光电子技术解题指导
光电子技术复习提纲(含标准答案)要点

第1章绪论1.半导体光电器件是利用什么效应制作的器件?答:利用半导体光电效应制成的器件。
2.半导体光电器件是哪两种粒子相互作用的器件?答:是一种利用光子与电子相互作用所具有的特性来实现某种功能的半导体器件。
3.半导体发光器件主要包括哪两种?答:(1)发光二极管;(2)半导体激光器。
4.光电器件主要有利用哪些效应制作的器件?答:光电器件主要有利用半导体光敏特性工作的光电导器件,利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。
5.什么是半导体发光器件?答:利用半导体PN结正向通过电时载流子注入复合发光的器件称为半导体发光器件。
6.光电探测器件是如何转换信号的器件?答:通过电子过程探测光信号的器件,即将射到它表面上的光信号转换为电信号。
7.光电检测器工作在反向偏置状态。
8.光电池是利用什么效应制作的?答:光伏打效应。
9. 光纤通信的两个重要窗口是哪些?答:1.55um和1.3um。
第2章1. 光信号的频率在哪个频段?需要用什么器件检测?答:光信号的频率在1014 Hz以上,常用的电子器件无法对这一频率段产生良好的响应,必须使用光电子器件。
2. 常用的光电检测器:PIN、APD3. 光电检测器的工作过程?答:光电检测器件的工作过程:(1)光吸收——(2)电子-空穴对产生——(3)载流子扩散和漂移——(4)检测4. 光信号(光束)入射到半导体材料后,如何产生电子空穴对?答:光信号(光束)入射到半导体材料后,首先发生的过程就是半导体材料对光子的吸收,吸收光子以后才能产生价带电子的跃迁,从而产生电子空穴对。
5. 半导体材料中的吸收过程可以分为哪两大类?答:本征吸收和非本征吸收6. 本征吸收又包括哪些?答:(1)直接吸收;(2)间接吸收7. 非本征吸收包括哪些?答:(1)激子吸收;(2)带内吸收;(3)杂质吸收8.本征吸收的必要条件?9.直接吸收中参与的粒子是什么?遵守哪两种守恒?答:只有电子和光子的参与,没有第3种粒子的参与。
光电子技术课后习题

光电子技术课后习题
一、简单题:
1.光电子技术是什么?
答:光电子技术是利用光来进行电子学和数字信号处理的技术。
它通
常涉及对光来源、光传输设备,以及用于处理光信号的光电子设备的
研究和设计。
2.请简要描述“光电子技术”中“光”的概念?
答:“光”是经典物理学中指可以传播的电磁波。
它包含有人眼
能够感知的可见光,也包括无法人类感知的紫外线和X射线。
在光电
子技术中,光被用作传播信息,而且可以用来进行光信号的处理。
3.什么是A/D变换?
答:A/D变换是模数转换的一种,它可以将连续的模拟信号转换为
数字信号。
A/D转换的过程包括量化和编码两个步骤,量化步骤决定信
号的精度,编码步骤决定信号的传输率。
二、应用题:
1.请描述光电子技术在通信中的应用?
答:光电子技术在通信中的应用十分广泛,例如,光纤技术可以
用来传输大容量的信息,而探测器和放大器可以用来增强信号的功率
和质量。
此外,光电子元件也可以用于处理通信信号,例如基带处理、数据采样和数据编码等。
2.什么是光学探测器,它有哪些用途?
