功率器件封装工艺流程
功率器件封装工艺流程ppt
目的
将功率器件按照电路连接需求装配到预定位置，实现电路功能。
主要步骤
定位：确定器件在封装板上的位置，确保器件与电路板连接的准确性；- 插入引脚：将器件引脚插入到封装板上的引脚孔中；- 固定：采用焊接、压接等方式固定器件在封装板上。
装配
检测
检测封装后的功率器件是否符合技术要求，保证产品的质量和可靠性。
目的
电性能检测：检测封装后的功率器件的电气性能指标是否符合设计要求；- 外观检测：检查封装后的器件表面及引脚是否完好无损，是否符合外观标准；- 环境适应性检测：模拟器件在实际使用中可能遇到的环境条件，检测其稳定性和可靠性。
主要步骤
封装工艺材料
03
03
介质损耗因数
绝缘材料在交流电压作用下消耗的能量与总能量之比，反映材料的介质损失。
封装工艺与功率器件性能
背景介绍
1
封装工艺重要性
2
3
良好的封装工艺能够保护功率器件免受环境影响，提高器件性能和稳定性。
提高器件性能
功率器件在工作过程中会产生大量热量，良好的封装工艺能够增强器件的散热能力，保证器件的正常运行。
增强散热能力
封装工艺对功率器件的电路设计具有重要影响，良好的封装设计方案能够优化电路布局和性能。
环境友好型封装技术
IPC及其他国际质量标准在封装行业的应用情况
06
IPC标准的制定
IPC标准是电子封装行业的基础标准之一，包括封装设计、制造、组装和测试等方面的标准，对提高封装质量和可靠性具有重要意义。
IPC在封装行业的应用情况
IPC标准的推广
IPC标准在电子封装行业得到了广泛的应用和推广，特别是在微电子、半导体等领域，已经成为封装企业必须遵守的基础标准之一。
封装工艺流程(1)
焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属
布线焊区（Pad）用金属细丝连接起来的工
艺技术。
WB技术作用机理
❖
提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，
使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊
面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界
面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合
❖ 铜：近年来，大量用于集成电路互连。铜比
铝有较高的导电率；铜丝相对于金丝具有成
本低、强度和刚度高、适合于细间距键合的
优点。
❖
引线键合的关键工艺
❖
❖
关键工艺：温度控制、精确定位控制、工作
参数设定。
应用对象：低密度连线封装（＜300个接点）
引线键合的技术缺陷
1.
2.
3.
多根引线并联产生邻近效应，导致电流分布
对芯片的影响，同时还可以屏蔽电磁干扰。
③各向异性导电聚合物:电流只能在一个方向流动。
❖ 导电胶功能：（形成化学结合、具有导电功能）
❖
2.3.4 玻璃胶粘贴法
与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料（后面
我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻璃粉。它
是起导电作用的金属粉（Ag、Ag-Pd、Au、Cu等）
出现废品。
Chipping Die
崩边
2.3 芯片粘贴
芯片贴装：也称芯片粘贴，是将芯片固定
于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工
艺过程。
贴装方式4种：
❖ 共晶粘贴法（Au-Si合金）
❖ 焊接粘贴法（Pb-Sn合金焊接）
❖ 环氧树脂粘结（重点）
❖ 玻璃胶粘贴法
引线框架
装
架
引线
第二章 封装工艺流程
各种连线技术依IC集成度区分的应用范围
3.1 打线键合技术
