个纯净的硅基片，并在其表面形成氧化层以保护硅片。
2. 掩膜制作掩膜制作是CMOS制造工艺中的关键步骤之一。
它是通过在硅片表面涂覆光刻胶，并使用掩膜模板进行曝光和显影，来形成电路的图案。
掩膜制作的目的是将电路的结构和层次图案化到硅片表面。
3. 硅片刻蚀硅片刻蚀是为了去除掉掩膜未覆盖的部分。
在刻蚀过程中，掩膜会保护住部分硅片，而未被掩膜保护的硅片会被化学溶液或等离子体腐蚀掉。
通过控制刻蚀时间和刻蚀剂的浓度，可以控制刻蚀的深度，从而形成电路的结构。
4. 氧化层形成氧化层是CMOS制造工艺中的常用材料之一。
通过氧化层的形成，可以为电路提供绝缘层和保护层。
氧化层的形成通常是通过将硅片暴露在氧化气氛中，使硅表面的硅原子与氧气发生反应，形成二氧化硅薄膜。
5. 金属沉积金属沉积是为了形成电路中的金属导线和连接器。
常用的金属材料包括铝、铜等。
金属沉积的过程中，金属原子会被沉积在硅片表面，并通过一系列化学反应和物理处理来形成金属导线。
6. 清洗和封装在CMOS制造工艺的最后阶段，还需要对制造的芯片进行清洗和封装。
清洗的目的是去除制造过程中产生的杂质和残留物，以保证芯片的质量。
封装则是将芯片封装在塑料或陶瓷封装中，以提供保护和连接芯片的功能。
总结起来，CMOS集成电路的基本制造工艺包括硅片制备、掩膜制作、硅片刻蚀、氧化层形成、金属沉积、清洗和封装等步骤。
CMOS的制造流程
CMOS的制造流程CMOS（互补金属氧化物半导体）是一种常用的集成电路制造工艺，它具有低功耗、高集成度和可靠性较高等优点。
下面将详细介绍CMOS的制造工艺流程。
1.基片制备：首先需要选择合适的硅基片作为电路的基底。
硅基片需要经过一系列的加工工艺，例如清洗、去除表面氧化层和掺杂等，以便在其表面形成电路。
2.硅基片的氧化：将清洗后的硅基片放入氧化炉中，在高温下与氧气反应，使硅基片表面氧化形成一层二氧化硅（SiO2）薄膜。
薄膜厚度通常在几百埃（1埃=10^-10米）到几千埃之间。
3.光刻：光刻是制造CMOS电路中最关键的步骤之一、首先，在氧化层上涂覆光刻胶，然后将掩膜（即模具）放在光刻机上，通过紫外光对光刻胶进行曝光，使光刻胶在掩膜上形成所需的图形。
4.蚀刻：使用化学蚀刻技术，将暴露在掩膜下的部分二氧化硅进行腐蚀。
蚀刻方式通常有湿法蚀刻和干法蚀刻两种选择。
5.掺杂：为了形成PN结构的晶体管，需要将掺杂物引入硅基片中。
掺杂一般分为两步进行，首先进行扩散，将掺杂物（如磷或硼）混入氧化层下方的硅基片中，然后进行烘焙，使掺杂物在硅基片中扩散和活化。
6.浸蚀：浸蚀是为了去除光刻胶和二氧化硅的残留物，通常使用浸入酸性或碱性溶液中的技术。
7.金属化：为了连接不同电路、减小电阻和形成电路的引脚，需要在硅基片上沉积一层金属薄膜。
8.绝缘层制备：在金属覆盖层上沉积一层绝缘性氧化层，作为绝缘层，以防止不同电路之间的电互连和杂散电流。
9.上下管连接：通过开孔技术，将绝缘层上的金属层暴露出来，并用金属填充孔洞以连接不同层次的电路。
10.封装：最后一步是封装，将芯片固定在塑料或陶瓷封装中，并通过引脚与外部电路进行连接。
以上就是CMOS制造工艺的大致流程。
当然，CMOS的制造工艺流程非常复杂，其中涉及到很多细节和步骤，同时每一步也有很多不同的变种和改进。
由于篇幅有限，上述只是对CMOS的制造工艺流程进行了简要介绍。
对于深入了解CMOS制造工艺的读者来说，建议详细学习相关的专业资料或参考相关的科学论文。
cmos集成电路工艺的大致步骤
cmos集成电路工艺的大致步骤CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）集成电路工艺是一种制造集成电路的常用工艺。
下面介绍CMOS集成电路工艺的大致步骤。
首先，制备单晶硅。
单晶硅是CMOS集成电路的基础材料。
在制备单晶硅之前，需要在硅片上形成一个氧化层，称为硅背面的保护层。
然后，使用化学腐蚀或机械磨削的方法将硅片的一个表面做成光滑的，这一面被称为取样面。
接下来，将硅片放入高温炉中，在高温下通过化学气相沉积（CVD）或热分解反应，使硅原子重新排列成为单晶结构，形成单晶硅。
第二步，形成场效应晶体管（MOSFET）。
在硅片上的一层绝缘层上，使用光刻和蚀刻工艺形成形成了沉积原料（多晶硅或金属）的通道区域和源极、漏极。