答:光学探测器是一种用来检测和探测光信号的光电子器件,它
可以将光信号转换为电信号,然后输出至外部电路。
光学探测器在光
电子领域有着广泛的应用,它可以用来检测光信号的强度,传输信息,或者监测和识别光信号。
光电子技术-习题解答

1. 什么是光电子技术?当前光电子技术备受重视的原因是什么?答:光电子技术是研究从红外波、可见光、X射线直至γ射线波段范围内的光波。
电子技术,是研究运用光子和电子的特性,通过一定媒介实现信息与能量转换、传递、处理及应用的科学。
因为光电子技术的飞速发展,使得光电子技术逐渐成为高新科学技术领域内的先导和核心,在科学技术,国防建设,工农业生产、交通、邮电、天文、地质、医疗、卫生等国民经济的各个领域内都获得了愈来愈重要的应用,特别是正逐渐进入人们的家庭,因此光电子技术备受重视。
2. 什么叫光的空间相干性?时间相干性?光的相干性能好差程度分别用什么衡量?它们的意义是什么?答:空间相干性是指在同一时刻垂直于光传播方向上的两个不同空间点上的光波场之间的相干性,空间相干性是用相干面积Ac来衡量,Ac愈大,则光的空间相干性愈好。
时间相干性是指同一空间点上,两个不同时刻的光波场之间的相干性,用相干时间t c=L c/c来衡量,t c愈大,光的时间相干性愈好。
3. 世界上第一台激光器是由谁发明的?它是什么激光器?它主要输出波长为多少?答:1960年5月16日、美国梅曼博士、红宝石激光器、6943Å。
4. 自发辐射与受激辐射的根本差别是什么?为什么说激励光子和受激光子属同一光子态?答:差别在有没有受到外界电磁辐射的作用;因为有相同的频率、相位、波矢和偏振状态。
5. 为什么说三能级系统实现能态集居数分布反转要比四能级系统困难?答:因为三能级系统的上能级为E2,下能级为E1,在E2上停留的时间很短,而四能级系统在E3上呆的时间较长,容易实现粒子数反转。
6. 激光器的基本组成有哪几部分?它们的基本作用是什么?答:组成部分:工作物质、泵浦系统、谐振腔工作物质提供能级系统、泵浦源为泵浦抽运让粒子从下能级到上能级条件、谐振腔起正反馈作用7. 工作物质能实现能态集居数分布反转的条件是什么?为什么?对产生激光来说,是必要条件还是充分条件,为什么?答:工作物质要具有丰富的泵浦吸收带,寿命较长的亚稳态,要求泵浦光足够强;必要条件,因为它还以kkk谐振腔内以提供正反馈。
光电子技术答案.

光电子技术答案.光电子技术练习及思考题解答(收集整理版)配套光电子技术(第3版)安毓英刘继芳李庆辉冯喆珺编著电子工业出版社由于水平有限,练习及思考题解答难免有错误之处,敬请指正。
欢迎大家交流学习习题11. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ,如图所示。
试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。
解:ΩΦd d e e I =, 202πd l R c =Ω202e πd d l R I I c e e ==ΩΦ2. 如图所示,设小面源的面积为?A s ,辐射亮度为L e ,面源法线与l 0的夹角为θs ;被照面的面积为?A c ,到面源?A s 的距离为l 0。
若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角,试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。
解:用定义rr ee A dI L θ?cos =和A E e e d d Φ=求解。
3.假设有一个按郎伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度e L 均相同。
试计算该扩展源在面积为d A 的探测器表面上产生的辐照度。
解:辐射亮度定义为面辐射源在某一给定方向上的辐射通量,因为余弦辐射体的辐射亮度为eoe eo dI L L dS== 得到余弦辐射体的面元dS 向半空间的辐射通量为 0e e e d L dS L dS ππΦ==又因为在辐射接收面上的辐射照度e E 定义为照射在面元上的辐射通量e d Φ与该面元的面积dA 之比,即ee d E dAΦ=第1题图第2题图所以该扩展源在面积为d A 的探测器表面上产生的辐照度为e e d L dSE A π=单位是2/W m4. 霓虹灯发的光是热辐射吗?解:不是热辐射。
5刚粉刷完的房间从房外远处看,它的窗口总显得特别黑暗,这是为什么?解:因为刚粉刷完的房间需要吸收光线,故从房外远处看它的窗口总显得特别黑暗6. 从黑体辐射曲线图可以看出,不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长λm 随温度T 的升高而减小。
光电子技术作业解答