打线键合（焊接）技术 打线键合（焊接）技术为集成电路芯片与封装结构之间的电路连线最常被使用的方 法。其方法是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的键合点 （Pad）上而形成电路连接。 超声波键合（Ultrasonic Bonding U/ S Bonding ） 打线键合技术 热压键合（ Thermocompression Bonding T/C ） 热超声波焊接（Thermosonic Bonding T/S Bonding）
焊接粘结法
2.3 导电胶粘贴法
导电胶是大家熟悉的填充银的高分子材料聚合物，是具有良好导热导电性能的环氧 树脂。导电胶粘贴法不要求芯片背面和基板具有金属化层，芯片粘贴后，用导电胶 固化要求的温度时间进行固化，可在洁净的烘箱中完成固化，操作起来简便易行。 因此成为塑料封装常用的芯片粘贴法。以下有三种导电胶 三种导电胶的配方可以提供所需的电 三种导电胶 互连： （1）各向同性材料（ ICA，isotropic conductive adhesive ），它能沿所 有方向导电，代替热敏元件上的焊料，也能用于需要接地的元器件 （2）导电硅橡胶，它能有助于保护器件免受环境的危害，如水、汽，而且 可屏蔽电磁和射频干扰（EMI/RFI） （3）各向异性导电聚合物（ACA，anisotropic conductive adhesive ）， 它只允许电流沿某一方向流动，提供倒装芯片元器件的电连接和消除应变 以上三种类型导电胶都有两个共同点 两个共同点：在接合表面形成化学结合和导电功能。 两个共同点 导电胶填充料是银颗粒或者是银薄片，填充量一般在75%～80%之间，粘贴剂都是导电的。 但是，作为芯片的粘贴剂，添加如此高含量的填充料，其目的是改善粘贴剂的导热性，即 为了散热。因为在塑料封装中，电路运行过程产生的绝大部分热量将通过芯片粘贴剂和框 架散发出去。
功率器件封装工艺流程
2023-11-07
contents
目录
• 功率器件封装概述 • 前段封装工艺 • 后段封装工艺 • 特殊封装工艺 • 封装工艺材料与设备 • 封装工艺研究与发展趋势
01
功率器件封装概述
封装的作用与重要性
1 2 3
提高功率器件的可靠性
通过封装，可以保护功率器件免受环境因素（ 如温度、湿度、尘埃等）的影响，提高其可靠 性。
成品测试
外观检查
对封装完成的功率器件进行外观检查，包括 器件的高度、平整度、引脚是否歪斜等。
电气性能测试
对封装完成的功率器件进行电学性能测试，包括导 通电阻、耐压、电流等参数的测试。
环境适应性测试
对封装完成的功率器件进行环境适应性测试 ，包括高温高湿、振动、盐雾等恶劣环境的 测试。
04
特殊封装工艺
实现标准化和批量生产
通过封装，可以将不同规格和类型的功率器件 进行标准化，从而实现批量生产，提高生产效 率。
提高功率器件的性能
通过先进的封装技术，可以改善功率器件的性 能，例如降低内阻、提高散热性能等。
封装工艺的基本流程
引线键合
将芯片上的电极与引线连接起来， 通常采用超声波键合或热压键合等 方法。
感谢您的观看
THANKS
封装设备
切割设备பைடு நூலகம்
用于将功率器件从原始芯片中分离出来， 并进行初步的切割和形状加工。
清洗设备
用于清洗封装过程中的各种材料和器件， 保证其清洁度和质量。
焊接设备
用于将金属引脚或其他连接件焊接到功率 器件上，保证其可靠性和稳定性。
检测设备
用于检测封装后的功率器件性能和质量， 包括电气性能测试、外观检测等。
功率器件封装工艺流程
功率器件封装工艺流程摘要功率器件封装工艺是将功率器件芯片封装在外部保护层中，以保护器件免受环境因素影响。
本文将介绍功率器件封装工艺的流程及相关技术细节。
引言功率器件是电子设备中重要组成部分，其封装过程对器件的性能和稳定性起着重要作用。
功率器件封装工艺包括多个环节，从芯片封装到外部保护层的封装，每个环节都需要精确控制。