接下来，在通道区域上形成控制门极层，通常由多晶硅制成。
通过控制掺杂和退火工艺，形成了MOSFET的结构。
第三步，形成互连层。
互连层是将各个元件和器件连接在一起的重要层。
通过光刻和蚀刻工艺，在互连层上形成了铜或铝等金属导线。
接下来，使用化学机械研磨（CMP）工艺将金属导线表面的不平整部分平整化，以确保连接的良好质量。
第四步，形成金属引脚。
在最上面的互连层上，使用光刻和蚀刻工艺形成金属引脚。
这些引脚是与外部设备和器件连接的通道，为集成电路的输入和输出提供接口。
最后一步，进行封装和测试。
在制造工艺的最后阶段，将芯片通过芯片封装技术封装到塑料或金属外壳中，以保护芯片。
然后进行电性能测试，以确保芯片的质量和功能。
总的来说，CMOS集成电路工艺经历了单晶硅制备、MOSFET形成、互连层和金属引脚制造以及封装和测试等阶段。
这些步骤是制造高性能CMOS芯片不可或缺的环节。
了解这些步骤对于理解CMOS集成电路工艺的流程和原理以及相关技术的应用具有重要的指导意义。
CMOS制造工艺流程介绍
CMOS制造工艺流程介绍CMOS（互补金属氧化物半导体）是一种常用的半导体制造工艺，在数字电路中广泛使用。
下面是一个CMOS制造工艺流程的详细介绍。
1.材料准备：2.基片清洗：基片通常在制造过程开始之前需要进行清洗。
清洗的目的是去除表面的杂质和污染物，以准备下一步的处理。
3.基片掺杂：掺杂是CMOS制造过程中的一个重要步骤。
它通过在基片上加入轻掺杂剂（如硼或磷）和重掺杂剂（如硅或锗）来改变基片的导电性能。
掺杂可以通过离子注入或扩散等方法进行。
4.绝缘层制备：在制造CMOS电路时，需要在基片上创建绝缘层，以隔离不同的晶体管。
绝缘层通常是通过在氧化反应炉中加热基片，使其表面氧化形成氧化层（SiO2）来制备的。
5.通道区域定义：接下来，需要定义晶体管的通道区域。
这是通过使用光刻技术来创建图形层并使用光刻胶进行图案转移来实现的。
6.掺杂和扩散：在定义通道区域后，需要对其进行轻掺杂和扩散，以创建MOS（金属-氧化物-半导体）结构的源和漏结构。
7.门电极定义：门电极用于控制晶体管的导电性。
它通过使用光刻技术，在通道区域上制造一个金属（通常是多晶硅）的电极。
8.金属互连：金属互连是将不同晶体管连接起来以实现电路功能的过程。
这是通过添加金属层并使用光刻技术进行图案定义来实现的。
9.绝缘层制备：接下来，需要在金属互连的上方形成绝缘层。
这可以通过在金属层上沉积绝缘材料或使用化学气相沉积（CVD）等技术来实现。
10.下通孔制备：下通孔是连接不同层次的金属互连的关键结构。
它用于电路层之间的电流传输。
下通孔通常是通过先在绝缘层中开孔，然后在金属层上镀铜来制备的。
11.最后一道金属互连：在下通孔制备后，需要添加最后一道金属互连层。
这将完成电路的互连，并实现不同器件之间的连接。
12.测试和封装：完成电路的制造之后，需要进行测试以确保其功能正常。
一旦测试通过，电路将被封装在芯片中，并准备出货。
以上是CMOS制造工艺的主要流程。
CMOS制造工艺流程介绍
CMOS制造工艺流程介绍1. 制备硅基片：首先，在高纯度的单晶硅上制备一块平整的硅基片，常用的晶体生长方法有Czochralski法和浮区法。
然后，通过化学机械抛光（CMP）使硅基片表面更加平滑。
2. 装置SiO2层：在硅基片上形成一层厚度约为1nm的氧化硅（SiO2）层，通常采用热氧化或化学气相沉积（CVD）方法。
SiO2层主要用于绝缘和保护硅基片。
3.制备门电极：利用光刻技术和蚀刻工艺，在SiO2层上形成一层金属（通常为聚硅化钨）或多晶硅的导电层，该层被称为门电极。
门电极分为n型和p型，分别用于NMOS和PMOS晶体管。
4.制备通道区域：在门电极之间的硅基片区域上，进行离子注入或扩散，制备出p型或n型的通道区域。
根据通道区域的类型，这些区域将决定晶体管的类型（nMOS或pMOS）。
5.制备源和漏极：通过光刻和蚀刻过程，在通道区域的两侧形成源极和漏极，这些极的类型取决于晶体管的类型。
在此步骤中，也可以形成导线连接源漏极和其他电路元件。
6.制备绝缘层：使用CVD或热氧化技术，在晶体管上覆盖一层绝缘层（通常为SiO2）。