光电⼦技术作业解答光电⼦技术作业解答Revised on November 25, 2020赖⽼师的课到期中考试为⽌⼀共有9次作业,依次分别由冯成坤、饶⽂涛、黄善津、刘明凯、郑致远、黄瑜、陈奕峰、周维鸥和陆锦洪同学整理,谨此致谢!作业⼀:1、桌上有⼀本书,书与灯⾄桌⾯垂直线的垂⾜相距半⽶。
若灯泡可上下移动,灯在桌上⾯多⾼时,书上照度最⼤(假设灯的发光强度各向通性,为I0)解:设书的⾯积为dA ,则根据照度的定义公式:dAd I dA d E 0Ω==φ(1)其中Ωd 为上图所⽰的⽴体⾓。
因⽽有:2/32222)h (L h dA h L cos dA d +?=+?=Ωθ(2)将(2)式代⼊(1)式得到:2/3220)h (L h I E += (3)为求最⼤照度,对(3)式求导并令其等于零,计算得:因⽽,当⾼度为m 221时书上的照度最⼤。
2、设He-Ne 激光器中放电管直径为1mm ,发出波长为6328埃的激光束,全发散⾓为=10-3rad ,辐射通量为3mW ,视见函数取 V(6328)=,求:(1)光通量,发光强度,沿轴线⽅向的亮度(2)离激光器10⽶远处观察屏上照明区中⼼的照度(3)若⼈眼只宜看⼀熙提的亮度,保护眼镜的透射系数应为多少解:(1)光通量:lm 49.010324.0638V K 3m v ==Φ??=Φ-θ发光强度:cd 1024.64d d I 52v v ?≈Φ=ΩΦ=θπ亮度:211235m /cd 1059.7)10(41024.6dAcos dI L ?≈??==-πθ轴(2)由题意知,10⽶远处的照明区域直径为:从⽽照度为:lx 9.6238)10(4149.0D 4E 222v=??=Φ=-ππ(3)透射率:81141026.11095.710L 1T -?≈?==轴(熙提)作业⼆1、说明蓝⾊⽕焰与黄⾊⽕焰的⾊温谁⾼,为什么答:⾊温是⽤⿊体的温度来标度普通热辐射源的温度。
张永林第二版《光电子技术》课后习题答案

1.1可见光的波长、频率和光子的能量范围分别是多少? 波长:380~780nm 400~760nm 频率:385T~790THz 400T~750THz 能量:1.6~3.2eV1.2辐射度量与光度量的根本区别是什么?为什么量子流速率的计算公式中不能出现光度量? 为了定量分析光与物质相互作用所产生的光电效应,分析光电敏感器件的光电特性,以及用光电敏感器件进行光谱、光度的定量计算,常需要对光辐射给出相应的计量参数和量纲。
辐射度量与光度量是光辐射的两种不同的度量方法。
根本区别在于:前者是物理(或客观)的计量方法,称为辐射度量学计量方法或辐射度参数,它适用于整个电磁辐射谱区,对辐射量进行物理的计量;后者是生理(或主观)的计量方法,是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算,称为光度参数。
因为光度参数只适用于0.38~0.78um 的可见光谱区域,是对光强度的主观评价,超过这个谱区,光度参数没有任何意义。
而量子流是在整个电磁辐射,所以量子流速率的计算公式中不能出现光度量.光源在给定波长λ处,将λ~λ+d λ范围内发射的辐射通量 d Φe ,除以该波长λ的光子能量h ν,就得到光源在λ处每秒发射的光子数,称为光谱量子流速率。
1.3一只白炽灯,假设各向发光均匀,悬挂在离地面1.5m 的高处,用照度计测得正下方地面的照度为30lx ,求出该灯的光通量。
Φ=L*4πR^2=30*4*3.14*1.5^2=848.23lx1.4一支氦-氖激光器(波长为632.8nm )发出激光的功率为2mW 。
该激光束的平面发散角为1mrad,激光器的放电毛细管为1mm 。
求出该激光束的光通量、发光强度、光亮度、光出射度。
若激光束投射在10m 远的白色漫反射屏上,该漫反射屏的发射比为0.85,求该屏上的光亮度。
32251122()()()6830.2652100.362()()22(1cos )()0.3621.15102(1cos )2(1cos 0.001) 1.4610/cos cos cos 0()0.3v m e v v v v v v v vv v vK V lm d I d S RhR R I cddI I I L cd m dS S r d M dS λλλλλππθλπθπθθπλ-Φ=Φ=⨯⨯⨯=Φ∆Φ==Ω∆Ω∆∆Ω===-∆Φ===⨯--∆∆====⨯∆Φ==52262 4.610/0.0005lm m π=⨯⨯'2'''222''2'2'100.0005(6)0.850.850.85cos 0.85155/cos 2v vvv v v v v l m r mP d r M E L dS lr L d dM l L cd m d dS d πθπθπ=>>=Φ===⋅⋅Φ====ΩΩ1.6从黑体辐射曲线图可以看书,不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长随温度T 的升高而减小。
光电子技术安毓英第一章课后习题参考答案1

(t)
2
− A21t
20
20 − s
因此
s
=