工艺流程1. 良品检查在封装工艺开始之前，需要对功率器件芯片进行检查，确保其质量符合要求。
2. 芯片封装首先，芯片被放置在封装座上，然后通过焊接或其他固定方式固定在座上。
接着，通过导线连接芯片的引脚，并在其周围加入封装材料。
3. 铸包封装材料会通过铸包的方式将芯片包裹在内，确保芯片受到良好的保护。
4. 温度固化将封装好的器件放置在固化烤箱中，通过加热使封装材料固化，并确保其与芯片牢固结合。
5. 修边封装完成后，需要对器件进行修边，消除封装过程中可能产生的不平整或刺边，保证器件外观整洁。
6. 老化测试封装完成的功率器件需要进行老化测试，模拟长期使用情况，检测器件稳定性和性能表现。
7. 包装最后，封装好的功率器件被放置在专门的包装盒中，可以是塑料盒或泡沫盒，以保护器件在运输和存储过程中不受损坏。
技术细节•焊接技术：通常采用金属焊接技术将导线连接到芯片引脚上。
•封装材料：常见的封装材料包括环氧树脂、有机硅胶等，具有良好的绝缘和导热性能。
•铸包方法：铸包可以采用注塑成型或模塑成型，确保封装材料均匀包裹芯片。
•固化温度：固化温度根据封装材料的特性而定，需要根据具体要求进行调整。
•老化测试条件：老化测试一般在高温高湿的环境下进行，以模拟器件长时间使用的情况。
结论功率器件封装工艺流程是保证功率器件性能和稳定性的重要环节，通过严格控制每个步骤，可以确保封装的功率器件具有良好的品质和可靠性。
同时，随着科技的发展，封装技术也在不断创新和改进，以满足不断变化的市场需求。
致谢本文参考了相关文献和资料，特此感谢。
功率器件封装工艺流程
功率器件封装工艺流程1. 材料准备：首先需要准备封装所需的材料，包括基板、封装胶、金属线等。
2. 基板处理：将基板进行清洗、腐蚀处理和表面处理，以确保封装胶能够牢固粘附在其上。
3. 封装胶涂覆：将封装胶均匀涂覆在基板上，并将器件放置在适当位置。
4. 热压封装：使用恰当的温度和压力，对封装胶进行热压，使其粘结在基板和器件上。
5. 金属线焊接：使用焊接工艺，将金属线连接到器件上，以实现电气连接。
6. 封装测试：对封装完的器件进行测试，包括外观检查、性能测试、耐压测试等。
7. 包装：符合要求的器件进行包装封装，以便运输和保护。
值得注意的是，不同类型的功率器件可能有不同的封装工艺流程，其中的一些步骤可能会有所变化。
此外，每一步骤中的具体工艺要求也会有所不同，需要根据实际情况进行调整。
在进行功率器件封装工艺时，需要严格按照相关要求和标准进行操作，以确保封装质量和产品性能。
功率器件封装工艺对于电子设备的性能和稳定性具有重要影响，因此在整个封装过程中，需要严格控制每一个环节，以确保封装质量和产品性能。
以下是对功率器件封装工艺流程的更详细的描述：1. 材料准备：在进行功率器件封装之前，需要先准备封装所需的材料，其中包括基板、封装胶、金属线、封装框架等。
这些材料需要符合相关的规范和标准，以确保封装后的器件能够满足性能和可靠性要求。
2. 基板处理：在进行封装之前，需要对基板进行清洗、腐蚀处理和表面处理。
清洗能够去除基板表面的污物和杂质，腐蚀处理能够增强基板表面的粗糙度，从而改善封装胶的粘结性能，表面处理可以提高基板的表面粗糙度和粘附性。
3. 封装胶涂覆：将封装胶均匀地涂覆在基板上，以确保封装胶能够完全覆盖器件。
这个步骤需要严格控制涂覆厚度和均匀性，以保证器件封装后的外观和性能。
4. 热压封装：在封装胶涂覆完成后，接下来是热压封装的步骤。
通过加热和施加一定的压力，使封装胶在基板和器件上形成良好的粘结，以确保器件在使用中不会出现脱落或漏胶等问题。
sic功率模块封装工艺流程
sic功率模块封装工艺流程SIC功率模块是一种采用硅碳化材料制造的功率半导体器件，具有高温、高频、高压、高功率等特点，广泛应用于电力电子、新能源、交通运输等领域。
为了保证SIC功率模块的性能和可靠性，必须对其进行封装。
下面是SIC功率模块封装工艺流程的详细介绍。
1.基板制备：首先，需要准备好用于封装SIC功率模块的基板。