绝缘层用于隔离各个晶体管，防止电路之间的干扰。
7.制备金属导线：使用光刻和蚀刻过程，在绝缘层上开孔，并在其中填充金属（如铝）形成金属导线。
金属导线用于连接晶体管、电阻和电容等电路元件。
8.制备上电极：再次使用光刻和蚀刻过程，制备出上电极。
上电极连接到金属导线上，形成可与外部电源相连的接口。
9.添加其它材料：在需要的位置上，可以添加一些其它材料来改善电路性能，如低介电常数材料（用于减少电容的串扰）和金属间隔离层。
10.封装和测试：最后一步是封装和测试芯片。
芯片被封装在塑料或陶瓷封装中，并进行各种测试，以验证电路的性能和功能。
以上是CMOS制造工艺流程的主要步骤。
随着技术的不断进步，CMOS 制造工艺也在不断演化，以提高集成度、降低功耗和改善性能。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
C M O S集成电路制造工艺
流程
Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】
陕西国防工业职业技术学院课程报告
课程微电子产品开发与应用
论文题目CMOS集成电路制造工艺流程
班级电子3141
姓名及学号王京（24#）
任课教师张喜凤
目录
CMOS集成电路制造工艺流程
摘要：本文介绍了CMOS集成电路的制造工艺流程，主要制造工艺及各工艺步骤中的核心要素，及CMOS器件的应用。
引言：集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。
硅双极工艺面世后约3年时间，于1962年又开发出硅平面MOS工艺技术，并制成了MOS集成电路。
与双极集成电路相比，MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度和成品率高，但工作速度较慢。
由于它们各具优劣势，且各自有适合的应用场合，双极集成工艺和MOS集成工艺便齐头平行发展。
关键词：工艺技术，CMOS制造工艺流程
1.CMOS器件
CMOS器件，是NMOS和PMOS晶体管形成的互补结构，电流小，功耗低，早期的CMOS电路速度较慢，后来不断得到改进，现已大大提高了速度。
分类
CMOS器件也有不同的结构，如铝栅和硅栅CMOS、以及p阱、n阱和双阱CMOS。
铝栅CMOS和硅栅CMOS的主要差别，是器件的栅极结构所用材料的不同。
P阱CMOS，则是在n型硅衬底上制造p沟管，在p阱中制造n沟管，其阱可采用外延法、扩散法或离子注入方法形成。
该工艺应用得最早，也是应用得最广的工艺，适用于标准CMOS电路及CMOS与双极npn兼容的电路。
N阱CMOS，是在p型硅衬底上制造n沟晶体管，在n阱中制造p沟晶体管，其阱一般采用离子注入方法形成。
该工艺可使NMOS晶体管的性能最优化，适用于制造以NMOS为主的CMOS以及E/D－NMOS和p沟MOS兼容的CMOS电路。
双阱CMOS，是在低阻n＋衬底上再外延一层中高阻n――硅层，然后在外延层中制造n 阱和p阱，并分别在n、p阱中制造p沟和n沟晶体管，从而使PMOS和NMOS晶体管都在高阻、低浓度的阱中形成，有利于降低寄生电容，增加跨导，增强p沟和n沟晶体管的平衡性，适用于高性能电路的制造。
集成技术发展
从MOS工艺集成技术发展历史上看，也经历了从简单到复杂的发展过程，如陆续推出了p沟硅栅MOS工艺、p沟铝栅MOS工艺、n沟硅栅MOS工艺、n沟硅栅E/DMOS工艺、高性能短沟MOS（HMOS）工艺等，它们都各具优劣势，在不同时期、不同领域得到了应用。
随着集成电路的集成度提高，功耗问题日益突出，普通MOS工艺已不能满足大规模和超大规模集成系统制造的需要，于是早在1963年开发出的硅CMOS集成工艺终于有了广泛应用的机会。
虽然CMOS工艺比NMOS工艺复杂，早期的CMOS器件性能也较差，但CMOS器件的功耗极低，集成度也高，用以制造数字LSI和VLSI集成电路可很好地解决最迫切的功耗问题，因而在数字LSI和VLSI集成电路的制造中首先得到广泛应用，并得到快速发展，特别是自20世纪80年代以来，更成为CPU、RAM、ROM等VLSI 的主导制造工艺，并替代了NMOS工艺。
基本的制备工艺过程
CMOS集成电路的制备工艺是一个非常复杂而又精密的过程，它由若干单项制备工艺组合而成。