1 A 21
1.19 该电矢量方程写成实数形式:
E=(-2i+2 3 j) cos (6x108t-(- 3 x-y)
E0= (-2, 2 3 , 0), k=(- 3 , -1, 0), = 6108
平面波电矢量的振动方向为 X 和 Y 轴面内, 一,三象限内,与 X 轴成 60°角 传播方向为与 X 和 Y 轴平面内,第三象限,与 X 轴成 30°角负向传播
类似于一个完全吸收的黑体,所以室外看窗口感觉较黑。
1.8 (1)根据维恩位移定律:
m
=
2897.9m 3K
K
= 966m
(2)根据斯忒潘-波尔兹曼定律,黑体的辐射出射度为
Meb (T ) = T 4 = 5.67 10−8 J (/ m2 s K4)T 4
所以 3K 辐射背景的辐射出射度为:
s
1 ln10
=
4.80 3 103 K ln10
=
6254K
1.13 证明:自发辐射,一个原子由高能级 自发跃迁到 ,单位时间内能级 减少的粒子数为:
dn2 =−( dn21) dt dt
sp
自发跃迁几率
A21
=(
dn21) dt
1 n2
sp
可得:
dn2 dt
=−
A21
n2
t
n =n e n e 解得:
r sin
hr
Le
=
dIe ds cos
,
dIe = Le ds cos
,
ds = rd r sin d cos
光电子技术基础习题答案.

第一章绪论1. 光电子器件按功能分为哪几类?每类大致包括哪些器件?光电子器件按功能分为光源器件、光传输器件、光控制器件、光探测器件、光存储器件。
光源器件分为相干光源和非相干光源。
相干光源主要包括激光和非线性光学器件等。
非相干光源包括照明光源、显示光源和信息处理用光源等。
光传输器件分为光学元件(如棱镜、透镜、光栅、分束器等等)、光波导和光纤等。
光控制器件包括调制器、偏转器、光开关、光双稳器件、光路由器等。
光探测器件分为光电导型探测器、光伏型探测器、热伏型探测器、各种传感器等。
光存储器件分为光盘(包括CD、VCD、DVD、LD等)、光驱、光盘塔等。
2.谈谈你对光电子技术的理解。
光电子技术主要研究物质中的电子相互作用及能量相互转换的相关技术,以光源激光化,传输波导(光纤)化,手段电子化,现代电子学中的理论模式和电子学处理方法光学化为特征,是一门新兴的综合性交叉学科。
3.谈谈光电子技术各个发展时期的情况。
20世纪60年代,光电子技术领域最典型的成就是各种激光器的相继问世。
20世纪70年代,光电子技术领域的标志性成果是低损耗光纤的实现,半导体激光器的成熟特别是量子阱激光器的问世以及CCD的问世。
20世纪80年代,出现了大功率量子阱阵列激光器;半导体光学双稳态功能器件的得到了迅速发展;也出现了保偏光纤、光纤传感器,光纤放大器和光纤激光器。
20世纪90年代,掺铒光纤放大器(EDFA)问世,光电子技术在通信领域取得了极大成功,形成了光纤通信产业;。
另外,光电子技术在光存储方面也取得了很大进展,光盘已成为计算机存储数据的重要手段。
21世纪,我们正步入信息化社会,信息与信息交换量的爆炸性增长对信息的采集、传输、处理、存储与显示都提出了严峻的挑战,国家经济与社会的发展,国防实力的增强等都更加依赖于信息的广度、深度和速度。
⒋举出几个你所知道的光电子技术应用实例。
如:光纤通信,光盘存储,光电显示器、光纤传感器、光计算机等等。
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习 题11.1 设在半径为R c 的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ,如图所示。
试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。
解答:因为ΩΦd d ee I =,且在立体角内的辐射通量全部照在面元上。
面元的 ⎰⎰Φ=Φ=Φ⇒Ω=Φe e e e e d I d I d d e 根据立体角定义可知:20cos d l ds α=Ω,这里的0=α,代入上式, 得到:202e πd l R I I c e e =Ω=Φ⎰解答完毕。
1.2 如图所示,设小面源的面积为∆A s ,辐射亮度为L e ,面源法线与l 0的夹角为θs ;被照面的面积为∆A c ,到面源∆A s 的距离为l 0。
若θc 为辐射在被照面∆A c 的入射角,试计算小面源在∆A c 上产生的辐射照度。
解答:因为ss es e e A I ds dI L θθcos cos ∆==,推出:s s e e A L I θcos .∆=l 0SR c第1题图L e∆A s∆A cl 0θsθc第2题图又因为Ω∆=Φ⇒ΩΦ=d A L d I s se e ee θcos .d d 推出:202cos .cos .cos .cos .cos .l A A L l ds A L d A L cc s s e cs s e s s e e θθθθθ∆∆==∆=Ω∆=Φ⎰⎰最后根据2cos .cos .d d l A L AE cc s e ee θθ∆=Φ=⎰ 解答完毕。