常见的基板材料有氮化铝、氮化镓、陶瓷等。
基板需要具备良好的导热性和绝缘性能，以确保功率模块在高温和高压下的正常工作。
2.芯片安装：将预先制备好的SIC功率芯片安装到基板上。
这一步需要精确地将芯片与基板对齐，并使用高温焊接技术将其固定在基板上。
3.金属膜制备：在芯片安装完毕后，需要在芯片的上方形成一层金属膜。
金属膜通常采用导电性能较好的材料，如铜、银等。
金属膜的主要作用是提供电流的导通路径，并帮助芯片散热。
4.线缆连接：完成金属膜的制备后，需要使用焊接技术将芯片与外部电路连接起来。
这需要精细的线路设计和高精度的焊接工艺，以确保连接的可靠性。
5.封装胶囊：在芯片和线缆连接完毕后，需要将整个SIC功率模块进行封装。
封装是保护芯片和线缆，提高SIC功率模块的可靠性和耐用性的重要步骤。
常见的封装材料有环氧树脂、硅胶等。
6.电性能测试：完成封装后，需要对SIC功率模块进行电性能测试。
测试包括静态参数测试和动态参数测试。
通过测试可以评估模块的性能、稳定性和可靠性。
7.产品组装：在完成电性能测试后，将SIC功率模块进行产品组装。
这包括标刻产品型号和批次号、安装接线端子等工序。
8.最后质检：最后一步是进行质检，确保封装后的SIC功率模块符合相关的质量标准和要求。
这包括外观检查、电性能测试、可靠性验证等。
以上是SIC功率模块封装工艺流程的详细介绍。
每个步骤都需要严格控制工艺参数和质量要求，以确保封装后的SIC功率模块性能稳定可靠，并符合客户的需求。
同时，工艺流程中的每个环节都需要注意安全生产，保证员工的人身安全和设备的完整性。
gan功率工艺流程
gan功率工艺流程
氮化镓（GaN）HEMT的功率工艺流程包括多个阶段。
在器件制造的初始
阶段，氮化镓外延片在硅衬底、碳化硅衬底或蓝宝石衬底上生长。
外延的每一层的沉积一般采用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）。
接着进入器件制造阶段。
具体工艺流程包括光罩的几张顺序制作、隔离蚀刻、源极和漏极定义、源极和漏极金属沉积、玻璃和退火、门极金属沉积、金属剥离形成门极金属、氮化硅实现钝化和保护、源极和漏极接触定义、场板定义、金属剥离形成场板以及第二层氮化硅钝化层沉积等步骤。
此外，还有CP测试和封装等环节。
CP测试主要是通过测试室温和高温两
种环境下的多种参数，来识别出晶圆上失效的芯片颗粒，并进行染色标注，不再进行后续的封装。
封装步骤则相对简化。
最后，进行FT/测试，这是发货前的最后一道测试，一般会在室温和高温两种环境下对器件进行测试，测试的参数主要包括Idss、Vth、Rdson以及
BV（击穿电压）等。
以上是氮化镓（GaN）HEMT的功率工艺流程的大致步骤，建议咨询专业
人士获取具体细节。
sic功率器件新型封装结构设计、仿真及封装工艺探索
sic功率器件新型封装结构设计、仿真及封装工艺探索1. 引言1.1 概述随着现代电子设备的快速发展和不断提升的功率需求，对于高效、高性能的功率器件的需求也日益增长。
碳化硅（Silicon Carbide, SiC）功率器件作为一种新兴的半导体材料，在高温、高压、高频等极端环境下具有出色的性能表现，因而引起了广泛关注。
然而，封装结构作为保护和连接器件的关键部分，对于SiC功率器件在实际应用中的性能和可靠性起着重要作用。
本文旨在通过探索新型封装结构设计，并结合仿真与封装工艺优化，提供一个综合解决方案来提升SiC功率器件的整体性能。
1.2 文章结构本文总共分为五个部分。
首先，在引言部分进行概述并阐明研究目的。
第二部分将介绍SiC功率器件新型封装结构设计，包括研究背景、已有封装结构分析以及设计原理与考虑因素。
第三部分将探讨数值建模方法，并展示仿真结果与分析，进而对SiC功率器件进行性能评估。
第四部分将对封装工艺进行探索和优化，包括市场调研、封装工艺流程设计和实施方法的探索，以及工艺优化策略与实践案例分享。