衬底材料的制备
任何集成电路的制造都离不开衬底材料——单晶硅。
制备单晶硅有两种方法：悬浮区熔法和直拉法。
4.主要工艺技术
○1热氧化；○2扩散,掺杂（热扩散掺杂，离子注入掺杂）；
5.光刻
光刻是集成电路制造过程中复杂和关键的工艺之一。
光刻的主要工艺步骤包括：光刻胶的涂覆，掩模与曝光，光刻胶显影，腐蚀和胶剥离。
6. 刻蚀
湿法刻蚀
湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。
它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，它刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。
干法刻蚀
干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术。
这些工艺具有各向异性刻蚀和选择性刻蚀的特点。
工艺的应用
随着整机系统继续向高速度、低功耗、低电压和多媒体、网络化、移动化的发展，对集成电路的要求越来越高，不断推动着集成电路工艺技术的迅速发展，目前先进的硅CMOS集成工艺已进入90纳米和65纳米领域。
随着亚微米、深亚微米、纳米CMOS工艺技术的发展，为数字电路提供了更快、更大密度的电路集成，也为模拟电路提供了更高性能的模拟开关和模拟电路应用的多晶硅－氧化物－多晶硅电容，加上CMOS工艺简单、功耗低、集成度高、芯片尺寸小、成本低等特点，CMOS工艺不仅是数字电路的主导工艺技术，而且已不断在模拟和混合信号电路集成中得到应用，如含有模拟和数字电路的微控制器从20世纪90年代中期以来已全部采用CMOS工艺制造，自2003年以来CMOS 工艺也成为一些通用低功耗A/D转换器的主流制造工艺。
无线通讯系统由高频和中频模拟电路及数字信号处理电路构成。
过去，一般高频模拟电路部分采用GaAs或硅双极工艺技术制造，中频模拟电路部分采用硅BiCMOS工艺技术制造，其它（如DSP）采用硅CMOS工艺技术制造。
但是，由于现代通讯系统涉及到声音、数据、图像等多媒体信息，如果继续采用这种制造模式来实现高频、低功耗、低噪声、低失真、小型化、低价格等性能特点的通讯系统电路，已远远不能满足应用需要。
因此，推动了工艺集成技术的继续发展和竞争。
随着CMOS工艺技术的快速进步，在新的技术竞争中，硅CMOS集成工艺已成为最具综合技术优势的竞争对手之一。
举例. N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺的主要流程
（1）生长一层SiO2。
（2）在SiO2上涂光刻胶，光刻N阱掺杂窗口（一次光刻）。
（3）用HF刻蚀窗口处的SiO2，去胶。
（4）在窗口处注入N型杂质。
（5）形成N阱，去除硅片上的SiO2。
（6）生长一层SiO2，再生长一层Si3N4。
光刻场区（二次光刻），刻蚀场区的Si3N4，去胶。
由于Si3N4和S i之间的应力较大，而SiO2与Si和Si3N4之间的应力较小，所以用SiO 2作为过渡层。
（7）生长场区SiO2（场氧）。
CMOS工艺之所以不象NMOS工
艺那样直接生长场氧，一是因为CMOS工艺比NMOS工艺出现得晚，更先进；二是因为生长场氧时间很长，会消耗很多硅，这样会使有源区边缘产生很高的台阶，给以后台阶覆盖带来困难，台阶太高会产生覆盖死角。
（8）去除Si3N4和有源区处的SiO2。
（9）重新生长一层薄薄的SiO2（栅氧）。
（10）生长一层多晶硅。
（11）光刻多晶硅栅极（三次光刻）。
（12）刻蚀栅极以外的多晶硅，去胶。
（13）光刻P+离子注入窗口（四次光刻），刻蚀窗口处的S iO2，去胶。
在窗口处注入P型杂质，形成PMOS的源漏区和衬底欧姆接触。
生长SiO2。
（14）光刻N+离子注入窗口（五次光刻），刻蚀窗口处的SiO2，去胶。
在窗口处注入N型杂质，形成N MOS的源漏区和阱欧姆接触。
（15）生长一层SiO2。
（16）光刻接触孔（六次光刻），刻蚀接触孔处的SiO2，去胶。
（17）生长一层金属，光刻金属引线（七次光刻）。
（18）刻蚀引线外的金属，去胶。
（19）淀积钝化层。
超链接：,,.。