1.6 从黑体辐射曲线图可以看出,不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长λm 随温度T 的升高而减小。
试由普朗克热辐射公式导出 常数=T m λ。
这一关系式称为维恩位移定律,其中常数为2.898⨯10-3m •K 。
解答:在普朗克公式 ()⎥⎦⎤⎢⎣⎡-⎪⎪⎭⎫⎝⎛=1ex p 252T k hc hc T M B b e λλπλ中,为运算简便起见,令212hc C π=,Tk hcx B λ=则λλλd Tx hck d Tk hc dx B B 22-==将上述各量代入普朗克公式中,得到:()()1555551-=x B b e e c h Tk x C T M λ根据维恩位移定:()()()015.125455551=---=x xx B b e e e x x e c h T k C dx T dM λ 推出055=--xx xe e ,用近似法解此超越方程,得到:965.4965.4B m m B k hcT Tk hc x =⇒==λλ,代入数据可以求得等式右边是常数,其值为()K m ⋅⨯-310898.2解答完毕。
1.7 黑体辐射曲线下的面积等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。
试由普朗克热辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比,即:4T M σ=解答:根据1.6题可得到()()⎰⎰⎰-=-==∞∞dx e x c h T k C d e c h T k x C d T M M x xB b e 1134444105555510λλλ 根据积分表可得:494.613=-⎰∞dx e x x,代入到上式,推出: 444441494.6T T c h k C M σ==,其中的常数为⎪⎭⎫⎝⎛⨯=-4281067.5k m W σ1.8 宇宙大爆炸遗留在宇宙空间的均匀背景热辐射相当于3k 黑体辐射。
求:此辐射的单色辐射出射度在什么波长下有极大值 地球表面接收到的此辐射的功率是多大? 解答: 根据维恩位移公式得到:m K m T m m μλμλ97.965.9.2897=⇒=根据斯特藩-波尔兹曼公式得到:422444T R Rds d T M e e e σππσ=Φ⇒Φ=Φ==,其中的R 是地球半径。
解答完毕。
1.9 常用的彩色胶卷一般分为日光型和灯光型。
你知道这是按什么区分的吗? 解答:按色温区分。
1.18 长为1米的氦氖激光器中,其体温度为K T 400=。
若工作波长m μλ39.3=时的小信号增益为dB 30,求提供此增益的反转集居数密度。
解答: 氦氖激光器的小信号增益系数为()5.02120002ln 4⎪⎭⎫ ⎝⎛∆∆=πνπλνD oA n G ,查出m μλ39.3=时的自发辐射系数为16211087.2-⨯=s A ,在此温度下多普勒加宽公式为:5.0071016.7⎪⎭⎫⎝⎛⨯=∆-M T D νν(M 为原子量)因为()LG o eI I 00ν=,根据贝尔公式()30lg 10lg 00===L o G e I IN ν(分贝),求出()00νG 的分贝表示。
代入以上数据,得到1901058.1-⨯=∆cm n习 题22.1 何为大气窗口,试分析光谱位于大气窗口内的光辐射的大气衰减因素。
对某些特定的波长,大气呈现出极为强烈的吸收。
光波几乎无法通过。
根据大气的这种选择吸收特性,一般把近红外区分成八个区段,将透过率较高的波段称为大气窗口。
衰减的原因是大气分子的少量吸收和散射占主导地位的损耗,大气溶胶的吸收和散射。
2.2 何为大气湍流效应,大气湍流对光束的传播产生哪些影响?是一种无规则的漩涡流动,流体质点的运动轨迹十分复杂,既有横向运动,又有纵向运动,空间每一点的运动速度围绕某一平均值随机起伏。
这种湍流状态将使激光辐射在传播过程中随机地改变其光波参量,使光束质量受到严重影响,出现所谓光束截面内的强度闪烁、光束的弯曲和漂移(亦称方向抖动)、光束弥散畸变以及空间相干性退化等现象,统称为大气湍流效应。
2.3对于3m 晶体3LiNbO ,试求外场分别加在x,y 和z 轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟。