最后，在结论与展望部分对本文的研究成果进行总结，并提出下一步研究方向。
1.3 目的SiC功率器件的封装结构具有极大的改进空间，可以通过改变设计思路和优化工艺流程来提升整体性能。
本文旨在深入探讨新型封装结构设计，并通过数值仿真和性能评估来验证其效果。
同时，我们也将着重研究封装工艺探索和优化策略，以提供可行的实施方法，并分享相关实践案例。
期望本文所提供的综合解决方案能够为SiC功率器件封装技术的发展做出有效贡献，推动该领域的进一步发展。
2. sic功率器件新型封装结构设计:2.1 研究背景:随着SiC（碳化硅）功率器件的不断发展和应用，封装结构的设计对于其性能和可靠性至关重要。
然而，传统的封装结构往往无法满足SiC功率器件高温、高压、高频等特殊工作环境下的需求。
因此，研究和开发新型的封装结构成为了当前SiC功率器件领域的热门课题。
功率器件封装工艺流程课件
包装
入库
aging
Packing Ware house
打印 marking
管脚上锡 plating
功率器件后封装工艺流程 ——划片
圆硅片
划片及绷片 后的圆片
划片
划片：将圆片切割成单个分离的芯片 划片特点：日本DISCO划片机，具有高稳 定性，划片刀的厚度25um，芯片损耗小。
功率器件后封装工艺流程－划片车间
2、使用有N2保护的 烘箱，防止管子在高 温下氧化。
功率器件后封装工艺流程
电镀
切筋
老化
测试
检验
测试流程
成品管
测试分选 合格
QC 抽检 合格
成品包装
不合格品 不合格
QA 检验 合格
入成品库
不合格
抽检 合格
不合格
客户使用
粉碎 返工 返工 返工
包装
功率器件后封装工艺流程 ——测试设备
分选机 KT9614与DTS-1000
焊料
表面清洁光亮，无氧化及 斑点、粘污等不良现象。
工艺保证
每片先试粘一条，试推力， 符合工艺规范才下投。
与芯片、框架两者之间的浸 润性良好，溶化后无颗粒状。
引线框架 粘接强度
表面平整、清洁、光亮无 焊料点上熔化后，焊料与之
氧化，无斑点。
的浸润好。
1、推力：mm2>1kg
2、焊料覆盖芯片面积 >95%(空洞面积<5%)
打印
塑封：压机注 塑，将已装片的 管子进行包封
塑封体 框架管脚
塑封示意图
塑封的特点
采用环氧树脂塑封材料 封装，阻燃，应力 小，强度高，导热 性好，密封性好， 保证晶体管大功率 使用情况下具有良 好散热能力，管体 温度低。
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- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
不够
件，压力 、功率、时间。
1、在N2保护中压焊。
2、专职检验员，_ 每隔1h巡检一次。 3、引线强度的 X -R管理图。
框架管脚 质量
1、管脚牢固、平整。 2、管脚锡层光亮平整、不氧化。 3、高温老化后锡层不变色。
1、调整塑封工艺，以达到充分填充。 2、加强浸锡前，管脚处理。 3、老化烘箱采用N2保护。
24
提高产品可靠性 －封装工艺的严格控制
一、降低热阻 二、控制“虚焊” 三、增强塑封气密性
25
功率器件的重要参数－热阻
降低器件发热量的三个途径 一、通过优化电路，避免开关器件进入放大区，减
小器件上的功率消耗 。 二、降低器件的热阻，即提高器件的散热能力。 三、提高器件的电流性能，降低饱和压降 。
在电路和芯片都已固定的情况下，避免器件发热 失效重要的途径就是降低器件的热阻 。
26
功率器件的重要参数－热阻
一、热阻的定义 热阻(Rth)是表征晶体管工作时所产
生的热量向外界散发的能力，单位 为℃/W，即是当管子消耗掉1W时器 件温度升高的度数。 RTH总＝ RT1+ RT2+ RT3
27
功率器件的重要参数－热阻
温度的变化△T有近似线性的关系： △Vbe＝k△T
对于硅pn结，k约等于2，热阻的计算公式为： Rth＝△T/P 只需加一个稳定的功率，测量晶体管的△Vbe即 可计算出晶体管的热阻 RT。
31
热阻测试筛选设备的优点
进行热阻测试筛选，我们用的是日本 TESEC的△Vbe测试仪 。
32
热阻测试筛选设备的优点
4
功率器件后封装工艺流程－划片车间
日本DISKO划片机
5
功率器件后封装工艺流程 ——粘片
（将单颗芯片粘结到引线框架上）
实物图
划片
粘片
压焊
6
塑封
打印
我公司粘片的特点
1、自动粘片机，芯片和引线框架的粘结牢固，一 致性好。
2、优质的框架及焊接材料使用，获得良好的热学 和电学特性。
3、芯片与框架的热匹配性良好，芯片和框架之间 的应力达到最小，热阻小，散热性好。
41
产品的特点
1、电流特性好，饱和压降小，在输出相同的 功率下，晶体管消耗的功率小，发热量低
2、产品种类型号丰富，专门针对节能灯、电 子镇流器进行设计 封装形式：TO-92、TO-126、TO-220、
TO-262、TO-263、TO251 带抗饱和电路的系列 L(低电压)系列晶体管
42
产品的特点
其与塑封料粘结更紧密
定。
2、在塑料型号上挑选收缩率低、流动 2、严格原料检验。
性好的材料，使其之间的机械粘结更 3、采用热强酸腐蚀比
加紧密。
较法，定期检查密封性。
对每种封装形式均需作材料热匹配的 4、借助广州五所的先
对比试验，通过样品测量和批量试用， 进分析手段，不定期的
选择最佳的材料组合。
对产品密封性能进行抽
20
功率器件后封装工艺流程
——测试设备
KT9614与DTS-1000
分选机
21
功率器件车间
新型的包装方式—编带
我公司今年新引进 的编带机
22
产品一致性和可靠性
1、产品的一致性 a.芯片生产工艺控制 b.通过细分类进行控制
2、产品可靠性 a.优化芯片生产工艺提高可靠性 b.封装工艺的严格要求
有空洞的地方就会形成一个热点
（即温度比粘结面其他地区高出很
多的小区域）（如右图示 ）。
粘片空洞 焊料 框架
热点处温度高，Vbe将比其他地方的Vbe变化大。整个 pn结的△Vbe将主要受热点处的△Vbe的影响，因此，有 空洞的管子的△Vbe比正常管子的△Vbe要大很多。
34
我公司产品的热阻特点
通过测量△Vbe，再经过公式 Rth＝ △Vbe /KP
电镀
切筋
老化
测试
1、严格的筛选条件， 温度140～150℃。
2、使用有N2保护的 烘箱，防止管子在高 温下氧化。
19
功率器件后封装工艺流程
电镀
切筋
老化
测试
检验
包装
测试流程
成品管
测试分选 合格
QC 抽检 合格
成品包装
不合格品 不合格
QA 检验 合格
入成品库
不合格
抽检 合格
不合格
客户使用
粉碎 返工 返工 返工
功率器件封装工艺流程
2
主要内容
主要内容介绍 一、功率器件后封装工艺流程 二、产品参数一致性和可靠性的保证 三、产品性价比 四、今后的发展
2
功率器件后封装工艺流程
划片 Die saw
检验 Inspection
包装 Packing
粘片
Die bonding
测试 Testing
压焊 wire bonding
我公司典型产品值：
品种 MJE13001 MJE13003BR MJE13005
封装形式 TO-92 TO-126 TO-220
热阻值
6.5℃/W 3.5℃/W 1.3℃/W
35
控制“虚焊” —造成虚焊的因素与对策措施
因素
技术要求
对策措施
引线材料 抗拉强度、延伸性良好，硬度适 中。
1、严格执行公司的原材料进料检验制度。
23
产品参数一致性的保证
高精度的测试系统
1、最高测试电压为1000V，最大电流20A，漏电流最 高精度达到pA级，电压测试精度达到2mV 2、可测试的半导体器件有双极晶体管，MOS管，二极 管等多种器件。 3、对于双极晶体管，可测试hFE、Vcesat、Vbesat、 Rhfe、Iceo、Iebo、Bveb、Icbo、Bvceo、Vfbe、Vfbc 、Vfec、Bton、Bvces、Bvcer、Icer、Icex、Icbr、 Icbs、BVcbo、Iceo等参数
切筋 segregating