解答:当晶体加入电场后,其折射率椭球就发生形变,椭球方程变为:1111111625242232222212=⎪⎭⎫⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛xy n xz n yz n z n y n x n LN 晶体的系数变化与线性电光系数具有一定的关系,用矩阵表示如下:⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡=⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡⎪⎭⎫ ⎝⎛∆⎪⎭⎫ ⎝⎛∆⎪⎭⎫ ⎝⎛∆⎪⎭⎫ ⎝⎛∆⎪⎭⎫ ⎝⎛∆⎪⎭⎫ ⎝⎛∆Z Y X E E E r r r r r r r r r r r r r r r r r r n n n n n n 636261535251434241333231232221131211625242322212111111作为LN 晶体,其电光系数矩阵的形式为:⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡--00000000002251513313221322r r r r r r r r由此得到:X X Y Z Z Y Z Y E nE n E nE nE E nE E n 2262515251423332132222132212111111γγγγγγγγ-=⎪⎭⎫⎝⎛∆=⎪⎭⎫⎝⎛∆=⎪⎭⎫⎝⎛∆=⎪⎭⎫⎝⎛∆+=⎪⎭⎫⎝⎛∆+-=⎪⎭⎫⎝⎛∆把以上各个量代入椭球方程,得到:12221112251512332213222213222=-++⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+++⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-xy E xz E yz E z E n y E E n x E E n x X Y Z e Z Y o Z Y o γγγγγγγγ 现在分析电场加在x,y,z 轴的折射率及相位变化情况。
外加电场平行于Z 轴: 此时0==Y X E E 则椭球方程变为:1111233221322132=⎪⎪⎭⎫⎝⎛++⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++⎪⎪⎭⎫⎝⎛+z E n y E n x E n Z e Z o Z o γγγ 得出新的主折射率为:Ze e z Z o o y Z o o x E n n n E n n n E n n n 333'133'133'212121γγγ-=-=-=相位差分别为:()()()()⎥⎦⎤⎢⎣⎡-+-=-=∆=-=∆Z e o o e y z y x E n n n n L n n L n n L 333133''1''1212202γγλπλπφλπφ可见此晶体不能产生纵向电光效应。
其他方向的分析与以上推导类似,略。
解答完毕。
2.4 一块z -045切割的GaAs 晶体,长度为L ,电场沿Z 方向。
证明纵向应用时的相位延迟为EL n 4132γλπ=∆Φ证明:(GaAs 是m 34-晶体,e o n n =,无自然双折射,电光系数635241γγγ==) 砷化镓晶体的纵向应用时,E E E E z y x ===,0,其折射率椭球方程为:12412222=+++xyE n z y x oγ 利用坐标变换公式,消除交叉项:ααααcos sin sin cos ''''y x y y x x +=-=得到:12cos 212sin 12sin 1''412'202'41202'4120=++⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+y x E r z n y E n x E n ααγαγ 上式的交叉项为零后,得到新的折射率椭球方程为:11112'202'41202'4120=+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+z n y E n x E n γγ进而得到相应的折射率为:o z o o y o o x n n E n n n E n n n =-=+='413'413'2121γγ因此纵向应用时,相位延迟为:()EL n L n ny x 413''22γλπλπ=-=∆Φ证明完毕。
2.5 何为电光晶体的半波电压?半波电压由晶体的那些参数决定?电光晶体加入外电场后,当光波的两个垂直分量的光程差为半个波长(相应的相位差为π)时所需要加的电压,称为半波电压。
2.7. 若取s m /616=υ, 35.2=n ,Z MH f 10=,m μλ6328.00=,试估算发生拉曼-纳斯衍射所允许的最大晶体长度?=MAX L由公式0204λλsn L L ≈<计算。
2.10 一束线偏振光经过长cm L 25=,直径cm D 1=的实心玻璃,玻璃外绕250=N 匝导线,通有电流A I 5=。
取韦尔德常数为()T cm V .'1025.05-⨯=,试计算光的旋转角0θ由公式L αθ=和VH =α计算。
2.11 概括光纤弱导条件的意义。
从理论上讲,光纤的弱导特性是光纤与微波圆波导之间的重要差别之一。