入库
Ware house
塑封 molding
打印 marking
老化
管脚上锡
Heat aging plating
3
功率器件后封装工艺流程
——划片
圆硅片
划片及绷片 后的圆片
划片
划片：将圆片切割成单个分离的芯片 划片特点：日本DISCO划片机，具有高稳 定性，划片刀的厚度25um，芯片损耗小。
36
控制“虚焊”的措施
压焊工序对引线拉力进行了严格的控制
37
塑封气密性的工艺控制
相关因素
引线框架和 塑料粘接表 面机械强度
引线框架和 塑料热膨胀 系数匹配
注塑工艺方 面的调整
工艺措施
检测措施
1、引线框架的管脚增加两条密封槽， 1、定期检查设备运行
增加此处引线框架表面的粗糙度，使 状况，确保工艺参数稳
4、氮氢气体保护，避免高温下材料氧化。
7
功率器件后封装工艺流程——粘片车间
粘片员工在认真操作
8
功率器件后封装工艺流程——粘片车间
全新的TO-220粘片机
9
功率器件后封装工艺流程-压焊
划片
粘片
压焊
塑封
打印
压焊：用金丝或铝丝 将芯片上的电极跟外 引线（框架管脚）连 接起来。
金丝－金丝球焊 铝丝－超声波焊
粘片
压焊
塑封
打印
塑封：压机注 塑，
将已装片的管子 进行包封
塑封体 框架管脚
塑封示意图
13
塑封的特点
采用环氧树脂塑封材料 封装，阻燃，应力 小，强度高，导热 性好，密封性好， 保证晶体管大功率 使用情况下具有良 好散热能力，管体 温度低。
14
塑封机
功率器件后封装工艺流程
——塑封车间
塑封生产车间的景象
二、晶体管热阻的组成
1、RT1内热阻－由芯片 的大小及材料决定。
2、 RT2接触热阻－与 封装工艺有关。 3、 RT3与封装形式及 是否加散热片有关。
RT1 RT2
RT3
芯片
背面金、银层 焊料层 铜底座 （框架）
28
热阻的工艺控制
我们工艺控制过程中，最重要的是解决 接触热阻。主要的控制手段： 1、粘片工艺对接触热阻的控制。 2、高效的测试手段进行筛选 。
15
功率器件后封装工艺流程
塑封
打印
电镀
切筋
老化
测试
激光打标
在管体打上标记
激光打印机
16
功率器件后封装工艺流程-电
镀切筋
塑封
打印
电镀
切筋
老化
测试
电镀：纯锡电镀， 符合无铅化要求
切筋：器件分散
连筋
切筋示意图
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功率器件后封装工艺流程 ——切筋
切筋员工在操 作
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功率器件后封装工艺流程-老化
塑封
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△Vbe测试仪的性能参数及优点： 测试精度：0.1mV 脉冲时间精确度：1us 最高电压：200V 最大电流：20A 优点：
1.精度高，且精度高可达到0.1mV，重复性好。 2.筛选率高
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热阻测试筛选设备的优点
优点2：筛选率高
如粘片有空洞，脉冲测试在很短功
热点
率脉冲内，由于热量来不及传导， 芯片
3、可靠性高 如高低温循环（-50℃～150℃） 冰沸水浸泡试验 功率老化
4、本公司生产芯片，保证质量及芯片货源
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今后发展
▪ 后封装扩建搬迁项目 ▪ 绿色环保塑封料
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结束语 谢谢！
深爱半导体--封装部
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压焊示意图
金丝 或铝丝
压焊的特点
1、自动压焊机，一致性好，焊点、弧度 、高度最佳，可靠性高。